JPH08227154A - 感光性樹脂組成物及びパターン形成方法およびそれを用いた電子装置の製造方法 - Google Patents
感光性樹脂組成物及びパターン形成方法およびそれを用いた電子装置の製造方法Info
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- JPH08227154A JPH08227154A JP7275288A JP27528895A JPH08227154A JP H08227154 A JPH08227154 A JP H08227154A JP 7275288 A JP7275288 A JP 7275288A JP 27528895 A JP27528895 A JP 27528895A JP H08227154 A JPH08227154 A JP H08227154A
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- photosensitive resin
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Abstract
(57)【要約】
【課題】基板上にポリイミドパターンを形成するための
感光性樹脂組成物とそれを用いた電子装置の製法の提
供。 【解決手段】（ａ）一般式〔１〕（但し、Ａは４価の炭
素数６〜３９の芳香族基または炭素数４〜３９の脂肪族
基、Ｂは２価の炭素数３〜３９の芳香族基または脂肪族
基、ｎは１０〜７２０の整数を示す）で表されるポリア
ミド酸と、（ｂ）電磁波照射により１級または２級アミ
ンを生ずる光塩基発生剤、または、電磁波照射により遊
離酸を生ずる光酸発生剤とアミン系化合物とを含み、前
記光塩基発生剤または光酸発生剤が、前記ポリアミド酸
のカルボキシル基１モルに対して０.０１ モル以上０.
２ モル未満配合されており、前記アミン系化合物が光
酸発生剤より多く配合されている感光性樹脂組成物。 【化１１】
感光性樹脂組成物とそれを用いた電子装置の製法の提
供。 【解決手段】（ａ）一般式〔１〕（但し、Ａは４価の炭
素数６〜３９の芳香族基または炭素数４〜３９の脂肪族
基、Ｂは２価の炭素数３〜３９の芳香族基または脂肪族
基、ｎは１０〜７２０の整数を示す）で表されるポリア
ミド酸と、（ｂ）電磁波照射により１級または２級アミ
ンを生ずる光塩基発生剤、または、電磁波照射により遊
離酸を生ずる光酸発生剤とアミン系化合物とを含み、前
記光塩基発生剤または光酸発生剤が、前記ポリアミド酸
のカルボキシル基１モルに対して０.０１ モル以上０.
２ モル未満配合されており、前記アミン系化合物が光
酸発生剤より多く配合されている感光性樹脂組成物。 【化１１】
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板上にポリイミ
ドのパターンを形成するための感光性樹脂組成物と、そ
れを用いたポリイミドのパターン形成法および前記感光
性樹脂組成物を用いた電子装置の製造方法に関する。
ドのパターンを形成するための感光性樹脂組成物と、そ
れを用いたポリイミドのパターン形成法および前記感光
性樹脂組成物を用いた電子装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体の層間絶縁膜やパッシベー
ション膜などにポリイミドが使用されている。ポリイミ
ドは耐熱性，機械特性，電気特性が優れていることは周
知のとおりである。しかし、半導体の層間絶縁膜やパッ
シベーション膜に用いるにはパターン形成能が不可欠で
ある。従来は、フォトレジストを用いてエッチングによ
りポリイミドのパターンを形成していた。しかし、この
方法は工程が煩雑なため、感光性のポリイミドが注目さ
れている。ポリイミドに感光性を付与する方法として
は、特開平5−197148 号公報にポリイミド前駆体にポリ
アミド酸アルキルエステルを用い、これと電磁波照射に
より塩基化合物を発生する光塩基発生剤と組み合わせて
露光後、加熱して部分イミド化を促進させるネガおよび
ポジ組成物が開示されている。
ション膜などにポリイミドが使用されている。ポリイミ
ドは耐熱性，機械特性，電気特性が優れていることは周
知のとおりである。しかし、半導体の層間絶縁膜やパッ
シベーション膜に用いるにはパターン形成能が不可欠で
ある。従来は、フォトレジストを用いてエッチングによ
りポリイミドのパターンを形成していた。しかし、この
方法は工程が煩雑なため、感光性のポリイミドが注目さ
れている。ポリイミドに感光性を付与する方法として
は、特開平5−197148 号公報にポリイミド前駆体にポリ
アミド酸アルキルエステルを用い、これと電磁波照射に
より塩基化合物を発生する光塩基発生剤と組み合わせて
露光後、加熱して部分イミド化を促進させるネガおよび
ポジ組成物が開示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前記の従来法は、いず
れも使用できる現像剤が非プロトン性の極性溶媒（ジメ
チルホルムアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドンなど）
又はこれらの混合物であるために環境汚染対策上から問
題となっていた。更に、ポリアミド酸アルキルエステル
の合成や精製方法が複雑であることも問題点として挙げ
られる。また最近では半導体の高性能化に伴い高精度の
パターン形成性が不可欠になってきた。水系の現像液で
高精度のパターン形成が可能な感光性ポリイミドが要求
されるようになった。
れも使用できる現像剤が非プロトン性の極性溶媒（ジメ
チルホルムアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドンなど）
又はこれらの混合物であるために環境汚染対策上から問
題となっていた。更に、ポリアミド酸アルキルエステル
の合成や精製方法が複雑であることも問題点として挙げ
られる。また最近では半導体の高性能化に伴い高精度の
パターン形成性が不可欠になってきた。水系の現像液で
高精度のパターン形成が可能な感光性ポリイミドが要求
されるようになった。
【０００４】本発明の目的は、水系の現像液で高精度な
ポリイミドパターン形成が可能な感光性樹脂組成物とそ
のパターン形成方法および該感光性樹脂組成物を用いた
電子装置の製造方法を提供することにある。
ポリイミドパターン形成が可能な感光性樹脂組成物とそ
のパターン形成方法および該感光性樹脂組成物を用いた
電子装置の製造方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、各種ポリ
イミド前駆体と熱イミド化温度について検討し、本発明
に到達した。前記課題を解決する本発明の要旨は次のと
おりである。
イミド前駆体と熱イミド化温度について検討し、本発明
に到達した。前記課題を解決する本発明の要旨は次のと
おりである。
【０００６】（ａ）一般式〔１〕
【０００７】
【化６】
【０００８】（但し、Ａは４価の炭素数６〜３９の芳香
族基または炭素数４〜３９の脂肪族基、Ｂは２価の炭素
数３〜３９の芳香族基または脂肪族基、ｎは１０〜７２
０の整数を示す）で表されるポリアミド酸（以下、ＰＡ
Ａと云う）と、（ｂ）電磁波照射により１級または２級
アミンを生ずる光塩基発生剤（以下、ＰＢＧと云う）、
または、電磁波照射により遊離酸を生ずる光酸発生剤
（以下、ＰＡＧと云う）とアミン系化合物とを含み、前
記ＰＢＧまたはＰＡＧが、前記ＰＡＡのカルボキシル基
１モルに対して０．０１モル以上０．２ モル未満配合
されており、前記アミン系化合物のモル数が前記ＰＡＧ
よりも多く配合されていることを特徴とする感光性樹脂
組成物にある。
族基または炭素数４〜３９の脂肪族基、Ｂは２価の炭素
数３〜３９の芳香族基または脂肪族基、ｎは１０〜７２
０の整数を示す）で表されるポリアミド酸（以下、ＰＡ
Ａと云う）と、（ｂ）電磁波照射により１級または２級
アミンを生ずる光塩基発生剤（以下、ＰＢＧと云う）、
または、電磁波照射により遊離酸を生ずる光酸発生剤
（以下、ＰＡＧと云う）とアミン系化合物とを含み、前
記ＰＢＧまたはＰＡＧが、前記ＰＡＡのカルボキシル基
１モルに対して０．０１モル以上０．２ モル未満配合
