JPH08213593A - ホトサイリスタの直列構造 - Google Patents
ホトサイリスタの直列構造Info
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- JPH08213593A JPH08213593A JP7262059A JP26205995A JPH08213593A JP H08213593 A JPH08213593 A JP H08213593A JP 7262059 A JP7262059 A JP 7262059A JP 26205995 A JP26205995 A JP 26205995A JP H08213593 A JPH08213593 A JP H08213593A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】複数のホトサイリスタが直列に使用される場
合、サイリスタは数ＫＶの高電圧に耐える一方でトリガ
を生じ、サイリスタ上部表面が発光するよう並んでいる
が、この構造は寸法が大きく取扱い困難なため改良す
る。 【解決手段】２個のホトサイリスタ２０，３０はそれぞ
れ基板２１，３１に形成されたＰ型層２２，３２とＮ型
層２３，３３及びＰ型下部層２４，３４から成り、また
上部カソードの金属被膜２６，３６を有している。両サ
イリスタはハンダ層４０で接着されている。両サイリス
タ外面への照射光４１，４２は切欠部２８，３８の金属
被膜２９，３９で形成された鏡により下部サイリスタの
接合領域の方向へ反射される。切欠部は凹面であり、反
射光が感光性領域に焦点を結ぶように弯曲している。切
欠部が深く幅広なら金属被膜はＮ型基板とＰ型層に接
し、両者接触の機能はサイリスタの逆耐圧で実現され、
このサイリスタを１０個積層すれば６ＫＶ耐圧が得られ
る。
合、サイリスタは数ＫＶの高電圧に耐える一方でトリガ
を生じ、サイリスタ上部表面が発光するよう並んでいる
が、この構造は寸法が大きく取扱い困難なため改良す
る。 【解決手段】２個のホトサイリスタ２０，３０はそれぞ
れ基板２１，３１に形成されたＰ型層２２，３２とＮ型
層２３，３３及びＰ型下部層２４，３４から成り、また
上部カソードの金属被膜２６，３６を有している。両サ
イリスタはハンダ層４０で接着されている。両サイリス
タ外面への照射光４１，４２は切欠部２８，３８の金属
被膜２９，３９で形成された鏡により下部サイリスタの
接合領域の方向へ反射される。切欠部は凹面であり、反
射光が感光性領域に焦点を結ぶように弯曲している。切
欠部が深く幅広なら金属被膜はＮ型基板とＰ型層に接
し、両者接触の機能はサイリスタの逆耐圧で実現され、
このサイリスタを１０個積層すれば６ＫＶ耐圧が得られ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はホトサイリスタの直
列構造に関し、特に平面型サイリスタに関するものであ
る。
列構造に関し、特に平面型サイリスタに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】図１Ａ及び図１Ｂは平面型ホトサイリス
タの平面図及び断面図である。従来のサイリスタは例え
ばＮ形の第１の導電層の低ドーピングされた基板１から
構成される。Ｐ形の第１の層２、内部層２、Ｎ形の層３
が基板の上部表面に形成されている。下部の表面にはＰ
形の層４が形成されている。上部の表面のＰ形及びＮ形
の層がマスクの内側に拡散され、かつそれらの接合が外
面より離れたサイリスタの上部表面で端部となってい
る。特にそのような構成は製造に対して簡単で、高い絶
縁破壊電圧を有する。上部のＮ形の層３はカソード電極
Ｋを構成する金属被覆６でコーティングされる。下部の
表面はアノード電極Ａを構成する金属被覆７でコーティ
ングされる。
タの平面図及び断面図である。従来のサイリスタは例え
ばＮ形の第１の導電層の低ドーピングされた基板１から
構成される。Ｐ形の第１の層２、内部層２、Ｎ形の層３
が基板の上部表面に形成されている。下部の表面にはＰ
形の層４が形成されている。上部の表面のＰ形及びＮ形
の層がマスクの内側に拡散され、かつそれらの接合が外
面より離れたサイリスタの上部表面で端部となってい
る。特にそのような構成は製造に対して簡単で、高い絶
縁破壊電圧を有する。上部のＮ形の層３はカソード電極
Ｋを構成する金属被覆６でコーティングされる。下部の
