JPH08236304A - 保護素子 - Google Patents
保護素子Info
- Publication number
- JPH08236304A JPH08236304A JP6711795A JP6711795A JPH08236304A JP H08236304 A JPH08236304 A JP H08236304A JP 6711795 A JP6711795 A JP 6711795A JP 6711795 A JP6711795 A JP 6711795A JP H08236304 A JPH08236304 A JP H08236304A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- ptc
- conductor layer
- ptc element
- protective
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Details Of Resistors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＰＴＣ素子を用いた保護素子について、素子
全体の高さを増加させることなく、容易に配線板へ表面
実装できるようにする。 【構成】 保護素子が、基板３上に、導体層４ａ及びＰ
ＴＣ素子１が順次積層されており、そのＰＴＣ素子１と
基板上の他の端子４ｂとが金属箔５で接続されている構
造を有する。
全体の高さを増加させることなく、容易に配線板へ表面
実装できるようにする。 【構成】 保護素子が、基板３上に、導体層４ａ及びＰ
ＴＣ素子１が順次積層されており、そのＰＴＣ素子１と
基板上の他の端子４ｂとが金属箔５で接続されている構
造を有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＰＴＣ素子を用いた保護
素子に関する。特にＰＴＣ素子を用いた保護素子を、高
密度実装に対応できるように薄型化する技術に関する。
素子に関する。特にＰＴＣ素子を用いた保護素子を、高
密度実装に対応できるように薄型化する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＰＴＣ素子（ＰＴＣサーミスタ）は、導
電性粒子を結晶性高分子（例えば、ポリオレフィン系樹
脂）に分散させた抵抗体である。このＰＴＣ素子は、過
電流状態に陥ると発熱し、それにより結晶性高分子が膨
脹し、それに伴って抵抗値が上昇することにより回路に
流れる電流を抑制するので、従来より過電流防止用の保
護素子として使用されている。
電性粒子を結晶性高分子（例えば、ポリオレフィン系樹
脂）に分散させた抵抗体である。このＰＴＣ素子は、過
電流状態に陥ると発熱し、それにより結晶性高分子が膨
脹し、それに伴って抵抗値が上昇することにより回路に
流れる電流を抑制するので、従来より過電流防止用の保
護素子として使用されている。
【０００３】ＰＴＣ素子を使用した保護素子の形態とし
ては、図３に示したように、ＰＴＣ素子１を２枚の平板
な金属板２ａ、２ｂで挟んだものや、図４（同図（ａ）
正面図、同図（ｂ）側面図）に示したように、一辺を折
り曲げた金属板２ｃ、２ｄでＰＴＣ素子１を挟んだもの
が知られている。
ては、図３に示したように、ＰＴＣ素子１を２枚の平板
な金属板２ａ、２ｂで挟んだものや、図４（同図（ａ）
正面図、同図（ｂ）側面図）に示したように、一辺を折
り曲げた金属板２ｃ、２ｄでＰＴＣ素子１を挟んだもの
が知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図３に
示した従来の保護素子は、それを配線板に表面実装する
場合に、ＰＴＣ素子１の端子となる金属板２ａ、２ｂの
端部に段差ができるために、リフロー処理により行うこ
とができず、表面実装を手半田によらねばならないとい
う問題があった。
示した従来の保護素子は、それを配線板に表面実装する
場合に、ＰＴＣ素子１の端子となる金属板２ａ、２ｂの
端部に段差ができるために、リフロー処理により行うこ
とができず、表面実装を手半田によらねばならないとい
う問題があった。
【０００５】また、図４に示した保護素子では、金属板
２ｃ、２ｄの一辺が曲げられているので、配線板への表
