JPH08218069A - 反強誘電性液晶組成物 - Google Patents

反強誘電性液晶組成物

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JPH08218069A
JPH08218069A JP2950595A JP2950595A JPH08218069A JP H08218069 A JPH08218069 A JP H08218069A JP 2950595 A JP2950595 A JP 2950595A JP 2950595 A JP2950595 A JP 2950595A JP H08218069 A JPH08218069 A JP H08218069A
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antiferroelectric
antiferroelectric liquid
crystal composition
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Masahiro Kino
正博 城野
Takahiro Matsumoto
隆宏 松本
Tomoyuki Yui
知之 油井
Hironori Yamamoto
裕規 山本
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Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 広い温度範囲にわたって大幅に応答速度を改
善することができる反強誘電性液晶組成物である。 【構成】 下記一般式(1) で表される反強誘電性液晶と
下記一般式(2) または下記一般式(3) で表される反強誘
電性液晶の少なくとも1種とを混合してなる反強誘電性
液晶組成物。 【化1】 (式(1) の Rは直鎖アルキル基、XはH又はF、mは5
以上の整数、nは1以上の整数であり、式(2) のR'は直
鎖アルキル基又は CH30(CH2)S - 基(sは4以上の整数)
、YはH又はF、pは5以上の整数、qは1以上の整
数であり、式(3) のR"は直鎖アルキル基、ZはH又は
F、rは6以上の整数である。)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は新規な反強誘電性液晶組
成物、及びそれを用いた液晶表示素子に関する。
【0002】
【従来の技術】液晶表示素子は、低電圧作動性、低消費
電力性、薄型表示が可能である事等により、現在までに
各種の小型表示素子に利用されてきた。しかし、昨今の
情報、OA関連機器分野、あるいは、テレビ分野への液晶
表示素子の応用、用途拡大に伴って、これまでの CRT表
示素子を上回る表示容量、表示品質を持つ高性能大型液
晶表示素子の要求が、急速に高まってきた。
【0003】しかしながら、現在のネマチック液晶を使
用する限りにおいては、液晶テレビ用に採用されている
アクテイブマトリックス駆動液晶表示素子でも、製造プ
ロセスの複雑さと歩留りの低さにより、その大型化、低
コスト化は容易ではない。又、単純マトリックス駆動の
STN型液晶表示素子にしても、大容量駆動は必ずしも容
易ではなく、応答時間にも限界があり動画表示は困難で
ある。更にネマチック液晶を用いた表示素子は、視野角
が狭いということが、大きな問題になってきている。従
って、ネマチック液晶表示素子は、上記の高性能大型液
晶表示素子への要求を、満足するものとはいい難いのが
実状である。
【0004】このような状況のなかで、高速液晶表示素
子として注目されているのが、強誘電性液晶を用いた液
晶表示素子である。クラ−クとラガバ−ルにより発表さ
れた、表面安定化型強誘電性液晶(SSFLC) 素子は、その
従来にない速い応答速度と広い視野角を有する事が注目
され、そのスイッチング特性に関しては詳細に検討され
おり、種々の物性定数を最適化するため、多くの強誘電
性液晶が合成されている。しかしながら、しきい値特性
が不十分である、層の構造がシェブロン構造をしている
などからコントラストが不良である、高速応答が実現さ
れていない、配向制御が困難で SSFLCの最大の特徴の1
つである双安定性の実現が容易でない、機械的衝撃に依
って配向が破壊されそれの回復が困難であるなどの問題
があり、実用化にはこれらの問題の克服が必要である。
【0005】これとは別に、SSFLC と異なるスイッチン
グ機構の素子の開発も、同時に進められている。反強誘
電相を有する液晶物質(以下、反強誘電性液晶物質と呼
ぶ)の三安定状態間のスイッチングもこれらの新しいス
イッチング機構の1つである(Japanese Journal of Ap
plied Physics, Vol.27, pp.L729,1988)。
【0006】反強誘電性液晶素子は、3つの安定な状態
を有する。すなわち、強誘電性液晶素子で見られる、2
つのユニフォ−ム状態(Ur,Ul) と第三状態である。この
第三状態が、反強誘電相であることをChandaniらが報告
している(Japanese Journal of Applied Physics, Vol.