されており、前記アミン系化合物のモル数が前記ＰＡＧ
よりも多く配合されていることを特徴とする感光性樹脂
組成物にある。
【０００９】また、上記感光性樹脂組成物からなる被膜
または塗膜を半導体等の電子装置の基板上に形成し、露
光，現像してポリイミドのパターンを形成する方法にあ
る。本発明を図１により具体的に説明する。
または塗膜を半導体等の電子装置の基板上に形成し、露
光，現像してポリイミドのパターンを形成する方法にあ
る。本発明を図１により具体的に説明する。
【００１０】（１）ポジパターンの形成：（ａ）ＰＡＡ
にアミン系化合物とＰＡＧを含む感光性樹脂組成物を塗
布し、プリベークする。(ｂ)次に、フォトマスクを介し
て露光し露光部のＰＡＧから遊離酸を発生させ、上記ア
ミン系化合物のアミン(ＡＭ)と反応させて塩を形成す
る。（ｃ）次いで、加熱し未露光部のアミンの触媒作用
により部分的にイミド化しフォトマスクパターンに従っ
たポリイミド（ＰＩ）を形成する。（ｄ）次に、水系現
像液で現像し、露光部のＰＡＡ＋アミン系化合物を除去
することによりポリイミドのポジパターンが形成され
る。
にアミン系化合物とＰＡＧを含む感光性樹脂組成物を塗
布し、プリベークする。(ｂ)次に、フォトマスクを介し
て露光し露光部のＰＡＧから遊離酸を発生させ、上記ア
ミン系化合物のアミン(ＡＭ)と反応させて塩を形成す
る。（ｃ）次いで、加熱し未露光部のアミンの触媒作用
により部分的にイミド化しフォトマスクパターンに従っ
たポリイミド（ＰＩ）を形成する。（ｄ）次に、水系現
像液で現像し、露光部のＰＡＡ＋アミン系化合物を除去
することによりポリイミドのポジパターンが形成され
る。
【００１１】なお、未反応のＰＡＧはイミド化のための
加熱（３５０〜４５０℃）処理によって分解，昇華す
る。
加熱（３５０〜４５０℃）処理によって分解，昇華す
る。
【００１２】（２）ネガパターンの形成：（ａ）ＰＡＡ
とＰＢＧを含む感光性樹脂組成物を塗布し、プリベーク
する。（ｂ）次に、フォトマスクを介して露光し露光部
のＰＢＧから１級または２級アミン（ＡＭ）を発生させ
る。（ｃ）次いで、加熱し露光部に生じたＡＭの触媒作
用により部分的にイミド化を促進させポリイミド(ＰＩ)
を形成する。(ｄ)次に、水系現像液で現像し、未露光部
のＰＡＡ＋ＰＧＢを除去することによりフォトマスクパ
ターンに従ったポリイミドのネガパターンが形成され
る。
とＰＢＧを含む感光性樹脂組成物を塗布し、プリベーク
する。（ｂ）次に、フォトマスクを介して露光し露光部
のＰＢＧから１級または２級アミン（ＡＭ）を発生させ
る。（ｃ）次いで、加熱し露光部に生じたＡＭの触媒作
用により部分的にイミド化を促進させポリイミド(ＰＩ)
を形成する。(ｄ)次に、水系現像液で現像し、未露光部
のＰＡＡ＋ＰＧＢを除去することによりフォトマスクパ
ターンに従ったポリイミドのネガパターンが形成され
る。
【００１３】なお、未反応のＰＡＧはイミド化のための
加熱（３５０〜４５０℃）処理によって分解，昇華す
る。
加熱（３５０〜４５０℃）処理によって分解，昇華す
る。
【００１４】前記一般式〔１〕において、Ａの炭素数が
３９より多いと感光性樹脂の現像液に対する溶解性を変
えるカルボキシル基の感光性樹脂中での重量分率が低下
し、水系現像液での現像が困難となる。また、前記一般
式〔１〕において、Ｂの炭素数が３９より多い場合にも
感光性樹脂の現像液に対する溶解性を変えるカルボキシ
ル基の感光性樹脂中での重量分率が低下し、水系現像液
での現像が困難となる。
３９より多いと感光性樹脂の現像液に対する溶解性を変
えるカルボキシル基の感光性樹脂中での重量分率が低下
し、水系現像液での現像が困難となる。また、前記一般
式〔１〕において、Ｂの炭素数が３９より多い場合にも
感光性樹脂の現像液に対する溶解性を変えるカルボキシ
ル基の感光性樹脂中での重量分率が低下し、水系現像液
での現像が困難となる。
【００１５】なお、ＰＡＧまたはＰＢＧは、ＰＡＡの熱
イミド化触媒であるからその配合量は小量で十分であ
る。ＰＡＧまたはＰＢＧをＰＡＡのカルボキシル基に対
して０.０１モル以上０.２モル未満配合することにより
高い精度のパターンを形成することができる。また、本
発明の感光性樹脂組成物はパターンの現像液に作業環境
上好ましい水系現像液が使用できる。
イミド化触媒であるからその配合量は小量で十分であ
る。ＰＡＧまたはＰＢＧをＰＡＡのカルボキシル基に対
して０.０１モル以上０.２モル未満配合することにより
高い精度のパターンを形成することができる。また、本
発明の感光性樹脂組成物はパターンの現像液に作業環境
上好ましい水系現像液が使用できる。
【００１６】なお、ＰＡＡのカルボキシル基に対してＰ
ＡＧまたはＰＢＧの配合量が0.01モル未満では露光部の
樹脂の溶解性の変化が少なく良好なパターンが形成でき
ない。また、ＰＡＡのカルボキシル基に対してＰＡＧま
たはＰＢＧの配合量が０.２モル以上では、熱イミド化
後のポリイミドの機械的強さが低下し好ましくない。前
記ＰＡＧとして、トリフェニルスルホニウムヘキサフル
オロアンチモネート，ニトロベンジルトシレート，ヒド
ロキシベンゾフェノンのメタンスルホネートエステル，
ジアリールヨードニウム塩，ジフェニル−４−チオフェ
ノキシフェニルスルホニウム塩、２，３，６−（トリク
ロロメチル）トリアジンおよびトリス（２，３−ジブロ
モプロピル）イソシアヌレート
ＡＧまたはＰＢＧの配合量が0.01モル未満では露光部の
樹脂の溶解性の変化が少なく良好なパターンが形成でき
ない。また、ＰＡＡのカルボキシル基に対してＰＡＧま
たはＰＢＧの配合量が０.２モル以上では、熱イミド化
後のポリイミドの機械的強さが低下し好ましくない。前
記ＰＡＧとして、トリフェニルスルホニウムヘキサフル
オロアンチモネート，ニトロベンジルトシレート，ヒド
ロキシベンゾフェノンのメタンスルホネートエステル，
ジアリールヨードニウム塩，ジフェニル−４−チオフェ
ノキシフェニルスルホニウム塩、２，３，６−（トリク
ロロメチル）トリアジンおよびトリス（２，３−ジブロ
モプロピル）イソシアヌレート
【００１７】
【化７】
【００１８】
【化８】
【００１９】
【化９】
【００２０】
【化１０】
【００２１】等の化合物を挙げることができる。
【００２２】前記ＰＢＧとして、Ｎ−（（２−ニトロフ
ェニル）−１−メチルメトキシ）カルボニル−２−プロ
ピルアミン、Ｎ−（（２−ニトロフェニル）−１−メチ
ルメトキシ）カルボニル−シクロヘキシルアミン，ジフ
ェニルジスルホン，ベンジルスルホンアミド，ベンジル
四級アンモニウム塩，イミン，イミニウム塩，コバルト
−アミン塩，ベンジルカルバメート等の化合物を挙げる
ことができる。
ェニル）−１−メチルメトキシ）カルボニル−２−プロ
ピルアミン、Ｎ−（（２−ニトロフェニル）−１−メチ
ルメトキシ）カルボニル−シクロヘキシルアミン，ジフ
ェニルジスルホン，ベンジルスルホンアミド，ベンジル
四級アンモニウム塩，イミン，イミニウム塩，コバルト
−アミン塩，ベンジルカルバメート等の化合物を挙げる
ことができる。
【００２３】前記ＰＡＧと併用するアミン系化合物とし
てはイソプロピルアミン，ブチルアミン，イソブチルア
ミン，sec −ブチルアミン，tert−ブチルアミン，シク
ロヘキシルアミン，ベンジルアミン，アニリン，ｐ−ト
ルイジン，ｐ−アニシジン，ｐ−ニトロアニリン，ジエ
チルアミン，ジプロピルアミン，Ｎ−メチルアミン，
２，２−ジエタノールアミン，Ｎ−メチルエタノールア
ミン，エタノールアミン，Ｎ−メチルエタノールアミ
ン，ジフェニルアミン等がある。
てはイソプロピルアミン，ブチルアミン，イソブチルア
ミン，sec −ブチルアミン，tert−ブチルアミン，シク
ロヘキシルアミン，ベンジルアミン，アニリン，ｐ−ト
ルイジン，ｐ−アニシジン，ｐ−ニトロアニリン，ジエ
チルアミン，ジプロピルアミン，Ｎ−メチルアミン，
２，２−ジエタノールアミン，Ｎ−メチルエタノールア
ミン，エタノールアミン，Ｎ−メチルエタノールアミ
ン，ジフェニルアミン等がある。
【００２４】これらのアミン系化合物の１種以上が用い
られ、これらはＰＡＧよりも多く配合する。
られ、これらはＰＡＧよりも多く配合する。
【００２５】ところで、本発明に用いられるＰＡＡはJ.