表面はアノード電極Ａを構成する金属被覆７でコーティ
ングされる。
【０００３】従来のサイリスタと対照すると、ホトサイ
リスタはゲート金属被覆を有しないが、例えば層２と基
板１の間の接合の順方向ブロック接合の発光を介してト
リガされる。ここで、この接合は「感光性接合」として
参照される。発光は図１Ｂに矢印によって示されてお
り、感光性接合の表面に近い、点線で示された層９で主
に実行する。従来、正確に位置付けられた適切な波長を
有するＬＥＤはサイリスタの感光性層を発光するために
使用される。この層は電子領域が順ブロック状態で拡散
する層２と基板１との間の接合の露出された表面に閉成
される。フォトンが増殖されてトリガにサイリスタを生
じる電子領域で得られるエネルギーによる電子ホールの
組を生じる。これらのフォトンのみは構成の上部の表面
に達する。これらは構成の表面に達するや否や吸収さ
れ、それらの濃度（それらの効率）が表面下で減少す
る。つまり、構成の表面及び主な感光性接合の表面領域
は発光される。接合層に達しないので側面からの発光は
サイリスタをトリガされない。
リスタはゲート金属被覆を有しないが、例えば層２と基
板１の間の接合の順方向ブロック接合の発光を介してト
リガされる。ここで、この接合は「感光性接合」として
参照される。発光は図１Ｂに矢印によって示されてお
り、感光性接合の表面に近い、点線で示された層９で主
に実行する。従来、正確に位置付けられた適切な波長を
有するＬＥＤはサイリスタの感光性層を発光するために
使用される。この層は電子領域が順ブロック状態で拡散
する層２と基板１との間の接合の露出された表面に閉成
される。フォトンが増殖されてトリガにサイリスタを生
じる電子領域で得られるエネルギーによる電子ホールの
組を生じる。これらのフォトンのみは構成の上部の表面
に達する。これらは構成の表面に達するや否や吸収さ
れ、それらの濃度（それらの効率）が表面下で減少す
る。つまり、構成の表面及び主な感光性接合の表面領域
は発光される。接合層に達しないので側面からの発光は
サイリスタをトリガされない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】多種の提案において、
例えばサイリスタが数ｋＶの電圧に対して対抗する一方
でトリガを生じるときいくつかのホトサイリスタは直列
に使用される。そしてサイリスタが上部の表面を光るよ
うに並んだ構造をしている。この構造は扱いにくく、か
つサイズにおいてかなり大きい。
例えばサイリスタが数ｋＶの電圧に対して対抗する一方
でトリガを生じるときいくつかのホトサイリスタは直列
に使用される。そしてサイリスタが上部の表面を光るよ
うに並んだ構造をしている。この構造は扱いにくく、か
つサイズにおいてかなり大きい。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の１つの実施の形
態において、感光性の構成部の直列構造は第１の感光性
構成部と第２の感光性構成部から構成され、それぞれは
第１の表面、第２の表面及び、第１と第２の表面との間
に伸びる少なくとも１つの外面を有する。第２の感光性
構成部の第２の表面は第１の感光性構成部の第１の表面
に接している。第１の感光性構成部は少なくとも１つの
外面から距離を置いて第１の表面に沿って配列される第
１の感光性接合を有する。第２の感光性構成部は少なく
とも１つの外面から距離を置いて第１の表面に沿って配
列された第２の感光性接合を有し、かつ距離を置くこと
によって少なくとも１つの外面から伸びた切欠部は第１
の感光性接合へ第１の感光性構成部の少なくとも１つの
外面からの距離に少なくとも等しい。
態において、感光性の構成部の直列構造は第１の感光性
構成部と第２の感光性構成部から構成され、それぞれは
第１の表面、第２の表面及び、第１と第２の表面との間
に伸びる少なくとも１つの外面を有する。第２の感光性
構成部の第２の表面は第１の感光性構成部の第１の表面
に接している。第１の感光性構成部は少なくとも１つの
外面から距離を置いて第１の表面に沿って配列される第
１の感光性接合を有する。第２の感光性構成部は少なく
とも１つの外面から距離を置いて第１の表面に沿って配
列された第２の感光性接合を有し、かつ距離を置くこと
によって少なくとも１つの外面から伸びた切欠部は第１
の感光性接合へ第１の感光性構成部の少なくとも１つの
