JPH0823183A - 部材の冷却構造 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 放熱部品を小型化・軽量化する。
【構成】 部材の冷却構造は、発熱する電子部品や工具
等の部材を冷却するための冷却構造であって、高配向性
を有するグラファイト製の放熱部品である。放熱部品
は、ヒートシンク２０、封止ケース、伝熱シート、伝熱
配線１６、放熱基板、シャンク、バイトチップ、グラフ
ァイトシート等の冷却用部品である。
等の部材を冷却するための冷却構造であって、高配向性
を有するグラファイト製の放熱部品である。放熱部品
は、ヒートシンク２０、封止ケース、伝熱シート、伝熱
配線１６、放熱基板、シャンク、バイトチップ、グラフ
ァイトシート等の冷却用部品である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、部材の冷却構造、特
に、発熱する電子部品や加工工具等の部材を冷却するた
めの部材の冷却構造に関する。
に、発熱する電子部品や加工工具等の部材を冷却するた
めの部材の冷却構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、パワートランジスタ等の大容量
の電子部品には、発生した熱を放熱するためにアルミニ
ウム製のヒートシンクが取り付けられている。また、発
熱するＩＣやＬＳＩを搭載した回路基板には、アルミニ
ウム等からなる金属板を基板とした金属基板が用いられ
ている。この金属基板が放熱部品を兼ねている。
の電子部品には、発生した熱を放熱するためにアルミニ
ウム製のヒートシンクが取り付けられている。また、発
熱するＩＣやＬＳＩを搭載した回路基板には、アルミニ
ウム等からなる金属板を基板とした金属基板が用いられ
ている。この金属基板が放熱部品を兼ねている。
【０００３】このように、発熱する電子部品等の部材を
冷却する構造には、従来、主にアルミニウム製の放熱部
品を用いている。アルミニウムは、金属の中では比重が
軽く、部品の軽量化に貢献している。また熱伝導性や電
気伝導性も良く、これらの点もアルミニウムが従来放熱
部品の材料として使われている大きな理由である。
冷却する構造には、従来、主にアルミニウム製の放熱部
品を用いている。アルミニウムは、金属の中では比重が
軽く、部品の軽量化に貢献している。また熱伝導性や電
気伝導性も良く、これらの点もアルミニウムが従来放熱
部品の材料として使われている大きな理由である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】近年の電子回路の小型
化・高集積化の要望に沿うためには、部材の冷却構造の
軽量化をさらに図るとともに小型化を図ることが必要で
ある。しかし、アルミニウム製のものでは、アルミニウ
ム固有の固体物性である熱伝導率の大きさによりアルミ
ニウム板の厚さと大きさとが定まるので、さらに小型・
薄型化を要望されてもこのような小型化・軽量化の要望
を満たすことが困難である。
化・高集積化の要望に沿うためには、部材の冷却構造の
軽量化をさらに図るとともに小型化を図ることが必要で
ある。しかし、アルミニウム製のものでは、アルミニウ
ム固有の固体物性である熱伝導率の大きさによりアルミ
ニウム板の厚さと大きさとが定まるので、さらに小型・
薄型化を要望されてもこのような小型化・軽量化の要望
を満たすことが困難である。
【０００５】一方、最近では、可撓性を有する樹脂で回
路基板を構成し、回路基板の小型化を図っているが、ア
ルミニウム製の従来の金属基板はこのような用途に用い
ることができない。本発明の目的は、放熱部品を小型化
・軽量化することにある。本発明の他の目的は、可撓性
の回路基板でありながら基板が放熱部を兼ねるようにす
ることにある。
路基板を構成し、回路基板の小型化を図っているが、ア
ルミニウム製の従来の金属基板はこのような用途に用い
ることができない。本発明の目的は、放熱部品を小型化
・軽量化することにある。本発明の他の目的は、可撓性
の回路基板でありながら基板が放熱部を兼ねるようにす
ることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る部材の冷却
構造は、発熱する電子部品、加工工具等の部材を冷却す
るための冷却構造であって、高配向性を有するグラファ
イト製の放熱部品を含むことを特徴とする。前記グラフ
ァイトは、ロッキング特性が２０度以下であるのが好ま
しい。
構造は、発熱する電子部品、加工工具等の部材を冷却す
るための冷却構造であって、高配向性を有するグラファ
イト製の放熱部品を含むことを特徴とする。前記グラフ
ァイトは、ロッキング特性が２０度以下であるのが好ま
しい。
【０００７】前記放熱部品は、部材としての電子部品を
冷却するためのヒートシンクであってもよい。前記放熱
部品は、部材としての電子部品を封止するための封止部
材であってもよい。前記放熱部品は、部材としての電子
部品と熱を放熱する放熱体とを接続する放熱部材であっ
てもよい。
冷却するためのヒートシンクであってもよい。前記放熱
部品は、部材としての電子部品を封止するための封止部
材であってもよい。前記放熱部品は、部材としての電子
部品と熱を放熱する放熱体とを接続する放熱部材であっ
てもよい。
【０００８】前記放熱部品は、部材としての電子部品を
搭載するための回路基板に用いられる放熱部材であって
もよい。これら場合、この放熱部材は、可撓性を有する
グラファイトシートであり、比重が０．５以上１．５以
下であるのが好ましい。前記放熱部品は、部材としての
発熱する加工工具を冷却するヒートシンクであってもよ
い。
搭載するための回路基板に用いられる放熱部材であって
もよい。これら場合、この放熱部材は、可撓性を有する
グラファイトシートであり、比重が０．５以上１．５以
下であるのが好ましい。前記放熱部品は、部材としての
発熱する加工工具を冷却するヒートシンクであってもよ
い。
【０００９】
【作用】本発明に係る部材の冷却構造では、放熱部品が
高配向性を有するグラファイト製であるので、熱伝導性
がアルミニウムに比べて高くなる。この結果、放熱部品
の小型化・軽量化を図ることができる。グラファイトの
ロッキング特性が２０度以下である場合には、配向性が
より高くなり、放熱能力が向上する。
高配向性を有するグラファイト製であるので、熱伝導性
がアルミニウムに比べて高くなる。この結果、放熱部品
の小型化・軽量化を図ることができる。グラファイトの
ロッキング特性が２０度以下である場合には、配向性が
より高くなり、放熱能力が向上する。
【００１０】放熱部品が電子部品を冷却するヒートシン
