JPH08231206A - オゾン発生装置 - Google Patents
オゾン発生装置Info
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- JPH08231206A JPH08231206A JP3634695A JP3634695A JPH08231206A JP H08231206 A JPH08231206 A JP H08231206A JP 3634695 A JP3634695 A JP 3634695A JP 3634695 A JP3634695 A JP 3634695A JP H08231206 A JPH08231206 A JP H08231206A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高電圧電極１が設けられた誘電体管１４と、
該誘電体管１４に空隙部３を介して対向配設された接地
電極管１２とを備え、前記高電圧電極１と接地電極管１
２間に電圧を印加して前記空隙部３内に流通させた原料
ガス中にオゾンを発生させる無声放電式のオゾン発生装
置において、投入電力量に対するオゾン発生量を増加さ
せる。 【構成】 接地電極管１２を低仕事関数材料、例えばＬ
ａＢ6で構成する（図１（ａ））か、又は既存の接地電
極管２２の空隙部側の面に、例えばＰＶＤ法（物理蒸着
法）によって低仕事関数材料層２３を成膜して設ける
（図１（ｂ），（ｃ））。これにより、電荷が放出し易
くなり、ストリーマ状放電柱が電極表面に多数発生し、
放電柱が密集するようになる。その結果電子とＯ2分子
との衝突確率が向上し、投入電力量に対するオゾン発生
量を増加させることができる。
該誘電体管１４に空隙部３を介して対向配設された接地
電極管１２とを備え、前記高電圧電極１と接地電極管１
２間に電圧を印加して前記空隙部３内に流通させた原料
ガス中にオゾンを発生させる無声放電式のオゾン発生装
置において、投入電力量に対するオゾン発生量を増加さ
せる。 【構成】 接地電極管１２を低仕事関数材料、例えばＬ
ａＢ6で構成する（図１（ａ））か、又は既存の接地電
極管２２の空隙部側の面に、例えばＰＶＤ法（物理蒸着
法）によって低仕事関数材料層２３を成膜して設ける
（図１（ｂ），（ｃ））。これにより、電荷が放出し易
くなり、ストリーマ状放電柱が電極表面に多数発生し、
放電柱が密集するようになる。その結果電子とＯ2分子
との衝突確率が向上し、投入電力量に対するオゾン発生
量を増加させることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、水処理や屎尿処理等に
利用される無声放電式のオゾン発生装置に関する。
利用される無声放電式のオゾン発生装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】オゾンは極めて強い酸化力を有し、水の
殺菌、脱臭、脱色等の上下水処理や屎尿処理及び食品関
連における殺菌などの多くの用途に使われている。オゾ
ンの生成法には、紫外線照射法、放射線照射法、プラズ
マ放電法、無声放電法及び水の電気分解法等があるが、
工業的には無声放電法が主体である。
殺菌、脱臭、脱色等の上下水処理や屎尿処理及び食品関
連における殺菌などの多くの用途に使われている。オゾ
ンの生成法には、紫外線照射法、放射線照射法、プラズ
マ放電法、無声放電法及び水の電気分解法等があるが、
工業的には無声放電法が主体である。
【０００３】図８に無声放電法によるオゾン発生装置の
原理を示す。図８において高電圧電極１と接地電極２
は、両者間に空隙部３が形成されるように誘電体４を介
在させて並設されている。両電極１，２間に例えばＡＣ
電圧を印加して空隙部３で無声放電を発生させ、原料と
なるガス（乾燥空気もしくは酸素）をこの空隙部３に通
すことによりオゾンを発生させている。
原理を示す。図８において高電圧電極１と接地電極２
は、両者間に空隙部３が形成されるように誘電体４を介
在させて並設されている。両電極１，２間に例えばＡＣ
電圧を印加して空隙部３で無声放電を発生させ、原料と
なるガス（乾燥空気もしくは酸素）をこの空隙部３に通
すことによりオゾンを発生させている。
【０００４】オゾンＯ3の理論収率は、 Ｏ2→Ｏ＋Ｏ−１１８Ｋｃａｌ（吸熱反応） Ｏ＋Ｏ2→Ｏ3＋２５Ｋｃａｌ（発熱反応） より、 ３Ｏ2→２Ｏ3−６８Ｋｃａｌ となり、Ｏ3を１ｍｏｌ生成するために３４Ｋｃａｌ必
要となる。従って理論上の収率は１．２ｋｇＯ3／ＫＷ
ｈとなる。しかし、消費電力に対するオゾンの生成効率
は理論収率に比べて極めて低く数％に過ぎず、残りの９
０数％の電力は熱となってオゾン生成に寄与していない
というのがオゾン発生装置の現状である。
要となる。従って理論上の収率は１．２ｋｇＯ3／ＫＷ
ｈとなる。しかし、消費電力に対するオゾンの生成効率
は理論収率に比べて極めて低く数％に過ぎず、残りの９
０数％の電力は熱となってオゾン生成に寄与していない
というのがオゾン発生装置の現状である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】オゾンの生成量に影響
を及ぼす主な因子としては、電極の形状、電極間ギャッ
プの大きさ、誘電体の形状及び材質、電極の冷却方法、
原料ガスの除湿や冷却方法、印加電圧の波形等が挙げら
れる。
を及ぼす主な因子としては、電極の形状、電極間ギャッ
プの大きさ、誘電体の形状及び材質、電極の冷却方法、
原料ガスの除湿や冷却方法、印加電圧の波形等が挙げら
れる。
【０００６】現在のオゾン発生装置は図８で示したよう
に、電極間に空隙が形成されるように誘電体を介在させ
てその空隙部分で放電を起こさせる無声放電を応用する
構造などが主となっている。図８において無声放電が起
こると電極と誘電体間の空隙部３に微小なストリーマ状
放電柱が多数発生し、その放電柱の中を大量の電子が流
れる。その際空隙部分を流れている原料ガス中の酸素分
子Ｏ2と電子とが衝突し、衝突電離によって酸素原子Ｏ
や励起酸素分子Ｏ2＊が生成し、酸素分子Ｏ2と反応して
オゾンＯ3が生成される（放電の化学作用）。
に、電極間に空隙が形成されるように誘電体を介在させ
てその空隙部分で放電を起こさせる無声放電を応用する
