JPH08220201A - 超伝導量子干渉計 - Google Patents
超伝導量子干渉計Info
- Publication number
- JPH08220201A JPH08220201A JP2153795A JP2153795A JPH08220201A JP H08220201 A JPH08220201 A JP H08220201A JP 2153795 A JP2153795 A JP 2153795A JP 2153795 A JP2153795 A JP 2153795A JP H08220201 A JPH08220201 A JP H08220201A
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- JP
- Japan
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- coil
- thin film
- superconducting
- superconducting quantum
- input coil
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 極めて簡単な構成で入力コイルと検出コイル
の接続部分に入る磁束の影響を除去できるようにする。 【構成】 薄膜で一体形成したＳＱＵＩＤ素子チップ１
には、ＳＱＵＩＤ２、入力コイル３、入力コイルパッド
４が設けられ、接続用基板６上にＮｂ薄膜７が形成さ
れ、入力コイルパッド４とＮｂ薄膜７との間に超伝導ボ
ンディング５が施されている。検出コイル９の本体部分
から接続用基板６側に伸びるワイヤーはツイストペア構
造となっており、その端部はハンダ８によりＮｂ薄膜７
に接続されている。そして、接続用基板６上にＮｂ薄膜
７および検出コイル９のツイストペアになっていない部
分を囲むようにＮｂループ１４が設けられ、このＮｂル
ープ１４により検出コイル９のツイストペア構造になっ
ていない部分への磁束の侵入を防止することができる。
の接続部分に入る磁束の影響を除去できるようにする。 【構成】 薄膜で一体形成したＳＱＵＩＤ素子チップ１
には、ＳＱＵＩＤ２、入力コイル３、入力コイルパッド
４が設けられ、接続用基板６上にＮｂ薄膜７が形成さ
れ、入力コイルパッド４とＮｂ薄膜７との間に超伝導ボ
ンディング５が施されている。検出コイル９の本体部分
から接続用基板６側に伸びるワイヤーはツイストペア構
造となっており、その端部はハンダ８によりＮｂ薄膜７
に接続されている。そして、接続用基板６上にＮｂ薄膜
７および検出コイル９のツイストペアになっていない部
分を囲むようにＮｂループ１４が設けられ、このＮｂル
ープ１４により検出コイル９のツイストペア構造になっ
ていない部分への磁束の侵入を防止することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、脳磁界計測、心磁界計
測等の生体磁気計測や地磁気計測などの微小磁界計測用
センサに用いられる超伝導量子干渉計に関する。
測等の生体磁気計測や地磁気計測などの微小磁界計測用
センサに用いられる超伝導量子干渉計に関する。
【０００２】
【従来の技術】超伝導量子干渉計においては、一般に、
被測定磁束を直接超伝導量子干渉素子リング（ＳＱＵＩ
Ｄリング）で拾わず、ＳＱＵＩＤリングと磁気的に結合
された入力コイルと、その入力コイルと超伝導接続され
る検出コイルとからなる超伝導ループである磁束トラン
ス等と称される入力回路を用い、検出コイルで検出され
た被測定磁束が入力回路を介してＳＱＵＩＤリングに伝
達される。
被測定磁束を直接超伝導量子干渉素子リング（ＳＱＵＩ
Ｄリング）で拾わず、ＳＱＵＩＤリングと磁気的に結合
された入力コイルと、その入力コイルと超伝導接続され
る検出コイルとからなる超伝導ループである磁束トラン
ス等と称される入力回路を用い、検出コイルで検出され
た被測定磁束が入力回路を介してＳＱＵＩＤリングに伝
達される。
【０００３】そして、例えば、ＤＣ−ＳＱＵＩＤの場
合、このＳＱＵＩＤリングは磁束ロック回路によって駆
動されるが、この磁束ロック回路では、通常、ＡＦ発振
器からの交流電流をＳＱＵＩＤリングに近接して設けら
