JPH08222975A - ツリー状分散トポロジーを有する大規模集積モノリシック・マイクロ波増幅器 - Google Patents
ツリー状分散トポロジーを有する大規模集積モノリシック・マイクロ波増幅器Info
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- JPH08222975A JPH08222975A JP7306209A JP30620995A JPH08222975A JP H08222975 A JPH08222975 A JP H08222975A JP 7306209 A JP7306209 A JP 7306209A JP 30620995 A JP30620995 A JP 30620995A JP H08222975 A JPH08222975 A JP H08222975A
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- 239000006185 dispersion Substances 0.000 title 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 3
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/60—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
- H03F3/602—Combinations of several amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/73—Bipolar junction transistors
- H01L29/737—Hetero-junction transistors
- H01L29/7371—Vertical transistors
-
- H—ELECTRICITY
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- H03F—AMPLIFIERS
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- H03F3/60—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
- H03F3/605—Distributed amplifiers
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高度に集積化されたモノリシック・マイクロ
波増幅器の最新トポロジーを提供する。 【解決手段】 これは、２段またはツリー状構造に分割
された、よりコンパクトなトポロジーであり、ここで入
力信号の分割は第１に各トランジスタＴｉｊ上で、第２
にトランジスタＴｉｊの基本トランジスタｔｉｊｋの各
々の上で行われる。具体的には、入力線ＬＥは様々な基
本線ｌｉに分割され、各線ｌｉはその線ｌｉのいずれの
側にも分配された線ｌｉｊに電力供給し、こうして線ｌ
ｉｊはパワートランジスタＴｉｊに電力供給する。これ
はマイクロ波増幅器に適用される。
波増幅器の最新トポロジーを提供する。 【解決手段】 これは、２段またはツリー状構造に分割
された、よりコンパクトなトポロジーであり、ここで入
力信号の分割は第１に各トランジスタＴｉｊ上で、第２
にトランジスタＴｉｊの基本トランジスタｔｉｊｋの各
々の上で行われる。具体的には、入力線ＬＥは様々な基
本線ｌｉに分割され、各線ｌｉはその線ｌｉのいずれの
側にも分配された線ｌｉｊに電力供給し、こうして線ｌ
ｉｊはパワートランジスタＴｉｊに電力供給する。これ
はマイクロ波増幅器に適用される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板上の、
特にＧａＡｓ上の、モノリシック・マイクロ波集積チッ
プ（ＭＭＩＣ）増幅器としても知られている高出力モノ
リシック集積増幅器の分野に関する。
特にＧａＡｓ上の、モノリシック・マイクロ波集積チッ
プ（ＭＭＩＣ）増幅器としても知られている高出力モノ
リシック集積増幅器の分野に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、このような増幅器は、限られた
