JPH08212911A - 強化された粒子電界放出器を製造する方法と装置及びその製品 - Google Patents
強化された粒子電界放出器を製造する方法と装置及びその製品Info
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本件発明は、電子電界放出器（エミッタ）に
関し、特に、粒子性強化電界放出器を作成するための方
法と装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 本件発明は、０．１から１００μｍの大
きさを有する複数の基板粒子を備え、２５Ｖ／μｍ以下
の電界で、少なくとも０．１ｍＡ／ｍｍ2 の電流密度で
電子を放出する低電圧放出材料で前記基板粒子をコーテ
ィングすることを特徴とする。本件発明の強化電界放出
器は、欠陥リッチダイアモンドのような低電圧放出性材
料で粒子性基板をコーティングすることにより作成さ
れ、これらの方法は、鋭い形状で低電圧放出の低コスト
組み合わせを可能とする。
関し、特に、粒子性強化電界放出器を作成するための方
法と装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 本件発明は、０．１から１００μｍの大
きさを有する複数の基板粒子を備え、２５Ｖ／μｍ以下
の電界で、少なくとも０．１ｍＡ／ｍｍ2 の電流密度で
電子を放出する低電圧放出材料で前記基板粒子をコーテ
ィングすることを特徴とする。本件発明の強化電界放出
器は、欠陥リッチダイアモンドのような低電圧放出性材
料で粒子性基板をコーティングすることにより作成さ
れ、これらの方法は、鋭い形状で低電圧放出の低コスト
組み合わせを可能とする。
Description
【０００１】
【発明の分野】本発明は、電子電界(electron field)放
出器に関し、特に、強化された粒子電界(particulate f
ield)放出器を作成するための方法と装置に関する。
出器に関し、特に、強化された粒子電界(particulate f
ield)放出器を作成するための方法と装置に関する。
【０００２】
【発明の背景】電界放出装置は、印加される静電界に応
答して電子を放出する。そのような装置は、表示装置、
電子銃、及び電子ビームリソグラフィーを含めて種々の
広い応用分野で有益である。特に有望な分野は、フラッ
トパネル表示装置を製造する際に指向性を有するアレー
における電界放出装置に使用することである。例えば、
１９９１年１２月発行の「セミコンダクター・インター
ナショナル(Semiconductor International)」第１１
頁、Ｃ．Ａ．スピント(C.A.Spint)等による「アイ・イ
ー・イー・イー・トランザクションズ・オン・エレクト
ロンデバイス(IEEE Transactions on Electron Device
s)」、第３８巻（１０）、第２３５５頁乃至第２３６３
頁（１９９１）、及びＪ．Ａ．コステラノ(J.A.Costell
ano)の「ハンドブック・オブ・ディスプレイ・テクノロ
ジー(Handbook of Display Technology)」（アカデミッ
クプレス、ニューヨーク、第２５４頁乃至第２５７頁
（１９９２））を参照。これらは、引用により本願に組
み込まれる。
答して電子を放出する。そのような装置は、表示装置、
電子銃、及び電子ビームリソグラフィーを含めて種々の
広い応用分野で有益である。特に有望な分野は、フラッ
トパネル表示装置を製造する際に指向性を有するアレー
における電界放出装置に使用することである。例えば、
１９９１年１２月発行の「セミコンダクター・インター
ナショナル(Semiconductor International)」第１１
