JPH08213714A - 発光装置 - Google Patents
発光装置Info
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- JPH08213714A JPH08213714A JP7311388A JP31138895A JPH08213714A JP H08213714 A JPH08213714 A JP H08213714A JP 7311388 A JP7311388 A JP 7311388A JP 31138895 A JP31138895 A JP 31138895A JP H08213714 A JPH08213714 A JP H08213714A
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- crystal
- layer
- substrate
- semiconductor layer
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 製造歩留りの良いAlGaInP系発光装置
を提供するものである。 【解決手段】 GaAs基板11と、このGaAs基板
11の一主面上に積層された活性層14を含むAlGa
InP系半導体層と、を備え、上記GaAs基板11の
一主面に(100)面から[011]方向に5°以上傾
斜した面を用いる。
を提供するものである。 【解決手段】 GaAs基板11と、このGaAs基板
11の一主面上に積層された活性層14を含むAlGa
InP系半導体層と、を備え、上記GaAs基板11の
一主面に(100)面から[011]方向に5°以上傾
斜した面を用いる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はAlGaInP(ア
ルミニウム−ガリウム−インジウム−燐)系発光装置に
関する。
ルミニウム−ガリウム−インジウム−燐)系発光装置に
関する。
【0002】
【従来の技術】MOCVD法(有機金属化学気相成長
法)は、GaInP結晶成長のための一つの有効な方法
である。しかし、この方法により成長したGaInP結
晶には、しばしば多くの結晶欠陥が観察される。例え
ば、(100)面を表面とするGaAs(ガリウム・砒
素)基板上に、GaInP結晶をMOCVD法により成
長させると、成長表面に、断面が楕円球状の隆起(ヒロ
ック)からなる結晶欠陥が1cm2当り6,000個程度
発生する。
法)は、GaInP結晶成長のための一つの有効な方法
である。しかし、この方法により成長したGaInP結
晶には、しばしば多くの結晶欠陥が観察される。例え
ば、(100)面を表面とするGaAs(ガリウム・砒
素)基板上に、GaInP結晶をMOCVD法により成
長させると、成長表面に、断面が楕円球状の隆起(ヒロ
ック)からなる結晶欠陥が1cm2当り6,000個程度
発生する。
【0003】先行技術としてのJournal of Crystal Gro
wth,17(1972),189−206には、CVD法によ
りGaAs基板上にGaAsを成長させる際に、基板と
して、その面方位を(100)面から[110]方向に
2°〜5°傾けたものを用いることにより、成長結晶表
面における、不所望なピラミッド状ヒロックの発生を大
きく減少し得ることが記載されている。
wth,17(1972),189−206には、CVD法によ
りGaAs基板上にGaAsを成長させる際に、基板と
して、その面方位を(100)面から[110]方向に
2°〜5°傾けたものを用いることにより、成長結晶表
面における、不所望なピラミッド状ヒロックの発生を大
きく減少し得ることが記載されている。
【0004】また、Journal of Crystal Growth,68
(1984),483−489には、MOCVD法を用いて製
造したAlGaInP系半導体レーザ装置が記載されて
いる。図4にその構造を示す。
(1984),483−489には、MOCVD法を用いて製
造したAlGaInP系半導体レーザ装置が記載されて
いる。図4にその構造を示す。
【0005】図において、(21)は、n型GaAsか
らなる基板で、その一主面(21a)には(100)面
から[110]方向に2°傾斜した面が用いられてい
る。
らなる基板で、その一主面(21a)には(100)面
から[110]方向に2°傾斜した面が用いられてい
