JPH08234245A

JPH08234245A - 半導体１×３光デバイス

Info

Publication number: JPH08234245A
Application number: JP6344295A
Authority: JP
Inventors: Akira Mugino; 明麦野; Takeo Shimizu; 健男清水
Original assignee: Furukawa Electric Co Ltd
Current assignee: Furukawa Electric Co Ltd
Priority date: 1995-02-27
Filing date: 1995-02-27
Publication date: 1996-09-13

Abstract

(57)【要約】【目的】１×３型光スイッチとして機能する新規な半
導体１×３光デバイスを提供する。【構成】表面側に電気信号導入用の各電極７，８を形
成した第１、第２の出力用光導波路１，２を間隔を介し
て配設し、その略中心位置に入出力用光導波路９を間隔
を介して配設する。入出力用光導波路９は光入射端９ａ
側から光伝搬方向にかけて路幅が減少するテーパ導波路
部９ｂと路幅が均一の直線光導波路部９ｃを有する構成
とし、直線光導波路部９ｃには半導体光アンプ素子21を
設ける。テーパ導波路部９ｂと対向する第１、第２の出
力用光導波路１、２の領域は互いに平行とし、テーパ導
波路部９ｂと各出力用光導波路１，２とにより第１、第
２の光結合部３，４を形成する。入射端９ａからテーパ
導波路部９ｂ→直線光導波路部９ｃ、第１の光結合部３
→第１の出力用光導波路１、第２の光結合部４→第２の
出力用光導波路２の３つの光伝搬ルートを形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光スイッチ素子等に用
いられる半導体１×３光デバイスに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体材料で構成した多用な導波
路型光スイッチ素子が多く提案されており、光スイッチ
素子を全て半導体材料で製造することにより、他の能動
素子とのモノリシックな集積化が可能となるために非常
に注目されている。このような光スイッチ素子として
は、例えば、方向性結合器型のものやＹ分岐型のもの、
マッハツェンダー型のもの、Ｘ分岐型のもの等が知られ
ている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記各
種の光スイッチは全て１×２か２×２型の光スイッチで
あって、切り替えルートがいずれも２通りであった。そ
して、光の伝搬損失が少なく、切り替えルートを３通り
に切り替えたときの各出力強度の値が等しくなるような
１×３型光スイッチ、すなわち、光強度が約１の光を入
射させたときに、その出力を（１，０，０）、（０，
１，０）、（０，０，１）と切り替えることができる光
スイッチは提案されていなかった。

【０００４】本発明は上記課題を解決するためになされ
たものであり、その目的は、低損失で動作可能であり、
切り替えルートを切り替えたときの各出力強度を等しく
させることができる１×３型光スイッチとして機能する
新規な半導体１×３光デバイスを提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は次のように構成されている。すなわち、本
発明は、表面側に電気信号導入用電極が形成されている
第１と第２の出力用光導波路が間隔を介して配設されて
おり、これら２本の出力用光導波路の間にはその略中心
位置に１本の入出力用光導波路が前記２本の出力用光導
波路と間隔を介して配設されており、該入出力用光導波
路は光入射側から光伝搬方向にかけて路幅が減少するテ
ーパ導波路部と該テーパ導波路部の出射側から伸設され
た路幅が均一の直線光導波路部を有しており、該直線光
導波路部には半導体光アンプ素子が形成されており、前
記第１および第２の出力用光導波路の前記入出力用光導
波路のテーパ導波路部と対向する領域は互いに平行とな
っており、第１の出力用光導波路の前記テーパ導波路部
に対向する領域と前記テーパ導波路部とにより第１の光
結合部が形成されており、また、第２の出力用光導波路
の前記テーパ導波路部に対向する領域と前記テーパ導波
路部とにより第２の光結合部が形成されていることを特
徴として構成されている。

【０００６】

【作用】上記構成の本発明において、入出力用光導波路
はテーパ導波路部と、テーパ導波路部の出射側から伸設
された直線光導波路部を有しており、第１の出力用光導
波路の前記テーパ導波路部に対向する領域とこのテーパ
導波路部とにより第１の光結合部が形成されており、ま
た、第２の出力用光導波路の前記テーパ導波路部に対向
する領域とこのテーパ導波路部とにより第２の光結合部
が形成されているために、入出力用光導波路の入射側か
ら入射された入射光は、テーパ導波路部を介して、直線
光導波路部から出射されるルートと、第１の光結合部を
介して第１の出力用光導波路から出射されるルートと、
第２の光結合部を介して第２の出力用光導波路から出射
されるルートの３通りのルートをとることが可能とな
る。