Polymer Sci.，Ａ−１，３，pp1373（１９６５）に記載
されているように、当モルのテトラカルボン酸二無水物
とジアミンを極性溶媒中で溶融重縮合させる方法が工業
的に優れた合成方法である。ポリアミド酸の合成に必要
なテトラカルボン酸二無水物としては、ピロメリット酸
二無水物、３，３′，４，４′−ビフェニルテトラカル
ボン酸二無水物、３，３″，４，４″−ｐ−ターフェニ
ルテトラカルボン酸二無水物、３，３′，４，４′−ベ
ンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物，シクロブタン
テトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−シクロペ
ンタンテトラカルボン酸二無水物３，３′，４，４′−
ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、２，２
−ビス（４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェ
ニル）ヘキサフルオロプロパンテトラカルボン酸二無水
物、２，２−ビス（４−（３，４−ジカルボキシフェノ
キシ）フェニル）プロパンテトラカルボン酸二無水物、
２，２−ビス（４−（３，４−ジカルボキシフェニ
ル））ヘキサフルオロプロパンテトラカルボン酸二無水
物、２，２−ビス（４−（３，４−ジカルボキシフェニ
ル））プロパンテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビ
ス（ｐ−（３，４−ジカルボキシフェニル）フェニルオ
キシフェニル）プロパン酸二無水物が挙げられ、これら
の１種以上を使用することができる。
Polymer Sci.，Ａ−１，３，pp1373（１９６５）に記載
されているように、当モルのテトラカルボン酸二無水物
とジアミンを極性溶媒中で溶融重縮合させる方法が工業
的に優れた合成方法である。ポリアミド酸の合成に必要
なテトラカルボン酸二無水物としては、ピロメリット酸
二無水物、３，３′，４，４′−ビフェニルテトラカル
ボン酸二無水物、３，３″，４，４″−ｐ−ターフェニ
ルテトラカルボン酸二無水物、３，３′，４，４′−ベ
ンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物，シクロブタン
テトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−シクロペ
ンタンテトラカルボン酸二無水物３，３′，４，４′−
ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、２，２
−ビス（４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェ
ニル）ヘキサフルオロプロパンテトラカルボン酸二無水
物、２，２−ビス（４−（３，４−ジカルボキシフェノ
キシ）フェニル）プロパンテトラカルボン酸二無水物、
２，２−ビス（４−（３，４−ジカルボキシフェニ
ル））ヘキサフルオロプロパンテトラカルボン酸二無水
物、２，２−ビス（４−（３，４−ジカルボキシフェニ
ル））プロパンテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビ
ス（ｐ−（３，４−ジカルボキシフェニル）フェニルオ
キシフェニル）プロパン酸二無水物が挙げられ、これら
の１種以上を使用することができる。
【００２６】上記テトラカルボン酸二無水物と反応する
ジアミンとしては、テトラメチル−１，４−フェニレン
ジアミン，ヘキサメチレンジアミン，テトラエチル−
１，４−フェニレンジアミン，テトラプロピル−１，４
−フェニレンジアミン，トリメチル−１，４−フェニレ
ンジアミン，トリエチル−１，４−フェニレンジアミ
ン，トリプロピル−１，４−フェニレンジアミン、３，
３′，５′−トリメチル−４，４′−ジアミノビフェニ
ル、３，３′，５′−トリエチル−４，４′−ジアミノ
ビフェニル、３，３′，５′−トリプロピル−４，４′
−ジアミノビフェニル、ｏ−トリジン、ｐ−フェニレン
ジアミン、２，４−ジアミノジフェニルエーテル、４，
４′−ジアミノジフェニルエーテル、４，４′−ジアミ
ノジフェニルスルホン、４，４′−ジアミノジフェニル
メタン、４，４′−ジアミノジフェニルスルファイド、
４，４″−ジアミノターフェニル、４，４″−ジアミノ
ジシクロヘキシルメタン、１，５−ジアミノナフタレ
ン、４，４′−ビス（ｐ−アミノフェノキシ）ビフェニ
ル、４，４′−ビス（ｍ−アミノフェノキシ）ジフェニ
ルスルホン、２，２−ビス（４−（ｐ−アミノフェノキ
シ）フェニル）プロパン、３，３′−ジメチル−４，
４′−ジアミノジフェニルメタン、２，７−ジアミノフ
ルオレン，アセトグアナミン、３，３′−ジメトキシベ
ンジジン，ｍ−フェニレンジアミン、２，６−ジアミノ
アントラキノン、２，６−アミノトルエン、２，５−ジ
アミノピリジン、２，６−ジアミノピリジン、２，５−
ジアミノトルエン、２，３−ジアミノピリジン、３，４
−ジアミノピリジン、４，４′−ジアミノベンゾフェノ
ン、４，４′−ビス（ｐ−アミノフェノキシ）ジフェニ
ルスルホン、ベンゾグアナミン、２，７−ジアミノナフ
タレン、３，４−ジアミノトルエン、ｍ−キシレンジア
ミン、ｐ−キシレンジアミン、４，４′−ジチオジアニ
リン、ｏ−フェニレンジアミン、４，４′−メチレンビ
ス（２−メチルシクロヘキシルアミン）、２，２−ビス
（４−（ｐ，ｐ′−アミノビフェニルオキシ）フェニ
ル）プロパン，ｐ−キシレンジアミンなど公知のものが
挙げられる。
ジアミンとしては、テトラメチル−１，４−フェニレン
ジアミン，ヘキサメチレンジアミン，テトラエチル−
１，４−フェニレンジアミン，テトラプロピル−１，４
−フェニレンジアミン，トリメチル−１，４−フェニレ
ンジアミン，トリエチル−１，４−フェニレンジアミ
ン，トリプロピル−１，４−フェニレンジアミン、３，
３′，５′−トリメチル−４，４′−ジアミノビフェニ
ル、３，３′，５′−トリエチル−４，４′−ジアミノ
ビフェニル、３，３′，５′−トリプロピル−４，４′
−ジアミノビフェニル、ｏ−トリジン、ｐ−フェニレン
ジアミン、２，４−ジアミノジフェニルエーテル、４，
４′−ジアミノジフェニルエーテル、４，４′−ジアミ
ノジフェニルスルホン、４，４′−ジアミノジフェニル
メタン、４，４′−ジアミノジフェニルスルファイド、
４，４″−ジアミノターフェニル、４，４″−ジアミノ
ジシクロヘキシルメタン、１，５−ジアミノナフタレ
ン、４，４′−ビス（ｐ−アミノフェノキシ）ビフェニ
ル、４，４′−ビス（ｍ−アミノフェノキシ）ジフェニ