構造などが主となっている。図８において無声放電が起
こると電極と誘電体間の空隙部３に微小なストリーマ状
放電柱が多数発生し、その放電柱の中を大量の電子が流
れる。その際空隙部分を流れている原料ガス中の酸素分
子Ｏ2と電子とが衝突し、衝突電離によって酸素原子Ｏ
や励起酸素分子Ｏ2＊が生成し、酸素分子Ｏ2と反応して
オゾンＯ3が生成される（放電の化学作用）。
【０００７】ここでオゾン生成の原理を図９とともに詳
細に説明する。図９において、交流電圧を印加して無声
放電を起こさせる場合、誘電体側の電極１が正で接地側
の電極２が負となるＡＣ電圧の正の半波の電圧上昇時
に、発生した微小なストリーマ状放電柱の中を電子が接
地電極２側から高電位となる誘電体４側に移動し、その
電子はある面積で誘電体４の表面に広がって堆積する。
そして次に発生するストリーマ状放電柱はすでに堆積し
ている多数の電子を避けて、まだ電子が堆積していない
誘電体４の表面の別の箇所に到達して同様に多数の電子
を表面に堆積させる。この繰り返しにより電子が堆積す
る箇所が誘電体４の表面に分散して存在するようにな
る。
細に説明する。図９において、交流電圧を印加して無声
放電を起こさせる場合、誘電体側の電極１が正で接地側
の電極２が負となるＡＣ電圧の正の半波の電圧上昇時
に、発生した微小なストリーマ状放電柱の中を電子が接
地電極２側から高電位となる誘電体４側に移動し、その
電子はある面積で誘電体４の表面に広がって堆積する。
そして次に発生するストリーマ状放電柱はすでに堆積し
ている多数の電子を避けて、まだ電子が堆積していない
誘電体４の表面の別の箇所に到達して同様に多数の電子
を表面に堆積させる。この繰り返しにより電子が堆積す
る箇所が誘電体４の表面に分散して存在するようにな
る。
【０００８】電圧の極性が反転して誘電体４側の電極１
が負で接地側の電極２が正になって無声放電が起こる
と、誘電体表面に堆積していた電子は前記ストリーマ状
放電柱の中を、今度は電位が高くなる接地電極２側へ移
動する。このように電子が電極と誘電体の間を移動する
時に前述のような原料ガス中の酸素分子Ｏ2と衝突して
オゾンＯ3が生成されるわけである。しかし実際には原
料ガス中の酸素分子Ｏ2と電子とが衝突する確率は低
く、従って投入している電力量の割には生成されるオゾ
ンＯ3の量が少ないという問題点がある。
が負で接地側の電極２が正になって無声放電が起こる
と、誘電体表面に堆積していた電子は前記ストリーマ状
放電柱の中を、今度は電位が高くなる接地電極２側へ移
動する。このように電子が電極と誘電体の間を移動する
時に前述のような原料ガス中の酸素分子Ｏ2と衝突して
オゾンＯ3が生成されるわけである。しかし実際には原
料ガス中の酸素分子Ｏ2と電子とが衝突する確率は低
く、従って投入している電力量の割には生成されるオゾ
ンＯ3の量が少ないという問題点がある。
【０００９】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
その目的は、電子と酸素分子の衝突確率を高めて投入電
力量に対するオゾン発生量を増加させたオゾン発生装置
を提供することにある。
その目的は、電子と酸素分子の衝突確率を高めて投入電
力量に対するオゾン発生量を増加させたオゾン発生装置
を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、（１）一方の
面に高電圧電極が設けられた誘電体と、該誘電体の他方
の面に空隙部を介して並設された接地電極とを備え、前
記高電圧電極と接地電極間に電圧を印加して前記空隙部
内に流通させた原料ガス中にオゾンを発生させる無声放
電式のオゾン発生装置において、前記接地電極を低仕事
関数材料又は電子供与型半導体材料又は電子受容型半導
体材料で構成するか、又は前記接地電極の空隙部側の面
に、所定の成膜手段によって低仕事関数材料層又は電子
供与型材料層又は電子受容型半導体材料層を設けたこと
を特徴とし、（２）筒状に形成され、内周面に高電圧電
極が設けられた誘電体管と、筒状に形成され、前記誘電
体管の同軸外周部に空隙部を介して配設された接地電極
管とを備え、前記高電圧電極および接地電極管間に交流
電圧を印加し、前記空隙部内に流通させた原料ガス中に
オゾンを発生させるオゾン発生装置において、前記接地
電極管を低仕事関数材料又は電子供与型半導体材料又は
電子受容型半導体材料で構成するか、又は前記接地電極
管の空隙部側の面に、所定の成膜手段によって低仕事関
数材料層又は電子供与型材料層又は電子受容型半導体材
料層を設けたことを特徴とし、（３）前記低仕事関数材
料は、ＬａＢ6又はＨｆＣ又はＴｈ又はＨｆ又はＴｉで
あることを特徴とし、（４）前記電子供与型半導体材料
は、ＴｉＯ2又はＦｅ3Ｏ4又はＭｎＯ2又はＧｅＯ2又は
Ｖ2Ｏ5であるか、又はこれらの物質を含んだ複合物であ
ることを特徴とし、（５）前記電子受容型半導体材料
は、ＮｉＯ又はＣｕＯ又はＧａ2Ｏ3であるか、又はこれ
らの物質を含んだ複合物であることを特徴とし、（６）
前記成膜手段は、真空蒸着、スパッタ、イオンプレーテ
ィング等の物理蒸着法か、又は熱ＣＶＤ、プラズマＣＶ
Ｄ、レーザーＣＶＤ等の化学気相蒸着法か又は溶射法で
あることを特徴としている。
面に高電圧電極が設けられた誘電体と、該誘電体の他方
の面に空隙部を介して並設された接地電極とを備え、前
記高電圧電極と接地電極間に電圧を印加して前記空隙部
内に流通させた原料ガス中にオゾンを発生させる無声放
電式のオゾン発生装置において、前記接地電極を低仕事
関数材料又は電子供与型半導体材料又は電子受容型半導
体材料で構成するか、又は前記接地電極の空隙部側の面
に、所定の成膜手段によって低仕事関数材料層又は電子
供与型材料層又は電子受容型半導体材料層を設けたこと
を特徴とし、（２）筒状に形成され、内周面に高電圧電
極が設けられた誘電体管と、筒状に形成され、前記誘電
体管の同軸外周部に空隙部を介して配設された接地電極
管とを備え、前記高電圧電極および接地電極管間に交流
電圧を印加し、前記空隙部内に流通させた原料ガス中に
オゾンを発生させるオゾン発生装置において、前記接地
電極管を低仕事関数材料又は電子供与型半導体材料又は
電子受容型半導体材料で構成するか、又は前記接地電極