クである場合には、ヒートシンクの小型化・軽量化をは
かれる。放熱部品が電子部品を封止するための封止部材
である場合には、封止部材の小型化・軽量化を図れる。
放熱部品が電子部品と熱を放熱する放熱体とを接続する
放熱部材である場合には、放熱部材の小型化・軽量化を
図れる。そして、電子部品から伝熱部材を経て放熱体に
熱が効率良く伝えられ、冷却効率を向上できる。
クである場合には、ヒートシンクの小型化・軽量化をは
かれる。放熱部品が電子部品を封止するための封止部材
である場合には、封止部材の小型化・軽量化を図れる。
放熱部品が電子部品と熱を放熱する放熱体とを接続する
放熱部材である場合には、放熱部材の小型化・軽量化を
図れる。そして、電子部品から伝熱部材を経て放熱体に
熱が効率良く伝えられ、冷却効率を向上できる。
【００１１】放熱部品が電子部品を搭載するための回路
基板に用いられる放熱部材である場合には、回路基板を
小型化・軽量化できかつ薄い回路基板で効率よく基板を
冷却できる。また、放熱部材が可撓性を有するグラファ
イトシートであり、比重が０．５以上１．５以下の場合
には、これを回路基板に用いると軽量な可撓性の回路基
板になり、放熱体との接続に用いると軽量化を図れかつ
電子部品と放熱体の位置関係が制限されない。
基板に用いられる放熱部材である場合には、回路基板を
小型化・軽量化できかつ薄い回路基板で効率よく基板を
冷却できる。また、放熱部材が可撓性を有するグラファ
イトシートであり、比重が０．５以上１．５以下の場合
には、これを回路基板に用いると軽量な可撓性の回路基
板になり、放熱体との接続に用いると軽量化を図れかつ
電子部品と放熱体の位置関係が制限されない。
【００１２】放熱部材が、発熱する加工工具を冷却する
ヒートシンクである場合には、ヒートシンクの小型化・
軽量化をはかれる。
ヒートシンクである場合には、ヒートシンクの小型化・
軽量化をはかれる。
【００１３】
〔実施例１〕図１において、本発明の一実施例を採用し
た電源装置１は、２つのパワーＩＣ２，３を含む半導体
素子と、各種コンデンサ、抵抗及びトランス等の回路部
品からなる電子部品を備えている。各電子部品は、回路
基板４上に配置されており、回路基板４の裏面でビン挿
入方式でプリント配線にはんだ付けされている。
た電源装置１は、２つのパワーＩＣ２，３を含む半導体
素子と、各種コンデンサ、抵抗及びトランス等の回路部
品からなる電子部品を備えている。各電子部品は、回路
基板４上に配置されており、回路基板４の裏面でビン挿
入方式でプリント配線にはんだ付けされている。
【００１４】回路基板４の奥側の端部には、アルミニウ
ム製の放熱体５が配置されている。放熱体５にはフィン
が設けられている。放熱体５は、回路基板４に伝熱可能
に接続されている。パワートランジスタ２は、図２に示
すように、例えば銅，アルミニウム等の金属製の基板１
０と、基板１０上に形成された絶縁層１１と、絶縁層１
１上に配置されたトランジスタ本体１２と、トランジス
タ本体１２からリード線を介して接続された接続ピン１
３と、これらを封止する封止ケース１４とを有してい
る。封止ケース１４と基板１０とは、可撓性を有するグ
ラファイトシート製の伝熱シート１５により接続されて
いる。基板１０は、可撓性を有するグラファイトシート
製の伝熱配線１６により、放熱体５と接続されている。
ム製の放熱体５が配置されている。放熱体５にはフィン
が設けられている。放熱体５は、回路基板４に伝熱可能
に接続されている。パワートランジスタ２は、図２に示
すように、例えば銅，アルミニウム等の金属製の基板１
０と、基板１０上に形成された絶縁層１１と、絶縁層１
１上に配置されたトランジスタ本体１２と、トランジス
タ本体１２からリード線を介して接続された接続ピン１
３と、これらを封止する封止ケース１４とを有してい
る。封止ケース１４と基板１０とは、可撓性を有するグ
ラファイトシート製の伝熱シート１５により接続されて
いる。基板１０は、可撓性を有するグラファイトシート
製の伝熱配線１６により、放熱体５と接続されている。
【００１５】パワートランジスタ３には、パワートラン
ジスタの基板に連結してヒートシンク２０が取り付けら
れている。ヒートシンク２０は、後述するように例えば
高配向性を有するグラファイト素材を粉砕して得られた
粉末を成形して製造されたものである。ここでは、高配
向性を有するグラファイトの粉末又はシートを伝熱又は
放熱部材として用いることで、部材の冷却構造を小型化
・軽量化できる。
ジスタの基板に連結してヒートシンク２０が取り付けら
れている。ヒートシンク２０は、後述するように例えば
高配向性を有するグラファイト素材を粉砕して得られた
粉末を成形して製造されたものである。ここでは、高配
向性を有するグラファイトの粉末又はシートを伝熱又は
放熱部材として用いることで、部材の冷却構造を小型化
・軽量化できる。
【００１６】回路基板４は、図３に示すように、例えば
ポリイミド，ガラスファイバー分散強化エポキシ，ベー
クライト等の樹脂製の樹脂基板２５と、樹脂基板２５と
絶縁層２６を介して接着された放熱基板２７とを有して
いる。放熱基板２７は、高配向性グラファイトシート製
である。樹脂基板２５と放熱基板２７を貫通して配線孔
３０が形成されている。この配線孔３０の周囲は絶縁層
２６によって絶縁されており、そこには、例えばパワー
トランジスタ２の配線ピン１３等の各電子部品のピンが
挿入されている。絶縁層２６の裏面側には、配線パター
ン２８が形成されている。そのランドに例えば配線ピン
１３がはんだ２９により接合されている。また、必要に
応じてスルーホールを介してハンダ等の導電ペーストを
設けることによりビヤホール化し多層化することもでき
る。
ポリイミド，ガラスファイバー分散強化エポキシ，ベー
クライト等の樹脂製の樹脂基板２５と、樹脂基板２５と
絶縁層２６を介して接着された放熱基板２７とを有して
いる。放熱基板２７は、高配向性グラファイトシート製
である。樹脂基板２５と放熱基板２７を貫通して配線孔
３０が形成されている。この配線孔３０の周囲は絶縁層
２６によって絶縁されており、そこには、例えばパワー
トランジスタ２の配線ピン１３等の各電子部品のピンが
挿入されている。絶縁層２６の裏面側には、配線パター
ン２８が形成されている。そのランドに例えば配線ピン
１３がはんだ２９により接合されている。また、必要に
応じてスルーホールを介してハンダ等の導電ペーストを
設けることによりビヤホール化し多層化することもでき
る。
【００１７】回路基板４の端部は、前述したように放熱
体５に連結されている。この結果、最も熱が伝達される
配線ピンから１３の熱が、放熱基板２７を介して放熱体
