JPH0821782B2 - 多層回路基板の形成方法 - Google Patents
多層回路基板の形成方法Info
- Publication number
- JPH0821782B2 JPH0821782B2 JP7431892A JP7431892A JPH0821782B2 JP H0821782 B2 JPH0821782 B2 JP H0821782B2 JP 7431892 A JP7431892 A JP 7431892A JP 7431892 A JP7431892 A JP 7431892A JP H0821782 B2 JPH0821782 B2 JP H0821782B2
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- Japan
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- layer
- mask
- substrate
- hole
- circuit board
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Description
【０００１】
【産業の利用分野】本発明は、基板上に多層の回路を形
成してなる多層回路基板の形成方法に関するものであ
る。
成してなる多層回路基板の形成方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来から、例えばセラミック製の基板上
に銅等の金属導体層とポリイミド等の絶縁層からなる回
路を多層に形成し、各層間の導通を導体を埋め込んだス
ルーホールによりとる構造の多層回路基板が知られてい
る。図３（ａ）〜（ｈ）は、従来の多層回路基板の製造
方法の一例を工程毎に示す図である。
に銅等の金属導体層とポリイミド等の絶縁層からなる回
路を多層に形成し、各層間の導通を導体を埋め込んだス
ルーホールによりとる構造の多層回路基板が知られてい
る。図３（ａ）〜（ｈ）は、従来の多層回路基板の製造
方法の一例を工程毎に示す図である。
【０００３】図３に従って従来の多層回路基板の製造方
法を説明すると、まず図３（ａ）に示すように、アルミ
ナ等のセラミック製の基板２１上に回路パターンに従っ
て銅等の金属導体層２２を形成する。次に、図３（ｂ）
に示すように、基板２１および金属導体層２２上の全体
にポリイミド等の絶縁層２３を形成する。その後、スル
ーホールを形成するため、図３（ｃ）に示すように絶縁
層２３上にスパッタ、蒸着等の方法でアルミニウム等の
金属からなるメタルマスク２４を設け、図３（ｄ）に示
すようにスルーホールを設けるべき位置に孔の開いたレ
ジスト層２５をレジストを印刷塗布後露光・現像するこ
とにより設け、図３（ｅ）に示すようにレジスト層２５
を利用してメタルマスク２４のスルーホールを設けるべ
き位置に孔を開けた後、図３（ｆ）に示すように反応性
イオンエッチングにより絶縁層２３のスルホールを設け
るべき位置に孔を開ける。
法を説明すると、まず図３（ａ）に示すように、アルミ
ナ等のセラミック製の基板２１上に回路パターンに従っ
て銅等の金属導体層２２を形成する。次に、図３（ｂ）
に示すように、基板２１および金属導体層２２上の全体
にポリイミド等の絶縁層２３を形成する。その後、スル
ーホールを形成するため、図３（ｃ）に示すように絶縁
層２３上にスパッタ、蒸着等の方法でアルミニウム等の
金属からなるメタルマスク２４を設け、図３（ｄ）に示
すようにスルーホールを設けるべき位置に孔の開いたレ
ジスト層２５をレジストを印刷塗布後露光・現像するこ
とにより設け、図３（ｅ）に示すようにレジスト層２５
を利用してメタルマスク２４のスルーホールを設けるべ
き位置に孔を開けた後、図３（ｆ）に示すように反応性
イオンエッチングにより絶縁層２３のスルホールを設け
るべき位置に孔を開ける。
【０００４】最後に、図３（ｇ）に示すように、レジス
ト層２５およびメタルマスク２４を除去して、絶縁層２
３内にスルーホールを形成している。第二層以後は、図
３（ｈ）に示すように、スルーホールを形成した絶縁層
２３上に次層の金属導体層２２を形成し、上述した工程
を層の数だけ繰り返すことにより、多層回路基板を得て
いた。
ト層２５およびメタルマスク２４を除去して、絶縁層２
３内にスルーホールを形成している。第二層以後は、図
３（ｈ）に示すように、スルーホールを形成した絶縁層
２３上に次層の金属導体層２２を形成し、上述した工程
を層の数だけ繰り返すことにより、多層回路基板を得て
いた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の多層回