表面積に集積化することが求められる、並列接続された
数組の基本トランジスタの組合せの結果得られる。現在
採用されているトポロジーの一つを図１に示す。この図
は、基本トランジスタの基本ベースとの接続部を含む、
基線ｌＢｉのいずれかの側に並列接続された基本トラン
ジスタｔｉｊを有する別々のパワートランジスタＴｉの
概略図を示す。これらの異なる基線ｌＢｉは互いに接続
され、かつ主入力線ＬＥに接続されている。基本トラン
ジスタのエミッタは、エミッタを基板の裏に位置する接
地面に接続するように、半導体基板を貫通するヴァイア
ホールを有する共通ゾーンに接続されている。基本コレ
クタはコレクタ・ブリッジｐｉによって互いに接続さ
れ、コレクタ・ブリッジｐｉは出力線ＬＳと互いに接続
されている。
表面積に集積化することが求められる、並列接続された
数組の基本トランジスタの組合せの結果得られる。現在
採用されているトポロジーの一つを図１に示す。この図
は、基本トランジスタの基本ベースとの接続部を含む、
基線ｌＢｉのいずれかの側に並列接続された基本トラン
ジスタｔｉｊを有する別々のパワートランジスタＴｉの
概略図を示す。これらの異なる基線ｌＢｉは互いに接続
され、かつ主入力線ＬＥに接続されている。基本トラン
ジスタのエミッタは、エミッタを基板の裏に位置する接
地面に接続するように、半導体基板を貫通するヴァイア
ホールを有する共通ゾーンに接続されている。基本コレ
クタはコレクタ・ブリッジｐｉによって互いに接続さ
れ、コレクタ・ブリッジｐｉは出力線ＬＳと互いに接続
されている。
【０００３】累積効果を得、かつ出力部において非常に
高い電力値を達成するためには、入力信号をできるだけ
対称的に分割して、次いでまた非常に対称的な形でこれ
を再組合せすることが必須である。実際に、このような
条件が満たされない場合には、移相（ｐｈａｓｅ−ｓｈ
ｉｆｔｉｎｇ）の問題が、各トランジスタＴｉにおける
基本増幅器の加算に不利に影響する。
高い電力値を達成するためには、入力信号をできるだけ
対称的に分割して、次いでまた非常に対称的な形でこれ
を再組合せすることが必須である。実際に、このような
条件が満たされない場合には、移相（ｐｈａｓｅ−ｓｈ
ｉｆｔｉｎｇ）の問題が、各トランジスタＴｉにおける
基本増幅器の加算に不利に影響する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１に
概略的に示すように、この形式のトポロジーには２種類
の欠点がある。すなわち、 − 第１に、サイズＤは並列接続されたパワートランジ
スタの数に比例するので、多数の基本トランジスタを所
定の表面積に集積するのが困難である。
概略的に示すように、この形式のトポロジーには２種類
の欠点がある。すなわち、 − 第１に、サイズＤは並列接続されたパワートランジ
スタの数に比例するので、多数の基本トランジスタを所
定の表面積に集積するのが困難である。
【０００５】− 第２に、入力部とトランジスタとの
間、並びにこれらのトランジスタと出力部との間に置か
れたインピーダンス整合回路における損失が増加する。
これらの損失は、入力線ＬＥ及び出力線ＬＳから離れた
所に位置するトランジスタほど大きくなる。
間、並びにこれらのトランジスタと出力部との間に置か
れたインピーダンス整合回路における損失が増加する。
これらの損失は、入力線ＬＥ及び出力線ＬＳから離れた
所に位置するトランジスタほど大きくなる。
【０００６】図２ａ、図２ｂは、それぞれ５Ｗ（図２
ａ）及び１０Ｗ（図２ｂ）の出力電力値について、出力
ネットワークにおける損失を考慮して、１組のトランジ
スタが提供すべき必要電力値を示す。ここで、２ｄＢの
損失は整合ネットワークにおける電力の３０％の損失を
引き起こし、これによって基板の関連部分における熱放
散という深刻な問題が生ずる。
ａ）及び１０Ｗ（図２ｂ）の出力電力値について、出力
ネットワークにおける損失を考慮して、１組のトランジ
スタが提供すべき必要電力値を示す。ここで、２ｄＢの
損失は整合ネットワークにおける電力の３０％の損失を
引き起こし、これによって基板の関連部分における熱放
散という深刻な問題が生ずる。
【０００７】一般に、ＧａＡｓに関するモノリシック技
術では、損失は０．５〜１．５ｄＢの範囲にあり、従っ
てこれは線ＬＳに記録される電力の相当な低下を引き起