頁、Ｃ．Ａ．スピント(C.A.Spint)等による「アイ・イ
ー・イー・イー・トランザクションズ・オン・エレクト
ロンデバイス(IEEE Transactions on Electron Device
s)」、第３８巻（１０）、第２３５５頁乃至第２３６３
頁（１９９１）、及びＪ．Ａ．コステラノ(J.A.Costell
ano)の「ハンドブック・オブ・ディスプレイ・テクノロ
ジー(Handbook of Display Technology)」（アカデミッ
クプレス、ニューヨーク、第２５４頁乃至第２５７頁
（１９９２））を参照。これらは、引用により本願に組
み込まれる。
【０００３】典型的な電界放出装置は、複数の電界放出
チップを含むカソードとカソードから離れたアノードを
具備する。アノードとカソードの間に印加される電圧に
より電子はアノードに向かって放出される。
チップを含むカソードとカソードから離れたアノードを
具備する。アノードとカソードの間に印加される電圧に
より電子はアノードに向かって放出される。
【０００４】従来の電子放出型フラットパネル表示装置
は、一般に、セルのカソード（バックプレート）上に形
成された顕微鏡サイズのマトリクス状の配列をした電界
放出チップと透明正面プレート上に形成されたリンが塗
布された型のアノードを有するフラット真空セルを具備
する。カソードとアノード間には、グリッドあるいはゲ
ートと呼ばれる導電性の素子が存在する。カソードとゲ
ートとは一般に表示のための画素を定義する交差するス
トライプ（通常垂直なストライプ）である。放出された
電子を比較的高いエネルギー（400-1000ｅＶ）を持つよ
うにするため、より正の電圧がアノードに印加される。
例えば、米国特許番号4,940,916、5,129,850、5,138,23
7及び5,283,000を参照。これらの特許は引用によりここ
に組み込まれる。
は、一般に、セルのカソード（バックプレート）上に形
成された顕微鏡サイズのマトリクス状の配列をした電界
放出チップと透明正面プレート上に形成されたリンが塗
布された型のアノードを有するフラット真空セルを具備
する。カソードとアノード間には、グリッドあるいはゲ
ートと呼ばれる導電性の素子が存在する。カソードとゲ
ートとは一般に表示のための画素を定義する交差するス
トライプ（通常垂直なストライプ）である。放出された
電子を比較的高いエネルギー（400-1000ｅＶ）を持つよ
うにするため、より正の電圧がアノードに印加される。
例えば、米国特許番号4,940,916、5,129,850、5,138,23
7及び5,283,000を参照。これらの特許は引用によりここ
に組み込まれる。
【０００５】ダイアモンドは電界放出器として望まし
い。初期の電界放出器のほとんどは、ＭｏあるいはＳｉ
のようなコーン状の金属あるいは半導体の鋭い尖った構
造をしていた。しかしながら、そのような尖端は加工が
難しく、多くの応用分野では持続期間が不十分であり、
電子放出を誘起するために高い電圧（約１００Ｖ）を必
要としていた。しかしながら、ダイアモンドは、構造的
に寿命が長く、負の電子親和力を持っている。それは電
界放出器にとって魅力のある性質である。ダイアモンド
電界放出器を採用する電界放出装置は、例えば米国特許
第5,129,850号と同第5,138,237号、及びオカノ等による
「アプライド・フィジックス・レター(Appl. Phys. Let
t.)」、第６４巻、第2742頁以降（1994）に記載されて
いる。それらは引用によりここに組み込まれる。ダイア
モンド放出器を採用するフラットパネル表示装置はジン
等による１９９４年８月３１日に出願された同時係属の
米国特許出願第08/299,674号及び同第08/299,470号に開