路基板の製造方法では、十分な特性を有する多層回路基
板を得ることができるが、メタルマスク２４を得るため
のスパッタまたは蒸着の工程、およびレジスト層２５を
得るためのスクリーン印刷後露光・現像するフォトリソ
グラフィの工程、さらにはそれらを除去するためのエッ
チング等の化学的な工程を必要とするため、工程が長く
なり製造に時間がかかるとともに、高価な設備が必要と
なる問題があった。
路基板の製造方法では、十分な特性を有する多層回路基
板を得ることができるが、メタルマスク２４を得るため
のスパッタまたは蒸着の工程、およびレジスト層２５を
得るためのスクリーン印刷後露光・現像するフォトリソ
グラフィの工程、さらにはそれらを除去するためのエッ
チング等の化学的な工程を必要とするため、工程が長く
なり製造に時間がかかるとともに、高価な設備が必要と
なる問題があった。
【０００６】本発明の目的は上述した課題を解消して、
簡単の製造工程で安価に多層回路基板を得ることができ
る多層回路基板の製造方法を提供しようとするものであ
る。
簡単の製造工程で安価に多層回路基板を得ることができ
る多層回路基板の製造方法を提供しようとするものであ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の多層回路基板の
製造方法は、基板上に多層の回路を形成してなる多層回
路の形成方法において、紫外線により接着力が低くなる
ＵＶテープにスルーホール形成用の孔を開け、孔を開け
たＵＶテープの接着面と反対の面に金属層を設けてなる
マスクを作製し、第一層の回路をなす導体層と絶縁層を
形成した基板上に前記マスクを位置決めして接着固定
し、反応性イオンエッチングにより前記絶縁層に前記導
体層までスルーホールを形成し、マスクの金属層を除去
した後、紫外線をマスクに照射してマスクを基板から除
去し、次層の回路の形成を行うことを特徴とするもので
ある。
製造方法は、基板上に多層の回路を形成してなる多層回
路の形成方法において、紫外線により接着力が低くなる
ＵＶテープにスルーホール形成用の孔を開け、孔を開け
たＵＶテープの接着面と反対の面に金属層を設けてなる
マスクを作製し、第一層の回路をなす導体層と絶縁層を
形成した基板上に前記マスクを位置決めして接着固定
し、反応性イオンエッチングにより前記絶縁層に前記導
体層までスルーホールを形成し、マスクの金属層を除去
した後、紫外線をマスクに照射してマスクを基板から除
去し、次層の回路の形成を行うことを特徴とするもので
ある。
【０００８】
【作用】上述した構成において、紫外線の照射を受ける
だけで接着力が事実上なくなるＵＶテープを使用し、こ
のＵＶテープに、ＵＶテープを基板上に接着したときに
スルーホールがあるべき位置にパンチ等の方法で孔を開
け、メタルマスクを設けた可撓性のマスクを予め作製し
ておき、このマスクを基板上に接着して従来と同様にス
ルーホールを形成し、メタルマスクを除去した後に紫外
線を照射するだけで機械的にこのマスクを除去すること
ができるため、従来のフォトリソグラフィ工程や、レジ
スト膜とメタルマスクのエッチング等の化学的な除去工
程をなくすことができ、その結果多層回路基板の製造方
法において簡単な方法でコストダウンを達成することが
できる。
だけで接着力が事実上なくなるＵＶテープを使用し、こ
のＵＶテープに、ＵＶテープを基板上に接着したときに
スルーホールがあるべき位置にパンチ等の方法で孔を開
け、メタルマスクを設けた可撓性のマスクを予め作製し
ておき、このマスクを基板上に接着して従来と同様にス
ルーホールを形成し、メタルマスクを除去した後に紫外
線を照射するだけで機械的にこのマスクを除去すること
ができるため、従来のフォトリソグラフィ工程や、レジ
スト膜とメタルマスクのエッチング等の化学的な除去工
程をなくすことができ、その結果多層回路基板の製造方
法において簡単な方法でコストダウンを達成することが
できる。
【０００９】
【実施例】図１は本発明の多層回路基板の製造方法で使
用するＵＶテープの一例の構造を示す断面図である。本
発明で使用するＵＶテープは一般的にＵＶ硬化型ダイシ
ングテープと呼ばれているもので、図１に示すように、
１０〜１００μｍの厚さの透明な塩化ビニルまたはポリ
エステルからなる基材１上に、接着剤層２と接着剤層２
の保護のための保護フィルム３とを設けて構成されてい
る。この接着剤層２は紫外線を照射されることにより接
着性が極めて低くなるため、紫外線を照射することによ
り、ＵＶテープを接着した状態から容易に剥離すること
ができる。
用するＵＶテープの一例の構造を示す断面図である。本