５に効率よく伝達され、冷却能力が向上する。次に、上
述の実施例の冷却作用について説明する。電源が投入さ
れ電源回路が動作すると、パワートランジスタ２，３，
やトランス等が発熱する。パワートランジスタ２が発熱
すると、その発熱の一部が、伝熱シート１５を介して封
止ケース１４に伝達される。また、金属基板１０、伝熱
配線１６を介して放熱体５に伝達される。さらに、配線
ピン１３、放熱基板２７を介して放熱体５に伝達され
る。この結果、パワートランジスタ２が発熱しても効率
良く冷却される。ここでは、アルミニウム製の放熱部品
により伝熱または放熱していないので、封止ケース１
４、伝熱配線１６及び放熱基板２７の構造が小型化しか
つ軽量化する。
体５に連結されている。この結果、最も熱が伝達される
配線ピンから１３の熱が、放熱基板２７を介して放熱体
５に効率よく伝達され、冷却能力が向上する。次に、上
述の実施例の冷却作用について説明する。電源が投入さ
れ電源回路が動作すると、パワートランジスタ２，３，
やトランス等が発熱する。パワートランジスタ２が発熱
すると、その発熱の一部が、伝熱シート１５を介して封
止ケース１４に伝達される。また、金属基板１０、伝熱
配線１６を介して放熱体５に伝達される。さらに、配線
ピン１３、放熱基板２７を介して放熱体５に伝達され
る。この結果、パワートランジスタ２が発熱しても効率
良く冷却される。ここでは、アルミニウム製の放熱部品
により伝熱または放熱していないので、封止ケース１
４、伝熱配線１６及び放熱基板２７の構造が小型化しか
つ軽量化する。
【００１８】一方、パワートランジスタ３での発熱は、
ヒートシンク２０で空気中に放熱されるとともに、配線
ピンを介して放熱基板２７に伝達される。放熱基板２７
に伝達された熱は、放熱体５に伝達され放熱される。こ
こでも同様に、ヒートシンク２０をグラファイト粉末で
形成したので、放熱フィンが薄型でありかつ効率よい放
熱が可能なため、アルミニウム製のヒートシンクに比べ
て構造が小型化しかつ軽量化する。 〔実施例２〕前記実施例１では、発熱する部材としての
電子部品の冷却構造について説明したが、発熱する部材
としての工具の冷却構造にも本発明を適用できる。
ヒートシンク２０で空気中に放熱されるとともに、配線
ピンを介して放熱基板２７に伝達される。放熱基板２７
に伝達された熱は、放熱体５に伝達され放熱される。こ
こでも同様に、ヒートシンク２０をグラファイト粉末で
形成したので、放熱フィンが薄型でありかつ効率よい放
熱が可能なため、アルミニウム製のヒートシンクに比べ
て構造が小型化しかつ軽量化する。 〔実施例２〕前記実施例１では、発熱する部材としての
電子部品の冷却構造について説明したが、発熱する部材
としての工具の冷却構造にも本発明を適用できる。
【００１９】実施例２を示す図６において、工具として
のバイトは、高配向性グラファイト製の棒状のシャンク
３５と、シャンク３５の先端に取り付けられた金属製の
バイトチップ３６とから構成されている。シャンク３５
のグラファイト結晶は、たとえば、配向面が垂直面に沿
う方向に並ぶように配列されている。バイトチップ３６
の先端にはダイヤモンドチップ３７が埋め込まれてい
る。このようなバイトでは、加工時にダイヤモンドチッ
プ３７で発生した熱は、バキトチップ３６を介してシャ
ンク３５に伝えられ、シャンク３５の後端部から放熱す
る。ここでは、シャンク３５が伝熱性に優れた高配向性
グラファイト製であるので、工具の小型化・軽量化を図
れ効率よく放熱できる。
のバイトは、高配向性グラファイト製の棒状のシャンク
３５と、シャンク３５の先端に取り付けられた金属製の
バイトチップ３６とから構成されている。シャンク３５
のグラファイト結晶は、たとえば、配向面が垂直面に沿
う方向に並ぶように配列されている。バイトチップ３６
の先端にはダイヤモンドチップ３７が埋め込まれてい
る。このようなバイトでは、加工時にダイヤモンドチッ
プ３７で発生した熱は、バキトチップ３６を介してシャ
ンク３５に伝えられ、シャンク３５の後端部から放熱す
る。ここでは、シャンク３５が伝熱性に優れた高配向性
グラファイト製であるので、工具の小型化・軽量化を図
れ効率よく放熱できる。
【００２０】なお、図７に示すように、シャンク３５を
金属製とし、バイトチップ３６を高配向性グラファイト
製としてもよい。この場合には、加工時にダイヤモンド
チップ３７で発生した熱は、バイトチップ３６で効率よ
く放熱されるとともに、シャンク３５に伝熱されそこか
らも放熱される。また、図８に示すように、ダイヤモン
ドチップ３７に接触するように、バイトチップ３６とシ
ャンク３５との間にグラファイトシート３８を挟んでも
よい。このグラファイトシート３８は、バイトチップ３
６の後端部で上方に折れ曲がりシャンク３５の上面に沿
ってその後端部まで延びている。グラファイトシート３
８は、ダイヤモンドチップ３７との接触面において、図
９に示すように、ダイヤモンドチップ３７の上面及び後
端面上部に先端が当接しかつグラファイト結晶の配向方
向が水平面になるように配置されている。また、グラフ
ァイトシート３８の後端部は、放熱しやすいように斜め
にカットされている。
金属製とし、バイトチップ３６を高配向性グラファイト
製としてもよい。この場合には、加工時にダイヤモンド
チップ３７で発生した熱は、バイトチップ３６で効率よ
く放熱されるとともに、シャンク３５に伝熱されそこか
らも放熱される。また、図８に示すように、ダイヤモン
ドチップ３７に接触するように、バイトチップ３６とシ
ャンク３５との間にグラファイトシート３８を挟んでも
よい。このグラファイトシート３８は、バイトチップ３
６の後端部で上方に折れ曲がりシャンク３５の上面に沿
ってその後端部まで延びている。グラファイトシート３
８は、ダイヤモンドチップ３７との接触面において、図
９に示すように、ダイヤモンドチップ３７の上面及び後
端面上部に先端が当接しかつグラファイト結晶の配向方
向が水平面になるように配置されている。また、グラフ
ァイトシート３８の後端部は、放熱しやすいように斜め
にカットされている。
【００２１】なお、ダイヤモンドチップ３７を除くこれ
らの各部を全て高配向性グラファイト製にしてもよい。 〔実施例３〕実施例３を示す図１０において、フライス
用エンドミルは、エンドミル本体４０と、冷却部材４３
とを備えている。冷却部材４３は、エンドミル本体４０
の上部にリング状に巻き付けられた、たとえば、１０〜
１００ミクロン厚みの可撓性のグラファイトシート４１
と、グラファイトシート４１から下方に延び、エンドミ
ル本体４０の刃と刃との間に配置された可撓性のグラフ