れたフィードバックコイルに流してＳＱＵＩＤリングに
交流磁束を印加し、その状態でのＳＱＵＩＤリングの出
力を増幅してＡＦ発振器からの基準信号と比べて位相検
波し、さらに、これを積分型増幅器及びフィードバック
コイルを介してＳＱＵＩＤリングにフィードバックする
ことにより磁束を検出している。
合、このＳＱＵＩＤリングは磁束ロック回路によって駆
動されるが、この磁束ロック回路では、通常、ＡＦ発振
器からの交流電流をＳＱＵＩＤリングに近接して設けら
れたフィードバックコイルに流してＳＱＵＩＤリングに
交流磁束を印加し、その状態でのＳＱＵＩＤリングの出
力を増幅してＡＦ発振器からの基準信号と比べて位相検
波し、さらに、これを積分型増幅器及びフィードバック
コイルを介してＳＱＵＩＤリングにフィードバックする
ことにより磁束を検出している。
【０００４】ここで、入力コイルは上記したようにＳＱ
ＵＩＤリングに対して磁気的に結合する必要があるた
め、通常はＳＱＵＩＤリングと同一の基板上に形成さ
れ、その両端部は超伝導体製のパッドを介して外付けの
検出コイルの両端に超伝導接続される。
ＵＩＤリングに対して磁気的に結合する必要があるた
め、通常はＳＱＵＩＤリングと同一の基板上に形成さ
れ、その両端部は超伝導体製のパッドを介して外付けの
検出コイルの両端に超伝導接続される。
【０００５】このような従来の超伝導量子干渉計を図２
に示す。図２において、１は薄膜で一体形成されたＳＱ
ＵＩＤ素子チップで、ＳＱＵＩＤ（超伝導量子干渉素
子）２、入力コイル３、入力コイルパッド４よりなり、
ＳＱＵＩＤ２は二つのジョセフソン接合（超伝導の弱結
合部分）をもつ超伝導リングより構成される。６は接続
用基板であり、この基板６上にＮｂ薄膜７が形成され、
ＳＱＵＩＤ素子チップ１の入力コイルパッド４とＮｂ薄
膜７との間に超伝導ボンディング５が施されている。９
は検出コイルであり、この検出コイルの本体部分から接
続用基板６側に伸びるワイヤーはツイストペア構造とな
っており、その端部はハンダ８によりＮｂ薄膜７に接続
されている。そして、検出コイル９、Ｎｂ薄膜７、超伝
導ボンディング５、入力コイルパッド４、入力コイル３
により閉ループを構成し、検出コイル９に信号磁場が加
わると、この閉ループは、検出コイルに加わった信号磁
場を遮断する電流が流れるように動作する。したがっ
て、検出コイル部分では磁場の歪みが生じる。
に示す。図２において、１は薄膜で一体形成されたＳＱ
ＵＩＤ素子チップで、ＳＱＵＩＤ（超伝導量子干渉素
子）２、入力コイル３、入力コイルパッド４よりなり、
ＳＱＵＩＤ２は二つのジョセフソン接合（超伝導の弱結
合部分）をもつ超伝導リングより構成される。６は接続
用基板であり、この基板６上にＮｂ薄膜７が形成され、
ＳＱＵＩＤ素子チップ１の入力コイルパッド４とＮｂ薄
膜７との間に超伝導ボンディング５が施されている。９
は検出コイルであり、この検出コイルの本体部分から接
続用基板６側に伸びるワイヤーはツイストペア構造とな
っており、その端部はハンダ８によりＮｂ薄膜７に接続
されている。そして、検出コイル９、Ｎｂ薄膜７、超伝
導ボンディング５、入力コイルパッド４、入力コイル３
により閉ループを構成し、検出コイル９に信号磁場が加
わると、この閉ループは、検出コイルに加わった信号磁
場を遮断する電流が流れるように動作する。したがっ
て、検出コイル部分では磁場の歪みが生じる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の超伝導量子干渉
計は上記のように構成されており、超伝導量子干渉計を
磁気センサとして作用させるためには検出コイルと入力
コイルとを超伝導接続しなければならず、φ１００μｍ
程度の線である検出コイルを別の基板を介して素子上に
形成されている入力コイルのパッドに接続している。こ
の際、検出コイル側はハンダ付けやネジ止めが用いら
れ、入力側はボンディングを用いている。
計は上記のように構成されており、超伝導量子干渉計を
磁気センサとして作用させるためには検出コイルと入力
コイルとを超伝導接続しなければならず、φ１００μｍ
程度の線である検出コイルを別の基板を介して素子上に
形成されている入力コイルのパッドに接続している。こ
の際、検出コイル側はハンダ付けやネジ止めが用いら