る。
【0006】(22)は基板(21)の一主面(21
a)上に0.7μm厚みで積層されたn型GaAsから
なるバッファ層、(23)は該バッファ層(22)上に
1.4μm厚みで積層されたn型(Al0.3Ga0.7)
0.5In0.5Pからなるn型クラッド層、(24)は該n
型クラッド層(23)上に0.23μm厚みで積層され
たアンド−プGa0.5In0.5Pからなる活性層、(2
5)は該活性層(24)上に1.4μm厚みで積層され
たp型(Al0.3Ga0.7)0.5In0.5Pからなるp型ク
ラッド層、(26)は該p型クラッド層(25)上に
1.0μm厚みで積層されたp型GaAsからなるキャ
ップ層である。
a)上に0.7μm厚みで積層されたn型GaAsから
なるバッファ層、(23)は該バッファ層(22)上に
1.4μm厚みで積層されたn型(Al0.3Ga0.7)
0.5In0.5Pからなるn型クラッド層、(24)は該n
型クラッド層(23)上に0.23μm厚みで積層され
たアンド−プGa0.5In0.5Pからなる活性層、(2
5)は該活性層(24)上に1.4μm厚みで積層され
たp型(Al0.3Ga0.7)0.5In0.5Pからなるp型ク
ラッド層、(26)は該p型クラッド層(25)上に
1.0μm厚みで積層されたp型GaAsからなるキャ
ップ層である。
【0007】(27)は上記キャップ層(26)上に積
層されたSiO2からなるブロック層で、キャップ層
(26)に達する幅20〜23μmのストライプ溝(2
8)を有する。(29)は露出したキャップ層(26)
上及びブロック層(27)上にZn膜、Au膜がこの順
に被着されたAu/Zn電極からなるp型電極、(3
0)は上記基板(21)の他主面(21b)上に、Ni
膜、Ge膜、Au膜がこの順に被着されたAu/Ge/
Ni電極からなるn型電極である。
層されたSiO2からなるブロック層で、キャップ層
(26)に達する幅20〜23μmのストライプ溝(2
8)を有する。(29)は露出したキャップ層(26)
上及びブロック層(27)上にZn膜、Au膜がこの順
に被着されたAu/Zn電極からなるp型電極、(3
0)は上記基板(21)の他主面(21b)上に、Ni
膜、Ge膜、Au膜がこの順に被着されたAu/Ge/
Ni電極からなるn型電極である。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】斯るJournal of Cryst
al Growth,68(1984),483−489に記載された
従来装置では、製造された各装置毎の発振しきい値電流
のばらつきが大きく、製造歩留りが悪いといった問題が
あった。
al Growth,68(1984),483−489に記載された
従来装置では、製造された各装置毎の発振しきい値電流
のばらつきが大きく、製造歩留りが悪いといった問題が
あった。
【0009】そこで本発明者らは斯る従来装置において
各半導体層を積層した後、最上部のキャップ層表面を調
べたところ、結晶欠陥(ヒロック)が多く観察された。
各半導体層を積層した後、最上部のキャップ層表面を調
べたところ、結晶欠陥(ヒロック)が多く観察された。
【0010】即ち、Journal of Crystal Growth、17
(1972),189−206に記載されているGaAs基板
の成長面として(100)面から[110]方向に2°
〜5°傾斜した面を用いることは、CVD法によるGa
As結晶の成長において有効であり、MOCVD法によ
るAlGaInP系半導体結晶の成長にとっては有効で
はない。
(1972),189−206に記載されているGaAs基板
の成長面として(100)面から[110]方向に2°
〜5°傾斜した面を用いることは、CVD法によるGa
As結晶の成長において有効であり、MOCVD法によ
るAlGaInP系半導体結晶の成長にとっては有効で
はない。
【0011】したがって、本発明は、製造歩留りの良い
AlGaInP系発光装置を提供するものである。
AlGaInP系発光装置を提供するものである。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明装置は、(10
0)面から[011]方向に5°以上傾斜した面を主面
とするGaAs基板と、該主面上に形成された活性層を
含むAlGaInP系半導体層と、を備えたことを特徴
とする。
0)面から[011]方向に5°以上傾斜した面を主面