面実装はリフロー処理により容易に行うことができる
が、素子全体の高さＨが高くなり、その厚さは薄いもの
でも３．０ｍｍ程度となる。したがって、近年の高密度
実装の要請に応えられないという問題があった。
２ｃ、２ｄの一辺が曲げられているので、配線板への表
面実装はリフロー処理により容易に行うことができる
が、素子全体の高さＨが高くなり、その厚さは薄いもの
でも３．０ｍｍ程度となる。したがって、近年の高密度
実装の要請に応えられないという問題があった。
【０００６】本発明は以上のような従来技術の問題点を
解決しようとするものであり、ＰＴＣ素子を用いた保護
素子について、素子全体の高さを増加させることなく、
容易に配線板へ表面実装できるようにすることを目的と
する。
解決しようとするものであり、ＰＴＣ素子を用いた保護
素子について、素子全体の高さを増加させることなく、
容易に配線板へ表面実装できるようにすることを目的と
する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、ＰＴＣ素
子の端子となる２つの導電層を基板上に別個に設け、そ
のうち一方の導電層にＰＴＣ素子を積層し、そのＰＴＣ
素子と基板上に設けた他方の導電層とを金属箔を用いて
接続することにより上記の目的が達成できることを見出
し、本発明を完成させるに至った。
子の端子となる２つの導電層を基板上に別個に設け、そ
のうち一方の導電層にＰＴＣ素子を積層し、そのＰＴＣ
素子と基板上に設けた他方の導電層とを金属箔を用いて
接続することにより上記の目的が達成できることを見出
し、本発明を完成させるに至った。
【０００８】すなわち、本発明は、基板上に、導体層及
びＰＴＣ素子が順次積層されており、そのＰＴＣ素子と
基板上の他の端子とが金属箔で接続されていることを特
徴とする保護素子を提供する。
びＰＴＣ素子が順次積層されており、そのＰＴＣ素子と
基板上の他の端子とが金属箔で接続されていることを特
徴とする保護素子を提供する。
【０００９】以下、本発明を図面に基づいて詳細に説明
する。なお、各図中、同一符号は同一又は同等の構成要
素を表している。
する。なお、各図中、同一符号は同一又は同等の構成要
素を表している。
【００１０】図１は、本発明の基本的な態様の保護素子
の説明図である（同図（ａ）平面図、同図（ｂ）断面
図、同図（ｃ）基板部分の斜視図）。同図に示したよう
に、この保護素子においては、基板３上に第１の導体層
４ａと第２の導体層４ｂとを有しており、この第１の導
体層４ａ上にＰＴＣ素子１が積層されており、さらにこ
のＰＴＣ素子１と第２の導体層４ｂとが金属箔５で接続
されている。そして、同図（ｃ）に示したように、基板
３の裏面には、導体層４ａ、４ｂの裏面への引き回しに
より、第１の導体層４ａに接続する第１の外部端子６ａ
と、第２の導体層４ｂに接続する第２の外部端子６ｂと
が設けられている。なお、このような外部端子は、スル
ーホールにより形成してもよい。
の説明図である（同図（ａ）平面図、同図（ｂ）断面
図、同図（ｃ）基板部分の斜視図）。同図に示したよう
に、この保護素子においては、基板３上に第１の導体層
４ａと第２の導体層４ｂとを有しており、この第１の導
体層４ａ上にＰＴＣ素子１が積層されており、さらにこ
のＰＴＣ素子１と第２の導体層４ｂとが金属箔５で接続
されている。そして、同図（ｃ）に示したように、基板
３の裏面には、導体層４ａ、４ｂの裏面への引き回しに
より、第１の導体層４ａに接続する第１の外部端子６ａ
と、第２の導体層４ｂに接続する第２の外部端子６ｂと
が設けられている。なお、このような外部端子は、スル
ーホールにより形成してもよい。
【００１１】また、基板３のＰＴＣ素子側は、保護キャ
ップ７で覆われ、外部から保護されている。
ップ７で覆われ、外部から保護されている。
【００１２】ここで、基板３は、プラスチックフィル
ム、ガラスエポキシ基板、セラミック基板、金属基板等
の種々の基板材料から構成することができるが、特にセ
ラミック基板、金属基板等の無機系基板を使用すること
が好ましい。基板３として無機系基板を使用することに
より、基板自体を不燃性にできるので、保護素子の使用
上の安全性を高めることが可能となる。
ム、ガラスエポキシ基板、セラミック基板、金属基板等