外面からの距離に少なくとも等しい。
【０００６】本発明の他の実施の形態において、感光性
の構成部は第１の表面、第２の表面及び第１及び第２の
表面との間に伸びる少なくとも１つの外面からなる。第
１の表面はそれに沿って配列された第１の感光性接合を
有する。第２の表面は切欠部を含む。
の構成部は第１の表面、第２の表面及び第１及び第２の
表面との間に伸びる少なくとも１つの外面からなる。第
１の表面はそれに沿って配列された第１の感光性接合を
有する。第２の表面は切欠部を含む。
【０００７】本発明の他の実施の形態において、方法は
第１と第２の感光性構成部を含む少なくとも２つの感光
性構成部の直列構造を形成することからなり、それぞれ
第１の表面、第２の表面及び当該第１と第２の表面の間
に伸びる少なくとも１つの外面を有する。第１の感光性
構成部は第１の表面に沿って配列された第１の感光性構
成部を有し、かつ第２の感光性構成部は第１の表面に沿
って配列された第２の感光性接合を有する。方法は第２
の感光性構成部の第２の表面が第１の感光性構成部の第
１の表面の反対に配列されるので少なくとも２つの感光
性構成部を配列するステップからなる。
第１と第２の感光性構成部を含む少なくとも２つの感光
性構成部の直列構造を形成することからなり、それぞれ
第１の表面、第２の表面及び当該第１と第２の表面の間
に伸びる少なくとも１つの外面を有する。第１の感光性
構成部は第１の表面に沿って配列された第１の感光性構
成部を有し、かつ第２の感光性構成部は第１の表面に沿
って配列された第２の感光性接合を有する。方法は第２
の感光性構成部の第２の表面が第１の感光性構成部の第
１の表面の反対に配列されるので少なくとも２つの感光
性構成部を配列するステップからなる。
【０００８】本発明の他の実施の形態において、方法は
感光性接合を有する少なくとも１つの感光性構成部をト
リガすることである。その方法は次のステップからな
る。（ａ）：部分に沿って光のビームを照射し、
（ｂ）：少なくとも１つの感光性構成部をトリガするた
めに感光性接合に向かって光のビームを反射する部分に
少なくとも１つの反射の表面を設ける。
感光性接合を有する少なくとも１つの感光性構成部をト
リガすることである。その方法は次のステップからな
る。（ａ）：部分に沿って光のビームを照射し、
（ｂ）：少なくとも１つの感光性構成部をトリガするた
めに感光性接合に向かって光のビームを反射する部分に
少なくとも１つの反射の表面を設ける。
【０００９】他の実施の形態において、感光性の構成部
の直列構造は第１及び第２の感光性構成部からなり、そ
れぞれは第１の表面、第２の表面及び当該第１と第２の
表面との間に伸びた少なくとも１つの外面を有する。第
１の感光性構成部は当該第１の表面に沿って設けられた
第１の感光性接合を有する。第２の感光性構成部は第１
の感光性接合に向かって光ビームを反射する手段を含
む。
の直列構造は第１及び第２の感光性構成部からなり、そ
れぞれは第１の表面、第２の表面及び当該第１と第２の
表面との間に伸びた少なくとも１つの外面を有する。第
１の感光性構成部は当該第１の表面に沿って設けられた
第１の感光性接合を有する。第２の感光性構成部は第１
の感光性接合に向かって光ビームを反射する手段を含
む。
【００１０】本発明の一実施の形態において、平面型の
感光性の構成部の直列構造は表面と第２の主表面にある
第１の感光性接合上の第１の主表面を有する。構成部が
構成部の第２の主表面が隣接の構成部の第１の主表面に
接するように堆積される。各構成部の第２の主表面が感
光性接合と外面との間に少なくとも距離を置いて相当す
る側面長に沿って外面に切欠部を有する。
感光性の構成部の直列構造は表面と第２の主表面にある
第１の感光性接合上の第１の主表面を有する。構成部が
構成部の第２の主表面が隣接の構成部の第１の主表面に
接するように堆積される。各構成部の第２の主表面が感
光性接合と外面との間に少なくとも距離を置いて相当す
る側面長に沿って外面に切欠部を有する。
【００１１】本発明の実施の形態によれば、切欠部は各
構成部の第２の主表面をコーティングする金属被覆を用
いてコーティングされる。
構成部の第２の主表面をコーティングする金属被覆を用
いてコーティングされる。
【００１２】本発明の実施の形態によれば、切欠部が湾
曲である。
曲である。
【００１３】本発明の実施の形態によれば、切欠部が形
成された構成部からシリコンウェハを化学的にエッチン