【０００７】そして、例えば、これらのルートを切り替
えるルート切り替え手段等を設け、第１の出力用光導波
路の表面側の電気信号導入用電極から電気信号を導入さ
せて、屈折率を変化させることにより、入射光を第２の
光結合部を介して第２の出力等光導波路から出射させた
り、その逆に、第２の出力用光導波路の表面側の電気信
号導入用電極から電気信号を導入して、入射光を第１の
光結合部を介して第１の出力用光導波路から出射させた
り、第１、第２の出力用光導波路の電気信号導入用電極
から共に電気信号を導入しながら、入出力用光導波路の
直線光導波路部の半導体光アンプ素子を動作させること
により、入射光を入出力用光導波路の直線光導波路部か
ら出射させるといったように、前記ルートを自在に切り
替えることにより、切り替えルートを切り替えたときの
各出力強度を等しくさせる１×３光スイッチ素子の構築
が可能となる。

【０００８】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１には、本発明に係る半導体１×３光デバイス
の一実施例の要部構成が平面図により示されている。ま
た、図２には、図１のＡ−Ａ断面図が、図３には、図１
のＢ−Ｂ断面図が、図４には、図１のＣ−Ｃ断面図がそ
れぞれ示されている。図１において、表面側に電気信号
導入用の電極７，８がそれぞれ形成されている第１と第
２の出力用光導波路１，２が間隔を介して配設されてお
り、電極７，８には図示されていない電流注入手段が設
けられており、第１、第２の出力用光導波路１，２の間
にはその略中心位置に１本の入出力用光導波路９が出力
用光導波路１，２と間隔を介して配設されている。入出
力用光導波路９は光入射端９ａ側から光伝搬方向にかけ
て路幅が減少するテーパ導波路部９ｂと該テーパ導波路
部９ｂの出射側から伸設された路幅が均一の直線光導波
路部９ｃを有しており、直線光導波路部９ｃには半導体
光アンプ素子21が形成されている。

【０００９】この半導体光アンプ素子21には電流注入用
電極が設けられており、図示されていないキャリア注入
手段により電流を注入し、その電流の値を制御すること
により、入出力用光導波路９を伝搬して半導体光アンプ
素子21に入射する光の増幅率を自在に調節できるように
なっている。また、半導体光アンプ素子21は、前記キャ
リア注入手段による電流注入を行わないときには、入出
力用光導波路９を伝搬して半導体光アンプ素子21に入射
する光を吸収し、入出力用光導波路９の出射端から光を
出射させない働きも有している。

【００１０】第１および第２の出力用光導波路１，２の
テーパ導波路部９ｂと対向する領域は互いに平行となっ
ており、そのピッチは２Ｓ（Ｓ＝5.8 μｍ）となってい
る。また、第１の出力用光導波路１の出射側には曲線部
22を介して直線部５が形成され、一方、第２の出力用光
導波路２の出射側には曲線部23を介して直線部６が形成
されており、直線部５と６のピッチは２Ｇ₀に形成され
ている。

【００１１】前記第１、第２の出力用光導波路１，２の
幅は共にＷ（Ｗ＝3.6 μｍ）であり、入出力用光導波路
９の入力端９ａの幅はａ（ａ＝4.0 μｍ）、直線光導波
路部９ｃの幅はｂ（ｂ＝2.0 μｍ）、テーパ導波路部９
ｂの長さはＬ（Ｌ＝14.285mm）、傾き（ａ−ｂ）／２Ｌ
が0.00014 となっている。

【００１２】そして、本実施例では、上記各パラメータ
（Ｓ，Ｗ，ａ，Ｌ等）を上記のような値に設定すること
により、周知のモード結合理論により、テーパ導波路部
９ｂと、テーパ導波路部９ｂに対向する出力用光導波路
１，２との間で導波路モードの結合が起こり、第１の出
力用光導波路１のテーパ導波路部９ｂに対向する領域と
テーパ導波路部９ｂとにより第１の光結合部３が形成さ
れ、また、第２の出力用光導波路２のテーパ導波路部９
ｂに対向する領域とテーパ導波路部９ｂとにより第２の
光結合部４が形成されるようになっている。