ルスルホン、２，２−ビス（４−（ｐ−アミノフェノキ
シ）フェニル）プロパン、３，３′−ジメチル−４，
４′−ジアミノジフェニルメタン、２，７−ジアミノフ
ルオレン，アセトグアナミン、３，３′−ジメトキシベ
ンジジン，ｍ−フェニレンジアミン、２，６−ジアミノ
アントラキノン、２，６−アミノトルエン、２，５−ジ
アミノピリジン、２，６−ジアミノピリジン、２，５−
ジアミノトルエン、２，３−ジアミノピリジン、３，４
−ジアミノピリジン、４，４′−ジアミノベンゾフェノ
ン、４，４′−ビス（ｐ−アミノフェノキシ）ジフェニ
ルスルホン、ベンゾグアナミン、２，７−ジアミノナフ
タレン、３，４−ジアミノトルエン、ｍ−キシレンジア
ミン、ｐ−キシレンジアミン、４，４′−ジチオジアニ
リン、ｏ−フェニレンジアミン、４，４′−メチレンビ
ス（２−メチルシクロヘキシルアミン）、２，２−ビス
（４−（ｐ，ｐ′−アミノビフェニルオキシ）フェニ
ル）プロパン，ｐ−キシレンジアミンなど公知のものが
挙げられる。
【００２７】ＰＡＡ合成に用いる溶媒としては、ｎ−メ
チル−２−ピロリドン（ＮＭＰ），ジメチルアセトアミ
ド（ＤＭＡＣ），ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ），ジ
グライム，フェノール，トルエン，キシレン等が挙げら
れ、これらの１種以上用いることができる。
チル−２−ピロリドン（ＮＭＰ），ジメチルアセトアミ
ド（ＤＭＡＣ），ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ），ジ
グライム，フェノール，トルエン，キシレン等が挙げら
れ、これらの１種以上用いることができる。
【００２８】ポリアミド酸の数平均分子量は、溶解性や
ポリイミドの機械的特性に影響を与える重要な特性であ
る。具体的にはゲルパーミェイションクロマトグラフィ
（ＧＰＣ）でのポリスチレン換算値で１０,０００〜３
００,０００が好ましい。１０,０００ 未満では機械的
特性が低下し、場合によってはポリイミドフィルムが形
成できない。３００,０００ を超えると溶解性が低下す
るので好ましくない。
ポリイミドの機械的特性に影響を与える重要な特性であ
る。具体的にはゲルパーミェイションクロマトグラフィ
（ＧＰＣ）でのポリスチレン換算値で１０,０００〜３
００,０００が好ましい。１０,０００ 未満では機械的
特性が低下し、場合によってはポリイミドフィルムが形
成できない。３００,０００ を超えると溶解性が低下す
るので好ましくない。
【００２９】上記の感光性樹脂組成物は、溶媒に溶解し
スピンコート法など公知の方法により基板上にコートす
ることができる。そして、プリベーク（８０〜１２０℃
に加熱）などにより溶媒を除去しフィルム化させる。上
記の溶媒としてはＮＭＰ，水，トルエン，ＤＭＡＣ，ジ
グライム，ジメチルホルムアミド等がある。通常は溶媒
９９〜５５重量％と感光性樹脂組成物１〜４５重量％の
配合が望ましい。
スピンコート法など公知の方法により基板上にコートす
ることができる。そして、プリベーク（８０〜１２０℃
に加熱）などにより溶媒を除去しフィルム化させる。上
記の溶媒としてはＮＭＰ，水，トルエン，ＤＭＡＣ，ジ
グライム，ジメチルホルムアミド等がある。通常は溶媒
９９〜５５重量％と感光性樹脂組成物１〜４５重量％の
配合が望ましい。
【００３０】前記感光性樹脂組成物に照射する電磁波と
しては、紫外線，可視光，Ｘ線等がある。
しては、紫外線，可視光，Ｘ線等がある。
【００３１】本発明に用いる水系現像液としては、水酸
化テトラメチルアンモニウム(TMA）水溶液，炭酸ナトリ
ウム水溶液等の水を主成分とするものがある。
化テトラメチルアンモニウム(TMA）水溶液，炭酸ナトリ
ウム水溶液等の水を主成分とするものがある。
【００３２】前記ＰＡＧの増感剤としては、ケトクマリ
ン，フルオレン，チオキサントン，アントラキノン，ナ
フチアゾリン，ビアセチル，ベンジルおよびこれらの誘
導体がある。また、ＰＢＧの増感剤としては、ペリレ
ン，置換アントラセンがある。既述のように、本発明は
ポリアミド酸に対するアミンの触媒作用を利用したもの
で、露光後の加熱によりイミド化を促進させ、イミド化
率の違いによる溶解性の差を利用して現像し、パターン
を形成するものである。例えば、ＰＡＡ単独と、ＰＡＡ
にイソプロピルアミンを０.１ モル加えた場合の１５０
℃における加熱時間とイミド化率の関係を図２に示す。
ン，フルオレン，チオキサントン，アントラキノン，ナ
フチアゾリン，ビアセチル，ベンジルおよびこれらの誘
導体がある。また、ＰＢＧの増感剤としては、ペリレ
ン，置換アントラセンがある。既述のように、本発明は
ポリアミド酸に対するアミンの触媒作用を利用したもの
で、露光後の加熱によりイミド化を促進させ、イミド化
率の違いによる溶解性の差を利用して現像し、パターン
を形成するものである。例えば、ＰＡＡ単独と、ＰＡＡ
にイソプロピルアミンを０.１ モル加えた場合の１５０
℃における加熱時間とイミド化率の関係を図２に示す。
【００３３】図２においてＰＡＡは３，３″，４，４″
−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）と
精製ｐ−キシリレンジアミン（ＸＹＤＡ）とＮＭＰから
なるワニスを塗布後、プリベークしてフィルム化したも
のである。もう一方のＰＡＳは、ＢＰＤＡとＸＹＤＡと
ＮＭＰからなるワニスに含まれるポリアミド酸のカルボ
キシル基１モルに対してiso−プロピルアミンを０.０２
モル加えてフィルム化したものである。
−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）と
精製ｐ−キシリレンジアミン（ＸＹＤＡ）とＮＭＰから
なるワニスを塗布後、プリベークしてフィルム化したも
のである。もう一方のＰＡＳは、ＢＰＤＡとＸＹＤＡと
ＮＭＰからなるワニスに含まれるポリアミド酸のカルボ
キシル基１モルに対してiso−プロピルアミンを０.０２
モル加えてフィルム化したものである。
【００３４】なお、D.R.McKean，G.M.Wallraff，W.Volk
sen，N.P.Hacker，M.Sanchex，andJ.W.Labadie，ACS SY
MPOSIUM SERIES ５３７ ｐｐ４１７〜４２７で述べら
れているように、両者のイミド化率の差が約２５％以上
あればパターン形成は十分可能である。
sen，N.P.Hacker，M.Sanchex，andJ.W.Labadie，ACS SY
MPOSIUM SERIES ５３７ ｐｐ４１７〜４２７で述べら
れているように、両者のイミド化率の差が約２５％以上
あればパターン形成は十分可能である。