グすることによって形成される。
成された構成部からシリコンウェハを化学的にエッチン
グすることによって形成される。
【００１４】本発明の実施の形態によれば、少なくとも
１つの光源が堆積の外部に設けられている。
１つの光源が堆積の外部に設けられている。
【００１５】構成はサイリスタである。
【００１６】
【発明の実施の形態】図２は図１Ａ及び図１Ｂでのサイ
リスタに表されたものと類似しており、２つの平面ホト
サイリスタ２０及び３０を示す。２つのホトサイリスタ
２０及び３０は図１Ａ及び図１Ｂでの構成要素１，２，
３及び４に相当する、それぞれ基板２１及び３１、Ｐ形
層２２及び３２、Ｎ形層２３及び３３、かつＰ形下部層
２４及び３４を含む。またホトサイリスタは金属被覆６
にそれぞれ相当する上部カソードの金属被覆２６，３６
から構成する。
リスタに表されたものと類似しており、２つの平面ホト
サイリスタ２０及び３０を示す。２つのホトサイリスタ
２０及び３０は図１Ａ及び図１Ｂでの構成要素１，２，
３及び４に相当する、それぞれ基板２１及び３１、Ｐ形
層２２及び３２、Ｎ形層２３及び３３、かつＰ形下部層
２４及び３４を含む。またホトサイリスタは金属被覆６
にそれぞれ相当する上部カソードの金属被覆２６，３６
から構成する。
【００１７】各サイリスタ２０及び３０の下部の表面は
図１Ｂのサイリスタの１つと異なる。この下部の表面の
外面は後ろの切欠部２８，３８を形成するために幅広に
溝を設けられている。この切欠部は接合２２，３２の露
出された層から各サイリスタの外面と分離した、表面上
でその距離より大きい後ろの大きさを有する。後ろの切
欠部２８，３８は対応する金属被覆２９，３２で下部の
表面を同時に金属被覆される。
図１Ｂのサイリスタの１つと異なる。この下部の表面の
外面は後ろの切欠部２８，３８を形成するために幅広に
溝を設けられている。この切欠部は接合２２，３２の露
出された層から各サイリスタの外面と分離した、表面上
でその距離より大きい後ろの大きさを有する。後ろの切
欠部２８，３８は対応する金属被覆２９，３２で下部の
表面を同時に金属被覆される。
【００１８】２つのサイリスタ２０，３０と他（図示せ
ず）は堆積され、かつ間に設けられたハンダ４０を用い
て共にハンダ付けされ得る。堆積されたサイリスタの外
面上に照射された光のビーム４１，４２は調整用下部サ
イリスタの露出された接合領域に向かって切欠部２８の
金属被覆２９によって形成されたミラーによって反射さ
れる。従来、金属被覆は適切な反射体を通常構成するア
ノード及び／又はカソードの金属被覆を形成するために
使用される。例えば、アルミニウム、金、チタン及びニ
ッケル、あるいは１つ又はシリコンなどの合金でできれ
ば挟むなどから形成された金属被覆が使用され得る。
ず）は堆積され、かつ間に設けられたハンダ４０を用い
て共にハンダ付けされ得る。堆積されたサイリスタの外
面上に照射された光のビーム４１，４２は調整用下部サ
イリスタの露出された接合領域に向かって切欠部２８の
金属被覆２９によって形成されたミラーによって反射さ
れる。従来、金属被覆は適切な反射体を通常構成するア
ノード及び／又はカソードの金属被覆を形成するために
使用される。例えば、アルミニウム、金、チタン及びニ
ッケル、あるいは１つ又はシリコンなどの合金でできれ
ば挟むなどから形成された金属被覆が使用され得る。
【００１９】好ましくは、切欠部２８，３８は凹面であ
る。光のビームは下部の表面に向かって反射されないが
更に感光性領域上に焦点を結ぶように切欠部の湾曲は好
ましく選択される。半導体の分野で、単一の構成部は単
一の構成部に切り取られる大きい表面のシリコンウェハ
から形成され、凹面の切欠部は従来次の形成され得る。
切欠部を構成するサイリスタの区域，溝に相当する領域
は化学的にエッチングされる。
る。光のビームは下部の表面に向かって反射されないが
更に感光性領域上に焦点を結ぶように切欠部の湾曲は好
ましく選択される。半導体の分野で、単一の構成部は単
一の構成部に切り取られる大きい表面のシリコンウェハ
から形成され、凹面の切欠部は従来次の形成され得る。
切欠部を構成するサイリスタの区域，溝に相当する領域
は化学的にエッチングされる。
【００２０】もし切欠部が幅広で深いならば、金属被覆
２９，３９はそれぞれＰ形層２４，３４と基板２１，３
１の両方を接する。実際に、これは損失ではない。第１
