JPH08217738A - フタロニトリル化合物、ジイミノイソインドリン化合物、フタロシアニン近赤外吸収材料及びそれらの製造方法並びに光情報記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 フタロシアニン骨格のベンゼン環に−Ｏ（又
はＳ）−（ノル）ボルナン（又はノルボルネン）残基か
らなる置換基を導入してなるフタロシアニン近赤外吸収
材料、その中間体である同置換基を有するフタロニトリ
ル化合物とジイミノイソインドリン化合物及びそれらの
製造方法並びに該フタロシアニン化合物を記録層に含有
してなる光情報記録媒体。 【効果】 本発明のフタロシアニン近赤外吸収材料は、
良好な安定性を保持しながら、種々の有機溶媒に可溶な
ものとなり、しかも高い近赤外線吸収能を持っている。
その結果、溶剤塗工法による塗膜形成が可能となり、利
用形態が非常に拡大され、該材料を用いた光情報記録媒
体は、高密度記録が可能な６３０〜７２０ｎｍのレーザ
ーを用いたピックアップに適応でき、しかも７７０〜８
３０ｎｍに高い屈折率を有し、保存寿命が長く再生によ
る劣化の少ない追記型ＣＤ用、追記型ＣＤ−Ｒ用の媒体
を提供できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光記録材料、光電変換
材料、赤外線カットフィルター等に利用可能な新規なフ
タロシアニン近赤外吸収材料、その中間体である新規な
フタロニトリル化合物及びジイミノイソインドリン化合
物、それらの製造方法、並びに該フタロシアニン近赤外
吸収材料を含有する光情報記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】近赤外吸収材料は各種の用途に用いられ
ている。このような用途例としては、例えば次のような
ものが挙げられる。 赤外線感光性感光材料用セーフライトフィルター 植物の生育の制御を目的とした赤外カットフィルター 太陽光の熱線の遮断材料 人間の目の組織に有害な赤外線カットフィルター 半導体受光素子の赤外線カットフィルター等。 更に大きな用途として、光情報記録媒体における記録材
料としての用途を挙げることができる。

【０００３】これまで赤外線吸収性物質としては、シア
ニン色素、フェナンスレン系色素、ナフトキノン系色
素、ピリリウム系色素、スクアリリウム系色素等が知ら
れており、これらの色素を記録材料として用いた情報記
録媒体も知られている（例えば、特開昭５５−９７０３
３号、特開昭５８−８３３４４号、特開昭５８−２２４
７９３号、特開昭５８−２１４１６２号、特開昭５９−
２４６９２号各公報等）。

【０００４】ただ、上記のような色素は、記録材料とし
た場合、種々の問題点をかかえている。例えば、フェナ
ンスレン系色素、ナフトキノン系色素及びスクアリリウ
ム系色素は、蒸着しやすいという利点を有する反面、反
射率が低いという問題点を有している。反射率が低い
と、レーザー光により記録された部分と未記録部分との
反射率に関するコントラストが低くなり、記録された情
報の再生が困難になる。また、ピリリウム系色素やシア
ニン色素は、塗布によるコーティングができるなどの利
点を有する反面、耐光性に劣り、再生光（自然光）によ
り劣化しやすいという問題がある。

【０００５】上記のような色素に対し、フタロシアニン
系色素は、熱、光に対する安定性が極めて高く、有機色
素薄膜を記録層とする記録媒体において、該有機色素薄
膜にフタロシアニン化合物を使用したものが知られてい
る（特開昭５８−１８３２９６号、同５８−３７８５１
号公報等）。フタロシアニン化合物は熱、光に対する安
定性が極めて高いという特長がある一方、有機溶剤等へ
の溶解性に乏しく、従来は蒸着法でしか薄膜化はできず
生産性に難点があり、また会合しやすく、高い屈折率、
高い反射率が得られないという問題があった。

【０００６】一方、最近では、高記録密度化を図るべく
従来の光ディスクで使用されてきた波長域より短波長に
発振波長（〜６８０ｎｍ）を有する半導体レーザーが実
用化されはじめている。ところが、従来の有機色素薄膜
では７００ｎｍ以下の波長域に光吸収能及び光反射能を
有するものはなく、材料面で高密度記録性に限界があっ
た。

【０００７】更に、基板上に、有機色素薄膜、金属反射
層及び保護層を順次積層してなる追記コンパクトディス
ク型（ＣＤ−Ｒ）記録媒体においては、そのＣＤ規格を
満足するには高い反射率を必要とし、そのため再生波長
域（７００〜８３０ｎｍ）に高い屈折率を有し且つ安定
性の高い有機色素材料の開発が必要であった。

【０００８】最近、フタロシアニン化合物の会合を阻止
し高屈折率化を達成するために、フタロシアニンのα位
にかさ高いアルコキシ基を導入することが試みられ、更
にハロゲン化フタロシアニンとすることで波長整合を計
ったＣＤ−Ｒ型記録媒体が提案されている（特開平３−
６２８７８号、同３−２１５４６６号、同４−３４８１
６８号、同４−２２６３９０号、同４−１５２６３〜６
号、同５−１７４７７号、同５−８６３０１号、同５−
２５１７７号、同５−２５１７９号、同５−１７７００
号、同５−１２７２号各公報等）。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところが、これらのフ
タロシアニン化合物は確かに屈折率等の向上をもたらす
が、未だ充分満足されるものではなく、更なる向上が望
まれている。

【００１０】従って、本発明の第１の目的は、フタロシ
アニン化合物が本来もっている安定性を損なうことな
く、溶解性を高め、生産性が高く、しかも近赤外線に高
い吸収をもつ、新規なフタロシアニン近赤外線吸収剤と
その中間体及びそれらの製造方法を提供することにあ
る。また、本発明の第２の目的は、フタロシアニン化合
物の持つ特長を生かしつつ、有機溶剤への溶解性が高
く、生産性が高く、溶剤塗工可能なフタロシアニン化合
物を記録材料とする記録媒体を提供することにある。更
に、本発明の第３の目的は、高密度記録可能な６３０〜
７２０ｎｍの半導体レーザーを用いた光ピックアップに
適用できる記録媒体を提供することにある。更に、本発
明の第４の目的は、７７０〜８３０ｎｍの波長域におい
て高屈折率を有し、保存安定性及び再生安定性に優れた
高反射率のＣＤ−Ｒメディアの達成を可能とする記録媒
体を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】フタロシアニン化合物は
大環状の平面化合物であり、極めて会合性が高く、その
ため薄膜化すると吸収スペクトルがブロードになり、且
つ反射率（屈折率）も低くなる性質を有している。そこ
で、本発明は、フタロシアニン環への置換基として、立
体的にかさ高い構造の置換基を導入し、会合を阻止し、
高い吸収能及び高い反射率（屈折率）化を実現させ、且
つ有機溶剤に対する溶解性をも向上させたものである。