【００３５】イミド化率はＦＴ−ＩＲにより最終加熱３
５０℃／３０分後のイミド基に基づく１７２０.６cm-1
のカルボニルの吸光度を１００％として求めた。加熱は
ホットプレートで行った。
５０℃／３０分後のイミド基に基づく１７２０.６cm-1
のカルボニルの吸光度を１００％として求めた。加熱は
ホットプレートで行った。
【００３６】本発明の感光性樹脂組成物を用いてパター
ン形成した電子装置（樹脂封止型半導体装置）の製造方
法の一例を図３の模式図に示す。
ン形成した電子装置（樹脂封止型半導体装置）の製造方
法の一例を図３の模式図に示す。
【００３７】図３（ａ）のようにＬＳＩチップ１上に５
０μｍ角のボンデイングパッド２を作成した。続いて、
図３（ｂ）のようにポリイミドの膜厚が１０μｍになる
よう回転数を調整したスピンナを用いて感光性樹脂組成
物ワニス（ネガパターン組成物）４を塗布，形成した。
これを図３（ｃ）において８０℃／１０分間の予備乾燥
後、フォトマスクを載せて露光し、さらに１３０℃／５
分間ホットプレートで加熱して露光部のイミド化率を向
上させた後、未露光部を水系現像液で現像して５０μｍ
角のフォトマスクパターンに従ったスルーホールを形成
した。
０μｍ角のボンデイングパッド２を作成した。続いて、
図３（ｂ）のようにポリイミドの膜厚が１０μｍになる
よう回転数を調整したスピンナを用いて感光性樹脂組成
物ワニス（ネガパターン組成物）４を塗布，形成した。
これを図３（ｃ）において８０℃／１０分間の予備乾燥
後、フォトマスクを載せて露光し、さらに１３０℃／５
分間ホットプレートで加熱して露光部のイミド化率を向
上させた後、未露光部を水系現像液で現像して５０μｍ
角のフォトマスクパターンに従ったスルーホールを形成
した。
【００３８】図３（ｄ）はスルーホール９を介してＬＳ
Ｉチップ１とリードフレーム７をボンデイングワイヤ６
で接続した後、全体をエポキシ系またはフェノール系樹
脂組成物からなる封止剤８で封止することにより得られ
る。
Ｉチップ１とリードフレーム７をボンデイングワイヤ６
で接続した後、全体をエポキシ系またはフェノール系樹
脂組成物からなる封止剤８で封止することにより得られ
る。
【００３９】上記のポリイミド膜５はＳｉＯ2 ，ＰＳＧ
（リンケイ酸ガラス），ＳｉＮとも密着性に優れ、特
に、エポキシ系やフェノール系封止樹脂との密着性が良
好であるため、界面からの水分の侵入を防止して回路を
形成しているアルミニウム等の金属の腐食を防止できる
ので、ＬＳＩの信頼性を向上することができる。
（リンケイ酸ガラス），ＳｉＮとも密着性に優れ、特
に、エポキシ系やフェノール系封止樹脂との密着性が良
好であるため、界面からの水分の侵入を防止して回路を
形成しているアルミニウム等の金属の腐食を防止できる
ので、ＬＳＩの信頼性を向上することができる。
【００４０】本発明は、ポリアミド酸に対する１級また
は２級アミンの触媒作用を用い、露光後の加熱によって
部分的にイミド化を促進させて、イミド化率の違いによ
る溶解性の差を利用して現像し、ポリイミドのパターン
を直接形成するものである。
は２級アミンの触媒作用を用い、露光後の加熱によって
部分的にイミド化を促進させて、イミド化率の違いによ
る溶解性の差を利用して現像し、ポリイミドのパターン
を直接形成するものである。
【００４１】
【発明の実施の形態】以下、本発明を実施例によリ詳細
に説明する。
に説明する。
【００４２】実施例で用いた化合物とその略号を示す。
【００４３】ＢＰＤＡ：３，３′，４，４′−ビフェニ
ルテトラカルボン酸二無水物 ＯＤＰＡ：４，４′−オキシジフタル酸二無水物 ＢＴＤＡ：３，３′，４，４′−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物 ＤＳＤＡ：３，３′，４，４′−ジフェニルスルホンテ
トラカルボン酸二無水物 ＣＰＤＡ：１，２，３，４−シクロペンチルテトラカル
ボン酸二無水物 ＣＨＤＡ：１，２，４，５−シクロヘキシルテトラカル
ボン酸二無水物 ＸＹＤＡ：ｐ−キシリレンジアミン ＤＤＥ：４，４′−ジアミノジフェニルエーテル ＤＡＤＰＳ：１，４−ジアミノ−ジフェニルスルホン ＢＡＰＰＺ：３，６−ビス（４′−アミノフェニル）ピ
リダジン ＭＡＥＯ：メチルアミノエタノール ＮＥＡＥ：Ｎ−エチルアミノエタノール ＣＨＡ：シクロヘキシルアミン ＴＥＡ：トリエチルアミン ＰＡＧ１：ｏ−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸
エステル ＰＡＧ２：４−モルホニルフェニルジアゾニウム塩 ＰＢＧ１：Ｎ−（（２−ニトロフェニル）−１−メチル
メトキシ）カルボニル−２−プロピルアミン ＰＢＧ２：Ｎ−（（２−ニトロフェニル）−１−メチル
メトキシ）カルボニルシクロヘキシルアミン ＮＭＰ：Ｎ−メチルピロリドン ＤＭＡＣ：ジメチルアセトアミド ＴＭＡ：水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液 〔実施例１〕 （１）ポリアミド酸の合成 ポリアミド酸は、温度計，窒素吹込み管，塩化カルシウ
ム管，攪拌装置を付した４つ口フラスコを窒素置換した
後、反応溶媒であるＮＭＰを加えた。続いてジアミンを
投入攪拌し完全に溶解させる。その後テトラカルボン酸
二無水物を加えた。配合量はジアミンとテトラカルボン
酸二無水物を合わせて１４重量％で当モルである（以
下、ＮＶ１４％と示す）。ＮＭＰは８６重量％である。
ルテトラカルボン酸二無水物 ＯＤＰＡ：４，４′−オキシジフタル酸二無水物 ＢＴＤＡ：３，３′，４，４′−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物 ＤＳＤＡ：３，３′，４，４′−ジフェニルスルホンテ
トラカルボン酸二無水物 ＣＰＤＡ：１，２，３，４−シクロペンチルテトラカル
ボン酸二無水物 ＣＨＤＡ：１，２，４，５−シクロヘキシルテトラカル
ボン酸二無水物 ＸＹＤＡ：ｐ−キシリレンジアミン ＤＤＥ：４，４′−ジアミノジフェニルエーテル ＤＡＤＰＳ：１，４−ジアミノ−ジフェニルスルホン ＢＡＰＰＺ：３，６−ビス（４′−アミノフェニル）ピ
リダジン ＭＡＥＯ：メチルアミノエタノール ＮＥＡＥ：Ｎ−エチルアミノエタノール ＣＨＡ：シクロヘキシルアミン ＴＥＡ：トリエチルアミン ＰＡＧ１：ｏ−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸
エステル ＰＡＧ２：４−モルホニルフェニルジアゾニウム塩 ＰＢＧ１：Ｎ−（（２−ニトロフェニル）−１−メチル
メトキシ）カルボニル−２−プロピルアミン ＰＢＧ２：Ｎ−（（２−ニトロフェニル）−１−メチル