【００１３】さらに、本実施例では、直線光導波路部９
ｃと出力用光導波路１，２間では導波路モードの結合が
起こらないようになっており、電極７，８を動作させる
ことなく、入出力用光導波路９に光を入射したときに
は、光は、第１の光結合部３と第２の光結合部４をそれ
ぞれ介して第１の出力用光導波路１と第２の出力用光導
波路２にそれぞれ伝搬し、直線部５，６の出射端から同
じ強度となって出射され、一方、入出力用光導波路９の
出射端からは出射されないようになっている。

【００１４】図２〜４に示されるように、本実施例の光
デバイスは積層構造を有しており、半導体製造技術を用
いることにより、以下のようにして作製されている。図
２，３に示すように、まず、ＡｕＧｅＮｉ／Ａｕからな
る下部電極10の上部側に、ＭＯＣＶＤ（有機金属化学蒸
着）法によって、ｎ⁺ＩｎＰからなる基板11、ｎ⁺Ｉｎ
Ｐからなる厚み1.0 μｍの下部クラッド層13、ｎ^-Ｇａ
ＩｎＡｓＰからなる厚み0.6 μｍのコア層14が順に積層
される。そして、このコア層14の上には、ｎ^-ＩｎＰか
らなるクラッド15ａとｐ^-ＩｎＰからなるクラッド15ｂ
からなるリッジ状の上部クラッド層15、ｐ⁺ＧａＩｎＡ
ｓからなるキャップ16が順次ＭＯＣＶＤ法で積層され、
エッチング処理を施すことにより、図１で示したような
平面パターンを有する第１、第２の出力用光導波路１，
２および入出力用光導波路９がリッジ状に形成される。
なお、エッチング処理を施すときの深さｇは、クラッド
15ａとクラッド15ｂが形成するｐｎの接合面15ｃよりも
深く処理される。

【００１５】キャップ層16の上面は、ＳｉＯ₂膜のよう
な絶縁膜17で被覆されており、出力用光導波路１，２の
上面を被覆する絶縁膜17の一部をスリット状に除去して
窓18が形成され、ここからキャップ16上に例えばＴｉ／
Ｐｔ／Ａｕを蒸着することによって電極７，８が装荷さ
れている。

【００１６】また、図４に示すように、半導体光アンプ
素子21の形成領域においても、下部電極10、基板11、下
部クラッド層13が順に積層されており、下部クラッド層
13上にはｎ^-型あるいはｉ型のＧａＩｎＡｓＰのような
半導体からなる活性層として機能するコア層14、ｎ^-Ｉ
ｎＰのような半導体からなるクラッド層15、ｐ⁺ＧａＩ
ｎＡｓのような半導体からなるキャップ層16が順次積層
され、その上面は絶縁薄膜17で全面が被覆される。そし
て、この絶縁薄膜17の一部は光路方向にスリット状に除
去されて窓18が形成され、窓18からＺｎのような金属を
コア層（活性層）14の上面まで拡散してｐ⁺ＩｎＰとし
たＺｎ拡散域19を形成した後、ここに金属を例えば蒸着
して上部電極20が形成される。

【００１７】なお、本実施例の半導体光アンプ素子21
は、Ｚｎ等の金属を拡散させることによりｐｎ接合を形
成し、ダブルヘテロ構造のバンド組成を調整し、素子に
伝搬される光の波長に対応した禁制帯幅が得られるよう
に形成されるものであり、こうすることにより、上記上
部電極20から所定値の電流を注入したとき、コア層（活
性層）14を導波する光の増幅を行わせることができ、ま
た、電流注入しない場合は、光の強い吸収を行わせるこ
とができる。

