JPH0823012A - ワイヤボンディング装置及び該装置に装備されるべきボンディングアーム - Google Patents
ワイヤボンディング装置及び該装置に装備されるべきボンディングアームInfo
- Publication number
- JPH0823012A JPH0823012A JP17757494A JP17757494A JPH0823012A JP H0823012 A JPH0823012 A JP H0823012A JP 17757494 A JP17757494 A JP 17757494A JP 17757494 A JP17757494 A JP 17757494A JP H0823012 A JPH0823012 A JP H0823012A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bonding
- arm
- horn
- slit
- capillary
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B28/00—Compositions of mortars, concrete or artificial stone, containing inorganic binders or the reaction product of an inorganic and an organic binder, e.g. polycarboxylate cements
- C04B28/14—Compositions of mortars, concrete or artificial stone, containing inorganic binders or the reaction product of an inorganic and an organic binder, e.g. polycarboxylate cements containing calcium sulfate cements
- C04B28/142—Compositions of mortars, concrete or artificial stone, containing inorganic binders or the reaction product of an inorganic and an organic binder, e.g. polycarboxylate cements containing calcium sulfate cements containing synthetic or waste calcium sulfate cements
- C04B28/143—Compositions of mortars, concrete or artificial stone, containing inorganic binders or the reaction product of an inorganic and an organic binder, e.g. polycarboxylate cements containing calcium sulfate cements containing synthetic or waste calcium sulfate cements the synthetic calcium sulfate being phosphogypsum
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73215—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78301—Capillary
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/852—Applying energy for connecting
- H01L2224/85201—Compression bonding
- H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ボンディングツールに対する超音波エネルギ
ーの伝達効率の増大を達成し、しかも、これを安価にて
実現したワイヤボンディング装置及びボンディングア−
ムを提供すること。 【構成】 ボンディングツール(キャピラリ)4を締結
手段(ボルト)35を以てボンディングアーム1に締着
すべくボンディングツール挿通孔1fの中心を横切るよ
うに形成されるスリット1gについて、ボンディングア
ームの軸中心、すなわち縦振動の方向とは垂直となるよ
うにし、以て上記の効果を得ている。
ーの伝達効率の増大を達成し、しかも、これを安価にて
実現したワイヤボンディング装置及びボンディングア−
ムを提供すること。 【構成】 ボンディングツール(キャピラリ)4を締結
手段(ボルト)35を以てボンディングアーム1に締着
すべくボンディングツール挿通孔1fの中心を横切るよ
うに形成されるスリット1gについて、ボンディングア
ームの軸中心、すなわち縦振動の方向とは垂直となるよ
うにし、以て上記の効果を得ている。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体デバイスの組立
工程において、例えばICチップ上のパッドを第1ボン
ディング点とし、該ICチップが貼着されているリード
フレームに形成された外部リードを第2ボンディング点
として、該両ボンディング点間を導電性を有するワイヤ
を用いて接続するワイヤボンディング装置に関する。詳
しくは、超音波振動を併用して圧着接続を行うワイヤボ
ンディング装置に関する。また、本発明は、該ワイヤボ
ンディング装置に装備されるべきボンディングアームに
関する。
工程において、例えばICチップ上のパッドを第1ボン
ディング点とし、該ICチップが貼着されているリード
フレームに形成された外部リードを第2ボンディング点
として、該両ボンディング点間を導電性を有するワイヤ
を用いて接続するワイヤボンディング装置に関する。詳
しくは、超音波振動を併用して圧着接続を行うワイヤボ
ンディング装置に関する。また、本発明は、該ワイヤボ