メトキシ）カルボニルシクロヘキシルアミン ＮＭＰ：Ｎ−メチルピロリドン ＤＭＡＣ：ジメチルアセトアミド ＴＭＡ：水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液 〔実施例１〕 （１）ポリアミド酸の合成 ポリアミド酸は、温度計，窒素吹込み管，塩化カルシウ
ム管，攪拌装置を付した４つ口フラスコを窒素置換した
後、反応溶媒であるＮＭＰを加えた。続いてジアミンを
投入攪拌し完全に溶解させる。その後テトラカルボン酸
二無水物を加えた。配合量はジアミンとテトラカルボン
酸二無水物を合わせて１４重量％で当モルである（以
下、ＮＶ１４％と示す）。ＮＭＰは８６重量％である。
【００４４】反応温度は室温、攪拌速度は１５０rpm で
行った。反応開始後発熱する系は水冷し、反応時間は８
時間とした。
行った。反応開始後発熱する系は水冷し、反応時間は８
時間とした。
【００４５】上記により合成した（ＢＰＤＡ＋ＸＹＤＡ
／ＮＭＰ）ワニスに含まれるポリアミド酸のカルボキシ
ル基１モルに対して、ＰＢＧ１を０.１ モルを加えて攪
拌し、孔径５μｍのメンブランフィルタを通して感光性
樹脂組成物を作製した。
／ＮＭＰ）ワニスに含まれるポリアミド酸のカルボキシ
ル基１モルに対して、ＰＢＧ１を０.１ モルを加えて攪
拌し、孔径５μｍのメンブランフィルタを通して感光性
樹脂組成物を作製した。
【００４６】（２）ポリイミドネガパターンの作製 感光性樹脂組成物をシリコンウエハ上に５μｍのポリイ
ミドフィルムを与える厚さにスピンコートし、８０℃の
空気循環乾燥機中で１０分間、塗膜面がベタつかない程
度にプリベークした。これをフォトマスクを介して５０
０Ｗの超高圧水銀灯により６００ｍＪ／cm2 照射した。
次いで、これを窒素雰囲気中のホットプレート上で１３
０℃／５分間加熱し、部分的にイミド化を促進させた。
更に、これをＴＭＡ２.３８％ 水溶液をイオン交換水で
６０倍に薄めた現像液で現像した。これを、メタノール
をイオン交換水で２倍に薄めたリンス液で３０秒間リン
ス後、ホットプレートで８０℃／１０分間＋１００℃／
１０分間＋１７０℃／１０分間＋２５０℃／１０分間＋
３５０℃／１０分間の加熱を行って、フォトマスクに従
ったライン＆スペースが１０μｍのポリイミドネガパタ
ーンを形成した。
ミドフィルムを与える厚さにスピンコートし、８０℃の
空気循環乾燥機中で１０分間、塗膜面がベタつかない程
度にプリベークした。これをフォトマスクを介して５０
０Ｗの超高圧水銀灯により６００ｍＪ／cm2 照射した。
次いで、これを窒素雰囲気中のホットプレート上で１３
０℃／５分間加熱し、部分的にイミド化を促進させた。
更に、これをＴＭＡ２.３８％ 水溶液をイオン交換水で
６０倍に薄めた現像液で現像した。これを、メタノール
をイオン交換水で２倍に薄めたリンス液で３０秒間リン
ス後、ホットプレートで８０℃／１０分間＋１００℃／
１０分間＋１７０℃／１０分間＋２５０℃／１０分間＋
３５０℃／１０分間の加熱を行って、フォトマスクに従
ったライン＆スペースが１０μｍのポリイミドネガパタ
ーンを形成した。
【００４７】なお、上記現像後の処理は実施例２以下も
同じようにして行った。
同じようにして行った。
【００４８】〔実施例２〕上記実施例１に準じて作成し
た（ＢＰＤＡ＋ＸＹＤＡ／ＮＭＰ）ワニス含まれるポリ
アミド酸のカルボキシル基１モルに対して、ＤＥＡＭ
（ジエチルアミン）０.１８モルと、０.１モルのＰＡＧ
１を加え攪拌し孔径５μｍのメンブランフィルタを通し
て感光性樹脂組成物を作製した。
た（ＢＰＤＡ＋ＸＹＤＡ／ＮＭＰ）ワニス含まれるポリ
アミド酸のカルボキシル基１モルに対して、ＤＥＡＭ
（ジエチルアミン）０.１８モルと、０.１モルのＰＡＧ
１を加え攪拌し孔径５μｍのメンブランフィルタを通し
て感光性樹脂組成物を作製した。
【００４９】これを実施例１に準じ、塗布，露光，加熱
（１４０℃／３分間）し、現像してポリイミドポジパタ
ーンを形成した。
（１４０℃／３分間）し、現像してポリイミドポジパタ
ーンを形成した。
【００５０】〔実施例３〕（ＯＤＰＡ＋ＤＤＥ／ＮＭ
Ｐ）ワニスにＰＢＧ１を０.０５ モル加え感光性樹脂組
成物を作製した。これを実施例１に準じ、塗布，露光，
加熱（１３５℃／３分間）し、実施例１で用いたＴＭＡ
２.３８％ 水溶液をイオン交換水で５倍に薄めた現像液
で現像した後、完全熱イミド化をホットプレートで行い
ポリイミドネガパターンを形成した。
Ｐ）ワニスにＰＢＧ１を０.０５ モル加え感光性樹脂組
成物を作製した。これを実施例１に準じ、塗布，露光，
加熱（１３５℃／３分間）し、実施例１で用いたＴＭＡ
２.３８％ 水溶液をイオン交換水で５倍に薄めた現像液
で現像した後、完全熱イミド化をホットプレートで行い
ポリイミドネガパターンを形成した。
【００５１】〔実施例４〕（ＯＤＰＡ＋ＤＤＥ／ＮＭ
Ｐ）ワニスにＣＨＡを０.１ モルと、ＰＡＧ１を０.０
４ モル加え、感光性樹脂組成物を作製した。
Ｐ）ワニスにＣＨＡを０.１ モルと、ＰＡＧ１を０.０
４ モル加え、感光性樹脂組成物を作製した。
【００５２】これを実施例２に準じて塗布，露光，加熱
（１３５℃／３分間）し、現像してポリイミドポジパタ
ーンを形成した。
（１３５℃／３分間）し、現像してポリイミドポジパタ
ーンを形成した。
【００５３】〔実施例５〕（ＢＴＤＡ＋ＤＤＥ／ＤＭＡ
Ｃ）ワニスにＰＢＧ１を０.１２５ モル加え、感光性樹
脂組成物を作製した。
Ｃ）ワニスにＰＢＧ１を０.１２５ モル加え、感光性樹
脂組成物を作製した。
【００５４】これを実施例１に準じて塗布，露光，加熱
（１３０℃／５分間）し、現像してポリイミドネガパタ
ーンを形成した。
（１３０℃／５分間）し、現像してポリイミドネガパタ
ーンを形成した。
【００５５】〔実施例６〕（ＢＴＤＡ＋ＤＤＥ／ＤＭＡ
Ｃ）ワニスにＮＥＡＥを０.１３ モル、ＰＡＧ２を０.
１２ モル加えて、感光性樹脂組成物を作製した。
Ｃ）ワニスにＮＥＡＥを０.１３ モル、ＰＡＧ２を０.
１２ モル加えて、感光性樹脂組成物を作製した。
【００５６】これを実施例２に準じて塗布，露光，加熱
（１３０℃／４.５ 分間）し、現像してポリイミドポジ
パターンを形成した。
（１３０℃／４.５ 分間）し、現像してポリイミドポジ
パターンを形成した。
【００５７】〔実施例７〕（ＢＴＤＡ＋ＸＹＤＡ／ＤＭ
ＡＣ）ワニスにＰＢＧ１を０.１ モル加え、実施例１に
準じ、塗布，露光，加熱（１３０℃／４分間）し、現像
を行いポリイミドネガパターンを形成した。
ＡＣ）ワニスにＰＢＧ１を０.１ モル加え、実施例１に
準じ、塗布，露光，加熱（１３０℃／４分間）し、現像
を行いポリイミドネガパターンを形成した。
【００５８】〔実施例８〕(ＢＴＤＡ＋ＤＡＤＰＳ／Ｄ
ＭＡＣ)ワニスにＴＥＡを０.１３ モル、ＰＡＧ２を０.