こす。
術では、損失は０．５〜１．５ｄＢの範囲にあり、従っ
てこれは線ＬＳに記録される電力の相当な低下を引き起
こす。
【０００８】図１に示す電力増幅器のサイズＤを減ら
し、電力増幅器のオンライン損失を制限するために、本
発明は、多数のパワートランジスタを限られた量のスペ
ースに集積できる、また線が長くならないようにするこ
とができる、固有のトポロジーを有するよりコンパクト
な構成部品を提案する。
し、電力増幅器のオンライン損失を制限するために、本
発明は、多数のパワートランジスタを限られた量のスペ
ースに集積できる、また線が長くならないようにするこ
とができる、固有のトポロジーを有するよりコンパクト
な構成部品を提案する。
【０００９】
【課題を解決するための手段】提案されるトポロジーで
は、パワートランジスタＴｉの限界寸法Ｄｉが、図１に
示す従来技術の構成に対して９０度だけ回転している。
従って、この寸法Ｄｉはマイクロ波構成部品の入出力軸
に平行となる。
は、パワートランジスタＴｉの限界寸法Ｄｉが、図１に
示す従来技術の構成に対して９０度だけ回転している。
従って、この寸法Ｄｉはマイクロ波構成部品の入出力軸
に平行となる。
【００１０】この回転を実現するために、本発明におい
て使用されるトポロジーを、２段またはツリー状に分割
された構造と比較することもできる。というのは、入力
信号の分割が、 − 各パワートランジスタＴｉｊについて、 − トランジスタＴｉｊの基本トランジスタｔｉｊｋの
各々について行われるからである。
て使用されるトポロジーを、２段またはツリー状に分割
された構造と比較することもできる。というのは、入力
信号の分割が、 − 各パワートランジスタＴｉｊについて、 − トランジスタＴｉｊの基本トランジスタｔｉｊｋの
各々について行われるからである。
【００１１】さらに詳細には、本発明は、入力線ＬＥに
よって電力供給され、ｎ個のパワートランジスタＴｉｊ
を含み、各トランジスタＴｉｊが、基本入力線ｌｉｊの
各側に並列接続されたｍｉｊ個の基本トランジスタｔｉ
ｊを含み、線ＬＥが平行な線ｌｉに分割され、そのどち
らの側にもトランジスタＴｉｊに電力供給する線ｌｉｊ
が分配されている、電力半導体構成部品を対象とする。
よって電力供給され、ｎ個のパワートランジスタＴｉｊ
を含み、各トランジスタＴｉｊが、基本入力線ｌｉｊの
各側に並列接続されたｍｉｊ個の基本トランジスタｔｉ
ｊを含み、線ＬＥが平行な線ｌｉに分割され、そのどち
らの側にもトランジスタＴｉｊに電力供給する線ｌｉｊ
が分配されている、電力半導体構成部品を対象とする。
【００１２】ユニット全体の集密性をさらに増すため
に、各パワートランジスタＴｉｊはその最も近い１個又
は複数の隣接するパワートランジスタと一つのエミッタ
Ｅｉｊを共用することもでき、このエミッタＥｉｊは、
同一のトランジスタＴｉｊのトランジスタｔｉｊｋの複
数のエミッタｅｉｊｋ間を連結する。
に、各パワートランジスタＴｉｊはその最も近い１個又
は複数の隣接するパワートランジスタと一つのエミッタ
Ｅｉｊを共用することもでき、このエミッタＥｉｊは、
同一のトランジスタＴｉｊのトランジスタｔｉｊｋの複
数のエミッタｅｉｊｋ間を連結する。
【００１３】本発明によるトポロジーでは、伝ぱん線と
パワートランジスタの入力部又は出力部との間にインピ
ーダンス整合回路を設けると有利であり、これらのイン
ピーダンス整合回路は、別々の基本線ｌｉｊにおける線
ｌｉからの基本電流の分配中に生成される移相を補償で
きるようにする。
パワートランジスタの入力部又は出力部との間にインピ
ーダンス整合回路を設けると有利であり、これらのイン
ピーダンス整合回路は、別々の基本線ｌｉｊにおける線
ｌｉからの基本電流の分配中に生成される移相を補償で
きるようにする。
【００１４】各トランジスタＴｉｊ間のこれらのインピ
ーダンス整合回路は、エミッタと線ｌｉとの間に結合さ
れた自由空間中に導入することが好ましい。これは、本
発明によって提案されるツリー状トポロジーの集密性を
低下させるものではない。
ーダンス整合回路は、エミッタと線ｌｉとの間に結合さ
れた自由空間中に導入することが好ましい。これは、本
発明によって提案されるツリー状トポロジーの集密性を
低下させるものではない。
【００１５】下記の非限定的な実施例の説明と添付の図
面から、本発明はより明確に理解され、かつその他の利