の種々の基板材料から構成することができるが、特にセ
ラミック基板、金属基板等の無機系基板を使用すること
が好ましい。基板３として無機系基板を使用することに
より、基板自体を不燃性にできるので、保護素子の使用
上の安全性を高めることが可能となる。
【００１３】基板３の厚さとしては、特に制限はない
が、保護素子の小型化の点から、通常０．１〜１．０ｍ
ｍ程度とすることが好ましい。
が、保護素子の小型化の点から、通常０．１〜１．０ｍ
ｍ程度とすることが好ましい。
【００１４】第１の導体層４ａ及び第２の導体層４ｂ
は、ＰＴＣ素子１の端子となるものである。このような
導体層は、一般に基板上に形成される電極端子と同様に
形成することができる。例えば、基板３上にスクリーン
印刷等により導電ペーストを所定のパターンに塗布し、
焼成することにより形成することができる。また、基板
３として銅張り板を使用した場合、その表面銅箔をエッ
チングしてパターニングすることにより形成することが
できる。また、このような銅パターン上に順次ニッケル
メッキ、金メッキを施したものや、銅パターン上に半田
メッキを施したもの等も使用することができる。
は、ＰＴＣ素子１の端子となるものである。このような
導体層は、一般に基板上に形成される電極端子と同様に
形成することができる。例えば、基板３上にスクリーン
印刷等により導電ペーストを所定のパターンに塗布し、
焼成することにより形成することができる。また、基板
３として銅張り板を使用した場合、その表面銅箔をエッ
チングしてパターニングすることにより形成することが
できる。また、このような銅パターン上に順次ニッケル
メッキ、金メッキを施したものや、銅パターン上に半田
メッキを施したもの等も使用することができる。
【００１５】ＰＴＣ素子１は、従来のＰＴＣ素子と同様
に高密度ポリエチレン、エチレンアクリレートコポリマ
ー、ポリカプロラクトン等の結晶性高分子に、導電性粒
子として、カーボンブラック、金属粉、金属被覆粒子等
を分散させたＰＴＣ組成物から形成することができる。
また、その他に、チタン酸バリウムを主成分とする無機
系組成物から形成することができる。
に高密度ポリエチレン、エチレンアクリレートコポリマ
ー、ポリカプロラクトン等の結晶性高分子に、導電性粒
子として、カーボンブラック、金属粉、金属被覆粒子等
を分散させたＰＴＣ組成物から形成することができる。
また、その他に、チタン酸バリウムを主成分とする無機
系組成物から形成することができる。
【００１６】また、ＰＴＣ素子１としては、ＰＴＣ組成
物からなるフィルムの両面を厚さ１０〜１００μｍ程度
の銅、ニッケル、アルミニウム等の金属箔で挟んだもの
も使用することができる。
物からなるフィルムの両面を厚さ１０〜１００μｍ程度
の銅、ニッケル、アルミニウム等の金属箔で挟んだもの
も使用することができる。
【００１７】ＰＴＣ素子１の大きさは、素子全体の高さ
を低く抑えるために、厚さ１０〜５０μｍ程度とするこ
とが好ましい。また、その平面的な大きさは、所定の初
期抵抗値に応じて適宜定めることができる。
を低く抑えるために、厚さ１０〜５０μｍ程度とするこ
とが好ましい。また、その平面的な大きさは、所定の初
期抵抗値に応じて適宜定めることができる。
【００１８】なお、ＰＴＣ素子１を第１の導体層４ａに
積層し固定する方法としては、例えば、フィルム状のＰ
ＴＣ素子を導体層上に熱圧着すればよい。また、金属箔
で挟んだものは、半田ペースト等を用いて接続すること
ができる。
積層し固定する方法としては、例えば、フィルム状のＰ
ＴＣ素子を導体層上に熱圧着すればよい。また、金属箔
で挟んだものは、半田ペースト等を用いて接続すること
ができる。
【００１９】金属箔５としては、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ等の
金属箔を使用することができる。金属箔５の厚さは、特
性上、製造上の点から１０〜１００μｍ程度とすること
が好ましい。また、金属箔５を上述のＰＴＣ素子１及び
第２の導体層４ｂと接続する方法としては、例えば、半
田ペースト等によることができる。
金属箔を使用することができる。金属箔５の厚さは、特
性上、製造上の点から１０〜１００μｍ程度とすること
が好ましい。また、金属箔５を上述のＰＴＣ素子１及び