ンディング装置に装備されるべきボンディングアームに
関する。
【0002】
【従来の技術】従来、この種のワイヤボンディング装置
においては、複数のICチップが長手方向に並べて貼着
されたリードフレームが扱われ、作業開始に際してヒー
タブロックによって加熱されているボンディングステー
ジ上に該リードフレームが搬入され、且つ、最先のIC
チップがボンディング作業位置に位置決めされる。この
状態で、装置に装備されたボンディング手段により、該
最先のICチップに関するボンディング作業が行われ
る。以降、リードフレームがICチップの配設ピッチ分
だけ移送されて次のICチップについてのボンディング
作業が行われ、順次同様に続行され、全てのICチップ
のボンディング接続を完了する。
においては、複数のICチップが長手方向に並べて貼着
されたリードフレームが扱われ、作業開始に際してヒー
タブロックによって加熱されているボンディングステー
ジ上に該リードフレームが搬入され、且つ、最先のIC
チップがボンディング作業位置に位置決めされる。この
状態で、装置に装備されたボンディング手段により、該
最先のICチップに関するボンディング作業が行われ
る。以降、リードフレームがICチップの配設ピッチ分
だけ移送されて次のICチップについてのボンディング
作業が行われ、順次同様に続行され、全てのICチップ
のボンディング接続を完了する。
【0003】図18に、かかる従来のワイヤボンディン
グ装置に設けられたボンディング手段の要部を示す。
グ装置に設けられたボンディング手段の要部を示す。
【0004】図示のように、当該ボンディング手段は、
ホーン101及び保持枠102からなるボンディングア
ームと、該ホーン101の後端部に結合された振動子1
03とを有している。該振動子103は、図示しない発
振器によって所定周波数の電圧が印加され、この周波数
の超音波振動を発生する。また、ホーン101は、該振
動子103が発する振動を機械的に増幅する作用をな
す。
ホーン101及び保持枠102からなるボンディングア
ームと、該ホーン101の後端部に結合された振動子1
03とを有している。該振動子103は、図示しない発
振器によって所定周波数の電圧が印加され、この周波数
の超音波振動を発生する。また、ホーン101は、該振
動子103が発する振動を機械的に増幅する作用をな
す。
【0005】ホーン101の先端部にはボンディングツ
ールとしてのキャピラリ105が取り付けられている。
図19及び図20から明らかなように、このキャピラリ
105は中空状に形成されてワイヤ106が挿通され、
該ワイヤ106の先端部に高電圧でスパークさせること
等によって形成されるボール106aをボンディング対
象たるパッド(図示せず)あるいはリード(図示せず)
に対して圧着するためのものである。なお、図18にお
いて矢印Uにて示すように、ホーン101に伝わる超音
波エネルギーは該ホーンに対して縦振動であるため、ボ
ール106aとボンディング対象との接合に必要な横振
動に変換すべく、キャピラリ105はその軸中心をホー
ン101の軸中心に対して垂直にして装着されている。
ールとしてのキャピラリ105が取り付けられている。
図19及び図20から明らかなように、このキャピラリ
105は中空状に形成されてワイヤ106が挿通され、
該ワイヤ106の先端部に高電圧でスパークさせること
等によって形成されるボール106aをボンディング対
象たるパッド(図示せず)あるいはリード(図示せず)
に対して圧着するためのものである。なお、図18にお
いて矢印Uにて示すように、ホーン101に伝わる超音
波エネルギーは該ホーンに対して縦振動であるため、ボ
ール106aとボンディング対象との接合に必要な横振
動に変換すべく、キャピラリ105はその軸中心をホー
ン101の軸中心に対して垂直にして装着されている。
【0006】ホーン101に対するキャピラリ105の
取付構造について詳述する。
取付構造について詳述する。
【0007】図19及び図20に示すように、キャピラ
リ105はその先端部分を除いて円筒状に形成されてお
り、この円筒状部分にてホーン101に接合させて取り
付けられている。これに対応して、ホーン101のキャ
ピラリ105との接合部は該キャピラリ105が挿通さ
れる断面円形の挿通孔101aとなされている。そし
て、該挿通孔101aの中心をホーン101の軸方向に
おいて横切るようにスリット101bが形成されてお
り、該スリット101bによって分たれる両部位101
c,101dをボルト107によって締結することによ
ってキャピラリ105を固着している。
リ105はその先端部分を除いて円筒状に形成されてお
り、この円筒状部分にてホーン101に接合させて取り
付けられている。これに対応して、ホーン101のキャ
ピラリ105との接合部は該キャピラリ105が挿通さ
れる断面円形の挿通孔101aとなされている。そし
て、該挿通孔101aの中心をホーン101の軸方向に
おいて横切るようにスリット101bが形成されてお
り、該スリット101bによって分たれる両部位101
c,101dをボルト107によって締結することによ
ってキャピラリ105を固着している。
【0008】上記構成においてボンディングを行う場
合、ボンディングステージ上でリードフレームが加熱さ
れた状態にて、ホーン101及び保持枠102からなる
ボンディングアームを図示しない駆動手段により下方向
(図18における紙面に垂直な方向)に作動させる。こ
れによって、キャピラリ105がボンディング対象とし
てのパッドあるいはリードに近接し、該キャピラリ10
5に挿通されたワイヤ106の先端に形成されたボール
106aが該パッド,リードに押圧されて圧着される。
この圧着と同時にキャピラリ105が励振され、熱及び
超音波振動の作用によって接合が完了する。
合、ボンディングステージ上でリードフレームが加熱さ
れた状態にて、ホーン101及び保持枠102からなる
ボンディングアームを図示しない駆動手段により下方向
(図18における紙面に垂直な方向)に作動させる。こ
れによって、キャピラリ105がボンディング対象とし
てのパッドあるいはリードに近接し、該キャピラリ10