ァイトシート４２とを備えている。ここでは、エンドミ
ル本体４０の刃の先端で発生した熱は、グラファイトシ
ート４２を介してグラファイトシート４１に伝えられ、
そこで放熱される。このため、エンドミル本体４０をこ
うりつよく冷却でき、冷却水の使用量を削減できる。
らの各部を全て高配向性グラファイト製にしてもよい。 〔実施例３〕実施例３を示す図１０において、フライス
用エンドミルは、エンドミル本体４０と、冷却部材４３
とを備えている。冷却部材４３は、エンドミル本体４０
の上部にリング状に巻き付けられた、たとえば、１０〜
１００ミクロン厚みの可撓性のグラファイトシート４１
と、グラファイトシート４１から下方に延び、エンドミ
ル本体４０の刃と刃との間に配置された可撓性のグラフ
ァイトシート４２とを備えている。ここでは、エンドミ
ル本体４０の刃の先端で発生した熱は、グラファイトシ
ート４２を介してグラファイトシート４１に伝えられ、
そこで放熱される。このため、エンドミル本体４０をこ
うりつよく冷却でき、冷却水の使用量を削減できる。
【００２２】本発明の部材の冷却構造に使用される高配
向性グラファイト素材は、グラファイト結晶の配向方向
がそろった高結晶グラファイト、特にロッキング特性が
２０度以下のグラファイトであればよく、炭化水素系ガ
スを用いＣＶＤ法によって炭素原子を基板上に積層させ
てからアニーリングして得られるもの、特定の高分子化
合物のフィルムをグラファイト化したものを挙げること
ができる。中でも、高分子化合物のフィルムをグラファ
イト化したものを使用すると熱伝導性がよいので好まし
い。ここで測定したロッキング特性は、理学電機社製ロ
ータフレックスＲＵ−２００Ｂ型Ｘ線回折装置を用い、
グラファイト（０００２）線のピーク位置におけるロッ
キング特性である。
向性グラファイト素材は、グラファイト結晶の配向方向
がそろった高結晶グラファイト、特にロッキング特性が
２０度以下のグラファイトであればよく、炭化水素系ガ
スを用いＣＶＤ法によって炭素原子を基板上に積層させ
てからアニーリングして得られるもの、特定の高分子化
合物のフィルムをグラファイト化したものを挙げること
ができる。中でも、高分子化合物のフィルムをグラファ
イト化したものを使用すると熱伝導性がよいので好まし
い。ここで測定したロッキング特性は、理学電機社製ロ
ータフレックスＲＵ−２００Ｂ型Ｘ線回折装置を用い、
グラファイト（０００２）線のピーク位置におけるロッ
キング特性である。
【００２３】前記特定の高分子化合物として、各種ポリ
オキサジアゾール（ＰＯＤ）、ポリベンゾチアゾール
（ＰＢＴ）、ポリベンゾビスチアゾール（ＰＢＢＴ）、
ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）、ポリベンゾビスオ
キサゾール（ＰＢＢＯ）、各種ポリイミド（ＰＩ）、各
種ポリアミド（ＰＡ）、ポリフェニレンベンゾイミダゾ
ール（ＰＢＩ）、ポリフェニレンベンゾビスイミダゾー
ル（ＰＰＢＩ）、ポリチアゾール（ＰＴ）、ポリパラフ
ェニレンビニレン（ＰＰＶ）からなる群の中から選ばれ
る少なくとも１つを使用することができる。
オキサジアゾール（ＰＯＤ）、ポリベンゾチアゾール
（ＰＢＴ）、ポリベンゾビスチアゾール（ＰＢＢＴ）、
ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）、ポリベンゾビスオ
キサゾール（ＰＢＢＯ）、各種ポリイミド（ＰＩ）、各
種ポリアミド（ＰＡ）、ポリフェニレンベンゾイミダゾ
ール（ＰＢＩ）、ポリフェニレンベンゾビスイミダゾー
ル（ＰＰＢＩ）、ポリチアゾール（ＰＴ）、ポリパラフ
ェニレンビニレン（ＰＰＶ）からなる群の中から選ばれ
る少なくとも１つを使用することができる。
【００２４】上記各種ポリオキサジアゾールとしては、
ポリパラフェニレン−１，３，４−オキサジアゾールお
よびそれらの異性体がある。上記各種ポリイミドには下
記の一般式（１）で表される芳香族ポリイミドがある。
ポリパラフェニレン−１，３，４−オキサジアゾールお
よびそれらの異性体がある。上記各種ポリイミドには下
記の一般式（１）で表される芳香族ポリイミドがある。
【００２５】
【化１】
【００２６】
【化２】
【００２７】
【化３】
【００２８】上記各種ポリアミドには下記一般式（２）
で表される芳香族ポリアミドがある。
で表される芳香族ポリアミドがある。
【００２９】
【化４】
【００３０】使用されるポリイミド、ポリアミドはこれ
らの構造を有するものに限定されない。前記高分子化合
物のフィルムをグラファイト化する焼成条件は、特に限
定されないが、２０００℃以上、好ましくは３０００℃
近辺の温度域に達するように焼成すると、より高配向性
が優れたものが出来るため好ましい。焼成は、普通、不
活性ガス中で行われる。焼成の際、処理雰囲気を加圧雰
囲気にしてグラファイト化の過程で発生するガスの影響
を抑えるためには、高分子化合物のフィルム厚みが５μ
ｍ以上であるのが好ましい。焼成時の圧力は、フィルム
の厚みにより異なるが、通常、０．１〜５０ｋｇ／ｃｍ
2 の圧力が好ましい。最高温度が２０００℃未満で焼成
する場合は、得られたグラファイトは硬くて脆くなる傾
向がある。焼成後、さらに必要に応じて圧延処理するよ
うにしてもよい。前記高分子化合物のフィルムのグラフ
ァイト化は、たとえば、高分子化合物のフィルムを適当
な大きさに切断し、切断されたフィルムを約１０００枚
程度積層してから焼成炉に入れ、３０００℃に昇温して
グラファイト化するプロセスで製造される。焼成後、さ
らに必要に応じて圧延処理される。
らの構造を有するものに限定されない。前記高分子化合
物のフィルムをグラファイト化する焼成条件は、特に限
定されないが、２０００℃以上、好ましくは３０００℃
近辺の温度域に達するように焼成すると、より高配向性
が優れたものが出来るため好ましい。焼成は、普通、不
活性ガス中で行われる。焼成の際、処理雰囲気を加圧雰
囲気にしてグラファイト化の過程で発生するガスの影響
を抑えるためには、高分子化合物のフィルム厚みが５μ
ｍ以上であるのが好ましい。焼成時の圧力は、フィルム
の厚みにより異なるが、通常、０．１〜５０ｋｇ／ｃｍ
2 の圧力が好ましい。最高温度が２０００℃未満で焼成
する場合は、得られたグラファイトは硬くて脆くなる傾
向がある。焼成後、さらに必要に応じて圧延処理するよ
うにしてもよい。前記高分子化合物のフィルムのグラフ
ァイト化は、たとえば、高分子化合物のフィルムを適当
な大きさに切断し、切断されたフィルムを約１０００枚
程度積層してから焼成炉に入れ、３０００℃に昇温して
グラファイト化するプロセスで製造される。焼成後、さ