に、Ｎ形の基板及び下部のＰ形の層の間の接合の機能は
サイリスタの逆の絶縁破壊電圧で主に実施する。しかし
ながら、この逆の絶縁破壊電圧は通常ホトサイリスタの
従来の使用に対して多数のパラメータでない。第２に、
基板と共に裏の表面の金属被覆の接触は下部のインピー
ダンス短絡回路を形成される。実際に、Ｎ形の基板の抵
抗は高い（普通約２５Ωｃｍ又は１０14Ω／ｃｍ3 ）。
そのような焦束をもって、１Ｖの電圧において金属被覆
と基板との間にオーム接点がなく、接点抵抗は数ｋΩで
ある。そして実際に金属被覆は裏の接合を短絡せず、か
つサイリスタの感光度をあまり損なわない。
２９，３９はそれぞれＰ形層２４，３４と基板２１，３
１の両方を接する。実際に、これは損失ではない。第１
に、Ｎ形の基板及び下部のＰ形の層の間の接合の機能は
サイリスタの逆の絶縁破壊電圧で主に実施する。しかし
ながら、この逆の絶縁破壊電圧は通常ホトサイリスタの
従来の使用に対して多数のパラメータでない。第２に、
基板と共に裏の表面の金属被覆の接触は下部のインピー
ダンス短絡回路を形成される。実際に、Ｎ形の基板の抵
抗は高い（普通約２５Ωｃｍ又は１０14Ω／ｃｍ3 ）。
そのような焦束をもって、１Ｖの電圧において金属被覆
と基板との間にオーム接点がなく、接点抵抗は数ｋΩで
ある。そして実際に金属被覆は裏の接合を短絡せず、か
つサイリスタの感光度をあまり損なわない。
【００２１】例えば、本発明は図３に示すような大きさ
の四角形のホトサイリスタを提供され得る。そのような
サイリスタは６００Ｖの直流電圧に耐えることができ、
約１Ａ（約５０Ａの電流ピーク）の平均電流を流すこと
ができる。
の四角形のホトサイリスタを提供され得る。そのような
サイリスタは６００Ｖの直流電圧に耐えることができ、
約１Ａ（約５０Ａの電流ピーク）の平均電流を流すこと
ができる。
【００２２】導電領域の特性は、例えば次のとおりであ
る。 基板２１：ドープ剤濃度＝１０14ａｔ．／ｃｍ3 Ｐ形層２２，２４：ｘs ＝１６μｍ，Ｃs ＝１０17ａ
ｔ．／ｃｍ3 Ｎ形層２３：ｘs ＝８μｍ，Ｃs ＝２．１０19ａｔ．／
ｃｍ3 ここでｘs はドープ剤の浸透の深さを示し、Ｃs はドー
プ剤の表面濃度を示す。
る。 基板２１：ドープ剤濃度＝１０14ａｔ．／ｃｍ3 Ｐ形層２２，２４：ｘs ＝１６μｍ，Ｃs ＝１０17ａ
ｔ．／ｃｍ3 Ｎ形層２３：ｘs ＝８μｍ，Ｃs ＝２．１０19ａｔ．／
ｃｍ3 ここでｘs はドープ剤の浸透の深さを示し、Ｃs はドー
プ剤の表面濃度を示す。
【００２３】図３の１つのように１０個のホトサイリス
タに及んで、約６０００Ｖのブレーク電圧に達するよう
に堆積することができる。
タに及んで、約６０００Ｖのブレーク電圧に達するよう
に堆積することができる。
【００２４】従来、堆積されたサイリスタは単一のホト
ダイオードによってトリガされ、より複雑な配列が使用
され得る。実際に、ホトサイリスタの十分な数がトリガ
されるとすぐに他のサイリスタがブレークオーバするの
で光学的にトリガされるためにホトサイリスタは不要で
ある。
ダイオードによってトリガされ、より複雑な配列が使用
され得る。実際に、ホトサイリスタの十分な数がトリガ
されるとすぐに他のサイリスタがブレークオーバするの
で光学的にトリガされるためにホトサイリスタは不要で
ある。
【００２５】図２に関係する実施の形態の説明において
下部の表面は単一の金属被覆層２９から形成される。ま
た下部の表面は図３に示すように多重層から形成され得
る。第１の金属被覆層４０は例えばアルミニウムで全下
部の表面上に施され得、例えばニッケルを用いた第２の
金属被覆層４１と金を用いた第３の金属被覆層４２、下
部の表面の平面部分を覆うように１またはそれ以上の金
属被覆によって続く。そして、ソフトハンダ付けが使用
され得る。例えばスズ−鉛、アルミニウムでないが金を
ぬらす。これはハンダ付けが切欠部を満たさないためで
ある。これは第１にアルミニウム４０を設けることによ
って行われ得、樹脂を用いて溝をコーティングし、付加
的に金属被覆を設け、樹脂をコーティングした金属被覆
を取り除くように樹脂を溶かす。
下部の表面は単一の金属被覆層２９から形成される。ま
た下部の表面は図３に示すように多重層から形成され得
る。第１の金属被覆層４０は例えばアルミニウムで全下
部の表面上に施され得、例えばニッケルを用いた第２の
金属被覆層４１と金を用いた第３の金属被覆層４２、下