【００１８】本実施例は以上のように構成されており、
前記電流注入手段（図示せず）により電極７，８への電
流の注入を制御し、かつ、前記キャリア注入手段（図示
せず）により半導体光アンプ素子21に注入する電流の値
を制御することにより、以下のようなスイッチング動作
を行う。例えば、電極７，８を動作させることなく、入
出力用光導波路９の入力端９ａから入射光を入射し、ま
た、このとき、半導体光アンプ素子21への電流の注入も
行わないとすると、入射光は第１の光結合部３と第２の
光結合部４をそれぞれ介して、第１の出力用光導波路１
と第２の出力用光導波路２にそれぞれ分かれて伝搬し、
直線部５，６の出射端から同じ強度となって出力され
る。なお、このとき、第１、第２の光結合部３，４から
入出力用光導波路９の直線光導波路部９ｃ側に多少光が
漏れたとしても、この光は半導体光アンプ素子21に吸収
されるため、入出力用光導波路９の出射端からは出力さ
れないことになる。したがって、第１の出力用光導波路
１、第２の出力用光導波路２、入出力用光導波路９から
それぞれ出力される光のパワー比は0.5 ：0.5 ：０とな
る。

【００１９】ここで、例えば、電極７から所定の電流を
注入し、電極７に所定の電気信号を導入すると、電極７
の直下に位置する第１の出力用光導波路１を構成する半
導体材料において、周知のプラズマ効果やバンドフィリ
ング効果が発生して第１の出力用光導波路１の屈折率が
低下する。

【００２０】この屈折率低下の度合いは、導入した電気
信号の大きさによって規定されるものであり、例えば、
電流注入手段により注入した電流値がある閾値以上にな
ると、出力用光導波路は出力用導波路１を伝搬する導波
路モードの全てをカットオフするようになり、光が第１
の出力用導波路１を伝搬することができなくなる。その
ため図５の（ａ）に示すように、入出力用光導波路９の
入力端９ａから入射した光は、第２の光結合部４を介し
て第２の出力用光導波路２側に伝搬し、曲線部23、直線
部６を介して出射される。そして、このとき、第１の出
力用光導波路１、第２の出力用光導波路２、入出力用光
導波路９からそれぞれ出射される光のパワー比は０：
１：０となる。

【００２１】また、上記とは逆に、電極７への電流注入
を停止し、電極８にのみ前記閾値以上の電流を注入する
と、今度は電極８の直下に位置する第２の出力用光導波
路２において導波路モードのカットオフが行われ、図５
の（ｂ）に示すように、入出力用光導波路９の入力端９
ａから入射された光は、第１の光結合部３を介して第１
の出力用光導波路１を伝搬し、曲線部22、直線部５を介
して第１の出力用光導波路１の出射側から出力される。
そして、このときの、第１の出力用光導波路１、第２の
出力用光導波路２、入出力用光導波路９からそれぞれ出
射される光のパワー比は１：０：０となる。

【００２２】さらに、電極７，８に共に電気信号を同時
に導入すると、今度は第１、第２の両方の出力用光導波
路１，２が共にモードカットオフ状態となり、第１、第
２の光結合部３，４が機能できなくなり、したがって、
図５の（ｃ）に示すように、入出力用光導波路９の入力
端９ａから入射された光は、そのままテーパ導波路部９
ｂを介して直線光導波路部９ｃ側に伝搬する。ただし、
このとき、本実施例では、前記キャリア注入手段により
半導体光アンプ素子21に適宜な電流を注入するようにし
ており、そのようにすることで、入出力用光導波路９の
路幅の広い入力端９ａから路幅の狭い直線光導波路部９
ｃ側に光が伝搬するときの光の放射損失やモードフィー
ルド変換等に伴う損失が補われ、入射光とほぼ同じ強度
の光が出射されるようになる。そして、このときの第１
の出力用光導波路１、第２の出力用光導波路２、入出力
用光導波路９からそれぞれ出射される光のパワー比は
０：０：１となる。

【００２３】図６には、実際に入出力用光導波路９の入
力端９ａから波長1.3 μｍであるＴＥモードの入射光を
入射させながら、電極７に注入する電流の値を可変した
ときの、第１の出力用光導波路１からの出力と第２の出
力用光導波路２からの出力と入出力用光導波路９からの
出力を測定した結果が示されている。この図から明らか
なように、電極７からの注入電流が０のときには、第１
の出力用光導波路１、第２の出力用光導波路２、入出力
用光導波路９の出力比は0.5 ：0.5 ：０となっている。

【００２４】そして、電極７に注入する電流を増加させ
るのに伴い、第２の出力用光導波路２からの出力が増加
して第１の出力用光導波路１からの出力が減少し、注入
する電流の値を250 ｍＡ以上にすると、第１の出力用光
導波路１の出力は０となり、第２の出力用光導波路２の
出力は１となる。したがって、電極７から250 ｍＡ以上
の電流を注入しながら入出力用光導波路９の入力端９ａ
から波長1.3 μｍのＴＥモードの光を入射すれば、第１
の出力用導波路１と第２の出力用光導波路２と入出力用
光導波路９との出力の比は０：１：０となることが立証
された。