とするGaAs基板と、該主面上に形成された活性層を
含むAlGaInP系半導体層と、を備えたことを特徴
とする。
【0013】また、本発明装置は、(100)面から
[011]方向に5°以上傾斜した面を主面とする第1
導電型のGaAs基板と、該主面上に形成された第1導
電型のAlGaInPクラッド層と、該クラッド層上に
形成された活性層と、該活性層上に形成された第2導電
型のAlGaInPクラッド層と、を備えたことを特徴
とする。
[011]方向に5°以上傾斜した面を主面とする第1
導電型のGaAs基板と、該主面上に形成された第1導
電型のAlGaInPクラッド層と、該クラッド層上に
形成された活性層と、該活性層上に形成された第2導電
型のAlGaInPクラッド層と、を備えたことを特徴
とする。
【0014】また、本発明装置は、(100)面から
[011]方向に5°以上傾斜した面を主面とするGa
As基板と、該主面上に被着形成されることで上記方向
への傾斜に因り初期成長過程の結晶欠陥の発生が抑圧さ
れた半導体層と、該半導体層上に形成された活性層を含
むAlGaInP系半導体層と、を備えたことを特徴と
する。
[011]方向に5°以上傾斜した面を主面とするGa
As基板と、該主面上に被着形成されることで上記方向
への傾斜に因り初期成長過程の結晶欠陥の発生が抑圧さ
れた半導体層と、該半導体層上に形成された活性層を含
むAlGaInP系半導体層と、を備えたことを特徴と
する。
【0015】また、本発明装置は、(100)面から
[011]方向に5°以上傾斜した面を主面とするGa
As基板と、該主面上に被着形成された結晶欠陥の発生
が抑圧された半導体層と、該半導体層上に形成された活
性層を含むAlGaInP系半導体層と、を備えたこと
を特徴とする。
[011]方向に5°以上傾斜した面を主面とするGa
As基板と、該主面上に被着形成された結晶欠陥の発生
が抑圧された半導体層と、該半導体層上に形成された活
性層を含むAlGaInP系半導体層と、を備えたこと
を特徴とする。
【0016】また、本発明装置は、(100)面から
[011]方向に傾斜した面を主面とするGaAs基板
と、該主面上に形成された活性層を含むAlGaInP
系半導体層と、を備えた発光装置であって、前記傾斜し
た面は5°以上の前記AlGaInP系半導体層の結晶
欠陥を抑制する角度を有することを特徴とする。
[011]方向に傾斜した面を主面とするGaAs基板
と、該主面上に形成された活性層を含むAlGaInP
系半導体層と、を備えた発光装置であって、前記傾斜し
た面は5°以上の前記AlGaInP系半導体層の結晶
欠陥を抑制する角度を有することを特徴とする。
【0017】特に、前記活性層がGa、In、及びPを
含有することを特徴とする。
含有することを特徴とする。
【0018】また、本発明装置は、(100)面から
[011]方向に5°以上傾斜した面を主面とするGa
As基板と、該主面上に形成され上記方向への傾斜に因
り短波長化された発振光を生じるGaInPからなる活
性層を含むAlGaInP系半導体層と、を備えたこと
を特徴とする。
[011]方向に5°以上傾斜した面を主面とするGa
As基板と、該主面上に形成され上記方向への傾斜に因
り短波長化された発振光を生じるGaInPからなる活
性層を含むAlGaInP系半導体層と、を備えたこと
を特徴とする。
【0019】特に、前記傾斜した面が5°〜7°傾斜し
た面であることを特徴とする。
た面であることを特徴とする。
【0020】
【発明の実施の形態】図1に本発明に係る半導体レーザ
装置(発光装置)を製造するための装置のブロック図を
示す。この装置自体は周知であり、GaAs基板(1)
は、反応容器(2)内において、サセプタ(3)上に固
定される。サセプタ(3)は成長時に8〜10rpmの速
度で回転駆動される。流水路(4)が容器(2)の外壁
に密着して容器(2)を冷却し、一方、容器(2)を取
り巻くRFコイル(5)がサセプタ(3)の加熱を可能
にする。容器(2)の排気は、フィルタ(6)を介して
ロ−タリポンプ(7)の作用で行われる。容器(2)に
導入される反応ガス発生は、TMGa(トリメチルガリ
ウム)液槽(8)やTMIn(トリメチルインジウム)
液槽(9)に、夫々定流量器(10)を通じてH2(水
素ガス)を流し込み、バブリングすることにより達成さ
れる。その他の反応ガスやキャリアガスとしてPH