部の表面の平面部分を覆うように１またはそれ以上の金
属被覆によって続く。そして、ソフトハンダ付けが使用
され得る。例えばスズ−鉛、アルミニウムでないが金を
ぬらす。これはハンダ付けが切欠部を満たさないためで
ある。これは第１にアルミニウム４０を設けることによ
って行われ得、樹脂を用いて溝をコーティングし、付加
的に金属被覆を設け、樹脂をコーティングした金属被覆
を取り除くように樹脂を溶かす。
【００２６】当業者であれば、多種の変形例が前述の実
施の形態から作成できる。例えば、極性は反転され得、
本発明はダイオード、二方向三極サイリスタ及び平面型
の他の感光性構成を提供する。
施の形態から作成できる。例えば、極性は反転され得、
本発明はダイオード、二方向三極サイリスタ及び平面型
の他の感光性構成を提供する。
【００２７】本発明の少なくとも１つの実施形態のみ示
したが、多種の変形や改良、そして改善は当業者であれ
ば容易に行うことができる。そのような変形、改良及び
改善は本発明の技術思想や見地に含まれるものである。
よって、前述の明細は一例にすぎず、これに限定されな
い。本発明は特許請求の範囲及びその均等物に限定され
る。
したが、多種の変形や改良、そして改善は当業者であれ
ば容易に行うことができる。そのような変形、改良及び
改善は本発明の技術思想や見地に含まれるものである。
よって、前述の明細は一例にすぎず、これに限定されな
い。本発明は特許請求の範囲及びその均等物に限定され
る。
【図１Ａ】平面型ホトサイリスタの平面図である。
【図１Ｂ】平面型ホトサイリスタの断面図である。
【図２】本発明に係るホトサイリスタの構成を示す断面
図である。
図である。
【図３】本発明に係るホトサイリスタの実施の形態を示
す側面図である。
す側面図である。
２１，３１ 基板 ２２，３２ Ｐ形層 ２３，３３ Ｎ形層 ２４，３４ Ｐ形下部層 ２６，２９，３６，３９ 金属被覆 ２８，３８ 切欠部 ４０ ハンダ
Claims (7)
- 【請求項１】 表面と第２の主表面にある第１の感光性
接合上の第１の主表面を有する平面型の感光性の構成部
の直列構造において、 構成部（２０，３０）は構成部の第２の主表面が隣接の
構成部の第１の主表面に接するように堆積され、 各構成部の第２の主表面が前記感光性接合と外面との間
に少なくとも距離を置いて相当する側面長に添って前記
外面に切欠部（２８，３８）を有することを特徴とする
ホトサイリスタの直列構造。 - 【請求項２】 切欠部は各構成部の第２の主表面をコー
ティングする金属被覆を用いてコーティングされる請求
項１記載のホトサイリスタの直列構造。 - 【請求項３】 切欠部が湾曲である請求項１記載のホト
サイリスタの直列構造。 - 【請求項４】 切欠部が形成された構成部からシリコン
ウェハを化学的にエッチングすることによって形成され
る請求項１項記載のホトサイリスタの直列構造。 - 【請求項５】 下部の表面の平面部分が付加的な金属被
覆（４１，４２）でコーティングされる請求項２又は請
求項４記載のホトサイリスタの直列構造。 - 【請求項６】 外部に設けられた少なくとも１つの光源
（７０）に関係される請求項１記載のホトサイリスタの
直列構造。 - 【請求項７】 構成部がホトサイリスタである請求項１
記載のホトサイリスタの直列構造。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9411338A FR2724768B1 (fr) | 1994-09-16 | 1994-09-16 | Groupement en serie de thyristors photosensibles |
| FR9411338 | 1994-09-16 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08213593A true JPH08213593A (ja) | 1996-08-20 |
| JP2743883B2 JP2743883B2 (ja) | 1998-04-22 |
Family
ID=9467188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7262059A Expired - Fee Related JP2743883B2 (ja) | 1994-09-16 | 1995-09-18 | 感光性素子の直列構造 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5747835A (ja) |