れ、入力側はボンディングを用いている。
【０００７】しかしながら、入力コイルと超伝導パッド
とを繋ぐ配線は半導体の製造技術を利用したフォトリソ
グラフィ技術によって作製されるため、これら両配線間
の距離は非常に狭く（数１０μｍ程度）、外乱磁場への
感度が小さいのでコイルバランスを劣化させる要因とは
なりにくく、また、検出コイルの本体部分から伸びるワ
イヤーは上記したツイストペア構造の採用によって同じ
くコイルバランスの劣化への影響は少なくできるもの
の、検出コイルと接続用基板との接続部分においてルー
プが生じてしまい、このループを通る外乱磁場によって
コイルバランスの劣化が生じるという問題がある。
とを繋ぐ配線は半導体の製造技術を利用したフォトリソ
グラフィ技術によって作製されるため、これら両配線間
の距離は非常に狭く（数１０μｍ程度）、外乱磁場への
感度が小さいのでコイルバランスを劣化させる要因とは
なりにくく、また、検出コイルの本体部分から伸びるワ
イヤーは上記したツイストペア構造の採用によって同じ
くコイルバランスの劣化への影響は少なくできるもの
の、検出コイルと接続用基板との接続部分においてルー
プが生じてしまい、このループを通る外乱磁場によって
コイルバランスの劣化が生じるという問題がある。
【０００８】即ち、ＳＱＵＩＤ素子チップ１、接続用基
板６の部分は超伝導状態となるので、磁束は入り込まな
いが、図３に示すように、検出コイル９とＮｂ薄膜７と
の接続部及び超伝導ボンディング５においてはどうして
も磁束が入る部分ができてしまうので、その分は誤差に
なってしまう。ここで、図３の１０の磁場による誘起電
流１２は、上記したように二つのボンディング線５の距
離が数１０μｍ程度と、小さいので、あまり問題になら
ないが、１１の磁場による誘起電流１３は検出コイルの
ツイストペアになっていない部分の距離が３〜５ｍｍ程
度と大きいためノイズとして計測されてしまう。これを
防止するために、装置全体あるいは一部をＮｂ管等の超
伝導体で磁気シールドすることも行われているが、この
ような方法ではコストがかかるばかりでなく、超伝導体
による磁場のゆがみが正確な測定を妨げるという新たな
問題も発生している。
板６の部分は超伝導状態となるので、磁束は入り込まな
いが、図３に示すように、検出コイル９とＮｂ薄膜７と
の接続部及び超伝導ボンディング５においてはどうして
も磁束が入る部分ができてしまうので、その分は誤差に
なってしまう。ここで、図３の１０の磁場による誘起電
流１２は、上記したように二つのボンディング線５の距
離が数１０μｍ程度と、小さいので、あまり問題になら
ないが、１１の磁場による誘起電流１３は検出コイルの
ツイストペアになっていない部分の距離が３〜５ｍｍ程
度と大きいためノイズとして計測されてしまう。これを
防止するために、装置全体あるいは一部をＮｂ管等の超
伝導体で磁気シールドすることも行われているが、この
ような方法ではコストがかかるばかりでなく、超伝導体
による磁場のゆがみが正確な測定を妨げるという新たな
問題も発生している。
【０００９】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、極めて簡単な構成で入力コイルと検出
コイルの接続部分に入る磁束の影響を除去することがで
きる超伝導量子干渉計を提供することを目的としてい
る。
たものであって、極めて簡単な構成で入力コイルと検出
コイルの接続部分に入る磁束の影響を除去することがで
きる超伝導量子干渉計を提供することを目的としてい
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の超伝導量子干渉計は、超伝導量子干渉素子
リングと、磁場を検出する検出コイルと、前記超伝導量
子干渉素子リングに前記磁場を伝達する入力コイルとを
有するものにおいて、検出コイルと入力コイルとを接続
する部分を超伝導体の閉じたループで囲んだことを特徴
とする。
め、本発明の超伝導量子干渉計は、超伝導量子干渉素子
リングと、磁場を検出する検出コイルと、前記超伝導量
子干渉素子リングに前記磁場を伝達する入力コイルとを
有するものにおいて、検出コイルと入力コイルとを接続
する部分を超伝導体の閉じたループで囲んだことを特徴
とする。