5に挿通されたワイヤ106の先端に形成されたボール
106aが該パッド,リードに押圧されて圧着される。
この圧着と同時にキャピラリ105が励振され、熱及び
超音波振動の作用によって接合が完了する。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】上記のようなワイヤボ
ンディング装置においては、ワイヤに形成されたボール
とボンディング対象としてのパッド等との接合を確実と
するために、ホーン101からキャピラリ105に対す
る超音波エネルギーの伝達効率を可能な限り高めること
が重要である。
ンディング装置においては、ワイヤに形成されたボール
とボンディング対象としてのパッド等との接合を確実と
するために、ホーン101からキャピラリ105に対す
る超音波エネルギーの伝達効率を可能な限り高めること
が重要である。
【0010】しかしながら、上記構成の場合、充分なエ
ネルギー伝達効率は末だ得られていないのが実情であ
る。特に、ホーン101に、キャピラリ105をボルト
107を以て締着するためのスリット101bが形成さ
れているが、ホーン101を通じて伝わる縦振動の方向
における該ホーン101とキャピラリ105との接合面
積が、このスリット101bを設けたが故に減ぜられる
ことがその大きな理由の1つとして挙げられる。また、
この構成においては、超音波振動に基づいてキャピラリ
105に生ずる慣性力の方向と、挿通孔101a及びス
リット101bに対してキャピラリ105が恰もくさび
として作用する方向とが一致するから、この慣性力が、
振動の周期を以て交番荷重としてくさび作用をなし、微
視的に、スリット101bによって分たれた上記両部位
101c、101dが若干押し開かれる状態が繰り返さ
れる。よって、ホーン101とキャピラリ105との強
固な接合状態は得られず、これもエネルギー伝達効率の
低下の一要因となっている。
ネルギー伝達効率は末だ得られていないのが実情であ
る。特に、ホーン101に、キャピラリ105をボルト
107を以て締着するためのスリット101bが形成さ
れているが、ホーン101を通じて伝わる縦振動の方向
における該ホーン101とキャピラリ105との接合面
積が、このスリット101bを設けたが故に減ぜられる
ことがその大きな理由の1つとして挙げられる。また、
この構成においては、超音波振動に基づいてキャピラリ
105に生ずる慣性力の方向と、挿通孔101a及びス
リット101bに対してキャピラリ105が恰もくさび
として作用する方向とが一致するから、この慣性力が、
振動の周期を以て交番荷重としてくさび作用をなし、微
視的に、スリット101bによって分たれた上記両部位
101c、101dが若干押し開かれる状態が繰り返さ
れる。よって、ホーン101とキャピラリ105との強
固な接合状態は得られず、これもエネルギー伝達効率の
低下の一要因となっている。
【0011】本発明は上記従来技術の欠点に鑑みてなさ
れたものであって、その目的とするところは、ボンディ
ングツールに対する超音波エネルギーの伝達効率の増大
を達成し、しかも、これを安価にて実現したワイヤボン
ディング装置を提供することである。また、本発明は、
かかる効果の達成に寄与するボンディングアームを提供
することを目的とする。
れたものであって、その目的とするところは、ボンディ
ングツールに対する超音波エネルギーの伝達効率の増大
を達成し、しかも、これを安価にて実現したワイヤボン
ディング装置を提供することである。また、本発明は、
かかる効果の達成に寄与するボンディングアームを提供
することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明は、ボンディング
ツールが装着されたボンディングアームを作動させるこ
とによって該ボンディングツールをボンディング対象に
対して近接させると共に、超音波励振手段が発する超音
波振動を該ボンディングアームに対して縦振動として該
ボンディングアームを介して該ボンディングツールに伝
達して励振させるワイヤボンディング装置において、前
記ボンディングツールはその軸中心を前記ボンディング
アームの軸中心に対して略垂直にして装着され、前記ボ
ンディングアームの該ボンディングツールとの接合部は
該ボンディングツールが挿通される挿通孔となされると
共に、該挿通孔の略中心を横切るが如くスリットが形成
され、該スリットにより分たれる両部位を締結手段によ
って締結することによって前記ボンディングツールを固
着し、該スリットは、前記ボンディングアームの軸中心
に対して略垂直に形成されているものである。また、本
発明によるボンディングアームは、ボンディングツール
との接合部が該ボンディングツールが挿通される挿通孔
となされると共に、該挿通孔の略中心を横切るが如くス
リットが形成され、該スリットにより分たれる両部位を
締結手段によって締結することによって前記ボンディン
グツールを固着し、該スリットは、ボンディングアーム
の軸中心に対して略垂直に形成されているものである。
ツールが装着されたボンディングアームを作動させるこ
とによって該ボンディングツールをボンディング対象に
対して近接させると共に、超音波励振手段が発する超音
波振動を該ボンディングアームに対して縦振動として該
ボンディングアームを介して該ボンディングツールに伝
達して励振させるワイヤボンディング装置において、前
記ボンディングツールはその軸中心を前記ボンディング
アームの軸中心に対して略垂直にして装着され、前記ボ
ンディングアームの該ボンディングツールとの接合部は
該ボンディングツールが挿通される挿通孔となされると
共に、該挿通孔の略中心を横切るが如くスリットが形成
され、該スリットにより分たれる両部位を締結手段によ
って締結することによって前記ボンディングツールを固
着し、該スリットは、前記ボンディングアームの軸中心
に対して略垂直に形成されているものである。また、本
発明によるボンディングアームは、ボンディングツール
との接合部が該ボンディングツールが挿通される挿通孔
となされると共に、該挿通孔の略中心を横切るが如くス
リットが形成され、該スリットにより分たれる両部位を