【００２５】また、この逆に、電極８に250 ｍＡ以上の
電流を注入しながら、入出力用光導波路９の入力端９ａ
から波長1.3 μｍのＴＥモードの光を入射させれば、前
記とは逆に、第１の出力用光導波路１からの出力：第２
の出力用光導波路２からの出力：入出力用光導波路９か
らの出力は１：０：０となる。さらに、電極７，８に同
時に250 ｍＡ程度の電流を注入しながら、半導体光アン
プ素子21に電流注入を行うと、今度は入出力用光導波路
９の出力端から光が出射されるようになり、第１の出力
用光導波路１からの出力：第２の出力用光導波路２から
の出力：入出力用光導波路９からの出力は０：０：１と
なる。

【００２６】本実施例によれば、上記動作により、電極
７，８にそれぞれ注入される電流の値を制御し、かつ、
半導体光アンプ素子21に注入する電流の値を制御するこ
とにより、第１の出力用光導波路１と第２の出力用光導
波路２と入出力用光導波路９の３つの出力端に、（０，
０，１）、（１，０，０）および（０，１，０）状態の
１×３スイッチング動作を切り替えて行うことができる
１×３光スイッチ素子を形成することができる。

【００２７】また、本実施例によれば、方向性結合器構
造を有しているために、Ｙ分岐型やＸ分岐型のような放
射損失を生じることがなく、第１、第２の光結合部３，
４を介して第１、第２の出力用光導波路１，２に光を伝
搬させることが可能であり、しかも、図５に示したよう
に光の伝搬ルートを切り替える動作は、電極７，８に電
流を注入することによる導波路モードのカットオフと半
導体光アンプ素子21に電流を注入することによるアンプ
の増幅作用により行われるために、切り替え動作を明確
に行うことが可能となり、消光比も高く、例えば、この
素子を電話通信等に利用したときに、光の漏れによる漏
話の発生のない通信を行うことが可能となる。また、半
導体光アンプ素子21を偏波無依存なもので構成すれば、
全体として偏波に対する依存性も抑制できる優れた光ス
イッチ素子を形成することができる。

【００２８】なお、本発明は上記実施例に限定されるこ
とはなく、様々な実施の態様を採り得る。例えば、上記
実施例では、各光導波路１，２，９を全てリッジ状に形
成したが、各光導波路１，２，９を全てリッジ状に形成
するとは限らず、例えば、全ての光導波路１，２，９を
埋め込み型の光導波路としてもよい。

【００２９】また、上記実施例では、半導体光アンプ素
子21を作製するときに、Ｚｎのような金属をコア層（活
性層）14の上面まで拡散してＺｎ拡散域19を形成するこ
とにより作製したが、半導体光アンプ素子21の作製方法
は、必ずしもこのような拡散を用いるとは限らず、例え
ば、下部クラッド層13からキャップ層16までを全てエピ
タキシャル成長によって形成して半導体光アンプ素子21
を作製しても構わない。

【００３０】さらに、上記実施例では、スイッチ切り替
え動作を確認するときに、入出力用光導波路９にＴＥモ
ードの入射光を入射させて動作させるようにしたが、入
出力用光導波路９に入射させる入射光は必ずしもＴＥモ
ードの光とは限らない。そして、半導体光アンプ素子21
に偏波無依存な光アンプを用いることにより、本発明の
半導体１×３光デバイスを偏波無依存な素子とすること
が可能となり、光の偏波に依存しない光を出力すること
ができる。

【００３１】さらに、上記実施例では、スイッチ切り替
え動作を行うときに、電極７，８に電流注入手段により
電流を注入することにより、電気信号を入力するように
したが、その代わりに、電圧を印加する電圧印加手段を
用いて電極７，８に電圧を印加することにより、電気信
号を入力するようにしてもよい。

【００３２】さらに、本発明の半導体１×３光デバイス
は、例えば、電極７，８に同時に電気信号を入力する動
作を省略し、電極７，８に交互に電気信号を入力するこ
とにより、１×２光スイッチ素子として機能させること
も可能であり、このようにして、用途に応じて、本発明
の半導体１×３光デバイスを１×３光スイッチ素子とし
て機能させたり、１×２光スイッチ素子として機能させ
たりすることができる。