【００１２】即ち、本発明によれば、下記一般式（Ｉ）
で示されるフタロニトリル化合物が提供される。

【化１】 （式中、Ｘ¹、Ｒ¹及びyはそれぞれ以下のものを表わ
す。 Ｘ¹：酸素又は硫黄原子、 Ｒ¹：置換されていてもよい又はメチレン基を介してＸ¹
と結合してもよいボルナン残基、ノルボルナン残基及び
ノルボルネン残基から選ばれた１種の残基、 y:１又は２。）

【００１３】また、本発明によれば、下記の一般式（I
I）で示されるジイミノイソインドリン化合物が提供さ
れる。

【化２】 （式中、Ｘ¹、Ｒ¹及びyはそれぞれ以下のものを表わ
す。 Ｘ¹：酸素又は硫黄原子、 Ｒ¹：置換されていてもよい又はメチレン基を介してＸ¹
と結合してもよいボルナン残基、ノルボルナン残基及び
ノルボルネン残基から選ばれた１種の残基、 y:１又は２。）

【００１４】更に、本発明によれば、下記の一般式（II
I）で示されるフタロシアニン近赤外吸収材料が提供さ
れる。

【化３】 〔式中、Ｍ、Ｘ¹〜Ｘ⁴、Ｒ¹〜Ｒ⁴及びｋ〜ｎは、それぞ
れ以下のものを表わす。 Ｍ：２個の水素原子、ハロゲン原子若しくは酸素原子を
有してもよい２価、３価若しくは４価の金属原子、 Ｘ¹〜Ｘ⁴：それぞれ独立に酸素原子又は硫黄原子、 Ｒ¹〜Ｒ⁴：それぞれ独立に置換されていてもよい又はメ
チレン基を介してＸ¹と結合してもよいボルナン残基、
ノルボルナン残基及びノルボルネン残基から選ばれた１
種の残基、 ｋ、ｌ、ｍ、ｎ：それぞれ独立に０〜４の整数、但し全
部が同時に０になることはなく、ｋ、ｌ、ｍ、ｎが３以
下の場合ベンゼン環の他の置換基は水素原子又はハロゲ
ン原子である。〕

【００１５】また、本発明によれば、３−又は４−ニト
ロフタロニトリルを、有機溶媒中で水素化ナトリウムの
存在下、前記ボルナン残基、ノルボルナン残基及びノル
ボルネン残基から選ばれた１種の残基を有するアルコー
ル誘導体又は同メルカプタン誘導体と反応させることを
特徴とする前記一般式（Ｉ）で示されるフタロニトリル
化合物の製造方法が提供され、更に３−若しくは４−ヒ
ドロキシフタロニトリル又は２，３−ジシアノハイドロ
キノンを、有機溶媒中でアルカリの存在下、前記ボルナ
ン残基、ノルボルナン残基及びノルボルネン残基から選
ばれた１種の残基を有するハライドと反応させることを
特徴とする前記一般式（Ｉ）で示されるオキシ基含有フ
タロニトリル化合物の製造方法が提供される。

【００１６】また、本発明によれば、前記一般式（Ｉ）
で示される少なくとも一種のフタロニトリル化合物又は
前記一般式（II）で示される少なくとも一種のジイミノ
イソインドリン化合物と、金属又は金属誘導体とを、有
機溶媒中で反応させることを特徴とする前記一般式（II
I）で示される金属フタロシアニン化合物の製造方法が
提供され、また、前記一般式（Ｉ）で示される少なくと
も一種のフタロニトリル化合物又は前記一般式（II）で
示される少なくとも一種のジイミノイソインドリン化合
物に、有機溶媒中でリチウム又はナトリウムを作用させ
ることを特徴とする前記一般式（III）においてＭが２
個の水素原子であるフタロシアニン化合物の製造方法が
提供される。

【００１７】更に、本発明によれば、基板上に直接又は
下引き層を介して記録層を設け、更に必要に応じて、そ
の上に保護層を設けてなる光情報記録媒体において、前
記記録層中に前記一般式（III）で示されるフタロシア
ニン化合物を含有してなることを特徴とする光情報記録
媒体が提供される。

【００１８】また、本発明によれば、前記記録層と保護
層との間に金属反射層を設けてなり、ＣＤフォーマット
信号の記録を行なう追記コンパクトディスク型の記録媒
体であることを特徴とする前記光情報記録媒体が提供さ
れ、更に前記一般式（III）において、ｋ＝ｌ＝ｍ＝ｎ
＝１又は２であり、置換位置が式中１又は／及び４であ
り、その他の置換基は水素原子又はハロゲン原子である
前記光情報記録媒体が提供される。

【００１９】以下、本発明を詳しく説明する。本発明の
新規なフタロニトリル化合物は、本発明のフロシアニン
近赤外吸収材料の中間体として有用なものであり、下記
の一般式（Ｉ）で示される。

【化１】 （式中、Ｘ¹、Ｒ¹及びyはそれぞれ以下のものを表わ
す。 Ｘ¹：酸素又は硫黄原子、 Ｒ¹：置換されていてもよい又はメチレン基を介してＸ¹
と結合してもよいボルナン残基、ノルボルナン残基及び
ノルボルネン残基から選ばれた１種の残基、 y:１又は２。）

【００２０】なお、上記定義中、Ｒ¹の具体例として
は、表１に示す残基が挙げられる。

【００２１】

【表１−（１）】

【００２２】

【表１−（２）】

【００２３】本発明の前記一般式（Ｉ）で示されるフタ
ロニトリル化合物は、３−若しくは４−ニトロフタロニ
トリル又は３，４−ジニトロフタロニトリルを、有機溶
媒中で水素化ナトリウムの存在下、前記ボルナン残基、
ノルボルナン残基及びノルボルネン残基から選ばれた１
種の残基を有するアルコール誘導体又は同メルカプタン
誘導体と反応させることにより、下記反応式（Ｉ）、
（II）に従って製造することができる。

【化４】

【００２４】ここで用いる前記残基を有するアルコール
誘導体及び同メルカプタン誘導体としては、前記表１で
示される残基を有するアルコール及びメルカプタン誘導
体が挙げられる。また、用いる有機溶媒としては、Ｎ，
Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトア
ミド、１−メチル−２−ピロリドン、ジメチルスルホキ
シドなどが挙げられるが、特にＮ，Ｎ−ジメチルホルム
アミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドが好ましい。上
記アルコール誘導体及びメルカプタン誘導体の使用量
は、上記ニトロフタロニトリルに対し、０．５〜２倍モ
ル、好ましくは０．８〜１．２倍モルである。また、こ
のときの反応温度は−２０〜１２０℃、好ましくは−１
０〜６０℃である。