示されている。それらは引用によりここに取り込まれ
る。
い。初期の電界放出器のほとんどは、ＭｏあるいはＳｉ
のようなコーン状の金属あるいは半導体の鋭い尖った構
造をしていた。しかしながら、そのような尖端は加工が
難しく、多くの応用分野では持続期間が不十分であり、
電子放出を誘起するために高い電圧（約１００Ｖ）を必
要としていた。しかしながら、ダイアモンドは、構造的
に寿命が長く、負の電子親和力を持っている。それは電
界放出器にとって魅力のある性質である。ダイアモンド
電界放出器を採用する電界放出装置は、例えば米国特許
第5,129,850号と同第5,138,237号、及びオカノ等による
「アプライド・フィジックス・レター(Appl. Phys. Let
t.)」、第６４巻、第2742頁以降（1994）に記載されて
いる。それらは引用によりここに組み込まれる。ダイア
モンド放出器を採用するフラットパネル表示装置はジン
等による１９９４年８月３１日に出願された同時係属の
米国特許出願第08/299,674号及び同第08/299,470号に開
示されている。それらは引用によりここに取り込まれ
る。
【０００６】欠陥の濃度を増加させ、それにより低電圧
放出を強化するように成長させられ、あるいは処理され
たダイアモンド強化放出器は、ジンらによる「ダイアモ
ンド強化電界放出器を採用する電界放出装置」という名
称の同時に出願され、同時に係属している米国特許出願
に開示されている。５から１５ｃｍ-1の範囲の半値全幅
（ＦＷＨＭ）をもつラーマンスペクトロメーターで1332
ｃｍ-1に広いダイアモンドピークで特徴づけられる欠陥
リッチダイアモンド材料が２５Ｖ／μｍかそれ以下の低
い印加電界で少なくとも０．１ｍＡ／ｍｍ2 の電流密度
で電子を放出することができる。
放出を強化するように成長させられ、あるいは処理され
たダイアモンド強化放出器は、ジンらによる「ダイアモ
ンド強化電界放出器を採用する電界放出装置」という名
称の同時に出願され、同時に係属している米国特許出願
に開示されている。５から１５ｃｍ-1の範囲の半値全幅
（ＦＷＨＭ）をもつラーマンスペクトロメーターで1332
ｃｍ-1に広いダイアモンドピークで特徴づけられる欠陥
リッチダイアモンド材料が２５Ｖ／μｍかそれ以下の低
い印加電界で少なくとも０．１ｍＡ／ｍｍ2 の電流密度
で電子を放出することができる。
【０００７】
【発明の詳細な記述】強化電界放出器は、欠陥が多いダ
イアモンドのような低電圧放出材料で粒子性基板をコー
ティングすることにより製造される。これらの方法は、
低コストで鋭い形状を持った低電圧放出を可能とすると
いう長所を有する。
イアモンドのような低電圧放出材料で粒子性基板をコー
ティングすることにより製造される。これらの方法は、
低コストで鋭い形状を持った低電圧放出を可能とすると
いう長所を有する。
【０００８】図面を参照して、図１は、強化粒子性電界
放出器を製造するための一般的プロセスのステップを示
す。図１のブロックＡに示されるように、最初のステッ
プは粒子性基板を提供することである。
放出器を製造するための一般的プロセスのステップを示
す。図１のブロックＡに示されるように、最初のステッ
プは粒子性基板を提供することである。
【０００９】基板粒子は、電子放出の間の電界集中のた
めに（多面体の、ギザギザした形状の、あるいは切子面
を持った）鋭い形状を持つことが望ましい。粒子は粉状
のダイアモンド、酸化物、窒化物、あるいは炭化物のよ
うなセラミック粒子（例えばAl2O3 、AlN、CuO、YBa2Cu
3Ox、La0.67Ca0.33、MnOx、WC)、あるいはSiのような半導
体粒子である。基板粒子の電気伝導度は、それが絶対に
必要というわけではないが、放出器先端に容易に電流を
通すために有利である。基板粒子として金属粒子を使用