締結手段によって締結することによって前記ボンディン
グツールを固着し、該スリットは、ボンディングアーム
の軸中心に対して略垂直に形成されているものである。
【0013】
【作用】かかる構成においては、ボンディングアームを
通じて伝わる縦振動が、上記スリットに対して略垂直に
作用する
通じて伝わる縦振動が、上記スリットに対して略垂直に
作用する
【0014】
【実施例】次に、本発明の実施例としてのワイヤボンデ
ィング装置について、添付図面を参照しつつ説明する。
ィング装置について、添付図面を参照しつつ説明する。
【0015】図1において、ホーン1を支持して該ホー
ン1と共にボンディングアームを構成する保持枠2は、
回転可能な支持シャフト11に嵌着されている。また、
該支持シャフト11には、揺動アーム12が揺動自在に
嵌合されている。揺動アーム12及び保持枠2には夫
々、ソレノイド14a及び電磁吸着片14bが互いに対
応して固設されており、保持枠2を揺動させる際には、
ソレノイド14aに対して図示せぬ電源から通電して電
磁吸着片14bとの間に吸着力を生ぜしめることにより
該保持枠2と揺動アーム12とを相互に固定状態とす
る。揺動アーム12及び保持枠2には、上記電磁吸着手
段の前方位置に、マグネット15a及びコイル15bが
夫々取り付けられている。これらマグネット15a及び
コイル15bは、ボンディング時にホーン1の先端、す
なわちキャピラリ4を保持する部位を図1における下向
きに付勢するための吸着力を発生する手段を構成する。
ン1と共にボンディングアームを構成する保持枠2は、
回転可能な支持シャフト11に嵌着されている。また、
該支持シャフト11には、揺動アーム12が揺動自在に
嵌合されている。揺動アーム12及び保持枠2には夫
々、ソレノイド14a及び電磁吸着片14bが互いに対
応して固設されており、保持枠2を揺動させる際には、
ソレノイド14aに対して図示せぬ電源から通電して電
磁吸着片14bとの間に吸着力を生ぜしめることにより
該保持枠2と揺動アーム12とを相互に固定状態とす
る。揺動アーム12及び保持枠2には、上記電磁吸着手
段の前方位置に、マグネット15a及びコイル15bが
夫々取り付けられている。これらマグネット15a及び
コイル15bは、ボンディング時にホーン1の先端、す
なわちキャピラリ4を保持する部位を図1における下向
きに付勢するための吸着力を発生する手段を構成する。
【0016】図2にも示すように、揺動アーム12の後
端部には支軸16aが植設されており、アーム側カムフ
ォロア16と揺動ベース19aとがこの支軸16aの周
りに回転自在となっている。揺動ベース19aにはベア
リングガイド19bがその下端にて固着され、このベア
リングガイド19bの上端部には予圧アーム19dが支
持ピン19eを介して回転自在に取り付けられている。
予圧アーム19dの自由端部には支軸17aが設けられ
ており、該支軸17aにカムフォロア17が回転自在に
取り付けられている。そして、この予圧アーム19dの
先端と揺動ベース19aの先端とには引張ばねである予
圧ばね19fが掛け渡されており、アーム側カムフォロ
ア16及びカムフォロア17は、略ハート形に形成され
たカム18の外周面であるカム面に圧接されている。な
お、アーム側カムフォロア16及びカムフォロア17の
カム18に対する2つの接点は、カム18の回転中心を
挟んで位置している。
端部には支軸16aが植設されており、アーム側カムフ
ォロア16と揺動ベース19aとがこの支軸16aの周
りに回転自在となっている。揺動ベース19aにはベア
リングガイド19bがその下端にて固着され、このベア
リングガイド19bの上端部には予圧アーム19dが支
持ピン19eを介して回転自在に取り付けられている。
予圧アーム19dの自由端部には支軸17aが設けられ
ており、該支軸17aにカムフォロア17が回転自在に
取り付けられている。そして、この予圧アーム19dの
先端と揺動ベース19aの先端とには引張ばねである予
圧ばね19fが掛け渡されており、アーム側カムフォロ
ア16及びカムフォロア17は、略ハート形に形成され
たカム18の外周面であるカム面に圧接されている。な
お、アーム側カムフォロア16及びカムフォロア17の
カム18に対する2つの接点は、カム18の回転中心を
挟んで位置している。
【0017】上記揺動ベース19aと、ベアリングガイ
ド19bと、予圧アーム19dとによりフレーム構造が
形成されており、これを揺動フレーム19と総称する。
揺動フレーム19の構成部材としてのベアリングガイド
19bは、カム18が嵌着されたカム軸22に取り付け
られたラジアルベアリング21の外輪に接している。な
お、カム18は、モータ23よりカム軸22に付与され
るトルクによって回転する。ホーン1及び保持枠2から
なるボンディングアームは、このカム18の回転によっ
て揺動アーム12と一体的に揺動し、これによりキャピ
ラリ4がボンディング対象に対して近接及び離間する。
ド19bと、予圧アーム19dとによりフレーム構造が
形成されており、これを揺動フレーム19と総称する。
揺動フレーム19の構成部材としてのベアリングガイド
19bは、カム18が嵌着されたカム軸22に取り付け
られたラジアルベアリング21の外輪に接している。な
お、カム18は、モータ23よりカム軸22に付与され
るトルクによって回転する。ホーン1及び保持枠2から
なるボンディングアームは、このカム18の回転によっ
て揺動アーム12と一体的に揺動し、これによりキャピ
ラリ4がボンディング対象に対して近接及び離間する。
【0018】ここで、上記ホーン1と、その周辺の構成
について詳述する。なお、ホーン1自体と、該ホーン1
に装着されたキャピラリ4について、図4乃至図16に
詳細に示している。
について詳述する。なお、ホーン1自体と、該ホーン1
に装着されたキャピラリ4について、図4乃至図16に
詳細に示している。
【0019】例えば図3に示すように、ホーン1の後端
部近傍には、これを保持する保持枠2に形成された挿通
孔2aに嵌合する嵌合部1eが設けられている。この嵌
合部1eは略円筒状であり、ホーン1のノーダル・ポイ
