JPH08225384A - 薄い反応層を有するhip焼結セラミック及びその製造方法 - Google Patents

薄い反応層を有するhip焼結セラミック及びその製造方法

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JPH08225384A
JPH08225384A JP8003054A JP305496A JPH08225384A JP H08225384 A JPH08225384 A JP H08225384A JP 8003054 A JP8003054 A JP 8003054A JP 305496 A JP305496 A JP 305496A JP H08225384 A JPH08225384 A JP H08225384A
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ceramic
glass
sintering aid
weight
concentration
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JP8003054A
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Glenn Sundberg
サンドバーグ グレン
Russell Yeckley
イェックレー ラッセル
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Saint Gobain Ceramics and Plastics Inc
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Saint Gobain Norton Industrial Ceramics Corp
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    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00Glass compositions
    • C03C3/04Glass compositions containing silica
    • C03C3/076Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
    • C03C3/089Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来、溶融ガラスのシール性を利用したHI
Pによって窒化ケイ素等の構造用セラミックを焼結させ
るにおいて、低強度のセラミックを生じさせる原因であ
った表面付近の反応層の生成を抑制したセラミックを提
供する。 【解決手段】 ガラスに埋設されて焼結され、中間層を
有しない焼結セラミックであって、焼結助剤の合計濃度
は約1〜約5重量%であり、約750μm未満の反応層
を有し(反応層とは、その焼結助剤濃度が、セラミック
全体の平均焼結助剤濃度の80%になる深さまでのセラ
ミック表面からの層をいう)、且つ窒化ケイ素、炭化ケ
イ素、炭化ホウ素、二ホウ化チタン、及び窒化アルミニ
ウムからなる群より選択されたことを特徴とするセラミ
ック。好ましくは、焼結助剤にマグネシウムが含まれ、
マグネシアとして約0.5〜1.5重量%の量で存在
し、反応層は500μm未満の厚さである。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、各種構造材料の用
途に好適な、熱間静水圧プレス(HIP)によって製造
されるセラミック材料に関する。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】改良さ
れた構造用セラミック材料は、それらの優れた品質のお
かげで工業的に注目されている。これらの品質、例えば
優れた高温強度、高い靱性、及び高い耐熱衝撃性や耐酸
化性は、種々の用途に使用される可能性の基本を提供す
る。特にそのようなセラミックの1つである窒化ケイ素
は、ベアリングやエンジン部品の用途が目標にされてい
る。
【0003】窒化ケイ素セラミックを作成するための望
ましい方法の1つに、ガラス媒体中での熱間静水圧プレ
スがある(ガラスHIP)。ガラスHIP法において、
粉末予備成形体(グリーン成形体)をガラス媒体(一般
にケイホウ酸ガラス)中に埋設し、昇温してガラス媒体
を軟化させ、その結果、グリーン成形体がガラス媒体中
に包み込まれる。ガラスで包み込まれたグリーン成形体
にガラスを利用して圧力が加えられ、温度が適当な焼結
温度まで上がったとき、ガラス媒体はグリーン成形体の
中にガスが侵入することを防ぎ、グリーン成形体は緻密
化してセラミック体が得られる。
【0004】ガラスHIPは、ガス加圧焼結や無加圧焼
結よりも焼結助剤の必要量が実質的に少なく、これは一
般にガス加圧焼結で使用される圧力の少なくとも約10