管の空隙部側の面に、所定の成膜手段によって低仕事関
数材料層又は電子供与型材料層又は電子受容型半導体材
料層を設けたことを特徴とし、（３）前記低仕事関数材
料は、ＬａＢ6又はＨｆＣ又はＴｈ又はＨｆ又はＴｉで
あることを特徴とし、（４）前記電子供与型半導体材料
は、ＴｉＯ2又はＦｅ3Ｏ4又はＭｎＯ2又はＧｅＯ2又は
Ｖ2Ｏ5であるか、又はこれらの物質を含んだ複合物であ
ることを特徴とし、（５）前記電子受容型半導体材料
は、ＮｉＯ又はＣｕＯ又はＧａ2Ｏ3であるか、又はこれ
らの物質を含んだ複合物であることを特徴とし、（６）
前記成膜手段は、真空蒸着、スパッタ、イオンプレーテ
ィング等の物理蒸着法か、又は熱ＣＶＤ、プラズマＣＶ
Ｄ、レーザーＣＶＤ等の化学気相蒸着法か又は溶射法で
あることを特徴としている。
【００１１】
（１）請求項１、２、３、４、５、１６に記載の発明に
おいて、接地電極（接地電極管）を低仕事関数材料で構
成するか、又は接地電極（接地電極管）の空隙部側の面
に、所定の成膜手段によって低仕事関数材料層を設ける
ことにより、電界放出し易くなる。このため接地電極の
内側から発生するストリーマ状放電柱が電極表面に多数
発生するようになって放電柱が密集するようになる。そ
の結果電子とＯ2分子との衝突確率が向上し、投入電力
量に対するオゾン発生量を増加させることができる。
おいて、接地電極（接地電極管）を低仕事関数材料で構
成するか、又は接地電極（接地電極管）の空隙部側の面
に、所定の成膜手段によって低仕事関数材料層を設ける
ことにより、電界放出し易くなる。このため接地電極の
内側から発生するストリーマ状放電柱が電極表面に多数
発生するようになって放電柱が密集するようになる。そ
の結果電子とＯ2分子との衝突確率が向上し、投入電力
量に対するオゾン発生量を増加させることができる。
【００１２】（２）請求項６、７、８、９、１０、１６
に記載の発明において、接地電極（接地電極管）を電子
供与型半導体材料で構成するか、又は接地電極（接地電
極管）の空隙部側の面に、所定の成膜手段によって電子
供与型半導体材料層を設けることにより、電子の発生量
が増加する。このため接地電極の内側から発生するスト
リーマ状放電柱が電極表面に多数発生するようになって
放電柱が密集するようになる。その結果電子とＯ2分子
との衝突確率が向上し、投入電力量に対するオゾン発生
量を増加させることができる。
に記載の発明において、接地電極（接地電極管）を電子
供与型半導体材料で構成するか、又は接地電極（接地電
極管）の空隙部側の面に、所定の成膜手段によって電子
供与型半導体材料層を設けることにより、電子の発生量
が増加する。このため接地電極の内側から発生するスト
リーマ状放電柱が電極表面に多数発生するようになって
放電柱が密集するようになる。その結果電子とＯ2分子
との衝突確率が向上し、投入電力量に対するオゾン発生
量を増加させることができる。
【００１３】（３）請求項１１、１２、１３、１４、１
５、１６に記載の発明において、接地電極（接地電極
管）を電子受容型半導体材料で構成するか、又は接地電
極（接地電極管）の空隙部側の面に、所定の成膜手段に
よって電子受容型半導体材料層を設けることにより、ス
トリーマ状放電柱の中を流れる電子のうち、Ｏ2分子と
の衝突に関与しない電子の数が減少する。このため放電
による消費電力が減少するので、その結果電力とＯ2分
子との衝突確率が向上し、投入電力量に対するオゾン発
生量を増加させることができる。
５、１６に記載の発明において、接地電極（接地電極
管）を電子受容型半導体材料で構成するか、又は接地電
極（接地電極管）の空隙部側の面に、所定の成膜手段に
よって電子受容型半導体材料層を設けることにより、ス
トリーマ状放電柱の中を流れる電子のうち、Ｏ2分子と
の衝突に関与しない電子の数が減少する。このため放電
による消費電力が減少するので、その結果電力とＯ2分
子との衝突確率が向上し、投入電力量に対するオゾン発
生量を増加させることができる。
【００１４】
【実施例】以下、図面を参照しながら本発明の一実施例
を説明する。
を説明する。
【００１５】実施例１〜実施例５ オゾンをより多く発生させてオゾン生成効率を向上させ
るには電子とＯ2分子とが衝突する確率を上げる必要が
ある。そのためには発生するストリーマ状放電柱の数を
増やすことが重要になる。ストリーマ状放電柱を増やす
には、接地電極管内側で発生するストリーマ状放電柱が
密集するようにするとともに、電界放出等によって電子
が発生し易いように仕事関数が低い電極材料を用いるこ
とにより、印加電圧が正の時に生じる放電により接地電
極（接地電極管）内側から発生するストリーマ状放電柱
が電極表面に多数発生するようにすれば良い。
るには電子とＯ2分子とが衝突する確率を上げる必要が
ある。そのためには発生するストリーマ状放電柱の数を
増やすことが重要になる。ストリーマ状放電柱を増やす
には、接地電極管内側で発生するストリーマ状放電柱が
密集するようにするとともに、電界放出等によって電子
が発生し易いように仕事関数が低い電極材料を用いるこ
とにより、印加電圧が正の時に生じる放電により接地電
極（接地電極管）内側から発生するストリーマ状放電柱
が電極表面に多数発生するようにすれば良い。
【００１６】電極の仕事関数を低くするには、図１
（ａ）のように仕事関数の低い材料で電極を作製する
か、もしくは図１（ｂ），（ｃ）のように仕事関数が低
い材料を既存の電極材の表面に成膜してやれば良い。図
１（ａ）は放電管の断面、（ｂ）および（ｃ）は接地電
極管の構造を示している。図１（ａ）において１４は円
筒の誘電体管であり、例えばガラス管で構成されてい
る。誘電体管１４の内壁面には高電圧電極１が設けられ
ている。誘電体管１４の同軸外周には空隙部（無声放電
部）３を介して、仕事関数の低い電極材料から成る接地
電極管１２が並設されている。５は高電圧電極１と接地
電極管１２の間に所定の高電圧を印加する高電圧電源で
ある。
（ａ）のように仕事関数の低い材料で電極を作製する
か、もしくは図１（ｂ），（ｃ）のように仕事関数が低
い材料を既存の電極材の表面に成膜してやれば良い。図
１（ａ）は放電管の断面、（ｂ）および（ｃ）は接地電
極管の構造を示している。図１（ａ）において１４は円