第２の導体層４ｂと接続する方法としては、例えば、半
田ペースト等によることができる。
【００２０】保護キャップ７は、基板３上のＰＴＣ素子
１を外部から保護するために、必要に応じて設けられ
る。このような保護キャップ７は、例えば、液晶ポリマ
ー、ポリイミド、エポキシ系、フェノール系等の耐熱
性、難燃性材料から形成することができる。
１を外部から保護するために、必要に応じて設けられ
る。このような保護キャップ７は、例えば、液晶ポリマ
ー、ポリイミド、エポキシ系、フェノール系等の耐熱
性、難燃性材料から形成することができる。
【００２１】ＰＴＣ素子を用いた保護素子を以上のよう
な構造とすることにより、この保護素子の厚さを、１．
５ｍｍ以下にすることができ、従来に比して著しく薄く
することが可能となる。また、配線板への表面実装も容
易となる。
な構造とすることにより、この保護素子の厚さを、１．
５ｍｍ以下にすることができ、従来に比して著しく薄く
することが可能となる。また、配線板への表面実装も容
易となる。
【００２２】本発明の保護素子は、図１に示した態様に
限らず、基板上で導体層とＰＴＣ素子とが順次積層し、
そのＰＴＣ素子が金属箔で基板上の他の端子と接続し、
それにより保護素子全体の高さが抑制されている限り、
種々の態様をとることができる。必要に応じて、基板上
にＰＴＣ素子を複数設けてもよく、また、ＰＴＣ素子以
外の素子を搭載することもできる。
限らず、基板上で導体層とＰＴＣ素子とが順次積層し、
そのＰＴＣ素子が金属箔で基板上の他の端子と接続し、
それにより保護素子全体の高さが抑制されている限り、
種々の態様をとることができる。必要に応じて、基板上
にＰＴＣ素子を複数設けてもよく、また、ＰＴＣ素子以
外の素子を搭載することもできる。
【００２３】例えば、図２（同図（ａ）平面図、同図
（ｂ）断面図、同図（ｃ）回路図）に示した保護素子の
ように、基板３に、第１の導体層４ａと第１のＰＴＣ素
子１ａとを順次積層したものと、第２の導体層４ｂと第
２のＰＴＣ素子１ｂとを順次積層したものと、これらの
中間に発熱体８、絶縁層９、第３の導体層４ｃを順次積
層したものとを設け、これらの上面を金属箔５で接続し
てもよい。この保護素子においては、発熱体８が通電さ
れて発熱するとＰＴＣ素子１ａ、１ｂの温度が高まり、
それに伴ってＰＴＣ素子１ａ、１ｂの抵抗値が上昇し、
ＰＴＣ素子１ａ、１ｂを流れる電流（端子Ａ1-Ａ2 間の
電流）が抑制される。したがって、この保護素子と公知
の電圧検知手段とを組み合わせて使用し、被保護装置に
所定電圧を超える過電圧がかかった場合に発熱体８が通
電されるようにすると、この素子を被保護装置の過電流
防止用の保護素子としてだけでなく、過電圧防止用の保
護素子としても使用することができる。このように、本
発明によれば、過電流防止用の保護素子としてだけでな
く、過電圧防止用の保護素子として有用な素子について
も素子全体の高さを抑制することが可能となる。
（ｂ）断面図、同図（ｃ）回路図）に示した保護素子の
ように、基板３に、第１の導体層４ａと第１のＰＴＣ素
子１ａとを順次積層したものと、第２の導体層４ｂと第
２のＰＴＣ素子１ｂとを順次積層したものと、これらの
中間に発熱体８、絶縁層９、第３の導体層４ｃを順次積
層したものとを設け、これらの上面を金属箔５で接続し
てもよい。この保護素子においては、発熱体８が通電さ
れて発熱するとＰＴＣ素子１ａ、１ｂの温度が高まり、
それに伴ってＰＴＣ素子１ａ、１ｂの抵抗値が上昇し、
ＰＴＣ素子１ａ、１ｂを流れる電流（端子Ａ1-Ａ2 間の
電流）が抑制される。したがって、この保護素子と公知
の電圧検知手段とを組み合わせて使用し、被保護装置に
所定電圧を超える過電圧がかかった場合に発熱体８が通
電されるようにすると、この素子を被保護装置の過電流
防止用の保護素子としてだけでなく、過電圧防止用の保
護素子としても使用することができる。このように、本
発明によれば、過電流防止用の保護素子としてだけでな
く、過電圧防止用の保護素子として有用な素子について
も素子全体の高さを抑制することが可能となる。
【００２４】
【作用】本発明の保護素子によれば、金属板を折り曲げ
ることなくＰＴＣ素子の端子を形成することができるの
で、保護素子全体の厚みを薄く形成することが可能とな