してもよい。特に、ダイアモンドの核形成がそれらの基
板上で比較的容易なので、モリブデン（Ｍｏ）のような
炭化物を形成する金属あるいは耐熱性の金属が有利であ
る。基板粒子の溶融点は、電界放出装置の後続のコーテ
ィング、真空、ガラス封止の間における溶融を避けるた
めに５００℃以上であることが望ましい。基板粒子の直
径の望ましい範囲は、０．１−１００μｍであり、０．
２−５μｍであることが望ましい。粒子の形状の望まし
い鋭さは各粒子の少なくともある位置で、曲率半径で
０．５μｍ以下であり、０．１μｍ以下であることが望
ましい。
めに（多面体の、ギザギザした形状の、あるいは切子面
を持った）鋭い形状を持つことが望ましい。粒子は粉状
のダイアモンド、酸化物、窒化物、あるいは炭化物のよ
うなセラミック粒子（例えばAl2O3 、AlN、CuO、YBa2Cu
3Ox、La0.67Ca0.33、MnOx、WC)、あるいはSiのような半導
体粒子である。基板粒子の電気伝導度は、それが絶対に
必要というわけではないが、放出器先端に容易に電流を
通すために有利である。基板粒子として金属粒子を使用
してもよい。特に、ダイアモンドの核形成がそれらの基
板上で比較的容易なので、モリブデン（Ｍｏ）のような
炭化物を形成する金属あるいは耐熱性の金属が有利であ
る。基板粒子の溶融点は、電界放出装置の後続のコーテ
ィング、真空、ガラス封止の間における溶融を避けるた
めに５００℃以上であることが望ましい。基板粒子の直
径の望ましい範囲は、０．１−１００μｍであり、０．
２−５μｍであることが望ましい。粒子の形状の望まし
い鋭さは各粒子の少なくともある位置で、曲率半径で
０．５μｍ以下であり、０．１μｍ以下であることが望
ましい。
【００１０】図１のブロックＢに示される次のステップ
は、低電圧放出材料で基板粒子をコーティングすること
である。望ましくは、粒子は２５Ｖ／μｍかそれ以下の
印加電界で少なくとも０．１ｍＡ／ｍｍ2 の電流密度で
電子を放出する材料でコーティングされる。望ましい低
電圧放出材料は、欠陥リッチダイアモンドであり、コー
ティングのための望ましい方法は、一般に高品位低欠陥
密度ダイアモンドを製造するために薦められるものより
低い温度で、あるいは欠陥の少ないダイアモンドを製造
するために使用される濃度より大きいＣＶＤガス内の炭
素濃度のいずれかで、CH4 、C2H6、CH3OH 及びCOのような
炭素系ガスを用いる化学的気相成長法（ＣＶＤ）であ
る。一般に、CH4 とH2の混合ガスが使用される。最初の
アプローチを使用して、体積温度は９００℃以下、望ま
しくは８００℃以下に維持され、その結果ｓｐ２結合、
点欠陥、及び非晶質相のような意味のある数の欠陥がｓ
ｐ３−優位ダイアモンドに組み込まれる。第２のアプロ
ーチを使用して、ＣＶＤガス混合内の炭素原子の原子％
は、０．５％より多く、好ましくは１％以上、更に好ま
しくは２原子％より大きいように維持される。欠陥密度
の望ましい範囲は、ラーマン分光において1332ｃｍ-1に
おけるダイアモンドピークのひろがりによって表される
ことができる。特に、欠陥リッチ材料では、ピークは５
ｃｍ-1以上の、好ましくは５−１５ｃｍ-1に、更に好ま
しくは７−１１ｃｍ-1に半値全幅をもつ。他に、欠陥含
有ダイアモンドのコーティングの他に、ｎ型半導体ダイ
アモンドの薄膜、あるいはAlN あるいはLaB6の半導体の
ような低電圧放出材料の薄膜をコーティングしてもよ
い。
は、低電圧放出材料で基板粒子をコーティングすること
である。望ましくは、粒子は２５Ｖ／μｍかそれ以下の
印加電界で少なくとも０．１ｍＡ／ｍｍ2 の電流密度で
電子を放出する材料でコーティングされる。望ましい低
電圧放出材料は、欠陥リッチダイアモンドであり、コー