28, pp.L1261, 1989、Japanese Journal of Applied Ph
ysics, Vol.28, pp.L1265, 1989)。このような三安定状
態間のスイッチングが、反強誘電性液晶素子の第1の特
徴である。反強誘電性液晶素子の第2の特徴は、印加電
圧に対して明確なしきい値が存在することである。更
に、メモリ−性を有しており、これが反強誘電性液晶素
子の第3の特徴である。これらの優れた特徴を利用する
ことにより、応答速度が速く、コントラストが良好な液
晶表示素子を実現できる。
【0007】又、もう一つの大きな特徴として、層構造
が、電界により容易にスイッチングする事があげられる
(Japanese Journal of Applied Physics, Vol.28, pp.L
119,1989、Japanese Journal of Applied Physics, Vo
l.29, pp.L111, 1990) 。このことにより、欠陥が極め
て少なく、配向の自己修復能力のある液晶表示素子の作
製が可能となり、コントラストに優れた液晶素子を実現
できる。更に、強誘電性液晶では殆ど不可能である電圧
階調が、反強誘電性液晶では可能であることが実証さ
れ、フルカラー化への道が開け、一層反強誘電性液晶の
重要性が増してきている(第4回強誘電性液晶国際会議
予稿集、77頁、1993) 。
【0008】以上のように、反強誘電性液晶の優位性
は、確かなものになりつつあるが、応答速度のより一層
の向上が望まれている。従来提案されてきた反強誘電性
液晶は、あるレベルの表示素子の実現に十分な応答速度
を有しているが、走査線 1,000本以上の高精細表示素子
を実現しようとした場合、応答速度はまだ不十分であ
り、より一層の高速化が必要である。更に実用上反強誘
電性液晶における、反強誘電相の温度範囲は室温付近を
中心にしてできるだけ広いことが望ましい。従来、応答
速度が速くかつ実用可能な温度範囲を有するという両方
の性質を兼ね備えた材料は非常に少なく、また応答速
度、温度範囲両方の面でまだ不十分なものであった。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】実用上、反強誘電性液
晶は、上述したようにより一層の応答速度の向上と、反
強誘電相の温度範囲の拡大が必要である。即ち、高精細
ディスプレーを実現するために、より一層の応答速度の
向上が必要であるが、反強誘電性液晶は、液晶相がスメ
クチック相であるが故に粘性が高く、そのためにより高
速な応答速度について課題が生じて来る。この課題は反
強誘電性液晶の粘性低下によって解決できるものと考え
られ、具体策の一つとしては、比較的低粘性の化合物を
液晶組成物に添加し、組成物全体の粘性を低下させ、も
って応答速度の改善を計ろうとする試みが考えられる。
【0010】この方法が、現在のところ最も現実的な解
決策になり得ると考えらるが、この方法は反強誘電相の
上限温度を著しく低下させる傾向があり、応答速度は改
善されても反強誘電相の温度範囲の面で問題が生じて来
る。一般にディスプレーとしての反強誘電性液晶素子を
考えたとき、バックライトにより素子の温度は少なくと
も40℃ぐらいになると考えられる。従って、正常な素子
の駆動のためには反強誘電相の上限温度は少なくとも40
℃以上、望ましくは50℃以上必要である。また、低温側
では少なくとも10℃で素子は駆動できることが必要であ
る。従って、反強誘電相の下限温度は少なくとも0℃で
あることが必要である。
【0011】本発明はこの様な観点からなされたもので
あり、下記した一般式(2), (3)で示される反強誘電性液
晶を、反強誘電性液晶組成物の成分として含有させたと
き、広い温度範囲で反強誘電相を確保でき、かつ非常に
高速な反強誘電性液晶組成物を得ることができることを
見いだし、本発明を完成したものである。
【0012】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、下
記一般式(1) で表される反強誘電性液晶と下記一般式
(2) または下記一般式(3) で表される反強誘電性液晶の
少なくとも1種とを混合してなる反強誘電性液晶組成物
である。
【化2】 (式(1) の Rは直鎖アルキル基、XはH又はF、mは5
以上の整数、nは1以上の整数であり、式(2) のR'は直
鎖アルキル基又は CH30(CH2)S - 基(sは4以上の整数)
、YはH又はF、pは5以上の整数、qは1以上の整
数であり、式(3) のR"は直鎖アルキル基、ZはH又は
F、rは6以上の整数である。)