筒の誘電体管であり、例えばガラス管で構成されてい
る。誘電体管１４の内壁面には高電圧電極１が設けられ
ている。誘電体管１４の同軸外周には空隙部（無声放電
部）３を介して、仕事関数の低い電極材料から成る接地
電極管１２が並設されている。５は高電圧電極１と接地
電極管１２の間に所定の高電圧を印加する高電圧電源で
ある。
【００１７】図１（ｂ），（ｃ）において、２２は既存
の電極材から成る接地電極管であり、該接地電極管２２
の内周面には低仕事関数材料層２３が成膜されている。
成膜する方法としては、真空蒸着・スパッタ・イオンプ
レーティング等のＰＶＤ法（物理蒸着法）、熱ＣＶＤ・
プラズマＣＶＤ・レーザーＣＶＤ等のＣＶＤ法（化学気
相蒸着法）、および溶射法等がある。前記成膜に用いる
低仕事関数金属材の種類は次の表１に示すとおりであ
る。
の電極材から成る接地電極管であり、該接地電極管２２
の内周面には低仕事関数材料層２３が成膜されている。
成膜する方法としては、真空蒸着・スパッタ・イオンプ
レーティング等のＰＶＤ法（物理蒸着法）、熱ＣＶＤ・
プラズマＣＶＤ・レーザーＣＶＤ等のＣＶＤ法（化学気
相蒸着法）、および溶射法等がある。前記成膜に用いる
低仕事関数金属材の種類は次の表１に示すとおりであ
る。
【００１８】
【表１】
【００１９】図１（ｂ），（ｃ）のように接地電極管２
２の内側表面に低仕事関数材料層２３を設けたオゾン発
生電極を用いた場合の、電極部の単位面積当たりの放電
電力に対するオゾン発生量の関係を図２、図３に示す。
図２、図３における各曲線は表１の各実施例１〜実施例
５による放電電力とオゾン発生量の関係を示している。
図２、図３によれば接地電極管内表面にＬａＢ6又はＨ
ｆＣ又はＴｈ又はＨｆ又はＴｉを設けることによりオゾ
ン発生量が増加するのが判る。尚本発明は図１に示す同
軸円筒型の放電電極のみならず、これ以外の例えば平行
平板型の電極形状等にも容易に適用できるものであり、
その場合も前記と同様の作用、効果を奏する。
２の内側表面に低仕事関数材料層２３を設けたオゾン発
生電極を用いた場合の、電極部の単位面積当たりの放電
電力に対するオゾン発生量の関係を図２、図３に示す。
図２、図３における各曲線は表１の各実施例１〜実施例
５による放電電力とオゾン発生量の関係を示している。
図２、図３によれば接地電極管内表面にＬａＢ6又はＨ
ｆＣ又はＴｈ又はＨｆ又はＴｉを設けることによりオゾ
ン発生量が増加するのが判る。尚本発明は図１に示す同
軸円筒型の放電電極のみならず、これ以外の例えば平行
平板型の電極形状等にも容易に適用できるものであり、
その場合も前記と同様の作用、効果を奏する。
【００２０】実施例６〜実施例１０ また本発明では、接地電極管内側で電子が発生し易いよ
うに、電子供与型のＮ型半導体材料の電極を用いること
により、印加電圧が正のときに生じる放電により接地電
極管内側から発生するストリーマ状放電柱が電極表面に
多数発生するようにしても良い。そのためには図４
（ａ）のように電子供与型半導体材料で電極を作製する
か、もしくは図４（ｂ），（ｃ）のように電子供与型半
導体材料を既存の電極材の表面に成膜してやれば良い。
うに、電子供与型のＮ型半導体材料の電極を用いること
により、印加電圧が正のときに生じる放電により接地電
極管内側から発生するストリーマ状放電柱が電極表面に
多数発生するようにしても良い。そのためには図４
（ａ）のように電子供与型半導体材料で電極を作製する
か、もしくは図４（ｂ），（ｃ）のように電子供与型半
導体材料を既存の電極材の表面に成膜してやれば良い。
【００２１】図４（ａ）は放電管の断面を示しており、
図１（ａ）と同一部分は同一符号をもって示している。
図４（ｂ）および（ｃ）は接地電極管の構造を示してい
る。図４（ａ）において、誘電体管１４の同軸外周には
空隙部（無声放電部）３を介して、電子供与型のＮ型半
導体材料から成る接地電極管３２が並設されている。図
４（ｂ），（ｃ）において、既存の接地電極管２２の内
周面には電子供与型半導体材料層３３が成膜されてい
る。成膜する方法としては、前記と同様に真空蒸着・ス
パッタ・イオンプレーティング等のＰＶＤ法（物理蒸着
法）、熱ＣＶＤ・プラズマＣＶＤ・レーザーＣＶＤ等の
ＣＶＤ法（化学気相蒸着法）、および溶射法等を用い
る。前記成膜に用いる電子供与型半導体材料の種類は次
の表２に示すとおりである。
図１（ａ）と同一部分は同一符号をもって示している。
図４（ｂ）および（ｃ）は接地電極管の構造を示してい
る。図４（ａ）において、誘電体管１４の同軸外周には
空隙部（無声放電部）３を介して、電子供与型のＮ型半
導体材料から成る接地電極管３２が並設されている。図
４（ｂ），（ｃ）において、既存の接地電極管２２の内
周面には電子供与型半導体材料層３３が成膜されてい
る。成膜する方法としては、前記と同様に真空蒸着・ス
パッタ・イオンプレーティング等のＰＶＤ法（物理蒸着
法）、熱ＣＶＤ・プラズマＣＶＤ・レーザーＣＶＤ等の
ＣＶＤ法（化学気相蒸着法）、および溶射法等を用い
る。前記成膜に用いる電子供与型半導体材料の種類は次
の表２に示すとおりである。
【００２２】
【表２】
【００２３】図４（ｂ），（ｃ）のように接地電極管２
２の内側表面に電子供与型半導体材料層３３を設けたオ
ゾン発生電極を用いた場合の、電極部の単位面積当たり
の放電電力に対するオゾン発生量の関係を図５に示す。
図５における各曲線は表２の各実施例６〜実施例１０に
よる放電電力とオゾン発生量の関係を示している。図５
によれば接地電極管内表面にＴｉＯ2又はＦｅ3Ｏ4又は
ＭｎＯ2又はＧｅＯ2又はＶ2Ｏ5を設けることによりオゾ
ン発生量が増加するのが判る。
２の内側表面に電子供与型半導体材料層３３を設けたオ
ゾン発生電極を用いた場合の、電極部の単位面積当たり
の放電電力に対するオゾン発生量の関係を図５に示す。
図５における各曲線は表２の各実施例６〜実施例１０に
よる放電電力とオゾン発生量の関係を示している。図５
によれば接地電極管内表面にＴｉＯ2又はＦｅ3Ｏ4又は
ＭｎＯ2又はＧｅＯ2又はＶ2Ｏ5を設けることによりオゾ
ン発生量が増加するのが判る。
【００２４】尚電子供与型半導体層の例として実施例６
〜実施例１０を挙げたが、それぞれの物質が含有されて