3(フオスフィン)やH2が夫々定流量器(10)を通じ
て反応容器(2)に適宜導入される。
装置(発光装置)を製造するための装置のブロック図を
示す。この装置自体は周知であり、GaAs基板(1)
は、反応容器(2)内において、サセプタ(3)上に固
定される。サセプタ(3)は成長時に8〜10rpmの速
度で回転駆動される。流水路(4)が容器(2)の外壁
に密着して容器(2)を冷却し、一方、容器(2)を取
り巻くRFコイル(5)がサセプタ(3)の加熱を可能
にする。容器(2)の排気は、フィルタ(6)を介して
ロ−タリポンプ(7)の作用で行われる。容器(2)に
導入される反応ガス発生は、TMGa(トリメチルガリ
ウム)液槽(8)やTMIn(トリメチルインジウム)
液槽(9)に、夫々定流量器(10)を通じてH2(水
素ガス)を流し込み、バブリングすることにより達成さ
れる。その他の反応ガスやキャリアガスとしてPH
3(フオスフィン)やH2が夫々定流量器(10)を通じ
て反応容器(2)に適宜導入される。
【0021】斯る装置において、基板(1)の温度を6
40℃に保持し、PH3ガス/(TMGaガス+TMI
nガス)=約500の流量比で各ガスを容器(2)内に
導入すると共に、容器内圧力を70Torrに維持して減圧
MOCVD法により、約1.2μmの厚さのInGaP
結晶成長を行った。尚、成長開始前の基板加熱時に、周
知の如く、アルシンガスを流し、基板からのAsの散逸
を防止するのが良い。
40℃に保持し、PH3ガス/(TMGaガス+TMI
nガス)=約500の流量比で各ガスを容器(2)内に
導入すると共に、容器内圧力を70Torrに維持して減圧
MOCVD法により、約1.2μmの厚さのInGaP
結晶成長を行った。尚、成長開始前の基板加熱時に、周
知の如く、アルシンガスを流し、基板からのAsの散逸
を防止するのが良い。
【0022】上記成長に際し、基板面方位を各種選択し
た場合の、成長結晶に対する結晶欠陥(ヒロック)密度
(1cm2当りのヒロック数)の測定結果、並びにアルゴ
ンレーザ(波長約5145Å)励起によるフォトルミネッセ
ンス測定結果を下表に示す。
た場合の、成長結晶に対する結晶欠陥(ヒロック)密度
(1cm2当りのヒロック数)の測定結果、並びにアルゴ
ンレーザ(波長約5145Å)励起によるフォトルミネッセ
ンス測定結果を下表に示す。
【0023】
【表1】
【0024】この測定結果より、本実施形態によれば、
欠陥が非常に少なく、結晶性の良好なInGaP結晶を
得られることが判る。
欠陥が非常に少なく、結晶性の良好なInGaP結晶を
得られることが判る。
【0025】また、(100)面から[011]方向の
角度が大きい程、GaInP結晶の発光エネルギーが大
きくなることが判る。即ち、(100)面から[01
1]方向に5°以上傾斜した面を用いた活性層がGaI
nPからなる半導体レーザ装置の場合、発振波長の短波
長化が可能となる。
角度が大きい程、GaInP結晶の発光エネルギーが大
きくなることが判る。即ち、(100)面から[01
1]方向に5°以上傾斜した面を用いた活性層がGaI
nPからなる半導体レーザ装置の場合、発振波長の短波
長化が可能となる。
【0026】本実施形態において、成長条件は適宜変更
でき、例えば成長温度は620℃〜670℃の範囲で適
当である。しかし、基板面方位の(100)面から[0
11]方向への傾斜角は5°以上、好ましくは5°〜7
°の範囲に設定されねばならず、さもなければ、結晶欠
陥密度の減少に対する十分な効果を得られない。
でき、例えば成長温度は620℃〜670℃の範囲で適
当である。しかし、基板面方位の(100)面から[0
11]方向への傾斜角は5°以上、好ましくは5°〜7
°の範囲に設定されねばならず、さもなければ、結晶欠
陥密度の減少に対する十分な効果を得られない。
【0027】本方法は、InGaP結晶の成長のみなら
ず、Alを少量含むInGaAlP結晶の成長にも有効
に適用され得る。
ず、Alを少量含むInGaAlP結晶の成長にも有効
に適用され得る。
【0028】上述したように、GaAs基板上にGaI
nP結晶あるいはAlGaInP結晶を成長させる際
に、前記基板として、その面方位を(100)面から
[011]方向に、5°以上傾けるのがよい。
nP結晶あるいはAlGaInP結晶を成長させる際
に、前記基板として、その面方位を(100)面から
[011]方向に、5°以上傾けるのがよい。