【0013】本発明の該一般式(1) のRの炭素数が 8〜
10であることが望ましい。また、mが5〜8であること
が望ましい。本発明の該一般式(2) のR'が炭素数 6〜10
の直鎖アルキル基であること、又はR'が CH30(CH2)S -
基で、sが 4〜8 であることが望ましい。又、該一般式
(2)のpが 5〜8 であることが望ましい。また、本発明
の該一般式(3) のR"が炭素数 8〜10の直鎖アルキル基で
あること、rが 6〜8 であるが望ましい。
【0014】本発明は、該一般式(2) または(3) で示さ
れる反強誘電性液晶の少なくとも1種を、該一般式(1)
で示される反強誘電性液晶に混合して実施される。反強
誘電性液晶の種類等によって一義的に混合割合を決める
ことは困難であるが、一般式(2) または(3) で示される
反強誘電性液晶の混合量は、反強誘電性液晶組成物の1
〜80モル%、より望ましくは 1〜70モル%であり、最も
好ましくは30〜70モル%である。
【0015】本発明の反強誘電性液晶組成物は、その反
強誘電相の高温側にスメクチックA相を有していること
が実用上必要である。スメクチックA相を有しない場合
は、著しく配向性が損なわれやすく、素子のコントラス
トが低下する。反強誘電性の温度範囲は、できるだけ広
いことが望ましいが、少なくとも反強誘電相の上限温度
は40℃以上、下限温度は 0℃以下であることが望まし
い。本発明では、以上のような本発明の反強誘電性液晶
組成物は、1対の電極基板間に配置し、広い温度範囲で
好適に駆動できる反強誘電性液晶表示素子とすることが
できる。
【0016】本発明において用いられる上記の一般式
(1), (2), (3) で示される反強誘電性液晶は、既に本発
明者らが示した方法によって簡便に製造することができ
る(特開平4-198155号、同5-155880号) 。例えば一般式
(1)に示される反強誘電性液晶は、次のような方法に
よって製造される。 (1) CH2(COOC2H5)2 + RBr + (アルカリ) → RCH(COOC2H5)2 (2) (1) + LiAlH4 → RCH(CH2OH)2 (3) (2) + CHO-Ph-CN → R-DOX-Ph-CN (4) (3) + H2O + (アルカリ) → R-DOX-Ph-COOH (5) (4) + SOCl2 → R-DOX-Ph-COCl (6) AcO-Ph-COOH + SOCl2 → AcO-Ph-COCl (7) (6) + CF3C*H(OH)(CH2)m OCnH2n+1 → AcO-Ph-COOC*H(CF3)(CH2)mOCnH2n+1 (8) (7) + C6H5CH2NH2 → HO-Ph-COOC*H(CF3)(CH2)mOCnH2n+1 (9) (5) + (8) → 目的反強誘電性液晶 上記において、R は直鎖アルキル基、Phは1,4-フェニレ
ン基、DOX は2,5-位に結合基を有する1,3-ジオキサン
基、AcO はアセチルオキシ基(CH COO-) 、C*は不斉炭素
をそれぞれ示す。
【0017】上記製造法について、以下に簡単に説明す
る。(1) はマロン酸ジエチルの臭化アルキルによるアル
キル化である。(2) はアルキル化マロン酸ジエチルの水
素化である。(3) はアルコール(2) とp-シアノベンズア
ルデヒドの反応による1,3-ジオキサン環の形成でる。
(4) は(3) のニトリル基の加水分解である。(5) はカル
ボキシル基(4) の塩化チオニルによる塩素化である。
(6) はアセトキシ安息香酸の塩化チオニルによる塩素化
である。(7) は塩素化物(6) と光学活性アルコールとの
反応によるエステル化である。(8) はエステル(7) の脱
アセチル化反応である。(9) は塩化物(5) とフェノール
(8) とのエステル化による目的物の生成である。
【0018】
【効果】本発明は、新規な反強誘電性液晶組成物を提供
する事ができるものである。そして、本発明により提供
された新規な反強誘電性液晶組成物は、広い温度範囲で
反強誘電相を有しかつ高速応答を示し、そのため表示品
質の高い反強誘電性液晶表示素子を実現できる。
【0019】
【実施例】次に実施例及び比較例を掲げて本発明を更に
具体的に説明する。 実施例1 一般式(1) に相当する下記の反強誘電性液晶 (以下、液
晶1Aと記す) に、50モル%の割合で一般式(2) に相当す
る下記の反強誘電性液晶 (以下、液晶2Aと記すを混合し
て反強誘電性液晶組成物を得た。 液晶1A :n-C8H17-DOX-Ph-COO-Ph-COO-C*H(CF3)(CH2)5