倍の圧力といった非常に高い圧力(即ち、200MPa
以上)を使用するためである。焼結助剤は室温及び高温
の両方でのセラミックの特性を低下させることが多いた
め、このことは非常に有益である。
【0005】ガラスHIPの利点は広く認識されている
が、ガラスHIPされた窒化ケイ素セラミックは、焼結
セラミックの表面付近に焼結助剤が不足した領域が存在
する場合が多いことが分かっている。これらの領域は
「反応層(reaction layer)」と称され、セラミック体の
表面から中に一般に1000μmにわたって広がり、全
体平均の80%以下の焼結助剤濃度を有する領域として
定義される。これらの反応層は、内部領域に比較して機
械構造特性が劣る。とりわけ、低い回転接触疲労(RC
F)寿命と表面欠陥をもたらす構造的欠陥に関係する。
その品質低下作用のため、この反応層は一般に機械的に
除去される。しかしながら、このような機械加工はダイ
ヤモンド機械加工を必要とし、このため非常にコストが
かかり、セラミック部品の全製造コストの30%を超え
る場合が多い。
【0006】この反応層の問題の1つの解決策が米国特
許第4778650号に提案されている。この特許は、
カプセル剤のガラスの中にグリーン成形体を埋設する前
に、ムライト層でそれをコーティングすることを開示し
ている。しかしながら、ムライトは不都合にも反応し、
厚い反応層(即ち、1000μm以上)を生成しやすい
ことが分かっている。
【0007】従って、本発明の目的は、約1〜5重量%
の全焼結助剤濃度を含む未機械加工の焼結窒化ケイ素セ
ラミックであって、約500μm未満に過ぎない厚さの
反応層を有するセラミックを提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段及び発明の効果】本発明に
従うと、ガラスに埋設された中間層を有しない焼結セラ
ミックが提供され、このセラミックは約1〜5重量%の
全焼結助剤濃度を含み、このセラミックは約750μm
未満の反応層を有し、ここで反応層とは焼結助剤濃度が
セラミック体の平均濃度の80%となる深さと定義さ
れ、このセラミックは、窒化ケイ素、炭化ケイ素、炭化
ホウ素、及び窒化アルミニウムからなる群より選択され
る。
【0009】本発明の好ましい態様において、窒化物の
結晶相と、焼結助剤及びシリカを含む粒界相を含んでな
る改良された焼結窒化物セラミックの製造方法が提供さ
れ、この方法は、 a)窒化物、シリカ、及び焼結助剤を含むグリーン成形
体を予備成形し、 b)焼結助剤を含むガラス媒体中にそのグリーン成形体
を埋設し、ここでその焼結助剤は、焼結した窒化物セラ
ミックの粒界相の焼結助剤濃度の約1/5〜1/20の
濃度でガラス媒体中に存在し、 c)そのグリーン成形体を熱間静水圧プレス(HIP)
し、焼結窒化物セラミックを生成させる、各過程を含
む。
【0010】特に好ましい態様において、約1〜5重量
%の全焼結助剤濃度を有する、ガラス埋設されて焼結し
た窒化ケイ素セラミックが提供され、このセラミックは
約500μm未満に過ぎない厚さの反応層を有する。約
1重量%の焼結助剤を含む窒化ケイ素グリーン成形体を
ガラス媒体中でHIPした場合、 a)ガラスに焼結助剤を加える、 b)通常の添加剤のNa2 Oをガラスから除き、 c)Na2 O除去の補償としてガラス中の通常レベルの
2 Oを若干高める、といった特定の調節をガラスに施
すことにより、反応層の厚さの顕著な減少が得られるこ
とが予想外に見出されている。従って、反応層を機械的
に除去するコストが顕著に減少する。理論に束縛される
意図はないが、焼結助剤の拡散とガラスの浸透/反応の
両方が、通常のガラスHIP処理における反応層の生成
に原因すると考えられる。本発明は、拡散と浸透/反応
に向かう系の傾向を低下させ、より放射状に均一なセラ
ミックをもたらす。
【0011】上記のように、通常のガラスHIP窒化物
セラミックにおける反応層の原因の1つは、緻密化して
いるセラミックの粒界相から焼結助剤カチオンが封入剤
ガラスの中に拡散することであると考えられる。通常の
窒化ケイ素グリーン成形体は、一般に少なくとも約85
重量%のα型窒化ケイ素、約1〜10重量%の焼結助剤
(例、マグネシア又はイットリア)、及び不純物として
の約1〜3重量%のシリカを含む。緻密化の際、α型窒
化ケイ素は結晶質のβ型窒化ケイ素結晶粒に転化し、一
方で焼結助剤とシリカは、これら結晶粒の周りに粒界相
を形成する。粒界相は焼結助剤とシリカのみを含むため
(即ち、窒化ケイ素を含まない)、焼結助剤は一般に、
粒界相の約10〜30重量%の割合を占める。ところ
が、従来のHIPの仕方は、グリーン成形体に使用した
と同じ焼結助剤が、選択した封入剤ガラスにも存在する
ことを要求していなかった。例えば、米国特許第477
8650号の欄4、6〜22行に開示されたガラスの例
を参照されたい。即ち、従来のガラス媒体(選択の焼結
助剤を含まない)が、緻密化するグリーン成形体をシー
ルするとき、焼結助剤が乏しいガラス媒体と焼結助剤が