らに必要に応じて圧延処理される。
【００３１】このようにして得られる高配向性グラファ
イト素材は、フィルム状、シート状、板状のいずれの形
態でもよい。しかも、可撓性を有していても、可撓性の
ない硬いものでもいずれであってもよい。たとえば、芳
香族ポリイミドを焼成して得られた可撓性のない高配向
性グラファイト素材は、比重が２．２５（Ａｌは２．６
７）、熱伝導性がＡＢ面方向で８６０ｋｃａｌ／ｍ・ｈ
・℃（Ｃｕの２．５倍，Ａｌの４．４倍）であり、ＡＢ
面方向の電気伝導性が２５０，０００Ｓ／ｃｍ、ＡＢ面
方向の弾性率が８４，３００ｋｇｆ／ｍｍ2 である。
イト素材は、フィルム状、シート状、板状のいずれの形
態でもよい。しかも、可撓性を有していても、可撓性の
ない硬いものでもいずれであってもよい。たとえば、芳
香族ポリイミドを焼成して得られた可撓性のない高配向
性グラファイト素材は、比重が２．２５（Ａｌは２．６
７）、熱伝導性がＡＢ面方向で８６０ｋｃａｌ／ｍ・ｈ
・℃（Ｃｕの２．５倍，Ａｌの４．４倍）であり、ＡＢ
面方向の電気伝導性が２５０，０００Ｓ／ｃｍ、ＡＢ面
方向の弾性率が８４，３００ｋｇｆ／ｍｍ2 である。
【００３２】可撓性を有する高配向性グラファイト素材
は、可撓性がない高配向性グラファイト素材より比重が
軽い（０．５〜１．５）が、熱伝導性はあまり変化せ
ず、任意の形状の伝熱配線、伝熱シート、放熱基板に使
用できるので好ましい。高配向性グラファイト素材とし
て、フィルム状のものを使用する場合は、原料の高分子
化合物のフィルムの厚さは４００μｍ以下の範囲である
のが好ましく、より好ましくは５〜２００μｍである。
原料フィルムの厚さが４００ミクロンを超えると、熱処
理過程時にフィルム内部より発生するガスによって、フ
ィルムがボロボロの崩壊状態になり、単独で良質の電極
材料として使用することは難しい。
は、可撓性がない高配向性グラファイト素材より比重が
軽い（０．５〜１．５）が、熱伝導性はあまり変化せ
ず、任意の形状の伝熱配線、伝熱シート、放熱基板に使
用できるので好ましい。高配向性グラファイト素材とし
て、フィルム状のものを使用する場合は、原料の高分子
化合物のフィルムの厚さは４００μｍ以下の範囲である
のが好ましく、より好ましくは５〜２００μｍである。
原料フィルムの厚さが４００ミクロンを超えると、熱処
理過程時にフィルム内部より発生するガスによって、フ
ィルムがボロボロの崩壊状態になり、単独で良質の電極
材料として使用することは難しい。
【００３３】しかし、崩壊状態のグラファイトも、例え
ば、所謂テフロンとして知られるポリテトラフルオロエ
チレンのようなフッ素樹脂とのコンポジット体とすれば
使用可能なグラファイト面状体になる。また、上述した
高配向性グラファイト素材をリン片粉末化してフッ素樹
脂等の高分子樹脂とのコンジット体にしてヒートシンク
２０、封止ケース１４及びシャンク３５等に使用するこ
とも可能である。コンポジット体の場合、グラファイト
と高分子樹脂の割合（重量比率）は、グラファイト：高
分子樹脂＝５０：１〜２：１の範囲が適当である。この
コンジット体を押し出し成形すると、押し出し方向に直
交する方向にカーボン結晶が配向するので、その方向の
熱伝導性が高くなる。 〔他の実施例〕 （ａ） パワートランジスタ２の基板１０を樹脂，金属
または高配向性グラファイト製とし、封止ケース１４
を、図４に示すように、（ご記入下さい）製としたベア
ＩＣの封止ケース１４の表面に伝熱配線１６を接続して
もよい。 （ｂ） 回路基板として可撓性のフィルム基板を用いた
場合には、図５に示すように、電子部品３２を搭載した
可撓性のフィルム基板３３に合わせた可撓性のグラファ
イトシート３４を用いることができる。この場合には、
フィルム基板３０を曲げることで基板の専有容積を小型
化できる。 （ｃ） ピン挿入型の代わりに、片面表面実装型や両面
表面実装型の電子部品及び回路基板に対する放熱部品に
対しても本発明を適用できる。 （ｄ） 発熱する電子部品としてはパワートランジスタ
に限定されず、ＭＰＵ等の半導体、抵抗，コンデンサ，
トランス等の発熱する全ての電子部品が含まれる。
ば、所謂テフロンとして知られるポリテトラフルオロエ
チレンのようなフッ素樹脂とのコンポジット体とすれば
使用可能なグラファイト面状体になる。また、上述した
高配向性グラファイト素材をリン片粉末化してフッ素樹
脂等の高分子樹脂とのコンジット体にしてヒートシンク
２０、封止ケース１４及びシャンク３５等に使用するこ
とも可能である。コンポジット体の場合、グラファイト
と高分子樹脂の割合（重量比率）は、グラファイト：高
分子樹脂＝５０：１〜２：１の範囲が適当である。この
コンジット体を押し出し成形すると、押し出し方向に直
交する方向にカーボン結晶が配向するので、その方向の
熱伝導性が高くなる。 〔他の実施例〕 （ａ） パワートランジスタ２の基板１０を樹脂，金属
または高配向性グラファイト製とし、封止ケース１４
を、図４に示すように、（ご記入下さい）製としたベア
ＩＣの封止ケース１４の表面に伝熱配線１６を接続して
もよい。 （ｂ） 回路基板として可撓性のフィルム基板を用いた
場合には、図５に示すように、電子部品３２を搭載した
可撓性のフィルム基板３３に合わせた可撓性のグラファ
イトシート３４を用いることができる。この場合には、
フィルム基板３０を曲げることで基板の専有容積を小型
化できる。 （ｃ） ピン挿入型の代わりに、片面表面実装型や両面
表面実装型の電子部品及び回路基板に対する放熱部品に
対しても本発明を適用できる。 （ｄ） 発熱する電子部品としてはパワートランジスタ
に限定されず、ＭＰＵ等の半導体、抵抗，コンデンサ，
トランス等の発熱する全ての電子部品が含まれる。
【００３４】
【発明の効果】本発明に係る部材の冷却構造では、放熱
部品が高配向性を有するグラファイト製であるので、熱
伝導性がアルミニウムに比べて高くなる。この結果、放
熱部品の小型化・軽量化を図ることができる。グラファ
イトのロッキング特性が２０度以下である場合には、配
向性がより高くなり、放熱能力が向上する。
部品が高配向性を有するグラファイト製であるので、熱
伝導性がアルミニウムに比べて高くなる。この結果、放
熱部品の小型化・軽量化を図ることができる。グラファ
イトのロッキング特性が２０度以下である場合には、配
向性がより高くなり、放熱能力が向上する。
【００３５】放熱部品が電子部品を冷却するヒートシン
クである場合には、ヒートシンクの小型化・軽量化をは
かれる。放熱部品が電子部品を封止するための封止部材
である場合には、封止部材の小型化・軽量化を図れる。
放熱部品が電子部品と熱を放熱する放熱体とを接続する