OC2H5 液晶2A :n-C6H13-O-Ph-Ph-COO-Ph(3F)-COO-Ph-COO-C*
H(CF3)(CH2)5OC2H5 上記において、DOX は2,5-位結合の1,3-ジオキサン基、
Phは1,4-フェニレン基、Ph(3F)は3-位(Y) がF置換した
1,4-フェニレン基、C*は不斉炭素をそれぞれ示す。
【0020】用いた液晶化合物およびその組成物につい
て、相の同定、応答速度の測定をした結果を後記の表
1、2に示した。相の同定はテクスチャー観察、DSC(示
差走差熱量計)により行った。応答時間を次のようにし
て測定した。ラビング処理したポリイミド薄膜を有する
ITO電極付の液晶セル(セル厚 1.8μm) に、等方相の
状態で充填した。このセルを、毎分1℃で徐令して SA
相で液晶を配向させた。セルを直交する偏光板間に液晶
の層方向がアナライザーまたはポーラライザーと平行に
なるように設置した。液晶セルに、周波数 10Hz, 35V
のステップ電圧を印加して、透過光変化が10から90%変
化するに要する時間を応答時間と定義して、応答時間を
測定した。
【0021】実施例2、3 実施例1で用いた液晶1Aに、一般式(2) に相当する下記
の反強誘電性液晶 (以下、液晶2Bと記す) を50モル%
(実施例2)、60モル%(実施例3)それぞれ混合して
反強誘電性液晶組成物を得、実施例1と同様に物性測定
をした結果を表1、2に示した。 液晶2B :n-C9H19-O-Ph-Ph-COO-Ph(3F)-COO-C*H(CF3)
(CH2)5OC2H5 略号 Ph 、Ph(3F)、C*は液晶2Aと同様の意味である。
【0022】実施例4 実施例1で用いた液晶1Aに、一般式(2) に相当する下記
の反強誘電性液晶 (以下、液晶2Cと記す) を40モル%混
合して反強誘電性液晶組成物を調製し、実施例1と同様
に物性測定した結果を表1、2に示した。 液晶2C :CH3O(CH2)6-O-Ph-Ph-COO-Ph(3F)-COO-C*H(CF
3)(CH2)5OC2H5 略号 Ph 、Ph(3F)、C*は液晶2Aと同様の意味である。
【0023】
【表1】 相 系 列 成分 モル比 実施例1 I(76)SA(67)SCA*(<-20)Cr 1A/2A=50/50 実施例2 I(63)SA(59)SCA*(-9)Cr 1A/2B=50/50 実施例3 I(64)SA(61)SCA*(<-20)Cr 1A/2B=40/60 実施例4 I(62)SA(58)SCA*(<-20)Cr 1A/2C=60/40 液晶 1A I(56)SA(46)SCA*(2)Cr 液晶 2A I(105)SA(102)SCA*(8)SIA*(4)Cr 液晶 2B I(83)SA(82)SCA*(<-20)Cr 液晶 2C I(87)SCA*(19)SIA*(-0.2)Cr 表の ( )内数字は温度(℃)、SAはスメクチックA相、
SC* はカイラルスメクチックC相(強誘電相)、SCA*は
反強誘電相、SIA*は反強誘電のスメクチックI相、Crは
結晶相を示す。
【0024】
【表2】 応答時間I は反強誘電状態から強誘電状態への応答時間
(単位;μ秒)。応答時間IIは強誘電状態から反強誘電
状態への応答時間(単位;μ秒)。
【0025】実施例5 一般式(1) に相当する下記の反強誘電性液晶 (以下、液
晶1Bと記す) に、一般式(3) に相当する下記の反強誘電
性液晶 (以下、液晶3Aと記す) を50モル%混合して反強
誘電性液晶組成物を調製し、実施例1と同様に物性測定
した結果を表3、4に示した。 液晶1B :n-C8H17-DOX-Ph-COO-Ph(3F)-COO-C*H(CF3)(C
H2)5OC2H5 液晶3A :n-C8H17-DOX-Ph-COO-Ph-COO-C*H(CF3)(CH2)5
CH3 略号 DOX、Ph、Ph(3F)、C*は上記液晶1A, 2Aと同様の意
味である。
【0026】
【表3】 相 系 列 成分 モル比 実施例5 I(61)SA(52)SCA*(-8)Cr 1B/3A=50/50 液晶 1B I(39)SA(38)SCA*(-14)Cr 液晶 3A I(79)SA(65)SCA*(10)SIA*(17)Cr 表中の相系列などの記載は、表1と同様である。
【0027】
【表4】 応答時間I は反強誘電状態から強誘電状態への応答時間
(単位;μ秒)。応答時間IIは強誘電状態から反強誘電
状態への応答時間(単位;μ秒)。
【0028】実施例6 実施例1で用いた液晶1A 50モル%、液晶2A 30モル%
および一般式(3) に相当する下記の反強誘電性液晶 (以
下、液晶3Bと記す) 20モル%を混合して反強誘電性液晶