ティングのための望ましい方法は、一般に高品位低欠陥
密度ダイアモンドを製造するために薦められるものより
低い温度で、あるいは欠陥の少ないダイアモンドを製造
するために使用される濃度より大きいＣＶＤガス内の炭
素濃度のいずれかで、CH4 、C2H6、CH3OH 及びCOのような
炭素系ガスを用いる化学的気相成長法（ＣＶＤ）であ
る。一般に、CH4 とH2の混合ガスが使用される。最初の
アプローチを使用して、体積温度は９００℃以下、望ま
しくは８００℃以下に維持され、その結果ｓｐ２結合、
点欠陥、及び非晶質相のような意味のある数の欠陥がｓ
ｐ３−優位ダイアモンドに組み込まれる。第２のアプロ
ーチを使用して、ＣＶＤガス混合内の炭素原子の原子％
は、０．５％より多く、好ましくは１％以上、更に好ま
しくは２原子％より大きいように維持される。欠陥密度
の望ましい範囲は、ラーマン分光において1332ｃｍ-1に
おけるダイアモンドピークのひろがりによって表される
ことができる。特に、欠陥リッチ材料では、ピークは５
ｃｍ-1以上の、好ましくは５−１５ｃｍ-1に、更に好ま
しくは７−１１ｃｍ-1に半値全幅をもつ。他に、欠陥含
有ダイアモンドのコーティングの他に、ｎ型半導体ダイ
アモンドの薄膜、あるいはAlN あるいはLaB6の半導体の
ような低電圧放出材料の薄膜をコーティングしてもよ
い。
【００１１】粒子の塊を最小にし、コーティングを一様
にするために、新鮮な面がＣＶＤ環境にさらされ、粒子
が一緒に焼結しないようにコーティングプロセスの間基
板が連続的な接触から保たれることが望ましい。図２、
３、４は粒子が連続的な接触から妨げられている状態で
コーティングを行うのに好適な装置を示す。
にするために、新鮮な面がＣＶＤ環境にさらされ、粒子
が一緒に焼結しないようにコーティングプロセスの間基
板が連続的な接触から保たれることが望ましい。図２、
３、４は粒子が連続的な接触から妨げられている状態で
コーティングを行うのに好適な装置を示す。
【００１２】図２は、低電圧放出ダイアモンド材料で粒
子性基板をコーティングするための装置の第１の実施例
の断面を示す。チャンバー２０は、溶融石英管のような
マイクロ波を透過する材料で作られることが望ましい。
複数の別々にスイッチをオンできるマイクロ波源２２、
２３、２４がチャンバーに沿って隣接するプラズマ領域
２６、２７、２８を作り出す。開口部２８がチャンバー
２０には提供され、管１１と１２を通して粒子性基板１
０の注入とプラズマガス混合体の導入を可能としてい
る。開口部２９は、それらの出口である。コントローラ
１３はマイクロ波源２２、２３、２４を別々にスイッチ
ングするために提供されている。
子性基板をコーティングするための装置の第１の実施例
の断面を示す。チャンバー２０は、溶融石英管のような
マイクロ波を透過する材料で作られることが望ましい。
複数の別々にスイッチをオンできるマイクロ波源２２、
２３、２４がチャンバーに沿って隣接するプラズマ領域
２６、２７、２８を作り出す。開口部２８がチャンバー
２０には提供され、管１１と１２を通して粒子性基板１
０の注入とプラズマガス混合体の導入を可能としてい
る。開口部２９は、それらの出口である。コントローラ
１３はマイクロ波源２２、２３、２４を別々にスイッチ
ングするために提供されている。
【００１３】動作では、チャンバーは真空にされた低圧
コンテナー２１内に置かれ、粒子性基板とプラズマガス
混合体が流される。チャンバーは輻射あるいは他の加熱
手段（図示せず）により好ましい温度まで加熱される。
プラズマがマイクロ波源２２、２３、２４を活性化する
ことによりチャンバー内に点火される。粒子性基板の移
動と流れはプラズマ領域２６、２７、２８を選択的にオ
フにすることにより達成される。粒子１０はプラズマ領