ント(超音波振動の節位置)部に設けられたフランジ部
1cと一体に形成されている。
部近傍には、これを保持する保持枠2に形成された挿通
孔2aに嵌合する嵌合部1eが設けられている。この嵌
合部1eは略円筒状であり、ホーン1のノーダル・ポイ
ント(超音波振動の節位置)部に設けられたフランジ部
1cと一体に形成されている。
【0020】ホーン1の後端部には雄ねじ部1kが形成
されており、該雄ねじ部1kに振動子30が結合されて
いる。該振動子30は、図示しない発振器によって所定
周波数の電圧が印加され、この周波数の超音波振動を発
生する。これら振動子30及び発振器を、超音波励振手
段と総称する。ホーン1は、該振動子30が後端部に装
着されるストレートホーン部1aと、該振動子30から
該ストレートホーン部1aを経て伝達される超音波振動
をその振幅を増幅して先端のキャピラリ4に伝えるコニ
カルホーン部1bとを有している。キャピラリ4はこれ
により励振される。
されており、該雄ねじ部1kに振動子30が結合されて
いる。該振動子30は、図示しない発振器によって所定
周波数の電圧が印加され、この周波数の超音波振動を発
生する。これら振動子30及び発振器を、超音波励振手
段と総称する。ホーン1は、該振動子30が後端部に装
着されるストレートホーン部1aと、該振動子30から
該ストレートホーン部1aを経て伝達される超音波振動
をその振幅を増幅して先端のキャピラリ4に伝えるコニ
カルホーン部1bとを有している。キャピラリ4はこれ
により励振される。
【0021】なお、ホーン1は、ステンレス鋼(SU
S)やチタニウム(Ti)あるいはその合金鋼等を素材
とし形成される。
S)やチタニウム(Ti)あるいはその合金鋼等を素材
とし形成される。
【0022】一方、ホーン1の先端部に取り付けられた
ボンディングツールとしてのキャピラリ4はその材質と
してセラミックスやルビー等が選定され、中空状に形成
される。そして、図3に示すように、該中空部に上方か
らワイヤ33が挿通され、該ワイヤ33の先端部に高電
圧でスパークさせること等によって形成されるボール3
3aをボンディング対象たるパッド(図示せず)あるい
はリード(後述)に対して圧着させる作用をなす。な
お、図3において矢印Uにて示すように、振動子30か
らホーン1に伝わる超音波エネルギーは該ホーン1に対
して縦振動であるため、上記ワイヤ33のボール33a
とパッド等との接合に必要な横振動に変換すべく、キャ
ピラリ4はその軸中心をホーン1の軸中心に対して垂直
にして装着されている。
ボンディングツールとしてのキャピラリ4はその材質と
してセラミックスやルビー等が選定され、中空状に形成
される。そして、図3に示すように、該中空部に上方か
らワイヤ33が挿通され、該ワイヤ33の先端部に高電
圧でスパークさせること等によって形成されるボール3
3aをボンディング対象たるパッド(図示せず)あるい
はリード(後述)に対して圧着させる作用をなす。な
お、図3において矢印Uにて示すように、振動子30か
らホーン1に伝わる超音波エネルギーは該ホーン1に対
して縦振動であるため、上記ワイヤ33のボール33a
とパッド等との接合に必要な横振動に変換すべく、キャ
ピラリ4はその軸中心をホーン1の軸中心に対して垂直
にして装着されている。
【0023】続いて、ホーン1に対するキャピラリ4の
取付構造について詳述する。
取付構造について詳述する。
【0024】例えば図12乃至図13から明らかなよう
に、キャピラリ4はその先端部分が略円錐状に形成さ
れ、他の部分については円筒状に形成されている。ホー
ン1に対してはこの円筒状部分を接合部として取り付け
られている。これに対応して、例えば図11乃至図16
に示すように、ホーン1のキャピラリ4との接合部は該
キャピラリ4が挿通される断面略円形の挿通孔1fとな
されている。そして、該挿通孔1fの中心をホーン1の
軸中心1m(図12、図14に図示)に対して垂直に横
切るようにスリット1gが形成されており、該スリット
1gによって分たれる両部位1h及び1iをボルト(六
角穴つき)35によって締結することによってキャピラ
リ4を固着している。なお、該ボルト35と、該ボルト
が螺合すべくホーン1に形成された雌ねじ部(参照符号
は付さない)とを、締結手段と総称する。
に、キャピラリ4はその先端部分が略円錐状に形成さ
れ、他の部分については円筒状に形成されている。ホー
ン1に対してはこの円筒状部分を接合部として取り付け
られている。これに対応して、例えば図11乃至図16
に示すように、ホーン1のキャピラリ4との接合部は該
キャピラリ4が挿通される断面略円形の挿通孔1fとな
されている。そして、該挿通孔1fの中心をホーン1の
軸中心1m(図12、図14に図示)に対して垂直に横
切るようにスリット1gが形成されており、該スリット
1gによって分たれる両部位1h及び1iをボルト(六
角穴つき)35によって締結することによってキャピラ
リ4を固着している。なお、該ボルト35と、該ボルト
が螺合すべくホーン1に形成された雌ねじ部(参照符号
は付さない)とを、締結手段と総称する。
【0025】上記から明らかなように、当該ワイヤボン
ディング装置においては、キャピラリ4をボルト35を
以てホーン1に締着すべくキャピラリ挿通孔1fの中心
を横切るように形成されたスリット1gが、該ホーン1
の軸中心1m(図12、図14参照)に対して垂直とな
っている。
ディング装置においては、キャピラリ4をボルト35を
以てホーン1に締着すべくキャピラリ挿通孔1fの中心
を横切るように形成されたスリット1gが、該ホーン1
の軸中心1m(図12、図14参照)に対して垂直とな
っている。
【0026】かかる構成によれば、ホーン1を通じて伝
わる縦振動の方向における該ホーン1とキャピラリ4と
の接合面積が、このスリット1gを設けたが故に減ぜら
れることがなく、充分な接合面積が確保される。また、
この構成においては、超音波振動に基づいてキャピラリ
4に生ずる慣性力の方向と、キャピラリ挿通孔1f及び
スリット1gに対してキャピラリ4が恰もくさびとして
作用する方向とが互いに直交して一致はしないから、こ
の慣性力が振動の周期を以て交番荷重として加わろうと