| EP (1) | EP0702409B1 (ja) |
| JP (1) | JP2743883B2 (ja) |
| DE (1) | DE69503856T2 (ja) |
| FR (1) | FR2724768B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6294665B1 (en) | 1998-06-11 | 2001-09-25 | Fuji Oil Co., Ltd. | Process for producing water-soluble polysaccharide |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6218682B1 (en) * | 1997-09-19 | 2001-04-17 | Optiswitch Technology Corporation | Optically controlled thyristor |
| FR2781929B1 (fr) * | 1998-07-28 | 2002-08-30 | St Microelectronics Sa | Capteur d'image a reseau de photodiodes |
| FR2820882B1 (fr) | 2001-02-12 | 2003-06-13 | St Microelectronics Sa | Photodetecteur a trois transistors |
| FR2820883B1 (fr) | 2001-02-12 | 2003-06-13 | St Microelectronics Sa | Photodiode a grande capacite |
| FR2824665B1 (fr) * | 2001-05-09 | 2004-07-23 | St Microelectronics Sa | Photodetecteur de type cmos |
| US7057214B2 (en) * | 2003-07-01 | 2006-06-06 | Optiswitch Technology Corporation | Light-activated semiconductor switches |
| JP5136544B2 (ja) * | 2009-12-16 | 2013-02-06 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| FR2987698B1 (fr) * | 2012-03-02 | 2014-04-04 | St Microelectronics Tours Sas | Composant de puissance vertical |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS583386B2 (ja) * | 1975-10-11 | 1983-01-21 | 株式会社日立製作所 | ソウホウコウセイホトサイリスタ |
| US4301462A (en) * | 1978-08-03 | 1981-11-17 | Westinghouse Electric Corp. | Light activated silicon switch with etched channel in cathode base and anode emitter communicating with cladded optical fiber |
| JPS55120165A (en) * | 1979-03-09 | 1980-09-16 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPS55134970A (en) * | 1979-04-09 | 1980-10-21 | Fuji Electric Co Ltd | Photofiring thyristor |
| JPS567476A (en) * | 1979-06-29 | 1981-01-26 | Mitsubishi Electric Corp | Power semiconductor device |