いる複合物においても同様の効果が推測できるととも
に、前記材料に限らず電子供与型半導体の特性を有して
いれば同様の効果が期待される。また本発明は図４に示
す同軸円筒型の放電電極のみならず、これ以外の例えば
平行平板型の電極形状等にも容易に適用できるものであ
り、その場合も前記と同様の作用、効果を奏する。
〜実施例１０を挙げたが、それぞれの物質が含有されて
いる複合物においても同様の効果が推測できるととも
に、前記材料に限らず電子供与型半導体の特性を有して
いれば同様の効果が期待される。また本発明は図４に示
す同軸円筒型の放電電極のみならず、これ以外の例えば
平行平板型の電極形状等にも容易に適用できるものであ
り、その場合も前記と同様の作用、効果を奏する。
【００２５】実施例１１〜実施例１３ オゾンをより多く発生させてオゾン生成効率を向上させ
るには電子とＯ2分子とが衝突する確率を上げる必要が
ある。そのためには発生するストリーマ状放電柱の中を
流れる電子のうち、Ｏ2分子との衝突に関与しない電子
の数を減少させることが重要になる。ストリーマ状放電
柱の中を流れる電子のうち、Ｏ2分子との衝突に関与し
ない電子の数を減少させるには、接地電極管内側から電
子が発生しにくくなるように電子受容型のＰ型半導体材
料の電極を用いることにより、印加電圧が正のときに生
じる放電により接地電極管内側から発生するストリーマ
状放電柱の中を流れる電子のうち、Ｏ2分子との衝突に
関与しない電子の数を減少するようにすれば良い。
るには電子とＯ2分子とが衝突する確率を上げる必要が
ある。そのためには発生するストリーマ状放電柱の中を
流れる電子のうち、Ｏ2分子との衝突に関与しない電子
の数を減少させることが重要になる。ストリーマ状放電
柱の中を流れる電子のうち、Ｏ2分子との衝突に関与し
ない電子の数を減少させるには、接地電極管内側から電
子が発生しにくくなるように電子受容型のＰ型半導体材
料の電極を用いることにより、印加電圧が正のときに生
じる放電により接地電極管内側から発生するストリーマ
状放電柱の中を流れる電子のうち、Ｏ2分子との衝突に
関与しない電子の数を減少するようにすれば良い。
【００２６】それには図６（ａ）のように電子受容型半
導体材料で電極を作製するか、もしくは図６（ｂ），
（ｃ）のように電子受容型半導体材料を既存の電極材の
表面に成膜してやれば良い。図６（ａ）は放電管の断面
を示しており、図１（ａ）と同一部分は同一符号をもっ
て示している。図６（ｂ）および（ｃ）は接地電極管の
構造を示している。図６（ａ）において、誘電体管１４
の同軸外周には空隙部（無声放電部）３を介して、電子
受容型のＰ型半導体材料から成る接地電極管４２が並設
されている。図６（ｂ），（ｃ）において、既存の接地
電極管２２の内周面には電子受容型半導体材料層４３が
成膜されている。成膜する方法としては、前記と同様に
真空蒸着・スパッタ・イオンプレーティング等のＰＶＤ
法（物理蒸着法）、熱ＣＶＤ・プラズマＣＶＤ・レーザ
ーＣＶＤ等のＣＶＤ法（化学気相蒸着法）、および溶射
法等を用いる。前記成膜に用いる電子受容型半導体材料
の種類は次の表３に示すとおりである。
導体材料で電極を作製するか、もしくは図６（ｂ），
（ｃ）のように電子受容型半導体材料を既存の電極材の
表面に成膜してやれば良い。図６（ａ）は放電管の断面
を示しており、図１（ａ）と同一部分は同一符号をもっ
て示している。図６（ｂ）および（ｃ）は接地電極管の
構造を示している。図６（ａ）において、誘電体管１４
の同軸外周には空隙部（無声放電部）３を介して、電子
受容型のＰ型半導体材料から成る接地電極管４２が並設
されている。図６（ｂ），（ｃ）において、既存の接地
電極管２２の内周面には電子受容型半導体材料層４３が
成膜されている。成膜する方法としては、前記と同様に
真空蒸着・スパッタ・イオンプレーティング等のＰＶＤ
法（物理蒸着法）、熱ＣＶＤ・プラズマＣＶＤ・レーザ
ーＣＶＤ等のＣＶＤ法（化学気相蒸着法）、および溶射
法等を用いる。前記成膜に用いる電子受容型半導体材料
の種類は次の表３に示すとおりである。
【００２７】
【表３】
【００２８】図６（ｂ），（ｃ）のように接地電極管２
２の内側表面に電子受容型半導体材料層４３を設けたオ
ゾン発生電極を用いた場合の、電極部の単位面積当たり
の放電電力に対するオゾン発生量の関係を図７に示す。
図７における各曲線は表３の各実施例１１〜実施例１３
による放電電力とオゾン発生量の関係を示している。図
７によれば接地電極管内表面にＮｉＯ又はＣｕＯ又はＧ
ａ2Ｏ3を設けることによりオゾン発生量が増加するのが
判る。
２の内側表面に電子受容型半導体材料層４３を設けたオ
ゾン発生電極を用いた場合の、電極部の単位面積当たり
の放電電力に対するオゾン発生量の関係を図７に示す。
図７における各曲線は表３の各実施例１１〜実施例１３
による放電電力とオゾン発生量の関係を示している。図
７によれば接地電極管内表面にＮｉＯ又はＣｕＯ又はＧ
ａ2Ｏ3を設けることによりオゾン発生量が増加するのが
判る。
【００２９】尚電子受容型半導体層の例として実施例１
１〜実施例１３を挙げたが、それぞれの物質が含有され
ている複合物においても同様の効果が推測できるととも
に、前記材料に限らず電子受容型半導体の特性を有して
いれば同様の効果が期待される。また本発明は図６に示
す同軸円筒型の放電電極のみならず、これ以外の例えば
平行平板型の電極形状等にも容易に適用できるものであ
り、その場合も前記と同様の作用、効果を奏する。
１〜実施例１３を挙げたが、それぞれの物質が含有され
ている複合物においても同様の効果が推測できるととも
に、前記材料に限らず電子受容型半導体の特性を有して
いれば同様の効果が期待される。また本発明は図６に示
す同軸円筒型の放電電極のみならず、これ以外の例えば
平行平板型の電極形状等にも容易に適用できるものであ
り、その場合も前記と同様の作用、効果を奏する。
【００３０】
（１）請求項１、２、３、４、５、１６に記載の発明に
よれば、接地電極（接地電極管）を低仕事関数材料で構
成するか、又は接地電極（接地電極管）の空隙部側の面
に、所定の成膜手段によって低仕事関数材料層を設けた
ので、電界放出し易くなって接地電極（接地電極管）の