豊富な粒界相の間の界面に、焼結助剤について大きな駆
動力が形成される。この駆動力は、焼結助剤のカチオン
のその高濃度領域(グリーン成形体の粒界相)から低濃
度領域(封入剤ガラス)への流れを生じさせ、それによ
って反応層を生成させる。焼結助剤をガラス媒体に転化
することはこの駆動力を減らし、比較的薄い反応層がも
たらされることが見出されている。
【0012】また、封入剤ガラス中の焼結助剤の理想的
濃度は、緻密化するセラミックの粒界相中の濃度に等し
い必要はないことが分かっている。どちらかと言えば、
封入剤ガラス中の焼結助剤濃度は、その成分の粒界相に
おける濃度より少ないが、セラミック全体の中のその濃
度よりも多い枠(window)の中に封入剤ガラス中の焼結助
剤濃度を調整する方が望ましいことが多いと経験されて
いる。とりわけ、粒界相中の焼結助剤濃度とガラス中の
焼結助剤濃度の比が5:1〜20:1のとき、ガラス中
の焼結助剤濃度は、駆動力を下げて反応層を縮小させる
に十分であるが、ガラス媒体がグリーン成形体の周りに
シールを形成することが可能な程度に十分低いと考えら
れる。好ましくは、この比は約10:1である。全体の
セラミックが1重量%のマグネシアを含むある態様にお
いて(即ち、約30重量%のマネシアを含む粒界相を有
する)、ガラス中のマグネシアのレベルをガラスの約
3.6重量%〜約5.4重量%の濃度に調節すると(そ
れぞれ約10:1と5:1の比)、約500μmの反応
層を生じるに過ぎないことが経験されている。
【0013】これに対し、全体で約1重量%のマグネシ
アを含むある窒化ケイ素セラミックにおいて、約1重量
%のみのマグネシアをガラスに添加すると(30:1の
比)、従来のHIPセラミックと本質的に識別できない
厚い反応層をもたらし、一方でガラス媒体に約10重量
%を超えるマグネシアを添加すると(3:1の比)、窒
化ケイ素とガラスの間に拡散中間層領域が生成し、窒化
ケイ素表面がガラス表面と区別できない場合も考えられ
る。
【0014】また、上記のように、反応層の第2の原因
は、グリーン成形体への封入剤ガラスの浸透及びその後
のそれらの反応であると考えられる。高純度シリカガラ
スはその温度が1720℃以上に達しなければシールを
始めないため、Na2 O、K 2 O、及びAl2 3 のよ
うな添加剤が一般にガラスに添加され、窒化ケイ素の焼
結温度未満の温度までそのシール温度を低くする。ガラ
スHIPに使用される通常のガラスは、一般に約4〜5
重量%のNa2 O、約0〜1重量%のK2 O、及び約2
〜3重量%のAl2 3 を含む。しかしながら、これら
の添加剤は不都合な特性もまた有し、反応層の問題に起
因すると考えられる。とりわけ、K2 O、Na2 O、及
びAl2 3 の添加剤はガラスの粘度を下げ(従って、
ガラス浸透を容易にさせる)、またNa2 OとAl2
3 の添加剤は、窒化ケイ素と厳しく反応し、低強度の化
合物を形成することが知られている。従って、ガラス中
に高いレベルのK2 OとNa2 Oが存在すると、そのガ
ラスはより容易にグリーン成形体に浸透することがで
き、窒化ケイ素とより厳しく反応し、従って反応層を生
成する。Na2 Oはガラス粘度を劇的に下げ、非常な反
応性を有するため、Na2 Oの添加剤は特に強く反応層
の問題に影響すると考えられる。Na2 Oの添加剤を除
去し、併せてその代わりにK2 O濃度を若干高めること
は、HIP前の封入剤ガラスのシールを可能にし、且つ
ガラスの浸透とグリーン成形体との反応を抑制すること
が見出されている。ガラスの高められた粘度(Na2
はK2 Oよりも粘度を下げるため)とガラスの低められ
た反応性(Na2 OはK2 Oよりも反応するため)の両
者が、本発明の比較的薄い反応層に寄与すると考えられ
る。
【0015】本発明の好ましい封入剤ガラスの1つは、
焼結助剤の粒界とガラスの駆動力を下げるに有効な量の
焼結助剤、約2重量%〜6重量%のK2 O、及び約1重
量%未満のNa2 Oを含むケイホウ酸ガラスである。好
ましくは、このガラスは本質的にNa2 Oを含まない。
より好ましくは、封入剤ガラス中の焼結助剤濃度は、セ
ラミックの粒界相の焼結助剤濃度の約1/5〜1/20
であり、ガラス中のK 2 O濃度は、封入剤ガラスの約3
重量%〜5重量%である。このような好ましい態様にお
いて、通常レベルのAl2 3 (即ち、約2重量%)
を、反応層の問題を生じさせることなくガラスに適切に
使用可能であることが見出されている。
【0016】上記のように、K2 OとNa2 Oの添加剤
は、ホウケイ酸ガラスの軟化温度を下げる役割をし、そ
の結果、焼結が生じる前にガラスがグリーン成形体をシ
ールすることができる。事実として、焼結が約1800
℃で起きる場合、これら添加剤を含む典型的な封入剤ガ
ラスは、約800℃で軟化を始めることが多い。約11
80℃に達したとき、従来のガラスは軟化してシール
し、HIP圧力をグリーン成形体に最初に加えることが