| JPS56112746A (en) * | 1980-02-11 | 1981-09-05 | Toshiba Corp | Photothyristor device |
| JPS58157166A (ja) * | 1982-03-12 | 1983-09-19 | Toshiba Corp | 光駆動型半導体装置 |
| DE3240564A1 (de) * | 1982-11-03 | 1984-05-03 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh | Steuerbares halbleiterschaltelement |
| US5023685A (en) * | 1988-06-06 | 1991-06-11 | Bethea Clyde G | Quantum-well radiation-interactive device, and methods of radiation detection and modulation |
| CA1314614C (en) * | 1988-06-06 | 1993-03-16 | Clyde George Bethea | Quantum-well radiation detector |
| JPH0521817A (ja) * | 1991-07-09 | 1993-01-29 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 受光装置 |
| US5357122A (en) * | 1991-09-05 | 1994-10-18 | Sony Corporation | Three-dimensional optical-electronic integrated circuit device with raised sections |
| JPH0621436A (ja) * | 1992-07-03 | 1994-01-28 | Mitsubishi Electric Corp | 光サイリスタ |
-
1994
- 1994-09-16 FR FR9411338A patent/FR2724768B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-09-11 US US08/526,508 patent/US5747835A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-09-13 EP EP95410107A patent/EP0702409B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1995-09-13 DE DE69503856T patent/DE69503856T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-09-18 JP JP7262059A patent/JP2743883B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6294665B1 (en) | 1998-06-11 | 2001-09-25 | Fuji Oil Co., Ltd. | Process for producing water-soluble polysaccharide |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69503856T2 (de) | 1998-12-10 |
| DE69503856D1 (de) | 1998-09-10 |
| US5747835A (en) | 1998-05-05 |
| EP0702409A1 (fr) | 1996-03-20 |
| FR2724768B1 (fr) | 1997-01-24 |
| EP0702409B1 (fr) | 1998-08-05 |
| FR2724768A1 (fr) | 1996-03-22 |
| JP2743883B2 (ja) | 1998-04-22 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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