【００２５】また、前記一般式（Ｉ）で示されるオキシ
基含有フタロニトリルは、３−若しくは４−ヒドロキシ
フタロニトリル又は２，３−ジシアノハイドロキノン
を、有機溶媒中でアルカリの存在下、前記ボルナン残
基、ノルボルナン残基及びノルボルネン残基から選ばれ
た１種の残基を有するハライドと反応させることによ
り、下記反応式(III)、(IV)に従って製造することがで
きる。即ち、３−若しくは４−ヒドロキシフタロニトリ
ル又は２，３−ジハイドロキノンと炭酸カリウム、水酸
化ナトリウム等のアルカリとを有機溶媒中で溶解し、こ
れに上記ハライドを作用させることによって、目的とす
るオキシ基含有フタロニトリルが得られる。

【化５】

【００２６】本反応で用いる前記残基を有するハライド
としては、例えば前記表１で示される残基を有するハラ
イドが挙げられる。また、本反応に使用する有機溶媒と
しては、前述のニトロフタロニトリルからの一般式
（Ｉ）で示されるフタロニトリル化合物の製造方法で用
いた溶媒と同様なものが用いられる。

【００２７】本発明の新規なジイミノイソインドリン化
合物は、本発明のフタロシアニン近赤外吸収材料の中間
体として有用なものであり、下記の一般式(II)で示され
る。

【化２】 （式中、Ｘ¹、Ｒ¹及びyはそれぞれ以下のものを表わ
す。 Ｘ¹：酸素又は硫黄原子、 Ｒ¹：置換されていてもよい又はメチレン基を介してＸ¹
と結合してもよいボルナン残基、ノルボルナン残基及び
ノルボルネン残基から選ばれた１種の残基、 y：１又は２。） なお、上式のＲ¹の残基の具体例としては、前記一般式
（Ｉ）の場合と同一のものが挙げられる。

【００２８】本発明の前記一般式（II）で示されるジイ
ミノイソインドリン化合物は、前記一般式（Ｉ）で示さ
れる少なくとも一種のフタロニトリル化合物を、アルコ
ール溶媒中、ナトリウム（金属ナトリウム又はナトリウ
ムアルコキシド）の存在下に、アンモニアガスと反応さ
せることによって、下記の反応式（V）に従って得られ
る。

【化６】 なお、この場合の代表的なアルコールとしては、メタノ
ールが一般的である。

【００２９】本発明の新規なフタロシアニン近赤外吸収
材料は、下記一般式（III）で示されるものである。

【化３】 〔式中、Ｍ、Ｘ¹〜Ｘ⁴、Ｒ¹〜Ｒ⁴及びｋ〜ｎは、それぞ
れ以下のものを表わす。 Ｍ：２個の水素原子、ハロゲン原子若しくは酸素原子を
有してもよい２価、３価若しくは４価の金属原子、 Ｘ¹〜Ｘ⁴：それぞれ独立に酸素原子又は硫黄原子、 Ｒ¹〜Ｒ⁴：それぞれ独立に置換されていてもよい又はメ
チレン基を介してＸ¹と結合してもよいボルナン残基、
ノルボルナン残基及びノルボルネン残基から選ばれた１
種の残基、 ｋ、ｌ、ｍ、ｎ：それぞれ独立に０〜４の整数、但し全
部が同時に０になることはなく、ｋ、ｌ、ｍ、ｎが３以
下の場合ベンゼン環の他の置換基は水素原子又はハロゲ
ン原子である。〕

【００３０】上記一般式（III）において、Ｍで表わさ
れる金属原子としては、Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｃｄ，Ｔ
ｉ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇｅ，
Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｐｔ，Ｐｂ等が
挙げられる。

【００３１】この一般式（III）で示されるフタロシア
ニン近赤外吸収材料は、フタロシアニン化合物が本来も
っている安定性を損なうことなしに、有機溶剤への高い
溶解性を有し、もちろん近赤外線に対し高い吸収力を有
する。即ち、溶解性が向上したため、溶剤塗工法により
薄膜化が可能で、生産性に優れ、安定性の良いしかも吸
収能の高い膜が得られ、各種電子材料への応用が可能と
なる。

【００３２】本発明の前記一般式（III）で示されるフ
タロシアニン近赤外吸収材料は、前記一般式（Ｉ）で示
される少なくとも１種のフタロニトリル化合物又は前記
一般式（II）で示される少なくとも１種のジイミノイソ
インドリン化合物と、金属又は金属誘導体を反応させる
ことによって製造することができる。

【００３３】この場合のフタロシアニン環合成は、有機
溶媒中で実施するのが好ましい。即ち、原料のフタロニ
トリル又はジイミノイソインドリン化合物の少なくとも
１種（１〜４種）を、金属又は金属誘導体と溶媒中、９
０℃〜２４０℃で加熱反応させる。ここで反応温度が９
０℃より低いと、反応進行が遅い又は進行しない等の不
具合が生じるし、２４０℃を越えると、分解物が多く生
成し、収率が落ちるという不具合が生じる。溶媒の使用
量としては、フタロニトリル又はジイミノイソインドリ
ン化合物の１〜１００重量倍、好ましくは３〜２５重量
倍であり、溶媒としては、沸点が９０℃以上あれば良
い。使用する溶媒としては、アルコールが好ましく、そ
の具体例としては、ｎ−ブチルアルコール、ｎ−アミル
アルコール、ｎ−ヘキサノール、シクロヘキサノール、
２−メチル−１−ペンタノール、１−ヘプタノール、２
−ヘプタノール、１−オクタノール、２−エチルヘキサ
ノール、ベンジルアルコール、エチレングリコール、プ
ロピレングリコール、エトキシエタノール、プロポキシ
エタノール、ブトキンエタノール等が挙げられる。ま
た、反応に用いる金属又は金属誘導体としては、Ａｌ，
Ｓｉ，Ｃａ，Ｃｄ，Ｔｉ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎ
ｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇｅ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｉ
ｎ，Ｓｎ，Ｐｔ，Ｐｂ及びそれらのハロゲン化物、カル
ボン酸誘導体、硫酸塩、硝酸塩、カルボニル化合物、酸
化物、錯体等が挙げられる。

【００３４】金属又は金属誘導体とフタロニトリル又は
ジイミノイソインドリン化合物の使用量は、モル比で
１：３〜６モルが好ましい。なお、環形成反応の触媒と
して、有機塩基、例えば、ジアザビシクロウンデセン、
ジアザビシクロノネンなどの強塩基の補助剤を添加して
も良く、その添加量は、フタロニトリル又はジイミノイ
ソインドリン化合物１モルに対して０．１〜１０モル、
好ましくは０．５〜２モルである。