【００１１】
【作用】本発明の超伝導量子干渉計は上記のように検出
コイルと入力コイルとを接続する部分が超伝導体の閉じ
たループで囲まれており、超伝導のループの中を磁束が
通れないので、特にその部分だけを選択的にしかもコス
トをかけずに磁気シールドすることができる。また、使
用する超伝導体の体積も小さいので磁場のゆがみによる
影響も小さい。
コイルと入力コイルとを接続する部分が超伝導体の閉じ
たループで囲まれており、超伝導のループの中を磁束が
通れないので、特にその部分だけを選択的にしかもコス
トをかけずに磁気シールドすることができる。また、使
用する超伝導体の体積も小さいので磁場のゆがみによる
影響も小さい。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の超伝導量子干渉計の実施例に
ついて図１により説明する。図１において、１はＳＱＵ
ＩＤ素子チップで、薄膜で一体形成したものであり、Ｓ
ＱＵＩＤ２、入力コイル３、入力コイルパッド４よりな
る。６はガラスからなる接続用基板であり、この基板６
上にＮｂ薄膜７が形成され、ＳＱＵＩＤ素子チップ１の
入力コイルパッド４とＮｂ薄膜７との間に超伝導ボンデ
ィング５が施されている。９は検出コイルであり、この
検出コイル９の本体部分から接続用基板６側に伸びるワ
イヤーはツイストペア構造となっており、その端部はハ
ンダ８によりＮｂ薄膜７に接続されている。以上の構造
は従来と同様であり、この実施例では、さらに、接続用
基板６上にＮｂ薄膜７および検出コイル９のツイストペ
ア構造になっていない部分を囲むようにＮｂループ１４
が設けられている。Ｎｂ薄膜７及びＮｂループ１４は基
板６上にＮｂ薄膜を成膜し、接続用のパッド部分と超伝
導ループの部分を同一層でパターニングすることによっ
て作製することができる。
ついて図１により説明する。図１において、１はＳＱＵ
ＩＤ素子チップで、薄膜で一体形成したものであり、Ｓ
ＱＵＩＤ２、入力コイル３、入力コイルパッド４よりな
る。６はガラスからなる接続用基板であり、この基板６
上にＮｂ薄膜７が形成され、ＳＱＵＩＤ素子チップ１の
入力コイルパッド４とＮｂ薄膜７との間に超伝導ボンデ
ィング５が施されている。９は検出コイルであり、この
検出コイル９の本体部分から接続用基板６側に伸びるワ
イヤーはツイストペア構造となっており、その端部はハ
ンダ８によりＮｂ薄膜７に接続されている。以上の構造
は従来と同様であり、この実施例では、さらに、接続用
基板６上にＮｂ薄膜７および検出コイル９のツイストペ
ア構造になっていない部分を囲むようにＮｂループ１４
が設けられている。Ｎｂ薄膜７及びＮｂループ１４は基
板６上にＮｂ薄膜を成膜し、接続用のパッド部分と超伝
導ループの部分を同一層でパターニングすることによっ
て作製することができる。
【００１３】そして、検出コイル９、Ｎｂ薄膜７、超伝
導ボンディング５、入力コイルパッド４、入力コイル３
により閉ループが構成され、検出コイル９の本体部分で
被測定磁束が検出されると、検出コイル９のツイストペ
ア構造になっている部分、ツイストペア構造になってい
ない部分、Ｎｂ薄膜７、超伝導ボンディング５、入力コ
イルパッド４、入力コイル３を介してＳＱＵＩＤ２に磁
束が伝達される。
導ボンディング５、入力コイルパッド４、入力コイル３
により閉ループが構成され、検出コイル９の本体部分で
被測定磁束が検出されると、検出コイル９のツイストペ
ア構造になっている部分、ツイストペア構造になってい
ない部分、Ｎｂ薄膜７、超伝導ボンディング５、入力コ
イルパッド４、入力コイル３を介してＳＱＵＩＤ２に磁
束が伝達される。
【００１４】このとき、接続用基板６上に形成されたＮ
ｂループ１４内の中を磁束は通ることができないので、
検出コイル９のツイストペア構造になっていない部分に
はノイズ源となる誘起電流が発生しないので、入力コイ
ルと検出コイルの接続部分に入る磁束の影響を除去する
ことができる。また、二つのボンディング線５間の磁場
による誘起電流は二つのボンディング線５の距離が数１
０μｍ程度と、小さいので、あまり問題にならない。
ｂループ１４内の中を磁束は通ることができないので、
検出コイル９のツイストペア構造になっていない部分に
はノイズ源となる誘起電流が発生しないので、入力コイ