内側から発生するストリーマ状放電柱が電極表面に多数
発生するようになる。このため放電柱が密集するように
なり、その結果電子とＯ2分子との衝突確率が向上し、
投入電力量に対するオゾン発生量を増加させることがで
きる。
よれば、接地電極（接地電極管）を低仕事関数材料で構
成するか、又は接地電極（接地電極管）の空隙部側の面
に、所定の成膜手段によって低仕事関数材料層を設けた
ので、電界放出し易くなって接地電極（接地電極管）の
内側から発生するストリーマ状放電柱が電極表面に多数
発生するようになる。このため放電柱が密集するように
なり、その結果電子とＯ2分子との衝突確率が向上し、
投入電力量に対するオゾン発生量を増加させることがで
きる。
【００３１】（２）請求項６、７、８、９、１０、１６
に記載の発明によれば、接地電極（接地電極管）を電子
供与型半導体材料で構成するか、又は接地電極（接地電
極管）の空隙部側の面に、所定の成膜手段によって電子
供与型半導体材料層を設けたので、電子の発生量が増加
し、接地電極（接地電極管）の内側から発生するストリ
ーマ状放電柱が電極表面に多数発生するようになる。こ
のため放電柱が密集するようになり、その結果電子とＯ
2分子との衝突確率が向上し、投入電力量に対するオゾ
ン発生量を増加させることができる。
に記載の発明によれば、接地電極（接地電極管）を電子
供与型半導体材料で構成するか、又は接地電極（接地電
極管）の空隙部側の面に、所定の成膜手段によって電子
供与型半導体材料層を設けたので、電子の発生量が増加
し、接地電極（接地電極管）の内側から発生するストリ
ーマ状放電柱が電極表面に多数発生するようになる。こ
のため放電柱が密集するようになり、その結果電子とＯ
2分子との衝突確率が向上し、投入電力量に対するオゾ
ン発生量を増加させることができる。
【００３２】（３）請求項１１、１２、１３、１４、１
５、１６に記載の発明によれば、接地電極（接地電極
管）を電子受容型半導体材料で構成するか、又は接地電
極（接地電極管）の空隙部側の面に、所定の成膜手段に
よって電子受容型半導体材料層を設けたので、ストリー
マ状放電柱の中を流れる電子のうち、Ｏ2分子との衝突
に関与しない電子の数が減少する。このため放電による
消費電力が減少し、その結果電力とＯ2分子との衝突確
率が向上し、投入電力量に対するオゾン発生量を増加さ
せることができる。
５、１６に記載の発明によれば、接地電極（接地電極
管）を電子受容型半導体材料で構成するか、又は接地電
極（接地電極管）の空隙部側の面に、所定の成膜手段に
よって電子受容型半導体材料層を設けたので、ストリー
マ状放電柱の中を流れる電子のうち、Ｏ2分子との衝突
に関与しない電子の数が減少する。このため放電による
消費電力が減少し、その結果電力とＯ2分子との衝突確
率が向上し、投入電力量に対するオゾン発生量を増加さ
せることができる。
【００３３】（４）請求項１〜請求項１６に記載の発明
によれば、高電圧電極、誘電体（誘電体管）、接地電極
（接地電極管）のいずれの寸法も大きくすることなく、
投入電力量に対するオゾン発生量を増加させることがで
き、装置の大型化を防ぐことができる。
によれば、高電圧電極、誘電体（誘電体管）、接地電極
（接地電極管）のいずれの寸法も大きくすることなく、
投入電力量に対するオゾン発生量を増加させることがで
き、装置の大型化を防ぐことができる。
【図１】本発明の実施例１〜実施例５のオゾン発生装置
で用いる放電管の概略を示し、（ａ）は放電管断面図、
（ｂ）は接地電極管構造図、（ｃ）は接地電極管断面
図。
で用いる放電管の概略を示し、（ａ）は放電管断面図、
（ｂ）は接地電極管構造図、（ｃ）は接地電極管断面
図。
【図２】本発明の実施例１、２の単位面積当たりの放電
電力とオゾン発生量の関係を表す特性図。
電力とオゾン発生量の関係を表す特性図。
【図３】本発明の実施例３、４、５の単位面積当たりの
放電電力とオゾン発生量の関係を表す特性図。
放電電力とオゾン発生量の関係を表す特性図。
【図４】本発明の実施例６〜実施例１０のオゾン発生装
置で用いる放電管の概略を示し、（ａ）は放電管断面
図、（ｂ）は接地電極管構造図、（ｃ）は接地電極管断
面図。
置で用いる放電管の概略を示し、（ａ）は放電管断面
図、（ｂ）は接地電極管構造図、（ｃ）は接地電極管断
面図。
【図５】本発明の実施例６〜実施例１０の単位面積当た
りの放電電力とオゾン発生量の関係を表す特性図。
りの放電電力とオゾン発生量の関係を表す特性図。
【図６】本発明の実施例１１〜実施例１３のオゾン発生
装置で用いる放電管の概略を示し、（ａ）は放電管断面
図、（ｂ）は接地電極管構造図、（ｃ）は接地電極管断
面図。
装置で用いる放電管の概略を示し、（ａ）は放電管断面
図、（ｂ）は接地電極管構造図、（ｃ）は接地電極管断
面図。
【図７】本発明の実施例１１〜実施例１３の単位面積当
たりの放電電力とオゾン発生量の関係を表す特性図。
たりの放電電力とオゾン発生量の関係を表す特性図。
【図８】無声放電法によるオゾン生成の概要を示す説明
図。
図。
【図９】無声放電法によるオゾン生成の原理を示す説明
図。
図。
【符号の説明】 １…高電圧電極 ２…接地電極 ３…空隙部 ４…誘電体 ５…高電圧電源 １２，２２，３２，４２…接地電極管 １４…誘電体管 ２３…低仕事関数材料層 ３３…電子供与型半導体材料層 ４３…電子受容型半導体材料層
Claims (16)
- 【請求項１】 一方の面に高電圧電極が設けられた誘電
体と、該誘電体の他方の面に空隙部を介して並設された
接地電極とを備え、前記高電圧電極と接地電極間に電圧
を印加して前記空隙部内に流通させた原料ガス中にオゾ
ンを発生させる無声放電式のオゾン発生装置において、
前記接地電極を低仕事関数材料で構成したことを特徴と
するオゾン発生装置。 - 【請求項２】 一方の面に高電圧電極が設けられた誘電
体と、該誘電体の他方の面に空隙部を介して並設された
接地電極とを備え、前記高電圧電極と接地電極間に電圧
を印加して前記空隙部内に流通させた原料ガス中にオゾ
ンを発生させる無声放電式のオゾン発生装置において、
前記接地電極の空隙部側の面に、所定の成膜手段によっ
て低仕事関数材料層を設けたことを特徴とするオゾン発
生装置。 - 【請求項３】 筒状に形成され、内周面に高電圧電極が