点も明らかになろう。
面から、本発明はより明確に理解され、かつその他の利
点も明らかになろう。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明は、特に（ＭＭＩＣ）増幅
器に適用することのできる電力半導体構成部品の最新ト
ポロジーを提案するものである。この増幅器は、ＧａＡ
ｓ型であることが有利である基板上に集積することによ
って作成される。
器に適用することのできる電力半導体構成部品の最新ト
ポロジーを提案するものである。この増幅器は、ＧａＡ
ｓ型であることが有利である基板上に集積することによ
って作成される。
【００１７】すなわち、所与の基板上に、電力利得を合
計しようとする対象である、１組の基本トランジスタｔ
ｉｊｋを含む電力セルを画定することが可能になる。こ
の目的のために図３に概略的に示すトポロジーが採用さ
れるが、この図では、限られた個数のトランジスタｔｉ
ｊｋのみが示されている。これらの基本トランジスタ
は、電力の応用例にはひときわすぐれた働きをするバイ
ポーラ・ヘテロ接合トランジスタとすることもできる。
計しようとする対象である、１組の基本トランジスタｔ
ｉｊｋを含む電力セルを画定することが可能になる。こ
の目的のために図３に概略的に示すトポロジーが採用さ
れるが、この図では、限られた個数のトランジスタｔｉ
ｊｋのみが示されている。これらの基本トランジスタ
は、電力の応用例にはひときわすぐれた働きをするバイ
ポーラ・ヘテロ接合トランジスタとすることもできる。
【００１８】様々なトランジスタｔｉｊｋが、複数のパ
ワートランジスタＴｉｊの間に、線ｌｉのいずれの側に
も分配された前記パワートランジスタＴｉｊに電力供給
する基本線ｌｉｊの周りに分配されている。基本線は２
本づつ互いに接続される。なお図３に、例として共通線
ｌ１−２における線ｌ１及びｌ２の接続を図示する。こ
のような入力信号の分割は、様々なパワートランジスタ
の整相（ｐｈａｓｉｎｇ）を促進する。
ワートランジスタＴｉｊの間に、線ｌｉのいずれの側に
も分配された前記パワートランジスタＴｉｊに電力供給
する基本線ｌｉｊの周りに分配されている。基本線は２
本づつ互いに接続される。なお図３に、例として共通線
ｌ１−２における線ｌ１及びｌ２の接続を図示する。こ
のような入力信号の分割は、様々なパワートランジスタ
の整相（ｐｈａｓｉｎｇ）を促進する。
【００１９】この形式のトポロジーにより、Ｎ次の水平
集積セル（１本の線に沿ったＮ個のトランジスタＴｉ
ｊ）及びＭ次の垂直集積セル（トランジスタＴｉｊは線
ｌｉに沿ってどちらかの側に分配されているので、垂直
軸Ｙに沿った２Ｍ個のトランジスタＴｉｊ）を作成する
ことも可能になる。
集積セル（１本の線に沿ったＮ個のトランジスタＴｉ
ｊ）及びＭ次の垂直集積セル（トランジスタＴｉｊは線
ｌｉに沿ってどちらかの側に分配されているので、垂直
軸Ｙに沿った２Ｍ個のトランジスタＴｉｊ）を作成する
ことも可能になる。
【００２０】しかし、水平対称が存在している場合で
も、垂直対称は存在しない。線ｌｉｊと隣接線ｌｉｊ＋
２中を流れる基本電流は位相が同じではない。
も、垂直対称は存在しない。線ｌｉｊと隣接線ｌｉｊ＋
２中を流れる基本電流は位相が同じではない。
【００２１】これらの移相を補償するために、整合回路
（ＬＣ）Ｚｉｊが様々な線ｌｉ中に導入されている。こ
れらの回路Ｚｉｊは、整合線の長さと幅、並びに設計容
量のコンデンサによって形成されている。詳しくは、こ
れらのコンデンサは二つの金属電極間の誘電層によって
形成されている。上部電極は基本線に接続され、下部電
極は、接地接続を形成するヴァイアホールを有するエミ
ッタ・ゾーンに接続されている。
（ＬＣ）Ｚｉｊが様々な線ｌｉ中に導入されている。こ
れらの回路Ｚｉｊは、整合線の長さと幅、並びに設計容
量のコンデンサによって形成されている。詳しくは、こ
れらのコンデンサは二つの金属電極間の誘電層によって
形成されている。上部電極は基本線に接続され、下部電
極は、接地接続を形成するヴァイアホールを有するエミ
ッタ・ゾーンに接続されている。
【００２２】各トランジスタＴｉには、望むならば様々
な電力特性を有するトランジスタの並列接続部、すなわ
ち可変個数の基本トランジスタをセットアップすること
が可能である。
な電力特性を有するトランジスタの並列接続部、すなわ