域内に静電的に閉じこめられる。マイクロ波源２２をオ
フすることによりプラズマ領域２６がオフされると、領
域２６内の粒子はとなりの領域２７に移動する。同様
に、２６と２７がオフされると、粒子は領域２８に移動
する。２７をオフして、２８をオフすると、２８内の粒
子の制御は重力と流体力学的力に戻され、プラズマから
粒子が出て行く。こうして、プラズマ源を選択的にスイ
ッチングするとプラズマを通して粒子基板を動かすこと
ができる。好ましい条件は、２モル％以上のメタン濃度
のCH4/H2プラズマガス混合体で９００℃以下の温度であ
る。ガス圧は典型的には１０−１００torrであり、マイ
クロ波源は約１ＫＷである。
コンテナー２１内に置かれ、粒子性基板とプラズマガス
混合体が流される。チャンバーは輻射あるいは他の加熱
手段（図示せず）により好ましい温度まで加熱される。
プラズマがマイクロ波源２２、２３、２４を活性化する
ことによりチャンバー内に点火される。粒子性基板の移
動と流れはプラズマ領域２６、２７、２８を選択的にオ
フにすることにより達成される。粒子１０はプラズマ領
域内に静電的に閉じこめられる。マイクロ波源２２をオ
フすることによりプラズマ領域２６がオフされると、領
域２６内の粒子はとなりの領域２７に移動する。同様
に、２６と２７がオフされると、粒子は領域２８に移動
する。２７をオフして、２８をオフすると、２８内の粒
子の制御は重力と流体力学的力に戻され、プラズマから
粒子が出て行く。こうして、プラズマ源を選択的にスイ
ッチングするとプラズマを通して粒子基板を動かすこと
ができる。好ましい条件は、２モル％以上のメタン濃度
のCH4/H2プラズマガス混合体で９００℃以下の温度であ
る。ガス圧は典型的には１０−１００torrであり、マイ
クロ波源は約１ＫＷである。
【００１４】図３はチャンバー３０の回転とＣＶＤガス
混合体の力が粒子の移動を助ける他の実施例を示す。特
に、ＣＶＤチャンバー（図示せず）内の回転可能な石英
チャンバー３０がシャフト３１により回転させられる。
ガス混合体は、チャンバーの中心に向かって粒子３３を
吹き付けるために、好ましくはチャンバー３０の周囲に
置かれた１以上の入力管３２により提供される。全体の
圧は、スロットルバルブ（図示せず）を通してＣＶＤチ
ャンバーの連続的なポンピングと注入ガスを均衡させる
ことにより維持される。マイクロ波源３４はマイクロ波
エネルギーを提供し中心部にプラズマボール３６を確立
する（他に、源３４は、ダイアモンドの堆積のためにガ
スを分解し活性化する熱いタングステンあるいはタンタ
ルのフィラメントであってもよい。）。ガス吹き付け力
がそれらがコーティングされるべき中心にそれらを戻す
ように働いている間にチャンバー３０を回転させること
により粒子に広がる遠心力が粒子を外側に移動させる。
典型的な動作パラメーターは、１ＫＷのマイクロ波電
力、１０−１００torrのガス圧、及び１００−１０００
ｒｐｍの回転である。熱いフィラメントが使用されると
きは、2000-2300℃の温度範囲である。
混合体の力が粒子の移動を助ける他の実施例を示す。特
に、ＣＶＤチャンバー（図示せず）内の回転可能な石英
チャンバー３０がシャフト３１により回転させられる。
ガス混合体は、チャンバーの中心に向かって粒子３３を
吹き付けるために、好ましくはチャンバー３０の周囲に
置かれた１以上の入力管３２により提供される。全体の
圧は、スロットルバルブ（図示せず）を通してＣＶＤチ
ャンバーの連続的なポンピングと注入ガスを均衡させる
ことにより維持される。マイクロ波源３４はマイクロ波
エネルギーを提供し中心部にプラズマボール３６を確立
する（他に、源３４は、ダイアモンドの堆積のためにガ
スを分解し活性化する熱いタングステンあるいはタンタ