できる。本発明はガラス中のNa2 Oのレベルを抑えて
いるため、ガラスが軟化するのは比較的難しい。しかし
ながら、一つには本発明のガラスは従来のガラスより高
いレベルのK2 Oを含むため、本発明に従って使用され
るガラスの軟化温度は、一般に高くても約900℃であ
ることが経験されている。従って、封入剤ガラスは依然
としてグリーン成形体をシールすることができ、焼結が
起きる前に依然としてグリーン成形体にHIP圧力を与
えることができる。
【0017】
【発明の実施の形態】本発明の最良の態様は、上記の拡
散的現象と浸透/反応現象の両者に取り組むことと考え
る。ガラスが焼結助剤成分を含まずにK2 OとNa2
のレベルを調節した場合、焼結助剤の拡散は、所望の量
の焼結助剤を含むガラスでHIPした場合と比較してよ
り厚い反応層を有する焼結セラミックをもたらす。同様
に、ガラスが十分な焼結助剤添加剤を有するが、Na2
Oのレベルが高い場合、そのガラスは低い粘度を有し、
窒化ケイ素グリーン成形体に浸透・反応することがで
き、やはり最適反応層よりも劣ることになる。
【0018】一般に、本発明に従って製造されるセラミ
ックは、約750μm未満の反応層、好ましくは約50
0μm未満、より好ましくは約400μm未満、さらに
より好ましくは約300μm未満、最も好ましくは約2
00μm未満の反応層を有する。本発明の窒化ケイ素セ
ラミックは、一般的な材料と通常の加工段階によって作
成することができる。窒化ケイ素粉末からセラミックが
作成される場合、窒化ケイ素セラミックの作成に一般に
使用される任意の窒化ケイ素粉末を選択することができ
る。好ましい態様において、そのセラミックは、窒化ケ
イ素粉末又は窒化ケイ素前駆体から作成される。ある態
様において、宇部興産社(ニューヨーク、ニューヨーク
州)、H.S.Starck社(Newton、マサチ
ューセッツ州)、Permascand社(Ljung
averk)の窒化ケイ素粉末を使用することができ
る。一般に、窒化ケイ素は本発明のセラミックの少なく
とも約90重量%、好ましくは約95〜99.0重量%
を構成する。
【0019】本発明の好ましい態様において、焼結助剤
をグリーン成形体に約1〜約5重量%、好ましくは約1
〜約4重量%の量で添加する。ある態様において、焼結
助剤は、グリーン成形体の約0.5〜約1.5重量%、
好ましくは約1重量%のMgOの存在を含む。より好ま
しくは、約0.3〜約0.6重量%、好ましくは約0.
5重量%のアルミナもまた含む。別な態様において、焼
結助剤は、約4重量%の希土類焼結助剤、例えば4重量
%のイットリアを含む。これらグリーン成形体から作成
されたセラミックは、本質的にグリーン成形体と同じレ
ベルの焼結助剤を含む。
【0020】窒化ケイ素と焼結助剤の粉末は、任意の公
知の混合プロセスで混ぜ合わせることができ、限定され
るものではないが、例えばボールミル、アトライターな
どでよい。本発明の好ましい態様において、振動ミルが
適切である。グリーン成形体の作成は、当該技術で使用
される任意の一般的なプロセスによって実施することが
できる。これらのプロセスには、スリップキャスティン
グ、射出成形、凍結注型、ゲル注型、及び冷間等方プレ
スなどがある。本発明の好ましい態様において、粉末を
冷間等方プレスによって成形する。
【0021】本発明の好ましい態様において、米国特許
第4446100号、同第4339271号に開示のガ
ラスHIPプロセスを使用する。さらに好ましい態様に
おいて、非常に高い充填率、即ち粉末が相互に接触する
状態でこれら特許の仕方を実施する。本発明の窒化ケイ
素は、多数の通常のセラミック用途に用いることがで
き、限定されるものではないが、ボールベアリング、ロ
ーラーベアリング、平面スライグベアリング及び他の構
造的用途、又は磨耗用途などがある。
【0022】下記に示す例は、窒化ケイ素を基礎とした
セラミックについてのみ開示しているが、上記に開示し
た原理(即ち、選択した焼結助剤を封入剤ガラスに添加
し、Na2 Oを除去し、K2 Oのレベルを調節する)
は、均等に薄い反応層を形成することを目的とする炭化
ケイ素、炭化ホウ素、二ホウ化チタンのような他の通常
のセラミックのガラスHIPにも適用可能であることを
理解すべきである。
【0023】
【実施例】例1 この例において、約86重量%のα型Si3 4 、約1
4重量%のβ型Si34 、約1.2重量%の全酸素、
0.1重量%未満のカルシウム、約0.15重量%の
鉄、約0.05重量%のアルミニウム、約9.0m2
gの表面積を有する窒化ケイ素粉末を原料粉末として使
用した。
【0024】この粉末の約99.0重量部を試薬グレー
ドの酸化マグネシウムの約1.0重量部と、イソプロピ
ルアルコールに混合し、スラリーを作成した。このスラ
リーをスエコ(Sweco) ミルの中で混合と粉砕を同時に行
った。得られた粉末の表面積は約10〜13m2 /gで
あった。得られたスラリーを20μmのスクリーンと磁
石セパレーターに通した。次いでPVPを粉末の約1.