も、キャピラリ4は、スリット1gによって分たれた上
記両部位1h、1iを繰り返し押し開くが如きくさび作
用はなさず、ホーン1とキャピラリ4との強固な接合状
態が得られる。これらのことから、ホーン1からキャピ
ラリ4に対する超音波エネルギーの伝達効率が増大す
る。
わる縦振動の方向における該ホーン1とキャピラリ4と
の接合面積が、このスリット1gを設けたが故に減ぜら
れることがなく、充分な接合面積が確保される。また、
この構成においては、超音波振動に基づいてキャピラリ
4に生ずる慣性力の方向と、キャピラリ挿通孔1f及び
スリット1gに対してキャピラリ4が恰もくさびとして
作用する方向とが互いに直交して一致はしないから、こ
の慣性力が振動の周期を以て交番荷重として加わろうと
も、キャピラリ4は、スリット1gによって分たれた上
記両部位1h、1iを繰り返し押し開くが如きくさび作
用はなさず、ホーン1とキャピラリ4との強固な接合状
態が得られる。これらのことから、ホーン1からキャピ
ラリ4に対する超音波エネルギーの伝達効率が増大す
る。
【0027】また、この場合、スリット1gの伸長方向
を上記のように設定するだけで、特別な部材を付加する
こともなく高いエネルギー伝達効率が得られるから、コ
ストの低減が達成されるものである。
を上記のように設定するだけで、特別な部材を付加する
こともなく高いエネルギー伝達効率が得られるから、コ
ストの低減が達成されるものである。
【0028】次いで、上記した構成のワイヤボンディン
グ装置の動作について簡単に説明する。
グ装置の動作について簡単に説明する。
【0029】図1に示すように、当該ワイヤボンディン
グ装置においては、複数のICチップ41が長手方向
(図における紙面に垂直な方向)に並べて貼着されたリ
ードフレームL\Fが扱われる。ボンディング作業開始
に際し、ヒータブロック(図示せず)によって加熱され
ているボンディングステージ42上に該リードフレーム
L\Fが図示しない搬送手段によって搬入され、且つ、
最先のICチップ41がボンディング作業位置に位置決
めされる。この状態で、図1に示すボンディング手段5
0が作動し、ICチップ41上のパッド(図示せず)を
第1ボンディング点とし、該ICチップ41が貼着され
ているリードフレームL\Fに形成された外部リード
(後述)を第2ボンディング点として、該両ボンディン
グ点間を金等を素材とするワイヤ33により接続する。
なお、図示してはいないが、当該ボンディング手段50
はXYテーブル上に搭載されており、適宜二次元的に移
動され、位置決めされる。
グ装置においては、複数のICチップ41が長手方向
(図における紙面に垂直な方向)に並べて貼着されたリ
ードフレームL\Fが扱われる。ボンディング作業開始
に際し、ヒータブロック(図示せず)によって加熱され
ているボンディングステージ42上に該リードフレーム
L\Fが図示しない搬送手段によって搬入され、且つ、
最先のICチップ41がボンディング作業位置に位置決
めされる。この状態で、図1に示すボンディング手段5
0が作動し、ICチップ41上のパッド(図示せず)を
第1ボンディング点とし、該ICチップ41が貼着され
ているリードフレームL\Fに形成された外部リード
(後述)を第2ボンディング点として、該両ボンディン
グ点間を金等を素材とするワイヤ33により接続する。
なお、図示してはいないが、当該ボンディング手段50
はXYテーブル上に搭載されており、適宜二次元的に移
動され、位置決めされる。
【0030】このボンディング工程を図17を用いて説
明する。
明する。
【0031】まず、上記ICチップ41上のパッド(電
極:図示せず)にワイヤボンディングしようとする時、
まず、先端にボール33aが形成されたワイヤ33が挿
通されたキャピラリ4を、図示せぬ撮像装置等からの情
報に基づいて上記XYテーブル(図示せず)の作動によ
り該パッドの直上に位置決めする。その後、ホーン1及
び保持枠2からなるボンディングアームをカム18の作
動を以て下方に揺動させ、キャピラリ4を図17の乃
至に示すように下降させて上記パッドにボール33a
を押しつぶして熱圧着ボンディングを行う。このとき、
前述の超音波励振手段を以てキャピラリ4を励振させる
ことを行う。
極:図示せず)にワイヤボンディングしようとする時、
まず、先端にボール33aが形成されたワイヤ33が挿
通されたキャピラリ4を、図示せぬ撮像装置等からの情
報に基づいて上記XYテーブル(図示せず)の作動によ
り該パッドの直上に位置決めする。その後、ホーン1及
び保持枠2からなるボンディングアームをカム18の作
動を以て下方に揺動させ、キャピラリ4を図17の乃
至に示すように下降させて上記パッドにボール33a
を押しつぶして熱圧着ボンディングを行う。このとき、
前述の超音波励振手段を以てキャピラリ4を励振させる
ことを行う。
【0032】なお、この工程で→は上記ボンディン
グアームを高速で下降移動させ、→では低速で移動
させる。図において参照符号52は、ワイヤ33を把持
するクランプを示すものであるが、この時、該クランプ
52は開となっている。次に、この第1ボンディング点
への接続が終わると、→ではクランプ52が開状態
のまま上記ボンディングアームが図17に示す上方向、
即ちZ軸方向に上昇し、所定のループコントロールにし
たがってに示すようにクランプ52が開の状態でワイ
ヤ33が引き出され、に示す第2ボンディング点とな
るリード53に接続される。
グアームを高速で下降移動させ、→では低速で移動
させる。図において参照符号52は、ワイヤ33を把持
するクランプを示すものであるが、この時、該クランプ
52は開となっている。次に、この第1ボンディング点
への接続が終わると、→ではクランプ52が開状態
のまま上記ボンディングアームが図17に示す上方向、
即ちZ軸方向に上昇し、所定のループコントロールにし
たがってに示すようにクランプ52が開の状態でワイ
ヤ33が引き出され、に示す第2ボンディング点とな
るリード53に接続される。
【0033】この接続後、キャピラリ4の先端部にワイ
ヤ33をに示すように所定のフィード量fだけ引き出
した状態でクランプ52を閉じる。この状態で更にボン