発明で使用するＵＶテープは一般的にＵＶ硬化型ダイシ
ングテープと呼ばれているもので、図１に示すように、
１０〜１００μｍの厚さの透明な塩化ビニルまたはポリ
エステルからなる基材１上に、接着剤層２と接着剤層２
の保護のための保護フィルム３とを設けて構成されてい
る。この接着剤層２は紫外線を照射されることにより接
着性が極めて低くなるため、紫外線を照射することによ
り、ＵＶテープを接着した状態から容易に剥離すること
ができる。
【００１０】図２（ａ）〜（ｈ）は、本発明の多層配線
基板の製造方法の一例を工程毎に示す図である。図２に
従って本発明の多層配線基板の製造方法を説明すると、
まず図２（ａ）に示すように、図１に示す構造のＵＶテ
ープ１１の基板と接着した時にスルーホールを設けるべ
き位置に、パンチ、ドリル等の機械的な方法、またはレ
ーザ等の光学的方法により孔を開ける。次に、図２
（ｂ）に示すように、ＵＶテープ１１の保護フィルム３
のついていない面に、アルミニウム、ニッケル、チタ
ン、クロム、モリブデン等の金属層１２をメタルマスク
としてスパッタ法または蒸着法により設け、可撓性のマ
スク１３を得る。
基板の製造方法の一例を工程毎に示す図である。図２に
従って本発明の多層配線基板の製造方法を説明すると、
まず図２（ａ）に示すように、図１に示す構造のＵＶテ
ープ１１の基板と接着した時にスルーホールを設けるべ
き位置に、パンチ、ドリル等の機械的な方法、またはレ
ーザ等の光学的方法により孔を開ける。次に、図２
（ｂ）に示すように、ＵＶテープ１１の保護フィルム３
のついていない面に、アルミニウム、ニッケル、チタ
ン、クロム、モリブデン等の金属層１２をメタルマスク
としてスパッタ法または蒸着法により設け、可撓性のマ
スク１３を得る。
【００１１】次に、図２（ｃ）に示すように、従来と同
様の方法で銅等からなる金属導体層１４およびポリイミ
ド等からなる絶縁層１５を第一層として設けたアルミナ
等からなる基板１６上の所定の位置に、保護フィルム層
３を剥したマスク１３を接着する。その後、この状態
で、反応性イオンエッチングを行うことにより、図２
（ｄ）に示すように、絶縁層１５に金属導体層１４まで
スルーホール１７を形成する。最後に、図２（ｅ）に示
すようにメタルマスクとしての金属層１２をエッチング
等の方法で除去した後、図２（ｆ）に示すように透明な
基材１を介して紫外線を照射して接着剤層２の接着力を
低下させてＵＶテープ１１を剥すことにより、図２
（ｇ）に示すようなスルーホール１７を絶縁層１５に形
成した第一層の回路を得ることができる。第二層以後
は、図２（ｈ）に示すように、スルーホールを形成した
絶縁層１５上に次層の金属導体層１４を形成し、上述し
た工程を層の数だけ繰り返すことにより、多層回路基板
を得ることができる。
様の方法で銅等からなる金属導体層１４およびポリイミ
ド等からなる絶縁層１５を第一層として設けたアルミナ
等からなる基板１６上の所定の位置に、保護フィルム層
３を剥したマスク１３を接着する。その後、この状態
で、反応性イオンエッチングを行うことにより、図２
（ｄ）に示すように、絶縁層１５に金属導体層１４まで
スルーホール１７を形成する。最後に、図２（ｅ）に示
すようにメタルマスクとしての金属層１２をエッチング
等の方法で除去した後、図２（ｆ）に示すように透明な
基材１を介して紫外線を照射して接着剤層２の接着力を
低下させてＵＶテープ１１を剥すことにより、図２
（ｇ）に示すようなスルーホール１７を絶縁層１５に形
成した第一層の回路を得ることができる。第二層以後
は、図２（ｈ）に示すように、スルーホールを形成した
絶縁層１５上に次層の金属導体層１４を形成し、上述し
た工程を層の数だけ繰り返すことにより、多層回路基板
を得ることができる。
【００１２】本発明は上述した実施例にのみ限定される
ものではなく、幾多の変形、変更が可能である。例え
ば、上述した実施例では基板としてアルミナ等の単一の
基板を想定しているが、基板がえばセラミック多層配線
基板であっても、本願発明を好適に応用できることはい
うまでもない。
ものではなく、幾多の変形、変更が可能である。例え
ば、上述した実施例では基板としてアルミナ等の単一の
基板を想定しているが、基板がえばセラミック多層配線
基板であっても、本願発明を好適に応用できることはい
うまでもない。
【００１３】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、ＵＶテープにパンチ等の方法で孔を開けた後
金属層を被覆した可撓性のマスクをメタルマスクとして
使用し、スルーホールを形成し、その後紫外線を照射す
るだけでマスクを除去することができるため、従来のフ