25重量%の量でスラリーに添加した。次いでこのスラ
リーを防爆式スプレードライヤーで乾燥した。次いで乾
燥粉末を、30メッシュのナルゲネ(nalgene) スクリー
ンに通した。上記の操作はいずれも、窒化ケイ素粉末の
取扱いに専用のグレード100のクリーンルーム内で行
った。乾燥した凝集粉末を冷間において30kpsiで
3インチ×3インチのタイル状物に等方加圧し、次いで
乾式プレスによって直径3/8インチと1/2インチの
ボールに成形した。この粉末圧密体を600℃に空気加
熱してPVPを除去し、水銀柱約10-9mmの真空中で
900℃にて熱処理した。表1に示したような4種の異
なる組成を含むガラス媒体中にサンプルを封入した。 表1 ─────────────────────────────────── ガラス MgO K2 O Na2 O Al2 3 2 3 SiO2 ─────────────────────────────────── A 3.6 − 4 2 13 77.4 B 3.6 6 − − 15 75.4 C 3.6 6 − − 13 77.4 D 3.6 4 − 2 13 77.4 ─────────────────────────────────── 比較のため、約1重量%のK2 O、約4重量%のNa2
O、約2重量%のAl 2 3 、約13重量%のB
2 3 、約80重量%のSiO2 を含む通常のガラス中
にもサンプルを封入した。
【0025】各々の組成について、グラファイト坩堝を
BN粉末でコーティングし、さらにモリブデンのホイル
で内張りした。次いで内張りした坩堝内にガラスフリッ
トを入れ、窒化ケイ素配合物をガラスフリット内に埋め
た。圧力を加える前に坩堝温度を1180℃まで昇温し
た。ここで、ガラスDについては1400℃まで圧力を
加えなかった。次いで埋封したグリーン成形体を300
00psi(20.7MPa)の圧力で1790℃の温
度で約1時間熱間等方加圧し、実質的に理論密度まで緻
密化させた。
【0026】緻密化した未機械加工のセラミックの反応
層の評価をマイクロプローブ分析により行った。本発明
の目的に関し、「ガラス埋封セラミック」は、例えばB
Nのような保護中間層ではなく、ガラスHIPプロセス
のガラス媒体に接触されたセラミックである。通常サン
ドブラストによってセラミックの周りのガラスをきれい
に除いて得られたセラミック(反応層を除去するための
ダイヤモンド仕上に未だ供していない)は、「ブラン
ク」として知られる。各々のブランクの反応層は、例え
ば図1に示すような深さの関数として表される。図1の
解析は、本発明のガラスの各々が、通常のガラスによっ
て得られるブランクよりも、薄い厚さの反応層を有する
ブランクを生成したことを明らかにしている。また、ガ
ラスDによって得られたブランク(ブランクD)は、ガ
ラスA、B、Cによって得られたブランク(ブランク
A、B、C)よりも顕著に薄い反応層を有することが分
かる。具体的には、通常ガラスによるブランクは約10
00μmの反応層を有し、ブランクCは約600μmの
反応層を有し、ブランクAとBは約500μmの反応層
を有し、ブランクDは約200μmの反応層を有する。
ブランクDが最も薄い反応層を有するのは、主としてガ
ラスからNa2 Oが除去された(それによってガラス粘
度が増し且つブランクとの反応性が下がる)ためであ
り、第2にK2 Oレベルが低く(ガラスBとCに比較し
て)、それによってガラスDの粘度が増して浸透を抑制
したためであると考えられる。また、ガラスA(約4重
量%のNa2Oを含むがK2 Oは含まない)によって生
じた割合に厚い反応層がかなりの量のAlを含み、一方
でガラスD(約4重量%のK2 Oを含むがNa2 Oは含
まない)によって生じた割合に薄い反応層は実質的にA
lを含まないことが認められた。各々のガラスは等量の
Al2 3 を含んでいたため、Na2 Oの減少はK2
の増加よりもより重要であると思われる。さらに、Na
2 Oが実質的にガラスから除去されているならば、アル
ミナはガラス軟化点を下げるために効果的に使用できる
と思われる。
【0027】ガラスDから得られるブランクのいくつか
を機械加工し、硬度、破壊靱性、曲げ強度を測定した。
ビッカース式硬度測定用のダイヤモンド角錐で、圧痕を
10kgの荷重によって形成した。平均硬度は約15.