ち可変個数の基本トランジスタをセットアップすること
が可能である。
【００２３】このような構成、すなわち垂直軸に沿った
１組のパワートランジスタの並列接続、及び基本線ｌｉ
に沿ったパワートランジスタの分配は、トランジスタが
分散増幅器構成によって得られる帯域幅で並列接続され
ている、増幅器の電力性能特性の組合せを可能にする。
１組のパワートランジスタの並列接続、及び基本線ｌｉ
に沿ったパワートランジスタの分配は、トランジスタが
分散増幅器構成によって得られる帯域幅で並列接続され
ている、増幅器の電力性能特性の組合せを可能にする。
【００２４】上記の３つの構成において得ることのでき
る性能特性を次の表Ｉに示す。
る性能特性を次の表Ｉに示す。
【００２５】
【表１】
【００２６】１オクターブは、周波数範囲（ｆｏ−２ｆ
ｏ）に相当する。
ｏ）に相当する。
【００２７】本発明によるトポロジーの集密性を並列接
続トランジスタの従来型構成と比較するために、表ＩＩ
に、それぞれ２．５Ｗ、５Ｗ、１０Ｗの電力値を得るた
めに必要なそれぞれ図１に示した軸Ｘ及びＹに沿った寸
法Ｄｘ及びＤｙを示す。
続トランジスタの従来型構成と比較するために、表ＩＩ
に、それぞれ２．５Ｗ、５Ｗ、１０Ｗの電力値を得るた
めに必要なそれぞれ図１に示した軸Ｘ及びＹに沿った寸
法Ｄｘ及びＤｙを示す。
【００２８】
【表２】
【図１】従来の技術による電力増幅器構成の概略図であ
る。
る。
【図２ａ】５Ｗを得るために１組のパワートランジスタ
が与えるべき電力値を出力整合回路上の損失の関数とし
て示す図である。
が与えるべき電力値を出力整合回路上の損失の関数とし
て示す図である。
【図２ｂ】１０Ｗを得るために１組のパワートランジス
タが与えるべき電力値を出力整合回路上の損失の関数と
して示す図である。
タが与えるべき電力値を出力整合回路上の損失の関数と
して示す図である。
【図３】本発明によるパワー半導体構成部品のトポロジ
ーの概略図である。
ーの概略図である。
Ｅｉｊ エミッタ ｌＢｉ 基線 ｌｉｊ 平行線、基本入力線 ＬＥ 主入力線、基本線 ＬＳ 出力線 ｐｉ コレクタ・ブリッジ Ｔｉｊ パワートランジスタ ｔｉｊ 基本トランジスタ Ｚｉｊ 整合回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 パスカル・ルー フランス国、91430・ボウアラン、プラ ス・ドユ・ジエネラル・ルクレール、１ (72)発明者 ジユアン・オブルゴン フランス国、87480・サン・プリエスト・ トーリオン、ルート・デ・マルテイネス、 ル・ボワ・ペンテユ（番地なし)
Claims (5)
- 【請求項１】 入力線ＬＥによって電力供給され、ｎ個
のパワートランジスタＴｉｊを含み、各トランジスタＴ
ｉｊが基本入力線ｌｉｊの各側に並列接続されたｍｉｊ
個の基本トランジスタｔｉｊを含み、線ＬＥが複数の平
行な線ｌｉに分割され、そのどちらの側にもトランジス
タＴｉｊに電力供給する線ｌｉｊが分配されている、電
力半導体構成部品。 - 【請求項２】 基本トランジスタｔｉｊｋの出力部がコ
レクタ・ブリッジＰｉｊによって互いに接続され、これ
らのブリッジが線ｌｉのどちらの側にも分配され、線ｌ
ｉの同じ側の各ブリッジが出力線Ｌｐｉによって接続さ
れ、様々な線Ｌｐｉが１本の共通出力線ＬＳに接続され
ていることを特徴とする、請求項１に記載の電力半導体
構成部品。 - 【請求項３】 パワートランジスタＴｉｊが、その最も
近い１個または複数の隣接トランジスタと共通のエミッ
タＥｉｊを有し、前記エミッタＥｉｊが、トランジスタ
ｔｊｋのエミッタｅｉｊｋを同一のトランジスタＴｉｊ
に接続できるようにすることを特徴とする、請求項１ま
たは２に記載の電力半導体構成部品。 - 【請求項４】 線ｌｉとエミッタＥｉｊとの間に接続さ
れたコンデンサによって形成されるインピーダンス整合
回路を有する、請求項１から３のいずれか一項に記載の
電力半導体構成部品。 - 【請求項５】 トランジスタがＧａＡｓ基板上に製作さ
れることを特徴とする、電力半導体構成部品。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9414148A FR2727570B1 (fr) | 1994-11-25 | 1994-11-25 | Amplificateur hyperfrequence monolithique haute integration, a topologie distribuee arborescente |