１２モル加えて、実施例２に準じて塗布，露光，加熱
（１２５℃／４.５分間）し、現像を行いポリイミドポ
ジパターンを形成した。
ＭＡＣ)ワニスにＴＥＡを０.１３ モル、ＰＡＧ２を０.
１２モル加えて、実施例２に準じて塗布，露光，加熱
（１２５℃／４.５分間）し、現像を行いポリイミドポ
ジパターンを形成した。
【００５９】〔実施例９〕（ＢＴＤＡ＋ＸＹＤＡ／ＮＭ
Ｐ）ワニスにＰＢＧ１を０.１９ モル加え、実施例１に
準じて塗布，露光，加熱（１３０℃／４.５ 分間）し、
現像を行いポリイミドネガパターンを形成した。
Ｐ）ワニスにＰＢＧ１を０.１９ モル加え、実施例１に
準じて塗布，露光，加熱（１３０℃／４.５ 分間）し、
現像を行いポリイミドネガパターンを形成した。
【００６０】〔実施例１０〕（ＢＴＤＡ＋ＸＹＤＡ／Ｎ
ＭＰ）ワニスにＮＥＡＯを０.１２ モル、ＰＡＧ２を
０.１モル加えて、実施例２に準じて塗布，露光，加熱
(１２５℃／４.５分間)し、現像を行いポリイミドポジ
パターンを形成した。
ＭＰ）ワニスにＮＥＡＯを０.１２ モル、ＰＡＧ２を
０.１モル加えて、実施例２に準じて塗布，露光，加熱
(１２５℃／４.５分間)し、現像を行いポリイミドポジ
パターンを形成した。
【００６１】〔実施例１１〕（ＤＳＤＡ＋ＤＤＥ／ＮＭ
Ｐ）ワニスにＰＢＧ１を０.１９ モル加え、実施例１に
準じ塗布，露光，加熱（１３０℃／４分間）し、現像を
行いポリイミドネガパターンを形成した。
Ｐ）ワニスにＰＢＧ１を０.１９ モル加え、実施例１に
準じ塗布，露光，加熱（１３０℃／４分間）し、現像を
行いポリイミドネガパターンを形成した。
【００６２】〔実施例１２〕（ＤＳＤＡ＋ＤＤＥ／ＮＭ
Ｐ）ワニスにＮＥＡＥを０.１５ モル、ＰＡＧ２を０.
１モル加え、実施例２に準じて塗布，露光，加熱（１３
０℃／４.５分間）し、現像を行いポリイミドポジパタ
ーンを形成した。
Ｐ）ワニスにＮＥＡＥを０.１５ モル、ＰＡＧ２を０.
１モル加え、実施例２に準じて塗布，露光，加熱（１３
０℃／４.５分間）し、現像を行いポリイミドポジパタ
ーンを形成した。
【００６３】〔実施例１３〕（ＣＰＤＡ＋ＤＤＥ／ＮＭ
Ｐ）ワニスにＰＢＧ１を０.１８ モル加えて実施例１に
準じて塗布，露光，加熱して、現像を行いネガパターン
を形成した。
Ｐ）ワニスにＰＢＧ１を０.１８ モル加えて実施例１に
準じて塗布，露光，加熱して、現像を行いネガパターン
を形成した。
【００６４】〔実施例１４〕（ＣＨＤＡ＋ＤＤＥ／ＮＭ
Ｐ）ワニスにＰＢＧ１を０.１５ モル加えて実施例１に
準じて塗布，露光，加熱して、現像を行いネガパターン
を形成した。
Ｐ）ワニスにＰＢＧ１を０.１５ モル加えて実施例１に
準じて塗布，露光，加熱して、現像を行いネガパターン
を形成した。
【００６５】〔実施例１５〕（ＢＴＤＡ＋ＢＡＰＰＺ／
ＮＭＰ）ワニスにＰＢＧ１を０.１ モル，ＣＨＡを０.
１５ モル加えて実施例１に準じて塗布，露光，加熱し
て、現像を行いポジパターンを形成した。
ＮＭＰ）ワニスにＰＢＧ１を０.１ モル，ＣＨＡを０.
１５ モル加えて実施例１に準じて塗布，露光，加熱し
て、現像を行いポジパターンを形成した。
【００６６】〔実施例１６〕実施例１５で用いたワニス
にＰＢＧ１を０.１モル，ＴＥＡを０.１５モル加えて実
施例１に準じて塗布，露光，加熱して、現像を行いポジ
パターンを形成した。
にＰＢＧ１を０.１モル，ＴＥＡを０.１５モル加えて実
施例１に準じて塗布，露光，加熱して、現像を行いポジ
パターンを形成した。
【００６７】〔比較例１〕実施例１で用いたポリアミド
酸のみワニスを、塗布，露光，加熱し現像を行ったが、
フォトマスクパターンに従ったポリイミドパターンは得
られなかった。
酸のみワニスを、塗布，露光，加熱し現像を行ったが、
フォトマスクパターンに従ったポリイミドパターンは得
られなかった。
【００６８】〔比較例２〕実施例２の（ＢＰＤＡ＋ＸＹ
ＤＡ／ＮＭＰ）ワニスにＤＥＡＭ（ジエチルアミン）
０.８ モルのみを加えたワニスを用い、実施例２に準じ
て塗布，露光，加熱し現像を行ったがフォトマスクパタ
ーンに従ったポリイミドパターンは得られなかった。
ＤＡ／ＮＭＰ）ワニスにＤＥＡＭ（ジエチルアミン）
０.８ モルのみを加えたワニスを用い、実施例２に準じ
て塗布，露光，加熱し現像を行ったがフォトマスクパタ
ーンに従ったポリイミドパターンは得られなかった。
【００６９】
【発明の効果】本発明によれば、水系現像液で現像でき
る高精度なパターンを形成できる感光性樹脂組成物を提
供することができる。
る高精度なパターンを形成できる感光性樹脂組成物を提
供することができる。
【図１】本発明の感光性樹脂組成物を用いたパターン形
成法の説明図である。
成法の説明図である。
【図２】ポリアミド酸とそれにイソプロピルアミンを配
合したもののイミド化率と加熱時間との関係を示すグラ
フである。
合したもののイミド化率と加熱時間との関係を示すグラ
フである。
【図３】本発明の感光性樹脂組成物を用いた樹脂封止型
半導体装置の製造工程図である。
半導体装置の製造工程図である。
１…ＬＳＩチップ、２…ボンデイングパッド、３…タ
ブ、４…本発明の感光性樹脂組成物、５…ポリイミド、
６…ボンデイングワイヤ、７…リードフレーム、８…封
止剤。
ブ、４…本発明の感光性樹脂組成物、５…ポリイミド、
６…ボンデイングワイヤ、７…リードフレーム、８…封
止剤。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｆ 7/38 ５１１ Ｇ０３Ｆ 7/38 ５１１ Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/312 Ｂ 21/312 Ｍ 21/30 ５０２Ｒ ５６８ (72)発明者 三輪 崇夫 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 平野 利則 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 前川 康成 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内
Claims (10)
- 【請求項１】(ａ)一般式〔１〕 【化１】 （但し、Ａは４価の炭素数６〜３９の芳香族基または炭
素数４〜３９の脂肪族基、Ｂは２価の炭素数３〜３９の
芳香族基または脂肪族基、ｎは１０〜７２０の整数を示
す）で表されるポリアミド酸と、 （ｂ）電磁波照射により１級または２級アミンを生ずる
光塩基発生剤、または、電磁波照射により遊離酸を生ず
る光酸発生剤とアミン系化合物とを含み、 前記光塩基発生剤または光酸発生剤が、前記ポリアミド
酸のカルボキシル基１モルに対して０.０１〜０.２モル
配合されており、 前記アミン系化合物が光酸発生剤より多く配合されてい
ることを特徴とする感光性樹脂組成物。 - 【請求項２】（ａ）一般式〔１〕 【化２】 （但し、Ａは４価の炭素数６〜３９の芳香族基または炭
素数４〜３９の脂肪族基、Ｂは２価の炭素数３〜３９の
芳香族基または脂肪族基、ｎは１０〜７２０の整数を示
す）で表され、数平均分子量がゲルパーミェイションク
ロマトグラフィ（ＧＰＣ）でのポリスチレン換算値で１