2GPaであることが分かった。比較として、ノートン
社(ウォルセスター、マサチューセッツ州)の製造によ
るMgOが1重量%の窒化ケイ素ベアリング材料のNB
D−200は約15〜15.5GPaの硬度を有した。
【0028】破壊靱性は、「P.Chantikul
ら、破壊靱性測定の圧痕法の重要評価II:強度方法、
J.Am.Ceram.Soc.64(9)、539〜
544頁、1981年」に記載の方法に従い、内側スパ
ン中の引張表面上にビッカース圧痕を含む3×4×50
mmの試験片の4点曲げによって、約0.5mm/分の
クロスヘッド速度で評価した。本発明のセラミックの平
均靱性は約5.74MPa・m1/2 であった。比較とし
て、NBD−200は約5.2MPa・m1/2 の破壊靱
性を有した。
【0029】また、本発明のセラミックの4点曲げ強度
を測定した。3×4×50mmのタイプB試験片に接触
する40mmの外側スパンと20mmの内側スパンの試
験用ジグ(Mil−Std−1942MR)を選択し
た。平均曲げ強度は約881Mpaと測定された。比較
として、NBD−200は約805Mpaの曲げ強度を
有した。
【0030】また、ガラス媒体の化学組成は、粒界相表
面からの成分の移動を低下するように調整できることが
観察されたため、所望により、ガラスから粒界相表面へ
の成分の移動を増やすようにガラスの化学組成を調整す
ることができるとも考えられる。従って、本発明による
と、添加剤を含む内側粒界相、及び添加剤を含む外
側粒界相を有し、外側粒界相の添加剤濃度が内側粒界相
の添加剤濃度よりも高い改良された焼結セラミックの製
造方法が提供され、この方法は、 a)セラミック粉末と添加剤を含むグリーン成形体を予
備成形し、このグリーン成形体は焼結したときに添加剤
を含む粒界相を形成する特徴を有し、 b)添加剤を含むガラス媒体中にそのグリーン成形体を
埋設し、添加剤はガラス媒体中に、粒界相中の添加剤濃
度より高い濃度で存在し、そして c)グリーン成形体のHIP処理し、焼結セラミックを
生成させる。各過程を含む。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の種々の態様の反応層と、通常の窒化ケ
イ素セラミックの反応層とを比較するグラフである。

Claims (38)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ガラスに埋設されて焼結され、中間層を
    有しない焼結セラミックであって、焼結助剤の合計濃度
    は約1〜約5重量%であり、約750μm未満の反応層
    を有し(反応層とは、その焼結助剤濃度が、セラミック
    全体の平均焼結助剤濃度の80%になる深さまでのセラ
    ミック表面からの層をいう)、且つ窒化ケイ素、炭化ケ
    イ素、炭化ホウ素、二ホウ化チタン、及び窒化アルミニ
    ウムからなる群より選択されたことを特徴とするセラミ
    ック。
  2. 【請求項2】 セラミックが窒化ケイ素であることを特
    徴とする請求項1に記載のセラミック。
  3. 【請求項3】 焼結助剤にマグネシウムが含まれ、マグ
    ネシアとして約0.5〜1.5重量%の量で存在するこ
    とを特徴とする請求項2に記載のセラミック。
  4. 【請求項4】 焼結助剤にマグネシウムが含まれ、マグ
    ネシアとして約1.0重量%の量で存在することを特徴
    とする請求項2に記載のセラミック。
  5. 【請求項5】 焼結助剤にイットリウムが含まれ、イッ
    トリアとして焼結体中に約4.0重量%の量で存在する
    ことを特徴とする請求項2に記載のセラミック。
  6. 【請求項6】 約500μm未満の反応層を有すること
    を特徴とする請求項2に記載のセラミック。
  7. 【請求項7】 約400μm未満の反応層を有すること
    を特徴とする請求項6に記載のセラミック。
  8. 【請求項8】 約300μm未満の反応層を有すること
    を特徴とする請求項7に記載のセラミック。
  9. 【請求項9】 約200μm未満の反応層を有すること
    を特徴とする請求項8に記載のセラミック。
  10. 【請求項10】 セラミックが埋設されるガラス中にも
    焼結助剤が存在し、その焼結助剤はガラスの約3.6〜
    約5.4重量%の量で存在することを特徴とする請求項
    3に記載のセラミック。
  11. 【請求項11】 ガラスが約4〜6重量%のK2 Oをさ
    らに含むことを特徴とする請求項10に記載のセラミッ
    ク。
  12. 【請求項12】 ガラスが本質的にNa2 Oを含まない
    ことを特徴とする請求項11に記載のセラミック。
  13. 【請求項13】 a)窒化ケイ素、炭化ケイ素、炭化
    ホウ素、二ホウ化チタン、及び窒化アルミニウムからな
    る群より選択されたセラミック粉末、シリカ、及び
    焼結助剤、を含むグリーン成形体を予備成形し、そのグ
    リーン成形体は、焼結したときに焼結助剤を含む粒界相
    を形成することを特徴とし、 b)焼結助剤を含むガラス媒体中にグリーン成形体を埋
    設し、ガラス媒体中に焼結助剤が、粒界相の全体の中の
    焼結助剤濃度に対して所定の割合で存在し、 c)グリーン成形体を熱間静水圧プレスして焼結セラミ
    ックを作成する、各過程を含むことを特徴とする、窒化
    物の結晶質層、及び焼結助剤とシリカを含む粒界相を含
    んでなる改良された焼結セラミックの製造方法。
  14. 【請求項14】 粒界相からガラス媒体への焼結助剤の
    移動を抑制するために、所定の割合でガラス媒体中に焼
    結助剤を含ませ、750μm未満の反応層を得ることを
    特徴とする請求項13に記載の方法。
  15. 【請求項15】 所定の割合が、粒界相の全体の焼結助
    剤濃度の約1/20〜1/5の濃度であることを特徴と
    する請求項13に記載の方法。
  16. 【請求項16】 セラミック粉末が窒化ケイ素であるこ
    とを特徴とする請求項15に記載の方法。
  17. 【請求項17】 焼結助剤が、セラミックの約1〜5重
    量%の量で存在することを特徴とする請求項16に記載
    の方法。
  18. 【請求項18】 焼結助剤がマグネシウムであり、焼結
    セラミック中にマグネシアとして約0.5〜1.5重量
    %の量で存在することを特徴とする請求項16に記載の
    方法。
  19. 【請求項19】 焼結助剤がガラス中に約3.6〜5.