設けられた誘電体管と、筒状に形成され、前記誘電体管
の同軸外周部に空隙部を介して配設された接地電極管と
を備え、前記高電圧電極および接地電極管間に交流電圧
を印加し、前記空隙部内に流通させた原料ガス中にオゾ
ンを発生させるオゾン発生装置において、前記接地電極
管を低仕事関数材料で構成したことを特徴とするオゾン
発生装置。 - 【請求項４】 筒状に形成され、内周面に高電圧電極が
設けられた誘電体管と、筒状に形成され、前記誘電体管
の同軸外周部に空隙部を介して配設された接地電極管と
を備え、前記高電圧電極および接地電極管間に交流電圧
を印加し、前記空隙部内に流通させた原料ガス中にオゾ
ンを発生させるオゾン発生装置において、前記接地電極
管の空隙部側の面に、所定の成膜手段によって低仕事関
数材料層を設けたことを特徴とするオゾン発生装置。 - 【請求項５】 前記低仕事関数材料は、ＬａＢ6又はＨ
ｆＣ又はＴｈ又はＨｆ又はＴｉであることを特徴とする
請求項１又は２又は３又は４に記載のオゾン発生装置。 - 【請求項６】 一方の面に高電圧電極が設けられた誘電
体と、該誘電体の他方の面に空隙部を介して並設された
接地電極とを備え、前記高電圧電極と接地電極間に電圧
を印加して前記空隙部内に流通させた原料ガス中にオゾ
ンを発生させる無声放電式のオゾン発生装置において、
前記接地電極を電子供与型半導体材料で構成したことを
特徴とするオゾン発生装置。 - 【請求項７】 一方の面に高電圧電極が設けられた誘電
体と、該誘電体の他方の面に空隙部を介して並設された
接地電極とを備え、前記高電圧電極と接地電極間に電圧
を印加して前記空隙部内に流通させた原料ガス中にオゾ
ンを発生させる無声放電式のオゾン発生装置において、
前記接地電極の空隙部側の面に、所定の成膜手段によっ
て電子供与型半導体材料層を設けたことを特徴とするオ
ゾン発生装置。 - 【請求項８】 筒状に形成され、内周面に高電圧電極が
設けられた誘電体管と、筒状に形成され、前記誘電体管
の同軸外周部に空隙部を介して配設された接地電極管と
を備え、前記高電圧電極および接地電極管間に交流電圧
を印加し、前記空隙部内に流通させた原料ガス中にオゾ
ンを発生させるオゾン発生装置において、前記接地電極
管を電子供与型半導体材料で構成したことを特徴とする
オゾン発生装置。 - 【請求項９】 筒状に形成され、内周面に高電圧電極が
設けられた誘電体管と、筒状に形成され、前記誘電体管
の同軸外周部に空隙部を介して配設された接地電極管と
を備え、前記高電圧電極および接地電極管間に交流電圧
を印加し、前記空隙部内に流通させた原料ガス中にオゾ
ンを発生させるオゾン発生装置において、前記接地電極
管の空隙部側の面に、所定の成膜手段によって電子供与
型半導体材料層を設けたことを特徴とするオゾン発生装
置。 - 【請求項１０】 前記電子供与型半導体材料は、ＴｉＯ
2又はＦｅ3Ｏ4又はＭｎＯ2又はＧｅＯ2又はＶ2Ｏ5であ
るか、又はこれらの物質を含んだ複合物であることを特
徴とする請求項６又は７又は８又は９に記載のオゾン発
生装置。 - 【請求項１１】 一方の面に高電圧電極が設けられた誘
電体と、該誘電体の他方の面に空隙部を介して並設され
た接地電極とを備え、前記高電圧電極と接地電極間に電
圧を印加して前記空隙部内に流通させた原料ガス中にオ
ゾンを発生させる無声放電式のオゾン発生装置におい
て、前記接地電極を電子受容型半導体材料で構成したこ
とを特徴とするオゾン発生装置。 - 【請求項１２】 一方の面に高電圧電極が設けられた誘
電体と、該誘電体の他方の面に空隙部を介して並設され
た接地電極とを備え、前記高電圧電極と接地電極間に電
圧を印加して前記空隙部内に流通させた原料ガス中にオ
ゾンを発生させる無声放電式のオゾン発生装置におい
て、前記接地電極の空隙部側の面に、所定の成膜手段に
よって電子受容型半導体材料層を設けたことを特徴とす
るオゾン発生装置。 - 【請求項１３】 筒状に形成され、内周面に高電圧電極
が設けられた誘電体管と、筒状に形成され、前記誘電体
管の同軸外周部に空隙部を介して配設された接地電極管
とを備え、前記高電圧電極および接地電極管間に交流電
圧を印加し、前記空隙部内に流通させた原料ガス中にオ
ゾンを発生させるオゾン発生装置において、前記接地電
極管を電子受容型半導体材料で構成したことを特徴とす
るオゾン発生装置。 - 【請求項１４】 筒状に形成され、内周面に高電圧電極
が設けられた誘電体管と、筒状に形成され、前記誘電体
管の同軸外周部に空隙部を介して配設された接地電極管
とを備え、前記高電圧電極および接地電極管間に交流電
圧を印加し、前記空隙部内に流通させた原料ガス中にオ
ゾンを発生させるオゾン発生装置において、前記接地電
極管の空隙部側の面に、所定の成膜手段によって電子受
容型半導体材料層を設けたことを特徴とするオゾン発生
装置。 - 【請求項１５】 前記電子受容型半導体材料は、ＮｉＯ
又はＣｕＯ又はＧａ2Ｏ3であるか、又はこれらの物質を
含んだ複合物であることを特徴とする請求項１１又は１
２又は１３又は１４に記載のオゾン発生装置。 - 【請求項１６】 前記成膜手段は、真空蒸着、スパッ
タ、イオンプレーティング等の物理蒸着法か、又は熱Ｃ
ＶＤ、プラズマＣＶＤ、レーザーＣＶＤ等の化学気相蒸
着法か又は溶射法であることを特徴とする請求項２又は
４又は５又は７又は９又は１０又は１２又は１４又は１
５に記載のオゾン発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3634695A JPH08231206A (ja) | 1995-02-24 | 1995-02-24 | オゾン発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3634695A JPH08231206A (ja) | 1995-02-24 | 1995-02-24 | オゾン発生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08231206A true JPH08231206A (ja) | 1996-09-10 |
Family