【００３５】更に、前記一般式（III）において、Ｍが
２個の水素原子である、いわゆるメタルフリーフタロシ
アニンの場合には、前記一般式（Ｉ）で示される少なく
とも一種のフタロニトリル化合物又は前記一般式（II）
で示される少なくとも一種のジイミノイソインドリン化
合物に、リチウム又はナトリウムを作用させることによ
って製造することができる。

【００３６】この反応の場合も、有機溶媒（特にアルコ
ール系）中で実施するのが好ましい。即ち、フタロニト
リル又はジイミノイソインドリン化合物と、Ｎａ，Ｌ
ｉ，ＣＨ₃ＯＮａ，ＮａＨ又はブチルリチウム等の存在
下、アルコール中で７０〜１５０℃で反応させる。ここ
で金属Ｌｉ又はＮａの添加量は、フタロニトリル又はジ
イミノイソインドリン化合物に対し、０．５〜４倍モル
がよい。使用するアルコールの具体例やアルコール量な
どは、前述の金属フタロシアニン製造の際と全く同様で
あるが、反応温度は１５０℃以下である。１５０℃を越
えると分解物の生成が多くなる。

【００３７】本発明の光情報記録媒体は、基板上に直接
又は下引き層を介して記録層を設け、更に必要に応じ
て、その上に保護層を設けてなる光情報記録媒体におい
て、前記記録層中に前記一般式（III）で示されるフタ
ロシアニン化合物を含有してなることを特徴とし、好ま
しい態様においては、前記記録層と保護層との間に金属
反射層を設けてなり、ＣＤフォーマット信号の記録を行
なう追記コンパクトディスク型の記録媒体であることを
特徴とする。

【００３８】本発明で使用するフタロシアニン化合物
は、フタロシアニン骨格のベンゼン環に立体的にかさ高
い置換基として、前記（Ｘ¹Ｒ¹)yで表わされる置換基を
導入することにより、会合を阻止し、高吸収能及び高反
射率（屈折率）化を実現させ、且つ有機溶剤に対する溶
解性を向上させたものである。従って、波長７７０〜８
３０ｎｍに高い屈折率を示し且つ高い安定性を有するた
め、本フタロシアニンを使用したＣＤ−Ｒ記録媒体は、
高反射率で保存安定性及び再生安定性に優れたものとな
る。また、波長６３０〜７２０ｎｍに高い吸収能、光反
射性を有し、６３０〜７２０ｎｍの半導体レーザーを用
いたピックアップに適用できるため、現状の７７０〜８
３０ｎｍ対応の記録媒体に比べ、１．５〜１．８倍の高
密度化が可能になる。

【００３９】なお、本発明において使用する前記一般式
（III）で示されるフタロシアニン化合物の中でも、特
にｋ＝ｌ＝ｍ＝ｎ＝１又は２であり、且つ置換位置が式
中１又は／及び４である置換体であって、しかもその他
の置換基が水素原子又はハロゲン原子（置くに臭素原
子）であるものが、吸収波長の制御が容易であり、且つ
会合を阻止し、膜の屈折率を高め、反射率を向上できる
という点から特に好ましい。

【００４０】まず、記録媒体の構成について述べる。図
１は、本発明の記録媒体に適用し得る層構成例を示す図
で、基板１の上に、必要に応じて下引き層３を介して、
記録層２を設け、更に必要に応じ保護層４が設けられ
る。図２は、本発明の記録媒体に適用し得る別のタイプ
の層構成例を示す図で、図１の構成の記録層２の上に金
属反射層５が設けられている。

【００４１】本発明の記録媒体は、図１及び図２に示し
た構成の記録層（有機薄膜層）を内側にして、他の基板
と空間を介して密封したエアーサンドイッチ構造にして
もよく、また保護層を介して接着した貼合せ構造にして
もよい。

【００４２】次に、構成各層の必要特性及びその構成材
料について述べる。 １）基板 基板の必要特性としては、基板側より記録再生を行なう
場合には使用レーザー光に対して透明でなければならな
いが、記録層側から記録再生を行なう場合は透明である
必要はない。基板材料としては、例えばポリエステル、
アクリル樹脂、ポリアミド、ポリカーボネート樹脂、ポ
リオレフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポ
リイミドなどのプラスチック、ガラス、セラミックある
いは金属などを用いることができる。なお、基板の表面
にトラッキング用の案内溝や案内ピット、更にアドレス
信号などのプレフォーマットが形成されていてもよい。

【００４３】２）記録層 記録層はレーザー光の照射により何らかの光学的変化を
生じさせその変化により情報を記録できるものであっ
て、この記録層中には前記一般式（Ｉ）のフタロシアニ
ン化合物が含有されている必要がある。記録層の形成に
当っては、本発明の化合物を１種又は２種以上組み合わ
せて用いてもよい。更に、本発明の化合物は他の染料、
例えばポリメチン色素、ナフタロシアニン系、スクアリ
リウム系、クロコニウム系、ピリリウム系、ナフトキノ
ン系、アントラキノン（インダンスレン）系、キサンテ
ン系、トリフェニルメタン系、アズレン系、テトラヒド
ロコリン系、フェナンスレン系、トリフェノチアジン系
染料、あるいは金属錯体化合物などと組み合わせて用い
てもよい。この場合、上記の染料は単独で用いでもよい
し、２種以上の組み合わせにしてもよい。

【００４４】また、本発明の化合物は金属、金属化合
物、例えばＩｎ、Ａｌ、Ｔｅ、Ｂｉ、Ａｌ、Ｂｅ、Ｔｅ
Ｏ₂、ＳｎＯ、Ａｓ、Ｃｄなどを分散混合あるいは積層
の形態で用いることもできる。更に、本発明の化合物中
に高分子材料、例えばアイオノマー樹脂、ポリアミド系
樹脂、ビニル系樹脂、天然高分子、シリコーン、液状ゴ
ムなどの種々の材料若しくはシランカップリング剤など
を分散混合して用いてもよく、あるいは特性改良の目的
で安定剤（例えば、遷移金属錯体）、分散剤、難燃剤、
滑剤、帯電防止剤、界面活性剤、可塑剤などと一緒に用
いることができる。