    4重量%の量で存在することを特徴とする請求項16に
    記載の方法。
  20. 【請求項20】 ガラス媒体が約4〜6重量%のK2
    をさらに含むことを特徴とする請求項19に記載の方
    法。
  21. 【請求項21】 ガラス媒体が本質的にNa2 Oを含ま
    ないことを特徴とする請求項20に記載の方法。
  22. 【請求項22】 酸化ホウ素、シリカ、約2〜6
    重量%のK2 O、約1重量%未満のNa2 O、約
    3.6〜5.4重量%のマグネシアから本質的になる、
    熱間静水圧プレス法におけるガラス媒体に使用するため
    のケイホウ酸ガラス。
  23. 【請求項23】 約3〜5重量%のK2 Oを含むことを
    特徴とする請求項22に記載のガラス。
  24. 【請求項24】 添加剤を含む内側粒界相と添加剤
    を含む外側粒界相を有し、外側粒界相の添加剤濃度が内
    側粒界相の添加剤濃度よりも高い改良された焼結セラミ
    ックの製造方法であって、 a)セラミック粉末と添加剤を含むグリーン成形体を予
    備成形し、このグリーン成形体は焼結したときに添加剤
    を含む粒界相を形成することを特徴とし、 b)添加剤を含むガラス媒体中にグリーン成形体を埋設
    し、添加剤は、粒界相の添加剤濃度より高い濃度でガラ
    ス媒体中に存在し、 c)グリーン成形体を熱間静水圧プレスして焼結セラミ
    ックを生成させる、各過程を含むことを特徴とするセラ
    ミックの製造方法。
  25. 【請求項25】 セラミックが窒化ケイ素、炭化ケイ
    素、炭化ホウ素、二ホウ化チタン、及び窒化アルミニウ
    ムからなる群より選択されたことを特徴とする請求項2
    4に記載の方法。
  26. 【請求項26】 窒化ケイ素、炭化ケイ素、炭化ホウ
    素、二ホウ化チタン、及び窒化アルミニウムからなる群
    より選択された焼結セラミック、及びその焼結セラミ
    ックの上にコーティングされたガラスを含んでなり、こ
    のセラミックは第1焼結助剤を含む粒界相を有し、この
    ガラスコーティングは、粒界相中の第1焼結助剤濃度と
    ガラスコーティング中の第1焼結助剤濃度の比が約5:
    1〜20:1である量で第1焼結助剤を含むことを特徴
    とする焼結セラミックとガラスを含んでなる複合材料。
  27. 【請求項27】 焼結セラミックが窒化ケイ素であるこ
    とを特徴とする請求項26に記載の複合材料。
  28. 【請求項28】 第1焼結助剤がMgOであることを特
    徴とする請求項27に記載の複合材料。
  29. 【請求項29】 MgOがガラスコーティング中に、ガ
    ラスコーティングの約3.6〜5.4重量%の量で存在
    することを特徴とする請求項28に記載の複合材料。
  30. 【請求項30】 第1焼結助剤がY2 3 であることを
    特徴とする請求項27に記載の複合材料。
  31. 【請求項31】 ガラスが、1重量%未満のNa2 Oを
    含むケイホウ酸ガラスであることを特徴とする請求項2
    7に記載の複合材料。
  32. 【請求項32】 窒化ケイ素、炭化ケイ素、炭化ホウ
    素、二ホウ化チタン、及び窒化アルミニウムからなる群
    より選択された焼結セラミック、及びその焼結セラミ
    ックの上にコーティングされたガラスを含んでなり、且
    つこのセラミックは厚さ約750μm未満の反応層(反
    応層とは、その焼結助剤濃度が、セラミック全体の平均
    焼結助剤濃度の80%になる深さまでのセラミック表面
    からの層をいう)を有することを特徴とする複合材料。
  33. 【請求項33】 焼結セラミックが窒化ケイ素であるこ
    とを特徴とする請求項32に記載の複合材料。
  34. 【請求項34】 第1焼結助剤がMgOであることを特
    徴とする請求項33に記載の複合材料。
  35. 【請求項35】 MgOがガラスコーティング中に、ガ
    ラスコーティングの約3.6〜5.4重量%の量で存在
    することを特徴とする請求項34に記載の複合材料。
  36. 【請求項36】 第1焼結助剤がY2 3 であることを
    特徴とする請求項33に記載の複合材料。
  37. 【請求項37】 反応層が200μm以下の厚さである
    ことを特徴とする請求項33に記載の複合材料。
  38. 【請求項38】 ガラスが、1重量%未満のNa2 Oを
    含むケイホウ酸ガラスであることを特徴とする請求項3
    3に記載の複合材料。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3067580B2 (ja) * 1995-04-04 2000-07-17 株式会社村田製作所 絶縁ペースト及びそれを用いた厚膜印刷多層回路
JPH0986955A (ja) * 1995-09-29 1997-03-31 Murata Mfg Co Ltd 絶縁体用ガラス組成物、絶縁体ペースト、および厚膜印刷回路
EP0975464B1 (en) * 1997-03-21 2004-02-11 Electro-Science Laboratories, Inc. Silicon nitride coating compositions
US20110177284A1 (en) * 2009-07-16 2011-07-21 Memc Singapore Pte Ltd. Silicon wafers and ingots with reduced oxygen content and methods for producing them

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2466849A (en) * 1944-01-03 1949-04-12 Corning Glass Works Molded glass article
NL6709718A (ja) * 1967-07-13 1969-01-15
SE348961C (sv) * 1971-03-15 1982-08-30 Asea Ab Forfarande for framstellning av en sintrad pulverkropp