る。さらに、基板に形成された導体層がＰＴＣ素子の端
子となるので、本発明の保護素子は配線板への表面実装
にも適したものとなる。
ることなくＰＴＣ素子の端子を形成することができるの
で、保護素子全体の厚みを薄く形成することが可能とな
る。さらに、基板に形成された導体層がＰＴＣ素子の端
子となるので、本発明の保護素子は配線板への表面実装
にも適したものとなる。
【００２５】また、本発明の保護素子によれば、ＰＴＣ
素子の平面的な大きさを変えることにより、保護素子の
外形の大きさを変えることなく初期抵抗値を所望の値に
設定することが可能となる。
素子の平面的な大きさを変えることにより、保護素子の
外形の大きさを変えることなく初期抵抗値を所望の値に
設定することが可能となる。
【００２６】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説
明する。
明する。
【００２７】基板としてアルミナ系セラミック板（厚さ
０．５ｍｍ）を用意し、その上に銀ペースト（ＱＳ１７
４、デュポン社製）を所定のパターンに塗布し、図１に
示した導体層のパターンにスクリーン印刷し、８７０℃
で３０分間焼成することにより第１の導体層及び第２の
導体層を形成した。次に、第１の導体層上に、厚さ３５
μｍのニッケル箔で挟んだＰＴＣ素子を載置し、さらに
このＰＴＣ素子と第２の導体層とにかかるように、厚さ
３５μｍのニッケル箔を載置し、半田ペーストを用いて
これらを接続した。
０．５ｍｍ）を用意し、その上に銀ペースト（ＱＳ１７
４、デュポン社製）を所定のパターンに塗布し、図１に
示した導体層のパターンにスクリーン印刷し、８７０℃
で３０分間焼成することにより第１の導体層及び第２の
導体層を形成した。次に、第１の導体層上に、厚さ３５
μｍのニッケル箔で挟んだＰＴＣ素子を載置し、さらに
このＰＴＣ素子と第２の導体層とにかかるように、厚さ
３５μｍのニッケル箔を載置し、半田ペーストを用いて
これらを接続した。
【００２８】ここで、ＰＴＣ素子としては、以下の配合
の各成分を、加圧ニーダを用いて１９０℃で混練し、ホ
ットプレス（１９０℃、５ｋｇｆ／ｃｍ２、２０秒間）
することにより厚さ３００μｍのフィルム状に成形し、
さらにＮｉ箔に挟んでホットプレス（１９０℃、５ｋｇ
ｆ／ｃｍ２、２０秒間）することにより厚さ２７０μｍ
のフィルム状に成形し、３ｍｍ角にカットしたものを用
いた。
の各成分を、加圧ニーダを用いて１９０℃で混練し、ホ
ットプレス（１９０℃、５ｋｇｆ／ｃｍ２、２０秒間）
することにより厚さ３００μｍのフィルム状に成形し、
さらにＮｉ箔に挟んでホットプレス（１９０℃、５ｋｇ
ｆ／ｃｍ２、２０秒間）することにより厚さ２７０μｍ
のフィルム状に成形し、３ｍｍ角にカットしたものを用
いた。
【００２９】 ［ＰＴＣ素子の配合］ 高密度ポリエチレン ５５重量部 （Ｈｉ−Ｚｅｘ５０００Ｈ、三井石油化学（株）製） エチレン−エチルアクリレートコポリマー １０重量部 （ＮＵＣ６１７０、日本ユニカー（株）製） 導電性粒子：微小球体状炭素に銀メッキを施したもの ３５重量部 （ＭＳＢ−１０Ａ、日本カーボン（株）製） さらに、基板に搭載したＰＴＣ素子を保護するために、
液晶ポリマー（日本石油化学（株）製）でキャップし
た。
液晶ポリマー（日本石油化学（株）製）でキャップし
た。
【００３０】このようにして得られた保護素子の外形
は、４ｍｍ×７ｍｍ×１．５ｍｍ（厚さＨ）であり、従
来の保護素子の約１／２の厚さであった。また、この保
護素子の初期抵抗は、４０ｍΩであった。
は、４ｍｍ×７ｍｍ×１．５ｍｍ（厚さＨ）であり、従
来の保護素子の約１／２の厚さであった。また、この保
護素子の初期抵抗は、４０ｍΩであった。
【００３１】
【発明の効果】本発明の保護素子によれば、素子全体の
高さを増加させることなく、容易にＰＴＣ素子を配線板
へ表面実装することが可能となる。
高さを増加させることなく、容易にＰＴＣ素子を配線板
へ表面実装することが可能となる。
【図１】本発明の保護素子の平面図（同図（ａ））、断
面図（同図（ｂ））及び基板部分の斜視図（同図
（ｃ））である。
面図（同図（ｂ））及び基板部分の斜視図（同図
（ｃ））である。
【図２】本発明の保護素子の平面図（同図（ａ））、断
面図（同図（ｂ））及び回路図（同図ｃ）である。