【0029】本方法によって、良質のInGaP結晶あ
るいはInGaAlP結晶を作成できるため、斯る結晶
を用いたダブルヘテロ接合レーザダイオ−ドを実現でき
る。図2にその一実施形態を示す。
るいはInGaAlP結晶を作成できるため、斯る結晶
を用いたダブルヘテロ接合レーザダイオ−ドを実現でき
る。図2にその一実施形態を示す。
【0030】図において、(11)はキャリア濃度2×
1018cm-3のn型GaAsからなる基板で、その一主面
(11a)を研摩により(100)面から[011]方
向に5°以上、例えば5°傾斜したものである。
1018cm-3のn型GaAsからなる基板で、その一主面
(11a)を研摩により(100)面から[011]方
向に5°以上、例えば5°傾斜したものである。
【0031】(12)はバッファ層、(13)はn型ク
ラッド層、(14)は活性層、(15)はp型クラッド
層、(16)はキャップ層で、これらの層は成長温度6
20〜670℃例えば670℃、反応室内圧力70Torr
の減圧MOCVD法を用いて、基板(11)の一主面
(11a)上に順次積層される。下表にこれらの層の他
の形成条件を示す。
ラッド層、(14)は活性層、(15)はp型クラッド
層、(16)はキャップ層で、これらの層は成長温度6
20〜670℃例えば670℃、反応室内圧力70Torr
の減圧MOCVD法を用いて、基板(11)の一主面
(11a)上に順次積層される。下表にこれらの層の他
の形成条件を示す。
【0032】
【表2】
【0033】(17)はキャップ層(16)上にスパッ
タ法を用いて積層されたSiO2からなるブロック層
で、キャップ層(16)に達する幅6μmのストライプ
溝(18)がエッチング形成されている。
タ法を用いて積層されたSiO2からなるブロック層
で、キャップ層(16)に達する幅6μmのストライプ
溝(18)がエッチング形成されている。
【0034】(19)は露出したキャップ層(16)上
及びブロック層(17)上にCr膜、Au膜がこの順に
真空蒸着されたAu/Cr電極からなるp型電極、(2
0)は基板(11)の他主面(11b)上にCr膜、S
n膜、Au膜がこの順に真空蒸着されたAu/Sn/C
r電極からなるn型電極である。これらの電極は400
℃の熱処理によって、キャップ層(16)あるいは基板
(11)とオ−ミック接触する。
及びブロック層(17)上にCr膜、Au膜がこの順に
真空蒸着されたAu/Cr電極からなるp型電極、(2
0)は基板(11)の他主面(11b)上にCr膜、S
n膜、Au膜がこの順に真空蒸着されたAu/Sn/C
r電極からなるn型電極である。これらの電極は400
℃の熱処理によって、キャップ層(16)あるいは基板
(11)とオ−ミック接触する。
【0035】また、装置の動作電圧の増加を抑える目的
で、p型クラッド層(15)とキャップ層(16)の間
にGa0.5In0.5Pからなる周知の中間層を設けてもよ
い。
で、p型クラッド層(15)とキャップ層(16)の間
にGa0.5In0.5Pからなる周知の中間層を設けてもよ
い。
【0036】以上の構造を有する本実施形態装置を25
個作製し、室温、パルス駆動で動作させた時の発振しき
い値電流を測定した。その結果を図3(a)に示す。ま
た比較例として、基板(11)の一主面(11a)を
(100)面から[110]方向に2°傾斜した面と
し、バッファ層(12)をGaAsとし、他は本実施形
態装置と同じ構造の比較装置を25個作製し、同様な測
定を行った。その結果を図3(b)に示す。
個作製し、室温、パルス駆動で動作させた時の発振しき
い値電流を測定した。その結果を図3(a)に示す。ま
た比較例として、基板(11)の一主面(11a)を
(100)面から[110]方向に2°傾斜した面と
し、バッファ層(12)をGaAsとし、他は本実施形
態装置と同じ構造の比較装置を25個作製し、同様な測
定を行った。その結果を図3(b)に示す。
【0037】図3(a)及び(b)から、本実施形態装
置では、比較装置に比べて、発振しきい値電流のばらつ
きが少ないことがわかる。また、本実施形態装置と比較
装置でMOCVD法による各半導体層の形成の後、各キ
ャップ層表面を観察したところ、比較装置で1000〜
10000個/cm2発生していたヒロックが本実施形態
装置では100個/cm2以下であった。これより本実施
形態装置の発振しきい値電流にばらつきが少ないのは、
このヒロックが少なくなったこと、即ち形成される半導