組成物を調製し、実施例1と同様に物性測定した結果を
表5、6に示した。 液晶3B :n-C9H19-DOX-Ph-COO-Ph(3F)-COO-C*H(CF3)(C
H2)5CH3 略号 DOX、Ph、Ph(3F)、C*は上記液晶1A, 2Aと同様の意
味である。
【0029】
【表5】 相 系 列 成分 モル比 実施例6 I(64)SA(58)SCA*(<-5)Cr 1A/2A/3B=50/30/20 液晶 3B I(64)SA(62)SCA*(<25 ?)Cr 表中の (<25 ?)は、測定中結晶化が進行するために、結
晶への転移温度が不明瞭であったことを示す。その他、
相系列などの記載は、表1と同様である。
【0030】
【表6】 応答時間I は反強誘電状態から強誘電状態への応答時間
(単位;μ秒)。応答時間IIは強誘電状態から反強誘電
状態への応答時間(単位;μ秒)。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山本 裕規 茨城県つくば市和台22番地 三菱瓦斯化学 株式会社総合研究所内

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 下記一般式(1) で表される反強誘電性液
    晶と下記一般式(2)または下記一般式(3) で表される反
    強誘電性液晶の少なくとも1種とを混合してなる反強誘
    電性液晶組成物。 【化1】 (式(1) の Rは直鎖アルキル基、XはH又はF、mは5
    以上の整数、nは1以上の整数であり、式(2) のR'は直
    鎖アルキル基又は CH30(CH2)S - 基(sは4以上の整数)
    、YはH又はF、pは5以上の整数、qは1以上の整
    数であり、式(3) のR"は直鎖アルキル基、ZはH又は
    F、rは6以上の整数である。)
  2. 【請求項2】 該一般式(1) のRの炭素数が 8〜10であ
    る請求項1記載の反強誘電性液晶組成物。
  3. 【請求項3】 該一般式(1) のmが5〜8である請求項
    1記載の反強誘電性液晶組成物。
  4. 【請求項4】 該一般式(2) のR'が炭素数 6〜10の直鎖
    アルキル基である請求項1記載の反強誘電性液晶組成
    物。
  5. 【請求項5】 該一般式(2) のR'が CH30(CH2)S - 基
    で、sが 4〜8 である請求項1記載の反強誘電性液晶組
    成物。
  6. 【請求項6】 該一般式(2) のpが 5〜8 である請求項
    1記載の反強誘電性液晶組成物。
  7. 【請求項7】 該一般式(3) のR"が炭素数 8〜10の直鎖
    アルキル基である請求項1記載の反強誘電性液晶組成
    物。
  8. 【請求項8】 該一般式(3) のrが 6〜8 である請求項
    1記載の反強誘電性液晶組成物。
  9. 【請求項9】 該一般式(2) または(3) で示される反強
    誘電性液晶の混合量が反強誘電性液晶組成物の 1〜80モ
    ル%である請求項1記載の反強誘電性液晶組成物。
  10. 【請求項10】 該一般式(2) または(3) で示される反
    強誘電性液晶の混合量が反強誘電性液晶組成物の 1〜70
    モル%である請求項1記載の反強誘電性液晶組成物。
  11. 【請求項11】 該一般式(2) または(3) で示される反
    強誘電性液晶の混合量が反強誘電性液晶組成物の30〜70
    モル%である請求項1記載の反強誘電性液晶組成物。
  12. 【請求項12】 反強誘電性液晶組成物は、少なくとも
    スメクチックA相を有し、スメクチックA相あるいはカ
    イラルスメクチックC相から反強誘電相への転移温度が
    40℃以上である請求項1記載の反強誘電性液晶組成
    物。
  13. 【請求項13】 反強誘電性液晶組成物において、反強
    誘電相からより高次の相あるいは結晶相への転移温度が
    0℃以下である請求項1記載の反強誘電性液晶組成物。
  14. 【請求項14】 請求項1に記載の反強誘電性液晶組成
    物を、1対の電極基板間に配置してなることを特徴とす
    る反強誘電性液晶表示素子。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013179960A1 (ja) * 2012-05-28 2013-12-05 Jnc株式会社 光学的に等方性の液晶媒体及び光素子

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