ID=12467284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3634695A Pending JPH08231206A (ja) | 1995-02-24 | 1995-02-24 | オゾン発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08231206A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002129341A (ja) * | 2000-10-24 | 2002-05-09 | Huei-Tarng Liou | 高温及び高電圧下で耐久性のある石英管又は高アルミナ含有管に金被覆する方法、及び、オゾン発生器用の金被覆された石英管又は高アルミナ含有管 |
| JP2008285408A (ja) * | 2008-07-03 | 2008-11-27 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | オゾン発生方法 |
| JP4499187B1 (ja) * | 2009-05-15 | 2010-07-07 | 株式会社Ｆｌｃ | オゾン発生装置 |
| JP2011063511A (ja) * | 2004-02-25 | 2011-03-31 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial System Corp | オゾン発生装置およびオゾン発生方法 |
| WO2012035757A1 (ja) * | 2010-09-14 | 2012-03-22 | パナソニック株式会社 | オゾンとイオン風を発生させるオゾン・イオン発生装置およびそれを備える空気調和機 |
-
1995
- 1995-02-24 JP JP3634695A patent/JPH08231206A/ja active Pending
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002129341A (ja) * | 2000-10-24 | 2002-05-09 | Huei-Tarng Liou | 高温及び高電圧下で耐久性のある石英管又は高アルミナ含有管に金被覆する方法、及び、オゾン発生器用の金被覆された石英管又は高アルミナ含有管 |
| JP4953814B2 (ja) * | 2004-02-25 | 2012-06-13 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | オゾン発生装置およびオゾン発生方法 |
| JP2011063511A (ja) * | 2004-02-25 | 2011-03-31 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial System Corp | オゾン発生装置およびオゾン発生方法 |
| JP2011063512A (ja) * | 2004-02-25 | 2011-03-31 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial System Corp | 窒素抑制オゾン発生装置および窒素抑制オゾン発生方法 |
| JP2011088821A (ja) * | 2004-02-25 | 2011-05-06 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial System Corp | オゾン発生装置およびオゾン発生方法 |
| JP2011098886A (ja) * | 2004-02-25 | 2011-05-19 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial System Corp | オゾン発生装置およびオゾン発生方法 |
| JP2008285408A (ja) * | 2008-07-03 | 2008-11-27 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | オゾン発生方法 |
| JP4499187B1 (ja) * | 2009-05-15 | 2010-07-07 | 株式会社Ｆｌｃ | オゾン発生装置 |
| JP2010285337A (ja) * | 2009-05-15 | 2010-12-24 | Flc:Kk | オゾン発生装置 |
| WO2012035757A1 (ja) * | 2010-09-14 | 2012-03-22 | パナソニック株式会社 | オゾンとイオン風を発生させるオゾン・イオン発生装置およびそれを備える空気調和機 |
| CN103109136A (zh) * | 2010-09-14 | 2013-05-15 | 松下电器产业株式会社 | 产生臭氧和离子风的臭氧/离子发生装置和具有其的空气调节机 |
| JPWO2012035757A1 (ja) * | 2010-09-14 | 2014-01-20 | パナソニック株式会社 | オゾンとイオン風を発生させるオゾン・イオン発生装置およびそれを備える空気調和機 |
| JP5899453B2 (ja) * | 2010-09-14 | 2016-04-06 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | オゾンとイオン風を発生させるオゾン・イオン発生装置およびそれを備える空気調和機 |
| CN103109136B (zh) * | 2010-09-14 | 2016-10-12 | 松下电器产业株式会社 | 产生臭氧和离子风的臭氧/离子发生装置和具有其的空气调节机 |
| CN106225084A (zh) * | 2010-09-14 | 2016-12-14 | 松下电器产业株式会社 | 臭氧/离子发生装置和具有其的空气调节机 |
| CN106225084B (zh) * | 2010-09-14 | 2019-07-19 | 松下电器产业株式会社 | 臭氧/离子发生装置和具有其的空气调节机 |
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