US4101709A (en) * 1971-06-10 1978-07-18 Reichhold Chemicals, Inc. Low modules glass fibers and laminate reinforced with same
GB1522705A (en) * 1974-11-11 1978-08-23 Asea Ab Method of manufacturing bodies of silicon nitride
SE394178B (sv) * 1975-02-03 1977-06-13 Asea Ab Forfarande for varmpressning av pulverkroppar
US4112143A (en) * 1977-01-18 1978-09-05 Asea Aktiebolag Method of manufacturing an object of silicon nitride
US4084976A (en) * 1977-07-20 1978-04-18 Champion Spark Plug Company Lead-free glaze for alumina bodies
SE414922B (sv) * 1978-05-02 1980-08-25 Asea Ab Sett att framstella ett foremal av kiselnitrid genom isostatisk pressning av en av kiselnitridpulver forformad kropp med ett gasformigt tryckmedium
SE413400B (sv) * 1978-08-29 1980-05-27 Asea Ab Sett att framstella ett foremal av kiselnitrid genom isostatisk pressning av en av kiselnitridpulver forformad kropp med ett gasformigt tryckmedium i ett tryckkerl vid en for sintring av kiselnitriden erforderlig ...
US4446100A (en) * 1979-12-11 1984-05-01 Asea Ab Method of manufacturing an object of metallic or ceramic material
SE426815B (sv) * 1981-03-10 1983-02-14 Asea Ab Sett att framstella foremal av keramik
US4478789A (en) * 1982-09-29 1984-10-23 Asea Ab Method of manufacturing an object of metallic or ceramic material
SE435272B (sv) * 1983-02-08 1984-09-17 Asea Ab Sett att framstella ett foremal av ett pulverformigt material genom isostatisk pressning
US4462816A (en) * 1983-06-08 1984-07-31 Gte Products Corporation Method for making sintered silicon nitride articles
DE3323509C2 (de) * 1983-06-30 1985-05-02 MTU Motoren- und Turbinen-Union München GmbH, 8000 München Verfahren zur Herstellung von Keramikformteilen
SE456563B (sv) * 1986-05-13 1988-10-17 Asea Cerama Ab Sett vid isostatisk pressning av pulver till foremal i en omslutning av glas
SE456651B (sv) * 1987-03-02 1988-10-24 Asea Cerama Ab Saett att framstaella ett foeremaal av i en kapsel inneslutet pulverformigt material genom isostatisk pressning
SE460025B (sv) * 1987-12-18 1989-09-04 Asea Cerama Ab Saett att framstaella foeremaal av pulverformi gt material genom varm isostatisk pressning i en glasomslutning
JPH0645806B2 (ja) * 1988-07-14 1994-06-15 日本鋼管株式会社 高密度焼結体の製造方法
GB8926455D0 (en) * 1989-11-23 1990-05-30 T & N Technology Ltd Manufacture of shaped articles from sinterable powder
SE469467B (sv) * 1990-12-21 1993-07-12 Asea Cerama Ab Saett att vid isostatisk pressning foerse en poroes kropp med ett foer en glasomslutning ogenomtraengligt skikt
JPH05254923A (ja) * 1992-03-10 1993-10-05 Hitachi Ltd セラミック組成物及びセラミック回路基板
JP3111191B2 (ja) * 1992-03-30 2000-11-20 日本碍子株式会社 窒化珪素成形体のガラスカプセルhip用シールガラス
FR2701473B1 (fr) * 1993-02-12 1995-06-23 Eurokera Compositions d'emaux sans plomb pour la decoration de vitroceramiques a faible dilatation.

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