０,０００〜３００,０００であるポリアミド酸と、 （ｂ）電磁波照射により１級または２級アミンを生ずる
光塩基発生剤、または、電磁波照射により遊離酸を生ず
る光酸発生剤とアミン系化合物とを含み、 前記光塩基発生剤または光酸発生剤が、前記ポリアミド
酸のカルボキシル基１モルに対して０.０１〜０.２モル
配合されており、 前記１級または２級のアミン系化合物が光酸発生剤より
多く配合されていることを特徴とする感光性樹脂組成
物。 - 【請求項３】請求項１記載の感光性樹脂組成物におい
て、前記光酸発生剤が、４−モルホリルフェニルジアゾ
ニウム塩，トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロア
ンチモネート，ニトロベンジルトシレート，ヒドロキシ
ベンゾフェノンのメタンスルフォネートエステル，ジア
リルヨードニウム塩、２，４，６−(トリクロロメチル)
トリアジン，トリス（２，３−ジブロモプロピル）−イ
ソシアヌレートの少なくとも１種を含むことを特徴とす
る感光性樹脂組成物。 - 【請求項４】請求項１記載の感光性樹脂組成物におい
て、前記光塩基発生剤が、ベンジルスルホンアミド，ベ
ンジル四級アンモニウム塩，イミン，イミニウム塩，コ
バルト−アミン塩，ベンジルカルバメートの少なくとも
１種を含むことを特徴とする感光性樹脂組成物。 - 【請求項５】（ａ）一般式〔１〕 【化３】 （但し、Ａは４価の炭素数６〜３９の芳香族基または炭
素数４〜３９の脂肪族基、Ｂは２価の炭素数３〜３９の
芳香族基または脂肪族基、ｎは１０〜７２０の整数を示
す）で表されるポリアミド酸と、 （ｂ）電磁波照射により１級または２級アミンを生ずる
光塩基発生剤、または、電磁波照射により遊離酸を生ず
る光酸発生剤とアミン系化合物とを含み、 前記（ａ）のカルボキシル基１モルに対して、前記光塩
基発生剤または光酸発生剤を０.０１〜０.２モル含む
（但し、光酸発生剤を用いる場合は、その配合量よりも
多いアミン系化合物を含む）ポリアミド酸フィルムを基
板上に形成する工程と、次に該ポリアミド酸フィルムに
フォトマスクを介して電磁波を照射する工程と、次に該
ポリアミド酸フィルムを加熱する工程、次に該ポリアミ
ド酸フィルムを水系現像液で現像する工程を含むことを
特徴とするパターン形成方法。 - 【請求項６】（ａ）一般式〔１〕 【化４】 （但し、Ａは４価の炭素数６〜３９の芳香族基または炭
素数４〜３９の脂肪族基、Ｂは２価の炭素数３〜３９の
芳香族基または脂肪族基、ｎは１０〜７２０の整数を示
す）で表されるポリアミド酸と、 （ｂ）電磁波照射により１級または２級アミンを生ずる
光塩基発生剤、または、電磁波照射により遊離酸を生ず
る光酸発生剤とアミン系化合物とを含み、 前記（ａ）のカルボキシル基１モルに対して、前記光塩
基発生剤または光酸発生剤を０.０１〜０.２モル含み
（但し、前記光酸発生剤を用いる場合は、前記光酸発生
剤配合量より多い前記アミン系化合物を含む）、 前記（ａ）の１〜４５重量％に対して溶媒９９〜５５重
量％からなる感光性樹脂組成物を基板に塗布する工程，
次に該感光性樹脂組成物にフォトマスクを介して電磁波
を照射する工程，次に該感光性樹脂組成物を加熱する工
程，次に該感光性樹脂組成物を水系現像液で現像する工
程を含むことを特徴とするパターン形成方法。 - 【請求項７】請求項５記載のパターン形成方法におい
て、前記光酸発生剤が、４−モルホリルフェニルジアゾ
ニウム塩，トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロア
ンチモネート，ニトロベンジルトシレート，ヒドロキシ
ベンゾフェノンのメタンスルフォネートエステル，ジア
リルヨードニウム塩、２，４，６−(トリクロロメチル)
トリアジン，トリス（２，３−ジブロモプロピル）−イ
ソシアヌレートの少なくとも１種を含むことを特徴とす
るパターン形成方法。 - 【請求項８】請求項５記載のパターン形成方法におい
て、前記光塩基発生剤が、ベンジルスルホンアミド，ベ
ンジル四級アンモニウム塩，イミン，イミニウム塩，コ
バルト−アミン塩，ベンジルカルバメートの少なくとも
１種を含むことを特徴とするパターン形成方法。 - 【請求項９】（ａ）一般式〔１〕 【化５】 （但し、Ａは４価の炭素数６〜３９の芳香族基または炭
素数４〜３９の脂肪族基、Ｂは２価の炭素数３〜３９の
芳香族基または脂肪族基、ｎは１０〜７２０の整数を示
す）で表されるポリアミド酸と、 （ｂ）電磁波照射により１級または２級アミンを生ずる
光塩基発生剤、または、電磁波照射により遊離酸を生ず
る光酸発生剤とアミン系化合物とを含み、 前記（ａ）のカルボキシル基１モルに対して、前記光塩
基発生剤または光酸発生剤を０.０１〜０.２モル含み
（但し、前記光酸発生剤を用いる場合は、前記光酸発生
剤配合量より多い前記アミン系化合物を含む）、 前記（ａ）の１〜４５重量％に対して溶媒９９〜５５重
量％からなる感光性樹脂組成物を電子装置の基板に塗布
する工程，次に該感光性樹脂組成物にフォトマスクを介
して電磁波を照射する工程，次に該感光性樹脂組成物を
加熱する工程，次に該感光性樹脂組成物を水系現像液で
現像しパターン形成する工程を含むことを特徴とする電
子装置の製造方法。 - 【請求項１０】前記電子装置の基板上に形成したパター
ンが導体層を介して２層以上形成されている請求項９に
記載の電子装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7275288A JPH08227154A (ja) | 1994-11-17 | 1995-10-24 | 感光性樹脂組成物及びパターン形成方法およびそれを用いた電子装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6-283632 | 1994-11-17 | ||
| JP28363294 | 1994-11-17 | ||
| JP7275288A JPH08227154A (ja) | 1994-11-17 | 1995-10-24 | 感光性樹脂組成物及びパターン形成方法およびそれを用いた電子装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08227154A true JPH08227154A (ja) | 1996-09-03 |
Family
ID=26551400
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7275288A Pending JPH08227154A (ja) | 1994-11-17 | 1995-10-24 | 感光性樹脂組成物及びパターン形成方法およびそれを用いた電子装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08227154A (ja) |
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-
1995
- 1995-10-24 JP JP7275288A patent/JPH08227154A/ja active Pending
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