体層の結晶性が向上したことによるものと考えられる。
置では、比較装置に比べて、発振しきい値電流のばらつ
きが少ないことがわかる。また、本実施形態装置と比較
装置でMOCVD法による各半導体層の形成の後、各キ
ャップ層表面を観察したところ、比較装置で1000〜
10000個/cm2発生していたヒロックが本実施形態
装置では100個/cm2以下であった。これより本実施
形態装置の発振しきい値電流にばらつきが少ないのは、
このヒロックが少なくなったこと、即ち形成される半導
体層の結晶性が向上したことによるものと考えられる。
【0038】本実施形態装置では基板(11)の一主面
(11a)に、(100)面から[011]方向に5°
傾斜した面を用いたが、斯る傾斜角は5°以上であれば
よく、好ましくは5〜7°である。即ち傾斜角が5°未
満では形成される半導体層の結晶性の向上に十分な効果
が得られず、7°より大では傾斜面の形成に時間がかか
り、製造上実用的でないからである。
(11a)に、(100)面から[011]方向に5°
傾斜した面を用いたが、斯る傾斜角は5°以上であれば
よく、好ましくは5〜7°である。即ち傾斜角が5°未
満では形成される半導体層の結晶性の向上に十分な効果
が得られず、7°より大では傾斜面の形成に時間がかか
り、製造上実用的でないからである。
【0039】また、本発明はブロック層にSiO2を用
いるオキサイドストライプ型のレーザに限らず、各種構
造の半導体レーザ装置等に適用できることは勿論であ
る。
いるオキサイドストライプ型のレーザに限らず、各種構
造の半導体レーザ装置等に適用できることは勿論であ
る。
【0040】本発明によれば、特定方位に傾いた基板結
晶成長面の作用により、成長初期において、結晶欠陥で
あるヒロックの原因となるGaのドロップレットの発生
が大幅に低減できることとなり、その基板上に形成され
たAlGaInP系の半導体層は結晶性良く形成され
る。
晶成長面の作用により、成長初期において、結晶欠陥で
あるヒロックの原因となるGaのドロップレットの発生
が大幅に低減できることとなり、その基板上に形成され
たAlGaInP系の半導体層は結晶性良く形成され
る。
【0041】また、特定方位に傾いた基板結晶成長面の
作用により、GaInPのフォトルミネッセンスの発光
エネルギが大きくなる。即ち、活性層がGaInPから
なる場合には、発振光の短波長化が図れる。
作用により、GaInPのフォトルミネッセンスの発光
エネルギが大きくなる。即ち、活性層がGaInPから
なる場合には、発振光の短波長化が図れる。
【0042】
【発明の効果】本発明によれば、下地面であるGaAs
基板の(100)面から[011]方向に所定の角度と
した主面の影響を受けて、後工程で形成する層の結晶欠
陥の発生、特に初期成長過程における結晶欠陥の発生を
抑圧でき、ひいては、製造歩留りが向上することとな
る。
基板の(100)面から[011]方向に所定の角度と
した主面の影響を受けて、後工程で形成する層の結晶欠
陥の発生、特に初期成長過程における結晶欠陥の発生を
抑圧でき、ひいては、製造歩留りが向上することとな
る。
【0043】また、GaAs基板の主面を(100)面
から[011]方向に所定の角度傾斜させるので、活性
層がGaInPからなる場合には、該GaInPは下地
面である主面の影響を受けて、活性層から発生する光の
短波長化ができる。
から[011]方向に所定の角度傾斜させるので、活性
層がGaInPからなる場合には、該GaInPは下地
面である主面の影響を受けて、活性層から発生する光の
短波長化ができる。
【0044】特に、所定の角度は5〜7°である場合に
好ましい効果が得られる。
好ましい効果が得られる。
【図1】本発明に係る半導体レーザ装置を製造するため
の装置のブロック図である。
の装置のブロック図である。
【図2】本発明装置の一実施形態を示す断面図である。
【図3】図3(a)及び図3(b)は本発明の実施形態
装置及び比較装置の発振しきい値電流を夫々測定した特
性図である。
装置及び比較装置の発振しきい値電流を夫々測定した特
性図である。
【図4】従来装置を示す断面図である。
11 n型GaAs基板 11a 一主面 13 n型クラッド層 14 活性層 15 p型クラッド層
Claims (8)
- 【請求項1】 (100)面から[011]方向に5°
以上傾斜した面を主面とするGaAs基板と、該主面上