【００４５】記録層の形成は蒸着、スパッタリング、Ｃ
ＶＤ又は溶剤塗布などの通常の手段によって行なうこと
ができる。塗布法を用いる場合には、上記化合物などを
有機溶剤に溶解して、スプレー、ローラー塗布、ディッ
ピング又はスピナー塗布などの慣用の塗布方法で行な
う。有機溶剤としては、一般にメタノール、エタノー
ル、イソプロパノールなどアルコール類、アセトン、メ
チルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン類、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホル
ムアミドなどのアミド類、ジメチルスルホキシドなどの
スルホキシド類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジ
エチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテ
ルなどのエーテル類、酢酸メチル、酢酸エチルなどのエ
ステル類、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタ
ン、四塩化炭素、トリクロロエタンなどの脂肪族ハロゲ
ン化炭素類、ベンゼン、キシレン、モノクロロベンゼ
ン、ジクロロベンゼンなどの芳香族類、あるいはメチル
セルソルブ、エチルセルソルブなどのセルソルブ類、ヘ
キサン、ペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキ
サンなどの炭化水素類などを用いることができる。記録
層の膜厚は、図１のような媒体構成の場合は、１００Å
〜１０μｍ、好ましくは２００Å〜１０００Åが適当で
あり、図２のような媒体構成の場合は、３００Å〜５μ
ｍ、好ましくは５００Å〜２０００Åが適当である。

【００４６】３）下引き層 下引き層は、（ａ）接着性の向上、（ｂ）水又はガスな
どに対するバリヤー、（ｃ）記録層の保存安定性の向
上、（ｄ）反射率の向上、（ｅ）溶剤からの基板の保
護、（ｆ）案内溝、案内ピット、プレフォーマットの形
成などを目的として使用される。（ａ）の目的に対して
は高分子、例えばアイオノマー樹脂、ポリアミド、ビニ
ル系樹脂、天然樹脂、天然高分子、シリコーン、液状ゴ
ムなどの種々の高分子物質及びシランカップリング剤な
どを用いることができ、（ｂ）及び（ｃ）の目的に対し
ては、上記高分子材料以外に無機化合物、例えばＳｉＯ
₂、ＭｇＦ₂、ＳｉＯ、ＴｉＯ₂、ＺｎＯ、ＴｉＮ、Ｓｉ
Ｎ、及びＺｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ａｕ、
Ａｇ、Ａｌなどの金属又は半金属などを用いることがで
きる。また、（ｂ）の目的に対しては、金属、例えばＡ
ｌ、Ａｇなどや、金属光沢を有する有機薄膜、例えばメ
チン染料、キサンテン系染料などを用いることができ、
（ｅ）及び（ｆ）の目的に対しては、紫外線硬化樹脂、
熱硬化樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができる。
下引き層の膜厚は０．０１〜３０μｍ、好ましくは０．
０５〜１０μｍが適当である。

【００４７】４）金属反射層 金属反射層は単体で高反射率の得られる腐食されにくい
金属、半金属などが使用できる。具体的材料としては、
Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｉなどが挙げられ、
好ましくはＡｕ、Ａｌがよい。これらの金属、半金属は
単独で使用してもよく、２種以上の合金としてもよい。
膜形成法としては蒸着、スパッタリングなどが挙げら
れ、膜厚としては５０〜３０００Å、好ましくは１００
〜１０００Åである。

【００４８】５）保護層、基板表面ハードコート層 保護層又は基板表面ハードコート層は、（ａ）記録層を
傷、埃、汚れなどから保護する、（ｂ）記録層の保存安
定性の向上、（ｃ）反射率の向上などを目的として使用
される。これらの目的に対しては、前記の下引き層に示
した材料を用いることができる。また無機材料としてＳ
ｉＯ、ＳｉＯ₂なども用いることもでき、有機材料とし
てアクリル樹脂、ポリカーボネート、エポキシ樹脂、ポ
リスチレン、ポリエステル樹脂、ビニル樹脂、セルロー
ス、脂肪族炭化水素樹脂、芳香族炭化水素樹脂、天然ゴ
ム、スチレン−ブタジエン樹脂、クロロプレンゴム、ワ
ックス、アルキッド樹脂、乾性油、ロジンなどの熱軟化
性、熱溶融性樹脂も用いることができる。上記材料のう
ち保護層又は基板表面ハードコート層に最も好ましいも
のは、生産性に優れた紫外線硬化樹脂である。保護層又
は基板表面ハードコート層の膜厚は０．０１〜３０μ
ｍ、好ましくは０．０５〜１０μｍが適当である。本発
明において、前記の下引き層及び保護層には記録層の場
合と同様に、安定剤、分散剤、難燃剤、滑剤、帯電防止
剤、界面活性剤、可塑剤などを含有させることができ
る。

【００４９】本発明においては、前記一般式（III）で
示されるフタロシアニン化合物が記録層に含有される
が、この一般式（III）で示される化合物の具体例とし
ては、例えば表２に示すものが挙げられる。

【００５０】

【表２−（１）】

【００５１】

【表２−（２）】

【００５２】

【表２−（３）】

【００５３】

【実施例】以下実施例について本発明を説明するが、本
発明これらに限定されるものではない。

【００５４】実施例１ （フタロニトリルの合成） （Ｉ）ボルネオール１５ｇ（９７．２ｍｍｏｌ）を８０
ｍｌのＤｒｙ ＤＭＦにアルゴン雰囲気下溶解し、氷浴
にて約５℃に保つ。次いで、水素化ナトリウム（６０
％）３．８９ｇ（９７．２ｍｍｏｌ）を加える。ここで
３−ニトロフタロニトリル１６．８２ｇ（９７．２ｍｍ
ｏｌ）をＤＭＦに溶解した液を徐々に滴下し、滴下終了
後、氷浴をはずし、室温にて３６時間攪拌する。反応物
を希塩酸４００ｍｌにあけ、トルエン約１リットルにて
抽出し、トルエン層を充分に水洗いして、硫酸マグネシ
ウムを適量加えて、攪拌、放置、濾過し、濾液のトルエ
ンを留去し、これをトルエンシリカゲルカウムにて精製
し、更に得られた結晶をメタノール、次いでヘキサンで
洗浄し、乾燥することにより、下記式（ａ）で示される
化合物（白色結晶）を２３．４８ｇ（収率８６．２％）
得た。

【化７】 得られた化合物の元素分析値は次の通りであり、そのＩ
Ｒスペクトルを図３に示す。 Ｃ（％） Ｈ（％） Ｎ（％） Ｏ（％） 理論値 ７７．１４ ７．１４ １０．０％ ５．７１ 実測値 ７７．３８ ７．０１ １０．２１ ５．４０