放熱部材である場合には、放熱部材の小型化・軽量化を
図れる。そして、電子部品から伝熱部材を経て放熱体に
熱が効率良く伝えられ、冷却効率を向上できる。
クである場合には、ヒートシンクの小型化・軽量化をは
かれる。放熱部品が電子部品を封止するための封止部材
である場合には、封止部材の小型化・軽量化を図れる。
放熱部品が電子部品と熱を放熱する放熱体とを接続する
放熱部材である場合には、放熱部材の小型化・軽量化を
図れる。そして、電子部品から伝熱部材を経て放熱体に
熱が効率良く伝えられ、冷却効率を向上できる。
【００３６】放熱部品が電子部品を搭載するための回路
基板に用いられる放熱部材である場合には、回路基板を
小型化・軽量化できかつ薄い回路基板で効率よく基板を
冷却できる。また、放熱部材が可撓性を有するグラファ
イトシートであり、比重が０．５以上１．５以下の場合
には、これを回路基板に用いると軽量な可撓性の回路基
板になり、放熱体との接続に用いると軽量化を図れかつ
電子部品と放熱体の位置関係が制限されない。
基板に用いられる放熱部材である場合には、回路基板を
小型化・軽量化できかつ薄い回路基板で効率よく基板を
冷却できる。また、放熱部材が可撓性を有するグラファ
イトシートであり、比重が０．５以上１．５以下の場合
には、これを回路基板に用いると軽量な可撓性の回路基
板になり、放熱体との接続に用いると軽量化を図れかつ
電子部品と放熱体の位置関係が制限されない。
【００３７】放熱部材が、発熱する加工工具を冷却する
ヒートシンクである場合には、ヒートシンクの小型化・
軽量化をはかれる。
ヒートシンクである場合には、ヒートシンクの小型化・
軽量化をはかれる。
【図１】本発明の一実施例を採用した電源装置の斜視
図。
図。
【図２】パワートランジスタの断面図。
【図３】回路基板の断面部分図。
【図４】他の実施例の図２に相当する図。
【図５】回路基板の他の実施例を示す斜視図。
【図６】実施例２を採用した工具の斜視図。
【図７】実施例２の変形例の図６に相当する図。
【図８】実施例２の他の変形例の図６に相当する図。
【図９】図８の先端部分の断面拡大図。
【図１０】実施例３を採用したエンドミルの側面部分
図。
図。
２，３ パワートランジスタ １４ 封止ケース １５ 伝熱シート １６ 伝熱配線 ２０ ヒートシンク ２７ 放熱基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 森 和弘 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (8)
- 【請求項１】発熱する部材を冷却するための冷却構造で
あって、 高配向性を有するグラファイト製の放熱部品を含むこと
を特徴とする部材の冷却構造。 - 【請求項２】前記グラファイトは、ロッキング特性が２
０度以下である、請求項１または２に記載の部材の冷却
構造。 - 【請求項３】前記放熱部品は、前記部材としての電子部
品を冷却するためのヒートシンクである、請求項１また
は２に記載の部材の冷却構造。 - 【請求項４】前記放熱部品は、前記部材としての電子部
品を封止するための封止部材である、請求項１または２
に記載の部材の冷却構造。 - 【請求項５】前記放熱部品は、前記部材としての電子部
品と熱を放熱する放熱体とを接続する放熱部材である、
請求項１または２に記載の部材の冷却構造。 - 【請求項６】前記放熱部品は、前記部材としての電子部
品を搭載するための回路基板に用いられる放熱部材であ
る、請求項１または２に記載の部材の冷却構造。 - 【請求項７】前記放熱部材は、可撓性を有するグラファ
イトシート製であり、比重が０．５以上１．５以下であ
る、請求項５または６に記載の部材の冷却構造。 - 【請求項８】前記放熱部品は、前記部材としての発熱す
る加工工具を冷却するヒートシンクである、請求項１ま
たは２に記載の部材の冷却構造。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6154627A JPH0823183A (ja) | 1994-07-06 | 1994-07-06 | 部材の冷却構造 |
| DE69506957T DE69506957T2 (de) | 1994-07-06 | 1995-07-05 | Wärmeausstrahlendes Bauelement aus Hochorientiertem Graphit |
| EP95110465A EP0691803B1 (en) | 1994-07-06 | 1995-07-05 | Heat radiating member made of highly oriented graphite |
| KR1019950019697A KR100253056B1 (ko) | 1994-07-06 | 1995-07-06 | 부재의 냉각구조 |
| CN95107853A CN1116400A (zh) | 1994-07-06 | 1995-07-06 | 部件的冷却结构 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6154627A JPH0823183A (ja) | 1994-07-06 | 1994-07-06 | 部材の冷却構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0823183A true JPH0823183A (ja) | 1996-01-23 |
Family
ID=15588328
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6154627A Pending JPH0823183A (ja) | 1994-07-06 | 1994-07-06 | 部材の冷却構造 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0691803B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0823183A (ja) |
| KR (1) | KR100253056B1 (ja) |
| CN (1) | CN1116400A (ja) |
| DE (1) | DE69506957T2 (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11145657A (ja) * | 1997-11-05 | 1999-05-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品放熱装置 |