ルのフィラメントであってもよい。）。ガス吹き付け力
がそれらがコーティングされるべき中心にそれらを戻す
ように働いている間にチャンバー３０を回転させること
により粒子に広がる遠心力が粒子を外側に移動させる。
典型的な動作パラメーターは、１ＫＷのマイクロ波電
力、１０−１００torrのガス圧、及び１００−１０００
ｒｐｍの回転である。熱いフィラメントが使用されると
きは、2000-2300℃の温度範囲である。
【００１５】図４は、ＣＶＤチャンバー２１内に設けら
れた長手方向に延びた回転可能チャンバー４０を具備す
る粒子１０のマイクロ波コーティングのための他の装置
の断面である。ＣＶＤチャンバーはマイクロ波反射器４
２とマイクロ波源４１を備えている。回転可能チャンバ
ー４０は、溶融石英のようなマイクロ透過材料で作られ
ており、プラズマがチャンバー４０内に形成されるよう
に源４１と反射器４２の間に設けられることが望まし
い。開口部４３はチャンバー４０の終端に提供され、
（望ましくはＣＨ4 とＨ2 である）ＣＶＤガス混合体を
流すことができ、チャンバーは回転のためシャフト４４
に取り付けられている。
れた長手方向に延びた回転可能チャンバー４０を具備す
る粒子１０のマイクロ波コーティングのための他の装置
の断面である。ＣＶＤチャンバーはマイクロ波反射器４
２とマイクロ波源４１を備えている。回転可能チャンバ
ー４０は、溶融石英のようなマイクロ透過材料で作られ
ており、プラズマがチャンバー４０内に形成されるよう
に源４１と反射器４２の間に設けられることが望まし
い。開口部４３はチャンバー４０の終端に提供され、
（望ましくはＣＨ4 とＨ2 である）ＣＶＤガス混合体を
流すことができ、チャンバーは回転のためシャフト４４
に取り付けられている。
【００１６】動作では、粒子基板１０はチャンバー４０
内に置かれる。ＣＶＤチャンバー２１は真空に引かれ、
回転可能チャンバー４０は粒子１０を転がすように回転
する。チャンバー４０は輻射により、あるいは他の加熱
方法により好ましくは９００℃以下の高温にまで加熱さ
れ、好ましくは０．５原子％より多い炭素濃度を持つCH
4/H2混合体がチャンバー４０に流される。マイクロ波電
力は粒子をコーティングするために印加される。典型的
な動作パラメーターは、１ＫＷのマイクロ波電力，１０
−１００torrのガス圧、１０−10,000ｒｐｍの回転であ
る。
内に置かれる。ＣＶＤチャンバー２１は真空に引かれ、
回転可能チャンバー４０は粒子１０を転がすように回転
する。チャンバー４０は輻射により、あるいは他の加熱
方法により好ましくは９００℃以下の高温にまで加熱さ
れ、好ましくは０．５原子％より多い炭素濃度を持つCH
4/H2混合体がチャンバー４０に流される。マイクロ波電
力は粒子をコーティングするために印加される。典型的
な動作パラメーターは、１ＫＷのマイクロ波電力，１０
−１００torrのガス圧、１０−10,000ｒｐｍの回転であ
る。
【００１７】マイクロ波あるいは熱いフィラメントに代
えて、ＤＣプラズマジェットあるいはフレーム堆積のよ
うな他の技術が粒子性基板上に低電圧放出材料をコーテ
ィングするために使用されてもよい。
えて、ＤＣプラズマジェットあるいはフレーム堆積のよ
うな他の技術が粒子性基板上に低電圧放出材料をコーテ
ィングするために使用されてもよい。
【００１８】低電圧電界放出装置におけるコーティング
された粒子が図５から図８に示されている。図５に示す
ように、放出性粒子は、基板５１と低電圧放出材料から
なるコーティング５２を具備する。粒子は基板５０と基
板上に設けられた１以上の導電性ベース５３を具備する
電解放出器で使用されることが望ましい。コーティング
された放出性粒子は導電性ベースに埋め込まれ、あるい