| FR9414148 | 1994-11-25 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08222975A true JPH08222975A (ja) | 1996-08-30 |
Family
ID=9469156
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7306209A Pending JPH08222975A (ja) | 1994-11-25 | 1995-11-24 | ツリー状分散トポロジーを有する大規模集積モノリシック・マイクロ波増幅器 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5689212A (ja) |
| EP (1) | EP0714138A1 (ja) |
| JP (1) | JPH08222975A (ja) |
| FR (1) | FR2727570B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009094921A (ja) * | 2007-10-11 | 2009-04-30 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波電力増幅器 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2764118B1 (fr) | 1997-05-30 | 2000-08-04 | Thomson Csf | Transistor bipolaire stabilise avec elements isolants electriques |
| FR2793953B1 (fr) | 1999-05-21 | 2002-08-09 | Thomson Csf | Capacite thermique pour composant electronique fonctionnant en impulsions longues |
| US6300835B1 (en) | 1999-12-10 | 2001-10-09 | Motorola, Inc. | Power amplifier core |
| FR2803102B1 (fr) | 1999-12-23 | 2002-03-22 | Thomson Csf | Transistor bipolaire a heterojonction a collecteur en haut et procede de realisation |
| US6448858B1 (en) * | 2000-09-15 | 2002-09-10 | International Business Machines Corporation | Mask layout for sidefed RF power amplifier |
| EP1274165A1 (en) * | 2001-07-06 | 2003-01-08 | Marconi Communications GmbH | Multicell amplifier and power divider/combiner |
| WO2006036091A1 (en) * | 2004-09-30 | 2006-04-06 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | An amplifier coupling on a reduced area |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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- 1995-11-22 US US08/562,153 patent/US5689212A/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
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