ォトリソグラフィ工程や、レジスト膜とメタルマスクの
エッチング等の化学的な除去工程をなくすことができ、
その結果多層回路基板の製造方法において簡単な方法で
コストダウンを達成することができる。
によれば、ＵＶテープにパンチ等の方法で孔を開けた後
金属層を被覆した可撓性のマスクをメタルマスクとして
使用し、スルーホールを形成し、その後紫外線を照射す
るだけでマスクを除去することができるため、従来のフ
ォトリソグラフィ工程や、レジスト膜とメタルマスクの
エッチング等の化学的な除去工程をなくすことができ、
その結果多層回路基板の製造方法において簡単な方法で
コストダウンを達成することができる。
【図１】本発明の多層回路基板の製造方法で使用するＵ
Ｖテープの一例の構造を示す断面図である。
Ｖテープの一例の構造を示す断面図である。
【図２】本発明の多層回路基板の形成方法の一例を工程
毎に示す図である。
毎に示す図である。
【図３】従来の多層回路配線基板の形成方法の一例を工
程毎に示す図である。
程毎に示す図である。
１ 基材 ２ 接着剤層 ３ 保護フィルム １１ ＵＶテープ １２ 金属層 １３ マスク １４ 金属導体層 １５ 絶縁層 １６ 基板 １７ スルーホール
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に多層の回路を形成してなる多層
回路の形成方法において、紫外線により接着力が低くな
るＵＶテープにスルーホール形成用の孔を開け、孔を開
けたＵＶテープの接着面と反対の面に金属層を設けてな
るマスクを作製し、第一層の回路をなす導体層と絶縁層
を形成した基板上に前記マスクを位置決めして接着固定
し、反応性イオンエッチングにより前記絶縁層に前記導
体層までスルーホールを形成し、マスクの金属層を除去
した後、紫外線をマスクに照射してマスクを基板から除
去し、次層の回路の形成を行うことを特徴とする多層回
路基板の形成方法。 - 【請求項２】 前記ＵＶテープが、透明で可撓性を有す
る基板と、この基板上に設けた紫外線により接着力が低
くなる接着剤層と、この接着剤層上に設けた保護フィル
ムとからなる請求項１記載の多層回路基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7431892A JPH0821782B2 (ja) | 1992-03-30 | 1992-03-30 | 多層回路基板の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7431892A JPH0821782B2 (ja) | 1992-03-30 | 1992-03-30 | 多層回路基板の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05275856A JPH05275856A (ja) | 1993-10-22 |
| JPH0821782B2 true JPH0821782B2 (ja) | 1996-03-04 |
Family
ID=13543656
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7431892A Expired - Lifetime JPH0821782B2 (ja) | 1992-03-30 | 1992-03-30 | 多層回路基板の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0821782B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20080031522A (ko) | 2000-02-25 | 2008-04-08 | 이비덴 가부시키가이샤 | 다층프린트배선판 및 다층프린트배선판의 제조방법 |
| CN1901181B (zh) | 2000-09-25 | 2012-09-05 | 揖斐电株式会社 | 半导体元件及其制造方法、多层印刷布线板及其制造方法 |
| CN115132591B (zh) * | 2022-09-02 | 2022-11-29 | 盛合晶微半导体(江阴)有限公司 | 聚酰亚胺过孔及晶圆级半导体封装结构的制备方法 |
-
1992
- 1992-03-30 JP JP7431892A patent/JPH0821782B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05275856A (ja) | 1993-10-22 |
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