ディングアームを所定の高さまで上昇させる過程でに
示すようにワイヤ33がカットされて、再びワイヤ先端
部に電気トーチ(図示せず)を用いてボールを形成し、
クランプ52を開状態にさせての状態に復帰する。こ
のような一連の工程によりワイヤボンディングがなされ
る。
ヤ33をに示すように所定のフィード量fだけ引き出
した状態でクランプ52を閉じる。この状態で更にボン
ディングアームを所定の高さまで上昇させる過程でに
示すようにワイヤ33がカットされて、再びワイヤ先端
部に電気トーチ(図示せず)を用いてボールを形成し、
クランプ52を開状態にさせての状態に復帰する。こ
のような一連の工程によりワイヤボンディングがなされ
る。
【0034】以降、ICチップ41に複数設けられたパ
ッドとこれらに対応して配設された各リードについて上
記一連の動作が繰り返され、この最先のICチップに関
するボンディングを完了する。
ッドとこれらに対応して配設された各リードについて上
記一連の動作が繰り返され、この最先のICチップに関
するボンディングを完了する。
【0035】この後、リードフレームL\F(図1参
照)がICチップ41の配設ピッチ分だけ移送されて次
のICチップについてのボンディング作業が行われ、順
次同様に続行され、全てのICチップのボンディング接
続を終了する。
照)がICチップ41の配設ピッチ分だけ移送されて次
のICチップについてのボンディング作業が行われ、順
次同様に続行され、全てのICチップのボンディング接
続を終了する。
【0036】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ボンディングツールを締結手段を以てボンディングアー
ムに締着すべくボンディングツール挿通孔の中心を横切
るように形成されたスリットが、該ボンディングアーム
の軸中心に対して略垂直となっている。かかる構成によ
れば、ボンディングアームを通じて伝わる縦振動の方向
における該ボンディングアームとボンディングツールと
の接合面積が、このスリットを設けたが故に減ぜられる
ことがなく、充分な接合面積が確保される。また、この
構成においては、超音波振動に基づいてボンディングツ
ールに生ずる慣性力の方向と、ボンディングツール挿通
孔及びスリットに対してボンディングツールが恰もくさ
びとして作用する方向とが互いに略直交して一致しない
から、この慣性力が振動の周期を似て交番荷重として加
わろうとも、ボンディングツールは、スリットによって
分たれた両部位を繰り返し押し開くが如きくさび作用は
なさず、ボンディングアームとボンディングツールとの
強固な接合状態が得られる。これらのことから、ボンデ
ィングアームからボンディングツールに対する超音波エ
ネルギーの伝達効率が増大する。また、この場合、上記
スリットの伸長方向を上記のように設定するだけで、特
別な部材を付加することもなく高いエネルギー伝達効率
が得られるから、コストの低減が達成されるものであ
る。
ボンディングツールを締結手段を以てボンディングアー
ムに締着すべくボンディングツール挿通孔の中心を横切
るように形成されたスリットが、該ボンディングアーム
の軸中心に対して略垂直となっている。かかる構成によ
れば、ボンディングアームを通じて伝わる縦振動の方向
における該ボンディングアームとボンディングツールと
の接合面積が、このスリットを設けたが故に減ぜられる
ことがなく、充分な接合面積が確保される。また、この
構成においては、超音波振動に基づいてボンディングツ
ールに生ずる慣性力の方向と、ボンディングツール挿通
孔及びスリットに対してボンディングツールが恰もくさ
びとして作用する方向とが互いに略直交して一致しない
から、この慣性力が振動の周期を似て交番荷重として加
わろうとも、ボンディングツールは、スリットによって
分たれた両部位を繰り返し押し開くが如きくさび作用は
なさず、ボンディングアームとボンディングツールとの
強固な接合状態が得られる。これらのことから、ボンデ
ィングアームからボンディングツールに対する超音波エ
ネルギーの伝達効率が増大する。また、この場合、上記
スリットの伸長方向を上記のように設定するだけで、特
別な部材を付加することもなく高いエネルギー伝達効率
が得られるから、コストの低減が達成されるものであ
る。
【図1】図1は、本発明の実施例としてのワイヤボンデ
ィング装置の要部の、一部断面を含む側面図である。
ィング装置の要部の、一部断面を含む側面図である。
【図2】図2は、図1に関するA−A矢視図である。
【図3】図3は、図1に示した構成の一部の、一部断面
を含む拡大図である。
を含む拡大図である。
【図4】図4は、図1に示した構成に含まれるホーン
と、これに装着されたキャピラリとを示す正面図であ
る。
と、これに装着されたキャピラリとを示す正面図であ
る。
【図5】図5は、図4に示した構成の背面図である。
【図6】図6は、図4に示した構成の平面図である。
【図7】図7は、図4に示した構成の底面図である。
【図8】図8は、図4に示した構成の右側面図である。
【図9】図9は、図4に示した構成の左側面図である。
【図10】図10は、図4に関するB−B断面図であ
る。
る。
【図11】図11は、図10において矢印C−C及び矢
印D−Dによって囲まれる部分の拡大図である。
印D−Dによって囲まれる部分の拡大図である。
【図12】図12は、図4における部分Eの拡大図であ
る。
る。
【図13】図13は、図12に示した構成の背面図であ
る。
る。
【図14】図14は、図12に関するF−F矢視にて、
一部断面を含む平面図である。
一部断面を含む平面図である。
【図15】図15は、図12関するG−G矢視図であ
る。
る。
【図16】図16は、図12に関するH−H矢視図であ
る。
る。
【図17】図17は、図1に示した構成の動作の工程を
示す図である。
示す図である。
【図18】図18は、従来のワイヤボンディング装置の
要部の、一部断面を含む平面図である。
要部の、一部断面を含む平面図である。
【図19】図19は、図18における部分Fの拡大図で
ある。
ある。
【図20】図20は、図19に関するG−G矢視図であ
る。
る。