ルと検出コイルの接続部分に入る磁束の影響を除去する
ことができる。また、二つのボンディング線５間の磁場
による誘起電流は二つのボンディング線５の距離が数１
０μｍ程度と、小さいので、あまり問題にならない。
【００１５】なお、上記実施例では、ＳＱＵＩＤ素子チ
ップの入力コイルと検出コイルとを接続する接続用基板
を素子基板とは別個に設ける例を説明したが、接続用基
板を素子基板上に含む形態のものにも本発明を適用する
ことができる。
ップの入力コイルと検出コイルとを接続する接続用基板
を素子基板とは別個に設ける例を説明したが、接続用基
板を素子基板上に含む形態のものにも本発明を適用する
ことができる。
【００１６】また、上記実施例では、Ｎｂループ１４と
Ｎｂ薄膜７を同一層に形成したが、Ｎｂループだけを層
を別にして成膜することもでき、この場合にはツイスト
ペア構造の部分だけを囲むようにＮｂループを作製すれ
ばよい。
Ｎｂ薄膜７を同一層に形成したが、Ｎｂループだけを層
を別にして成膜することもでき、この場合にはツイスト
ペア構造の部分だけを囲むようにＮｂループを作製すれ
ばよい。
【００１７】さらに、上記実施例では、超伝導薄膜とし
てＮｂを用いたが、Ｎｂに限らずＮｂＮ、Ｎｂ−Ｔｉ、
Ｐｎ、Ｉｎ−Ｐｎ、Ｉｎ−Ｐｎ−Ａｕ等を使用すること
もでき、基板もガラスに限らず石英、Ｓｉ、ＭｇＯ、ガ
ラエポ、ＦＲＰ、ポリイミドフィルム等を使用すること
ができる。また、薄膜ではなくＮｂ線を用いて超伝導ル
ープを作製することも可能である。
てＮｂを用いたが、Ｎｂに限らずＮｂＮ、Ｎｂ−Ｔｉ、
Ｐｎ、Ｉｎ−Ｐｎ、Ｉｎ−Ｐｎ−Ａｕ等を使用すること
もでき、基板もガラスに限らず石英、Ｓｉ、ＭｇＯ、ガ
ラエポ、ＦＲＰ、ポリイミドフィルム等を使用すること
ができる。また、薄膜ではなくＮｂ線を用いて超伝導ル
ープを作製することも可能である。
【００１８】以上のように、本発明は上記実施例に限定
されるものではなく特許請求の範囲に記載された本発明
の要旨の範囲内で種々の変更を行うことが可能である。
本発明の変更実施態様を下記に例示する。
されるものではなく特許請求の範囲に記載された本発明
の要旨の範囲内で種々の変更を行うことが可能である。
本発明の変更実施態様を下記に例示する。
【００１９】（１）超伝導量子干渉素子リングと、磁場
を検出する検出コイルと、前記超伝導量子干渉素子リン
グに前記磁場を伝達する入力コイルとを有する超伝導量
子干渉計において、検出コイルの入力コイルと接続され
る端部であって、ツイストペア構造となっていない部分
を超伝導体の閉じたループで囲んだことを特徴とする超
伝導量子干渉計。
を検出する検出コイルと、前記超伝導量子干渉素子リン
グに前記磁場を伝達する入力コイルとを有する超伝導量
子干渉計において、検出コイルの入力コイルと接続され
る端部であって、ツイストペア構造となっていない部分
を超伝導体の閉じたループで囲んだことを特徴とする超
伝導量子干渉計。
【００２０】（２）超伝導量子干渉素子リングと入力コ
イルと入力コイルパッドが薄膜で一体形成されたＳＱＵ
ＩＤ素子チップと、磁場を検出する検出コイルと、この
検出コイルの端部が接続されるＮｂ薄膜が表面に形成さ
れた接続用基板と、上記ＳＱＵＩＤ素子チップの入力コ
イルパッドと上記接続用基板のＮｂ薄膜とを接続する超
伝導ボンディングとを有する超伝導量子干渉計におい
て、上記接続用基板に超伝導体ループを設け、この超伝
導体ループによって検出コイルのツイストペア構造とな
っていない部分とＮｂ薄膜とを囲んだことを特徴とする
超伝導量子干渉計。
イルと入力コイルパッドが薄膜で一体形成されたＳＱＵ
ＩＤ素子チップと、磁場を検出する検出コイルと、この
検出コイルの端部が接続されるＮｂ薄膜が表面に形成さ
れた接続用基板と、上記ＳＱＵＩＤ素子チップの入力コ
イルパッドと上記接続用基板のＮｂ薄膜とを接続する超
伝導ボンディングとを有する超伝導量子干渉計におい
て、上記接続用基板に超伝導体ループを設け、この超伝
導体ループによって検出コイルのツイストペア構造とな
っていない部分とＮｂ薄膜とを囲んだことを特徴とする
超伝導量子干渉計。
【００２１】
【発明の効果】本発明の超伝導量子干渉計は上記のよう
に、検出コイルと入力コイルとを接続する部分を超伝導