| US5991155A (en) * | 1996-12-13 | 1999-11-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Heat sink assembly including flexible heat spreader sheet |
| US6257328B1 (en) | 1997-10-14 | 2001-07-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thermal conductive unit and thermal connection structure using the same |
| JP2003110263A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Nec Corp | 放熱構造、パッケージ組立体、及び、放熱用シート |
| US6629362B2 (en) | 1999-06-21 | 2003-10-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a circuit print board |
| KR100555610B1 (ko) * | 2003-11-25 | 2006-03-03 | 어드밴스드 에너지 테크놀로지 인코포레이티드 | 전자 장치용 열방출 솔루션 |
| US7264869B2 (en) | 2001-06-06 | 2007-09-04 | Polymatech Co., Ltd. | Thermally conductive molded article and method of making the same |
| US7285429B2 (en) | 2002-11-12 | 2007-10-23 | Fujitsu Limited | Mounting device for high frequency microwave devices |
| JP2011219076A (ja) * | 2010-03-23 | 2011-11-04 | Denso Corp | 電子制御装置およびその冷却装置 |
| JP2013139390A (ja) * | 2013-04-24 | 2013-07-18 | Kaneka Corp | グラファイトフィルムの製造方法 |
| JP2019080041A (ja) * | 2017-10-25 | 2019-05-23 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | グラファイトヒートシンク及びその製造方法 |
| JP2020090433A (ja) * | 2015-02-12 | 2020-06-11 | 株式会社カネカ | グラファイトシート、高熱伝導性放熱基板、及びグラファイトシートの製造方法 |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6482520B1 (en) * | 2000-02-25 | 2002-11-19 | Jing Wen Tzeng | Thermal management system |
| US20060099406A1 (en) * | 2001-08-31 | 2006-05-11 | Julian Norley | Heat spreader for printed circuit boards |
| US6749010B2 (en) * | 2002-06-28 | 2004-06-15 | Advanced Energy Technology Inc. | Composite heat sink with metal base and graphite fins |
| US7286354B2 (en) | 2004-10-27 | 2007-10-23 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Electronic part-mounted substrate, thermal conductive member for electronic part-mounted substrate and liquid-jetting head |
| JP4316483B2 (ja) | 2004-12-08 | 2009-08-19 | ユーアイ電子株式会社 | プリント基板の製造方法及びプリント基板 |
| GB2432830A (en) | 2005-12-02 | 2007-06-06 | Morganite Elect Carbon | Formation of thermally anisotropic carbon material |
| US8347502B2 (en) * | 2007-12-28 | 2013-01-08 | Ge Intelligent Platforms, Inc. | Heat sink and method of forming a heatsink using a wedge-lock system |
| DE102011007171A1 (de) * | 2011-04-12 | 2012-10-18 | BSH Bosch und Siemens Hausgeräte GmbH | Kühlvorrichtung für ein Elektronikmodul eines Haushaltsgeräts sowie Baugruppe und Haushaltsgerät mit einer Kühlvorrichtung |
| CN103096691B (zh) | 2012-06-25 | 2015-04-29 | 北京中石伟业科技无锡有限公司 | 一种石墨膜导热体 |
| KR101856341B1 (ko) * | 2016-07-26 | 2018-05-09 | 현대자동차주식회사 | 그라파이트 구조물 및 이의 제조방법 |
| US10275000B2 (en) * | 2016-09-06 | 2019-04-30 | Google Llc | Thermally conductive cables |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4849858A (en) * | 1986-10-20 | 1989-07-18 | Westinghouse Electric Corp. | Composite heat transfer means |