1 ホーン 1f 挿通孔 1g スリット 1m 軸中心 2 保持枠 4 キャピラリ(ボンディングツール) 30 振動子 33 ワイヤ 35 ボルト 41 ICチップ 50 ボンディング手段 53 リード
Claims (2)
- 【請求項1】 ボンディングツールが装着されたボンデ
ィングアームを作動させることによって該ボンディング
ツールをボンディング対象に対して近接させると共に、
超音波励振手段が発する超音波振動を該ボンディングア
ームに対して縦振動として該ボンディングアームを介し
て該ボンディングツールに伝達して励振させるワイヤボ
ンディング装置において、前記ボンディングツールはそ
の軸中心を前記ボンディングアームの軸中心に対して略
垂直にして装着され、前記ボンディングアームの該ボン
ディングツールとの接合部は該ボンディングツールが挿
通される挿通孔となされると共に、該挿通孔の略中心を
横切るが如くスリットが形成され、該スリットにより分
たれる両部位を締結手段によって締結することによって
前記ボンディングツールを固着し、該スリットは、前記
ボンディングアームの軸中心に対して略垂直に形成され
ていることを特徴とするワイヤボンディング装置。 - 【請求項2】 ボンディングツールとの接合部が該ボン
ディングツールが挿通される挿通孔となされると共に、
該挿通孔の略中心を横切るが如くスリットが形成され、
該スリットにより分たれる両部位を締結手段によって締
結することによって前記ボンディングツールを固着し、
該スリットは、ボンディングアームの軸中心に対して略
垂直に形成されていることを特徴とするボンディングア
ーム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17757494A JPH0823012A (ja) | 1994-07-06 | 1994-07-06 | ワイヤボンディング装置及び該装置に装備されるべきボンディングアーム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17757494A JPH0823012A (ja) | 1994-07-06 | 1994-07-06 | ワイヤボンディング装置及び該装置に装備されるべきボンディングアーム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0823012A true JPH0823012A (ja) | 1996-01-23 |
Family
ID=16033356
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17757494A Pending JPH0823012A (ja) | 1994-07-06 | 1994-07-06 | ワイヤボンディング装置及び該装置に装備されるべきボンディングアーム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0823012A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007062828A (ja) * | 2005-09-01 | 2007-03-15 | Okura Ind Co Ltd | 包装方法 |
-
1994
- 1994-07-06 JP JP17757494A patent/JPH0823012A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007062828A (ja) * | 2005-09-01 | 2007-03-15 | Okura Ind Co Ltd | 包装方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH10135221A (ja) | バンプ形成方法 | |
JP3568496B2 (ja) | 超音波ワイヤボンディング用共振器 | |
JPH0823012A (ja) | ワイヤボンディング装置及び該装置に装備されるべきボンディングアーム | |
JP2882752B2 (ja) | ワイヤボンディング装置及び該装置に装備されるべきボンディングアーム | |
JP2001110850A (ja) | フリップチップ実装装置、及び方法 | |
JP2003203953A (ja) | 超音波ボンディング装置と、そのボンディング方法 | |
JP2587481Y2 (ja) | 超音波ホーン及びこれを具備したボンディング装置 | |
JP3972517B2 (ja) | 電子部品の接続方法 | |
JPH0817873A (ja) | ワイヤボンディング装置並びに該装置に装備されるべきボンディングツール及びボンディングアーム | |
JPH05109808A (ja) | ワイヤボンデイング方法およびその装置 | |
JPH0530058B2 (ja) | ||
JP2866266B2 (ja) | ワイヤボンディング装置 | |
JPH10125713A (ja) | ワイヤボンディング装置 | |
JPH0685014A (ja) | ワイヤボンディング装置 | |
JP3656631B2 (ja) | 電子部品のボンディングツールおよびボンディング装置 | |
JPH04372146A (ja) | ワイヤボンディング装置 | |
JP3455618B2 (ja) | 半導体の製造方法 | |
JPH0555311A (ja) | ボンデイング装置 | |
JP3729153B2 (ja) | 電子部品のボンディング装置およびボンディングツール | |
JP2004158583A (ja) | 金属電極形成方法及び金属電極形成装置 | |
JPS6173343A (ja) | ワイヤボンダ | |
JPH11345819A (ja) | ボンディングツールおよびボンディング装置 | |
JPH1012618A (ja) | はんだバンプ形成方法および装置 | |
JPS6348126Y2 (ja) | ||
JP2004134563A (ja) | 超音波ホーンとそのツール保持方法及びそれを用いたバンプボンディング装置 |