【００５５】実施例２ （フタロニトリルの合成）１，３，３−トリメチルノル
ボルナン−２−オル ２５ｇ（１６２．０７ｍｍｏｌ）
を１２０ｍｌのＤｒｙ ＤＭＦにアルゴン雰囲気下溶解
し、氷浴にて約５℃に保つ。次いで、水素化ナトリウム
（６０％）６．４８ｇ（１６２．０７ｍｍｏｌ）を加え
る。ここで３−ニトロフタロニトリル２８．０４ｇ（１
６２．０７ｍｍｏｌ）をＤＭＦに溶解した液を、徐々に
滴下し、滴下終了後氷浴をはずして室温にて４３時間攪
拌する。反応物を希塩酸４００ｍｌにあけ、後は実施例
１と全く同様にして下記式（ｂ）で示される化合物（白
色結晶）を３７．１８ｇ（収率８１．９％）得た。

【化８】 得られた化合物の元素分析値は次の通りであり、そのＩ
Ｒスペクトルを図４に示す。 Ｃ（％） Ｈ（％） Ｎ（％） Ｏ（％） 理論値 ７７．１４ ７．１４ １０．０％ ５．７１ 実測値 ７７．４１ ７．００ １０．０１ ５．４９

【００５６】実施例３ （フタロニトリルの合成）２，３−ジシアノヒドロキノ
ン１５ｇ（９３．７５ｍｍｏｌ）と炭酸カリウム１２．
９５ｇ（９３．７５ｍｍｏｌ）をＮ，Ｎジメチルアセト
アミドに加熱溶解し、アルゴン雰囲気下、α−３−ブロ
モカンファー４３．４ｇ（９３．７５×２ｍｍｏｌ）を
４０℃で加え、温度を７０〜８０℃とし、３０時間攪拌
した。反応物が室温になるまで冷却した後、０．７Ｎ塩
酸５００ｍｌにあけ、クロロホルム１．３リットルで抽
出し、クロロホルム層を充分水洗いした後、硫酸マグネ
シウムで水分を除いた後、クロロホルム／シリカゲルカ
ラムにて精製し、下記式（ｃ）で示される化合物（白色
結晶）を３１．４８ｇ（収率５７．７％）得た。

【化９】 得られた化合物の元素分析値は次の通りであった。 Ｃ（％） Ｈ（％） Ｎ（％） Ｏ（％） 理論値 ７３．０４ ６．９６ ６．０８ １３．９２ 実測値 ７３．１４ ６．７９ ６．００ １４．０７

【００５７】実施例４ （ジイミノイソインドリンの合成）実施例１で得た前記
式（ａ）で示される化合物１０ｇ（３５．７ｍｍｏｌ）
とナトリウムメトキシド３．８６ｇ（３５．７×２ｍｍ
ｏｌ）をＤｒｙ メタノールに加え、アンモニアガスを
バブルしながら室温で１時間攪拌し、その後加熱還流し
ながらアンモニアガスを吹き込み、反応物を室温まで冷
却の後、メタノールを留去し、析出物を充分水洗いする
ことにより、下記式（ｄ）で示される化合物を１０．１
ｇ（収率９５．５％）得た。

【化１０】 得られた化合物の元素分析値は次の通りであった。 Ｃ（％） Ｈ（％） Ｎ（％） Ｏ（％） 理論値 ７２．９７ ７．４３ １４．１９ ５．４１ 実測値 ７２．５９ ７．０８ １４．６８ ５．６５

【００５８】実施例５ （フタロニトリルの合成）４−ヒドロキシフタロニトリ
ル２０ｇと炭酸カリウム１０．５５ｇをＤＭＦ１８０ｍ
ｌに加熱溶解し、アルゴン雰囲気下、α−３−ブロモカ
ンファー３２．１ｇを３５℃にて添加し、反応温度を６
５〜８０℃に保ち、３８時間攪拌した。反応物を冷却
し、希塩酸４００ｍｌにあけ、トルエン１．５リットル
で抽出、トルエン層を水洗いした後、硫酸マグネシウム
にて余分な水分を除き、トルエンを留去し、トルエン／
シリカゲルカラムにて精製し、下記式（ｅ）で示される
化合物（白色結晶）を２９．８ｇ（収率５０．７％）得
た。

【化１１】 得られた化合物の元素分析値は次の通りであった。

【００５９】実施例６ （フタロシアニンの合成）前記式（ａ）で示される化合
物８ｇ（２８．６ｍｍｏｌ）を、２２ｇのｎ−ペンタノ
ールとジアザビシクロウンデセン３．０４ｇ（２８．６
×０．７ｍｍｏｌ）中にアルゴン雰囲気下加熱溶解し、
塩化パラジウム（II）１．２７ｇ（２８６／４ｍｍｏ
ｌ）を加え、温度１２０〜１３０℃にて３０時間攪拌す
る。室温まで冷却の後、反応物のトルエン不溶物を濾取
し、濾液のトルエンを留去してメタノール３００ｍｌを
加え、析出した結晶を濾取してメタノールで洗浄後乾
燥、これをトルエン／ヘキサン＝８／２シリカゲルカウ
ムにて精製し、下記式（ｆ１）、（ｆ２）、（ｆ３）及
び（ｆ４）で示される（ｆ１）／（ｆ２）／（ｆ３）／
（ｆ４）＝１５／７５／５／５の混合物（暗緑色結晶）
を４．８６ｇ（収率５５．５４％）得た。なお、この混
合物のクロロホルム中のλｍａｘは６９６ｎｍであっ
た。そのＩＲスペクトルを図５に示す。

【００６０】

【化１２】

【化１３】

【化１４】

【化１５】 但し、上記式（ｆ１）〜（ｆ４）中、Ｒは下記基を表わ
す。

【化１６】

【００６１】実施例７〜１１ （フタロシアニンの合成）実施例６と同様の反応で、表
３に示されるフタロシアニン化合物を得た。なお、本実
施例においても実施例６と同様な異性体は存在するが、
別々には列挙しない。実施例７、８及び９で得られたフ
タロシアニン化合物のＩＲスペクトルを図６、７及び８
に示す。

【００６２】

【表３】

【００６３】実施例１２ （フタロシアニンのハロゲン化）実施例６で得たフタロ
シアニン１．３ｇを、１，１，２−トリクロロエタン／
ヘキサン／水＝３６ｇ／４ｇ／４０ｇ混合液中に溶解
し、３５℃にて臭素０．６７８ｇを１，１，２−トリク
ロロエタン６ｇに溶解した液を滴下し、温度を５５℃と
した。３時間攪拌ののち室温まで冷却後、トルエン４０
０ｍｌを注ぎ、水酸化ナトリウム、次いで水で洗浄し、
トルエン層を濃縮して、トルエン／ヘキサン＝６／４シ
リカゲルカラムにて精製し、１．５９ｇの臭素化フタロ
シアニンを得た。そのＩＲスペクトルを図９に示す。