【００３３】さらに、本発明の半導体１×３光デバイス
を形成する各光導波路１，２，９の路幅やその間隔等の
詳細なパラメータは上記実施例に限定されることはな
く、例えば、モード結合理論に基づいて、入出力用光導
波路９のテーパ導波路部９ｂと、テーパ導波路部９ｂに
対向する第１、第２の出力用光導波路１，２との間で導
波路モードの結合が起こって、第１、第２の光結合部
３，４が形成され、一方、入出力用光導波路９の直線光
導波路部９ｃと第１、第２の出力用光導波路１，２との
間では導波路モードの結合が起こらないように形成され
ればよい。

【００３４】

【発明の効果】本発明によれば、第１の出力用光導波路
の、入出力用光導波路のテーパ導波路部に対向する領域
と、このテーパ導波路部とにより第１の光結合部が形成
されており、また、第２の出力用光導波路の前記テーパ
導波路部に対向する領域とこのテーパ導波路部とにより
第２の光結合部が形成されていることにより、入出力用
光導波路の入力側から入射した光を第１の光結合部を介
して第１の出力用光導波路に伝搬するルートと、第２の
光結合部を介して第２の出力用光導波路に伝搬するルー
トと、入出力用光導波路のテーパ導波路部を介して直線
光導波路部に伝搬するルートの３つのルートを形成する
ことが可能となり、この切り替えルートを、例えば電気
信号導入用電極から電気信号を入力したり、半導体光ア
ンプ素子を動作させたりすることにより、自在に切り替
えることにより、新規な１×３型光スイッチとして機能
する光スイッチ素子を形成することが可能となる。

【００３５】また、本発明によれば、上記スイッチ切り
替え動作を行うときに、電気信号導入用電極に導入する
電気信号の大きさを調整し、半導体光アンプ素子に入力
する電流の大きさを調整することにより、スイッチ切り
替え動作を非常に明確に行うことが可能となり、また、
入出力用光導波路の入力側から第１、第２の出力用光導
波路および入出力用光導波路の直線光導波路部に伝搬す
る光の損失も抑制することが可能となる。さらに、半導
体光アンプ素子を偏波無依存な光アンプにより構成する
ことにより偏波無依存な光スイッチ素子を形成すること
が可能となり、このように、電気信号導入用電極に導入
する電気信号や半導体光アンプ素子を様々に調整したり
することにより非常に優れた光スイッチ素子を形成する
ことが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る半導体１×３光デバイスの一実施
例を示す要部平面構成図である。

【図２】図１のＡ−Ａ断面図である。

【図３】図１のＢ−Ｂ断面図である。

【図４】図１のＣ−Ｃ断面図である。

【図５】上記実施例のスイッチ切り替え動作の説明図で
ある。

【図６】上記実施例の電極７に電流を注入しながら入射
光を入射させたときの各光導波路の出力測定結果を示す
グラフである。

【符号の説明】

１第１の出力用光導波路２第２の出力用光導波路３第１の光結合部４第２の光結合部７，８電極９ｂテーパ導波路部９ｃ直線光導波路部 21 半導体光アンプ素子

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】表面側に電気信号導入用電極が形成され
ている第１と第２の出力用光導波路が間隔を介して配設
されており、これら２本の出力用光導波路の間にはその
略中心位置に１本の入出力用光導波路が前記２本の出力
用光導波路と間隔を介して配設されており、該入出力用
光導波路は光入射側から光伝搬方向にかけて路幅が減少
するテーパ導波路部と該テーパ導波路部の出射側から伸
設された路幅が均一の直線光導波路部を有しており、該
直線光導波路部には半導体光アンプ素子が形成されてお
り、前記第１および第２の出力用光導波路の前記入出力
用光導波路のテーパ導波路部と対向する領域は互いに平
行となっており、第１の出力用光導波路の前記テーパ導
波路部に対向する領域と前記テーパ導波路部とにより第
１の光結合部が形成されており、また、第２の出力用光
導波路の前記テーパ導波路部に対向する領域と前記テー
パ導波路部とにより第２の光結合部が形成されているこ
とを特徴とする半導体１×３光デバイス。