面図（同図（ｂ））及び回路図（同図ｃ）である。
【図３】従来の保護素子の断面図ある。
【図４】従来の保護素子の正面図（同図（ａ））及び側
面図（同図（ｂ））である。
面図（同図（ｂ））である。
１、１ａ、１ｂ ＰＴＣ素子 ３ 基板 ４ａ、４ｂ 導体層 ５ 金属箔 ６ａ、６ｂ 外部端子 ７ 保護キャップ ８ 発熱体
Claims (5)
- 【請求項１】 基板上に、導体層及びＰＴＣ素子が順次
積層されており、そのＰＴＣ素子と基板上の他の端子と
が金属箔で接続されていることを特徴とする保護素子。 - 【請求項２】 ＰＴＣ素子がフィルム状である請求項１
記載の保護素子。 - 【請求項３】 基板上の他の端子が、基板上に形成され
た第２の導体層からなる請求項１記載の保護素子。 - 【請求項４】 基板の裏面に、ＰＴＣ素子と積層してい
る導体層に接続している第１の外部端子と、基板上の他
の端子と接続している第２の外部端子とが形成されてい
る請求項１記載の保護素子。 - 【請求項５】 基板が無機系基板である請求項１記載の
保護素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6711795A JPH08236304A (ja) | 1995-02-28 | 1995-02-28 | 保護素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6711795A JPH08236304A (ja) | 1995-02-28 | 1995-02-28 | 保護素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08236304A true JPH08236304A (ja) | 1996-09-13 |
Family
ID=13335641
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6711795A Pending JPH08236304A (ja) | 1995-02-28 | 1995-02-28 | 保護素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08236304A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011505664A (ja) * | 2007-11-29 | 2011-02-24 | エルジー・ケム・リミテッド | 安全性部材を使用するｐｃｍを含むバッテリーパック |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0394401A (ja) * | 1989-06-27 | 1991-04-19 | Matsushita Electric Works Ltd | 感温センサ |
-
1995
- 1995-02-28 JP JP6711795A patent/JPH08236304A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0394401A (ja) * | 1989-06-27 | 1991-04-19 | Matsushita Electric Works Ltd | 感温センサ |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011505664A (ja) * | 2007-11-29 | 2011-02-24 | エルジー・ケム・リミテッド | 安全性部材を使用するｐｃｍを含むバッテリーパック |
| JP2013101953A (ja) * | 2007-11-29 | 2013-05-23 | Lg Chem Ltd | 安全性部材を使用するｐｃｍを含むバッテリーパック |
| US9373833B2 (en) | 2007-11-29 | 2016-06-21 | Lg Chem, Ltd. | Battery pack containing PCM employed with conductive pattern having fusible part |
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