【００６４】（評価）実施例６〜１２で得られたフタロ
シアニン化合物は種々の溶媒に可溶であり、溶剤塗工法
による塗膜が容易に得られ、しかも近赤外領域に優れた
吸収能を有する。

【００６５】実施例１３ 厚さ１．２μｍのポリメチルメタアクリレート板上にフ
ォトポリマーにて、深さ１０００Å、半値幅０．４μ
ｍ、トラックピッチ１．４μｍの案内溝を形成した基板
上に、表２の化合物Ｎｏ．１の１，２−ジクロロエタン
溶液をスピナー塗布し、厚さ８００Åの記録層を設けて
記録媒体とした。

【００６６】実施例１４〜１８ 実施例１３において、表２の化合物Ｎｏ．１の代わり
に、それぞれ同表の化合物Ｎｏ．６、Ｎｏ．１０、Ｎ
ｏ．１２、Ｎｏ．１８、Ｎｏ．２０を用いたこと以外
は、実施例１３と同様にして実施例１４〜１８の記録媒
体を得た。

【００６７】比較例１ 実施例１３において、表２の化合物Ｎｏ．１の代わりに
下記式（XI）で示される化合物を用いたこと以外は、実
施例１３と同様にして比較例１の記録媒体を得た。

【化１７】（但し、式中ｔ−Ｂｕは２〜２′′′の位置
と３〜３′′′の位置についたものの混合物である。

【００６８】前記の実施例１３〜実施例１８及び比較例
１の記録媒体を用い、下記の記録条件で基板を介して記
録し、その後記録位置を連続レーザー光で再生し、下記
の条件でＣ／Ｎを測定した。また反射率も測定した。そ
の結果を表４に示す。 記録条件： 線速 ２．１ｍ／ｓｅｃ 記録周波数 １．２５ＭＨｚ レーザー発振波長 ６８０ｎｍ ピックアップレンズ Ｎ．Ａ．０．５ 再生条件： スキャニングフィルター ３０ＫＨｚ 再生パワー ０．２５〜０．３ｍＷ

【００６９】

【表４】

【００７０】実施例１９ 深さ１０００Å、半値幅０．４５μｍ、トラックピッチ
１．６μｍの案内溝を有する厚さ１．２ｍｍの射出成形
ポリカーボネート基板上に、表２の化合物Ｎｏ．４の２
−エトキシエタノール／１，２−ジクロロエタン／ＴＨ
Ｆ［＝８／１．５／０．５（重量比）］混合溶液をスピ
ナー塗布し、厚さ１８００Åの記録層を設け、その上に
Ａｕを１２００Åの厚みで真空蒸着して反射層とし、更
にその上にアクリル系フォトポリマーをスピナー塗布
し、ＵＶ硬化処理して保護層を形成し、ＣＤ−Ｒ型の記
録媒体とした。

【００７１】実施例２０〜２３ 実施例１９において、表２の化合物Ｎｏ．４の代わりに
それぞれ同表の化合物Ｎｏ．１、Ｎｏ．２、Ｎｏ．９、
Ｎｏ．２１を用いたこと以外は、実施例１９と同様にし
て実施例２０〜２３の記録媒体を得た。

【００７２】比較例２ 実施例１９において、表２の化合物Ｎｏ．４の代わりに
比較例１で用いたフタロシアニンを使用したこと以外
は、実施例１９と同様にして比較例２の記録媒体を得
た。

【００７３】比較例３ 実施例１９において、表２の化合物Ｎｏ．４の代わりに
下記式（XII）の化合物を用いたこと以外は、実施例１
９と同様にして比較例３の記録媒体を得た。

【化１８】

【００７４】比較例４ 比較例３において、上記式（XII）の化合物に対して１
０重量％の下記式（XIII）のニッケル錯体化合物を添加
した混合物を用いたこと以外は、比較例３と同様にして
比較例４の記録媒体を得た。

【化１９】

【００７５】実施例１９〜２３及び比較例２〜４の記録
媒体を用い、レーザー発振波長７９０ｎｍ、線速１．４
ｍ／ｓｅｃの記録条件でＥＦＭ信号を記録し、記録前及
び光照射後の未記録部の反射率及び最適パワーでのＣ₁
エラー数を測定した。その結果を表５に示す。

【００７６】

【表５】

【００７７】（評価）本発明の光情報記録媒体は、波長
６３０〜７２０ｎｍに高い光吸収能、光反射性を有し、
６３０〜７２０ｎｍの半導体レーザーを用いたピックア
ップに適用できるし、また波長７７０〜８３０ｎｍに高
い屈折率を示し、且つ高い安定性を有するため、高反射
率で保存安定性及び再生安定性に優れたＣＤ−Ｒ媒体を
提供できる。

【００７８】

【発明の効果】請求項１のフタロニトリル化合物及び請
求項２のジイミノイソインドリン化合物は、それぞれ前
記一般式（Ｉ）及び一般式（ＩＩ）で示される構造を有
することから、請求項３のフタロシアニン近赤外吸収材
料の中間体として有用なものとなる。

【００７９】請求項３のフタロシアニン近赤外吸収材料
は、前記一般式（ＩＩＩ）で示される構造を有すること
から、フタロシアニン化合物が本来有している熱、光等
に対する安定性を保持したまま、種々の有機溶媒に可溶
なものとなり、しかも高い赤外線吸収能を持っている。
その結果、溶剤塗工法による塗膜形成が可能となり、利
用形態が非常に拡大され、特に後記光記録媒体用として
有用なものとなる。

【００８０】請求項４及び５の前記一般式（Ｉ）で示さ
れるフタロニトリル化合物の製造方法並びに請求項６の
前記一般式（ＩＩＩ）で示される金属フタロシアニン化
合物の製造方法及び請求項７の前記一般式（ＩＩＩ）で
示されるメタルフリーフタロシアニン化合物の製造方法
は、いずれも温和な条件で容易に目的物を得ることがで
きるので、いずれも工業的に極めて有利な製造方法とい
うことができる。

【００８１】請求項８及び９の光情報記録媒体は、前記
一般式（ＩＩＩ）で示されるフタロシアニン化合物を記
録層中に含有してなるものとしたことから、次のような
卓越した効果を奏する。 イ）波長６３０〜７２０ｎｍに高い光吸収能と光反射性
を有しているため、高密度記録が可能な６３０〜７２０
ｎｍの半導体レーザーを用いたピックアップに適応で
き、現状の７７０〜８３０ｎｍの光記録媒体に比べ記録
密度で１．６〜１．７倍の高密度化が可能となる。 ロ）波長７７０〜８３０ｎｍに高い屈折率を示し、且つ
高い安定性を有するため、高反射率で保存安定性及び再
生安定性に優れたＣＤ−Ｒ用記録媒体が提供できる。