体の閉じたループで囲んでおり、この超伝導ループ内に
磁場が入ることができないので、この部分にはノイズ源
となる誘起電流が発生しないので、入力コイルと検出コ
イルの接続部分に入る磁束の影響を除去することができ
る。また、単に超伝導ループを設けるだけであるので、
Ｎｂ管等によって磁気シールドする場合に比較して安価
に磁束の影響を除去することができ、また、測定磁場の
ゆがみも小さいので、正確な測定を行うことができる。
に、検出コイルと入力コイルとを接続する部分を超伝導
体の閉じたループで囲んでおり、この超伝導ループ内に
磁場が入ることができないので、この部分にはノイズ源
となる誘起電流が発生しないので、入力コイルと検出コ
イルの接続部分に入る磁束の影響を除去することができ
る。また、単に超伝導ループを設けるだけであるので、
Ｎｂ管等によって磁気シールドする場合に比較して安価
に磁束の影響を除去することができ、また、測定磁場の
ゆがみも小さいので、正確な測定を行うことができる。
【図１】本発明の超伝導量子干渉計の一実施例を示す図
である。
である。
【図２】従来の超伝導量子干渉計を示す図である。
【図３】従来の超伝導量子干渉計への外部磁界の影響を
示す図である。
示す図である。
１ ＳＱＵＩＤ素子チップ ２ ＳＱＵＩＤ ３ 入力コイル ４ 入力コイルパッド ５ 超伝導ボンディング ６ 接続用基板 ７ Ｎｂ薄膜 ８ ハンダ ９検出コイル １４ Ｎｂループ
Claims (1)
- 【請求項１】 超伝導量子干渉素子リングと、磁場を検
出する検出コイルと、前記超伝導量子干渉素子リングに
前記磁場を伝達する入力コイルとを有する超伝導量子干
渉計において、検出コイルと入力コイルとを接続する部
分を超伝導体の閉じたループで囲んだことを特徴とする
超伝導量子干渉計。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2153795A JPH08220201A (ja) | 1995-02-09 | 1995-02-09 | 超伝導量子干渉計 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2153795A JPH08220201A (ja) | 1995-02-09 | 1995-02-09 | 超伝導量子干渉計 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08220201A true JPH08220201A (ja) | 1996-08-30 |
Family
ID=12057722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2153795A Pending JPH08220201A (ja) | 1995-02-09 | 1995-02-09 | 超伝導量子干渉計 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08220201A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020088588A (ko) * | 2001-05-18 | 2002-11-29 | 엘지전자 주식회사 | 초전도 양자간섭소자 주사현미경 |
| KR100364784B1 (ko) * | 2000-02-16 | 2002-12-16 | 엘지전자 주식회사 | 자장 측정 장치 |
| JP2005348460A (ja) * | 2004-05-31 | 2005-12-15 | Nikkiso Co Ltd | 検知用コイル及びそれを用いたキャンドモータポンプ |
| WO2011034280A3 (ko) * | 2009-09-15 | 2011-05-12 | 한국표준과학연구원 | 스퀴드 센서 및 그 제조방법 |
-
1995
- 1995-02-09 JP JP2153795A patent/JPH08220201A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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