| FR2616997B1 (fr) | 1987-06-16 | 1989-08-25 | Thomson Csf | Support pour circuit imprime, formant drain thermique a dilatation controlee, et procede de fabrication |
| JPH0821375B2 (ja) | 1990-06-28 | 1996-03-04 | 新日本製鐵株式会社 | リチウム二次電池用負極 |
| JPH0597418A (ja) | 1991-10-04 | 1993-04-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高配向グラフアイトの製造方法 |
-
1994
- 1994-07-06 JP JP6154627A patent/JPH0823183A/ja active Pending
-
1995
- 1995-07-05 DE DE69506957T patent/DE69506957T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-07-05 EP EP95110465A patent/EP0691803B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-07-06 KR KR1019950019697A patent/KR100253056B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1995-07-06 CN CN95107853A patent/CN1116400A/zh active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5991155A (en) * | 1996-12-13 | 1999-11-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Heat sink assembly including flexible heat spreader sheet |
| US6257328B1 (en) | 1997-10-14 | 2001-07-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thermal conductive unit and thermal connection structure using the same |
| JPH11145657A (ja) * | 1997-11-05 | 1999-05-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品放熱装置 |
| EP1111971A4 (en) * | 1999-06-21 | 2006-03-22 | Mitsubishi Electric Corp | METHOD FOR PRODUCING A CIRCUIT-FORMING PLATE, CIRCUIT-FORMING PLATE AND CARBON FILM |
| US6629362B2 (en) | 1999-06-21 | 2003-10-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a circuit print board |
| US7264869B2 (en) | 2001-06-06 | 2007-09-04 | Polymatech Co., Ltd. | Thermally conductive molded article and method of making the same |
| JP2003110263A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Nec Corp | 放熱構造、パッケージ組立体、及び、放熱用シート |
| US7285429B2 (en) | 2002-11-12 | 2007-10-23 | Fujitsu Limited | Mounting device for high frequency microwave devices |
| EP1986244A2 (en) | 2002-11-12 | 2008-10-29 | Fujitsu Limited | Mounting structure |
| US7729129B2 (en) | 2002-11-12 | 2010-06-01 | Fujitsu Limited | Mounting device for high frequency microwave devices |
| KR100555610B1 (ko) * | 2003-11-25 | 2006-03-03 | 어드밴스드 에너지 테크놀로지 인코포레이티드 | 전자 장치용 열방출 솔루션 |
| JP2011219076A (ja) * | 2010-03-23 | 2011-11-04 | Denso Corp | 電子制御装置およびその冷却装置 |
| JP2013139390A (ja) * | 2013-04-24 | 2013-07-18 | Kaneka Corp | グラファイトフィルムの製造方法 |
| JP2020090433A (ja) * | 2015-02-12 | 2020-06-11 | 株式会社カネカ | グラファイトシート、高熱伝導性放熱基板、及びグラファイトシートの製造方法 |
| JP2019080041A (ja) * | 2017-10-25 | 2019-05-23 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | グラファイトヒートシンク及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR960006732A (ko) | 1996-02-23 |
| KR100253056B1 (ko) | 2000-04-15 |
| CN1116400A (zh) | 1996-02-07 |
| DE69506957D1 (de) | 1999-02-11 |
| EP0691803B1 (en) | 1998-12-30 |
| DE69506957T2 (de) | 1999-08-19 |
| EP0691803A1 (en) | 1996-01-10 |
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