に形成された活性層を含むAlGaInP系半導体層
と、を備えたことを特徴とする発光装置。 - 【請求項2】 (100)面から[011]方向に5°
以上傾斜した面を主面とする第1導電型のGaAs基板
と、該主面上に形成された第1導電型のAlGaInP
クラッド層と、該クラッド層上に形成された活性層と、
該活性層上に形成された第2導電型のAlGaInPク
ラッド層と、を備えたことを特徴とする発光装置。 - 【請求項3】 (100)面から[011]方向に5°
以上傾斜した面を主面とするGaAs基板と、該主面上
に被着形成されることで上記方向への傾斜に因り初期成
長過程の結晶欠陥の発生が抑圧された半導体層と、該半
導体層上に形成された活性層を含むAlGaInP系半
導体層と、を備えたことを特徴とする発光装置。 - 【請求項4】 (100)面から[011]方向に5°
以上傾斜した面を主面とするGaAs基板と、該主面上
に被着形成された結晶欠陥の発生が抑圧された半導体層
と、該半導体層上に形成された活性層を含むAlGaI
nP系半導体層と、を備えたことを特徴とする発光装
置。 - 【請求項5】 (100)面から[011]方向に傾斜
した面を主面とするGaAs基板と、該主面上に形成さ
れた活性層を含むAlGaInP系半導体層と、を備え
た発光装置であって、前記傾斜した面は5°以上の前記
AlGaInP系半導体層の結晶欠陥を抑制する角度を
有することを特徴とする発光装置。 - 【請求項6】 前記活性層がGa、In、及びPを含有
することを特徴とする請求項1、2、3、4、又は5記
載の発光装置。 - 【請求項7】 (100)面から[011]方向に5°
以上傾斜した面を主面とするGaAs基板と、該主面上
に形成され上記方向への傾斜に因り短波長化された発振
光を生じるGaInPからなる活性層を含むAlGaI
nP系半導体層と、を備えたことを特徴とする発光装
置。 - 【請求項8】 前記傾斜した面が5°〜7°傾斜した面
であることを特徴とする請求項1、2、3、4、5、
6、又は7記載の発光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7311388A JPH08213714A (ja) | 1988-09-29 | 1995-11-29 | 発光装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24514888 | 1988-09-29 | ||
JP63-245148 | 1988-09-29 | ||
JP7311388A JPH08213714A (ja) | 1988-09-29 | 1995-11-29 | 発光装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6057149A Division JP2804714B2 (ja) | 1988-09-29 | 1994-03-28 | 可視光半導体レーザ装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08213714A true JPH08213714A (ja) | 1996-08-20 |
Family
ID=26537068
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7311388A Pending JPH08213714A (ja) | 1988-09-29 | 1995-11-29 | 発光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08213714A (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01239891A (ja) * | 1988-03-22 | 1989-09-25 | Hitachi Ltd | 半導体素子 |
-
1995
- 1995-11-29 JP JP7311388A patent/JPH08213714A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01239891A (ja) * | 1988-03-22 | 1989-09-25 | Hitachi Ltd | 半導体素子 |
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