【００８２】請求項１０の光情報記録媒体は、前記一般
式（ＩＩＩ）において、ｋ＝１＝ｍ＝ｎ＝１又は２であ
り、置換位置が式中１又は／及び４であり、その他の置
換基は水素原子又はハロゲン原子であるフタロシアニン
化合物を記録層に含有してなるものとしたことから、吸
収波長の制御が容易になり、また会合の阻止能力が更に
向上し、膜の屈折率をより高め、反射率をより向上でき
るという効果が加わる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の記録媒体に適用し得る層構成例を示す
図である。

【図２】本発明の記録媒体に適用し得る他のタイプの層
構成例を示す図である。

【図３】実施例１で得られたフタロニトリル化合物のＩ
Ｒスペクトル図である。

【図４】実施例２で得られたフタロニトリル化合物のＩ
Ｒスペクトル図である。

【図５】実施例６で得られたフタロシアニン化合物のＩ
Ｒスペクトル図である。

【図６】実施例７で得られたフタロシアニン化合物のＩ
Ｒスペクトル図である。

【図７】実施例８で得られたフタロシアニン化合物のＩ
Ｒスペクトル図である。

【図８】実施例９で得られたフタロシアニン化合物のＩ
Ｒスペクトル図である。

【図９】実施例１２で得られた臭素化フタロシアニン化
合物のＩＲスペクトル図である。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 記録層（有機色素層） ３ 下引き層 ４ 保護層 ５ 金属反射層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０７Ｃ 323/62 9271−4Ｃ Ｃ０７Ｄ 487/22 Ｃ０７Ｄ 487/22 Ｃ０９Ｂ 47/18 Ｃ０９Ｂ 47/18 47/20 47/20 47/30 47/30 Ｃ０９Ｋ 3/00 １０５ Ｃ０９Ｋ 3/00 １０５ 8721−5Ｄ Ｇ１１Ｂ 7/24 ５１６ Ｇ１１Ｂ 7/24 ５１６ 7416−2Ｈ Ｂ４１Ｍ 5/26 Ｙ

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記一般式（Ｉ）で示されるフタロニト
   リル化合物。 【化１】 （式中、Ｘ¹、Ｒ¹及びyはそれぞれ以下のものを表わ
   す。 Ｘ¹：酸素又は硫黄原子、 Ｒ¹：置換されていてもよい又はメチレン基を介してＸ¹
   と結合してもよいボルナン残基、ノルボルナン残基及び
   ノルボルネン残基から選ばれた１種の残基、 y:１又は２。）
2. 【請求項２】 下記の一般式（II）で示されるジイミノ
   イソインドリン化合物。 【化２】 （式中、Ｘ¹、Ｒ¹及びyはそれぞれ以下のものを表わ
   す。 Ｘ¹：酸素又は硫黄原子、 Ｒ¹：置換されていてもよい又はメチレン基を介してＸ¹
   と結合してもよいボルナン残基、ノルボルナン残基及び
   ノルボルネン残基から選ばれた１種の残基、 y:１又は２。）
3. 【請求項３】 下記の一般式（III)で示されるフタロシ
   アニン近赤外吸収材料。 【化３】 〔式中、Ｍ、Ｘ¹〜Ｘ⁴、Ｒ¹〜Ｒ⁴及びｋ〜ｎは、それぞ
   れ以下のものを表わす。 Ｍ：２個の水素原子、ハロゲン原子若しくは酸素原子を
   有してもよい２価、３価若しくは４価の金属原子、 Ｘ¹〜Ｘ⁴：それぞれ独立に酸素原子又は硫黄原子、 Ｒ¹〜Ｒ⁴：それぞれ独立に置換されていてもよい又はメ
   チレン基を介してＸ¹と結合してもよいボルナン残基、
   ノルボルナン残基及びノルボルネン残基から選ばれた１
   種の残基、 ｋ、ｌ、ｍ、ｎ：それぞれ独立に０〜４の整数、但し全
   部が同時に０になることはなく、ｋ、ｌ、ｍ、ｎが３以
   下の場合ベンゼン環の他の置換基は水素原子又はハロゲ
   ン原子である。〕
4. 【請求項４】 ３−又は４−ニトロフタロニトリルを、
   有機溶媒中で水素化ナトリウムの存在下、前記ボルナン
   残基、ノルボルナン残基及びノルボルネン残基から選ば
   れた１種の残基を有するアルコール誘導体又は同メルカ
   プタン誘導体と反応させることを特徴とする前記一般式
   （Ｉ）で示されるフタロニトリル化合物の製造方法。
5. 【請求項５】 ３−若しくは４−ヒドロキシフタロニト
   リル又は２，３−ジシアノハイドロキノンを、有機溶媒
   中でアルカリの存在下、前記ボルナン残基、ノルボルナ
   ン残基及びノルボルネン残基から選ばれた１種の残基を
   有するハライドと反応させることを特徴とする前記一般
   式（Ｉ）で示されるオキシ基含有フタロニトリル化合物
   の製造方法。
6. 【請求項６】 前記一般式（Ｉ）で示される少なくとも
   一種のフタロニトリル化合物又は前記一般式（II）で示
   される少なくとも一種のジイミノイソインドリン化合物
   と、金属又は金属誘導体とを、有機溶媒中で反応させる
   ことを特徴とする前記一般式（III）で示される金属フ
   タロシアニン化合物の製造方法。
7. 【請求項７】 前記一般式（Ｉ）で示される少なくとも
   一種のフタロニトリル化合物又は前記一般式（II）で示
   される少なくとも一種のジイミノイソインドリン化合物
   に、有機溶媒中でリチウム又はナトリウムを作用させる
   ことを特徴とする前記一般式（III）においてＭが２個
   の水素原子であるフタロシアニン化合物の製造方法。
8. 【請求項８】 基板上に直接又は下引き層を介して記録
   層を設け、更に必要に応じて、その上に保護層を設けて
   なる光情報記録媒体において、前記記録層中に前記一般
   式（III）で示されるフタロシアニン化合物を含有して
   なることを特徴とする光情報記録媒体。
9. 【請求項９】 前記記録層と保護層との間に金属反射層
   を設けてなり、ＣＤフォーマット信号の記録を行なう追
   記コンパクトディスク型の記録媒体であることを特徴と
   する請求項８に記載の光情報記録媒体。
10. 【請求項１０】 前記一般式（III）において、ｋ＝ｌ
    ＝ｍ＝ｎ＝１又は２であり、置換位置が式中１又は／及
    び４であり、その他の置換基は水素原子又はハロゲン原
    子である請求項８又は９に記載の光情報記録媒体。