はそれに固着される。低電圧放出性コーティングは、上
記のように欠陥リッチダイアモンドであることが望まし
いが、AlN あるいはLaB6であってもよい。図６に示すよ
うに、コーティングされた放出性粒子６０は基板５０上
で導電性材料のマトリクスの中に埋め込まれてもよい。
された粒子が図５から図８に示されている。図５に示す
ように、放出性粒子は、基板５１と低電圧放出材料から
なるコーティング５２を具備する。粒子は基板５０と基
板上に設けられた１以上の導電性ベース５３を具備する
電解放出器で使用されることが望ましい。コーティング
された放出性粒子は導電性ベースに埋め込まれ、あるい
はそれに固着される。低電圧放出性コーティングは、上
記のように欠陥リッチダイアモンドであることが望まし
いが、AlN あるいはLaB6であってもよい。図６に示すよ
うに、コーティングされた放出性粒子６０は基板５０上
で導電性材料のマトリクスの中に埋め込まれてもよい。
【００１９】図５と６の放出性コーティング５２は連続
的コーティングとして示されているが、不連続な島状の
形状であってもよく、それでは強化電界集中のために曲
率半径の小さい放出尖端を提供するという長所がある。
図７は、その上に鋭い形状の放出性ダイアモンド材料の
コーティング７２が核形成される、例えば丸められたＭ
ｏ基板７１を具備するそのような粒子からなる放出器を
示している。電子放出島あるいは膜のための望ましい幾
何学的形状は、少なくとも、各島のある位置に置いて、
曲率半径が０．１μｍより少ないことである。基板粒子
は電気的に導電性なので、粒子の上の電子放出コーティ
ングは連続的である必要はない。他に、図８に示すよう
に、鋭い形状のコーティング島８０が半導体ダイアモン
ド粉のような鋭い形状の粒子基板８１上に核形成されて
もよい。
的コーティングとして示されているが、不連続な島状の
形状であってもよく、それでは強化電界集中のために曲
率半径の小さい放出尖端を提供するという長所がある。
図７は、その上に鋭い形状の放出性ダイアモンド材料の
コーティング７２が核形成される、例えば丸められたＭ
ｏ基板７１を具備するそのような粒子からなる放出器を
示している。電子放出島あるいは膜のための望ましい幾
何学的形状は、少なくとも、各島のある位置に置いて、
曲率半径が０．１μｍより少ないことである。基板粒子
は電気的に導電性なので、粒子の上の電子放出コーティ
ングは連続的である必要はない。他に、図８に示すよう
に、鋭い形状のコーティング島８０が半導体ダイアモン
ド粉のような鋭い形状の粒子基板８１上に核形成されて
もよい。
【００２０】図５−８の放出器の構造は、粒子がコート
された後容易に作ることができる。低電圧電子放出膜で
コーティングされた混合基板粒子はスクリーン印刷ある
いはスプレイコーティングとそれに続く（例えば１００
μｍ幅の放出器ストライプへの）パターン化のような従
来の技術を使用して、放出器配列として（ガラス板のよ
うな）フラット表示基板の表面上に適用される。例示的
には、コーティングされた粒子は、（アセトン、アルコ
ール、水のような）液体媒体、選択的には（後で熱分解
される）有機結合剤と（高融点半田あるいは合金粒子の
ような）金属あるいは導電性酸化物粒子と混合される。
その混合物がフラットな面にスプレーコーティングある
いはスクリーン印刷された後、その構造が半田を溶かす
ように加熱される。他の方法として、（銀含有エポキシ
あるいはポリイミドのような）導電性接着剤が電子放出
粒子のためのスクリーン印刷液体キャリアとして使用さ
れてもよい。ある焼き手順あるいは加熱手順が電界放出
装置の高真空動作のために揮発成分をとばすことが望ま
しい。埋め込まれた放出器粒子の付加的な露出のために
は、僅かな表面エッチング、溶剤による溶出、あるいは
機械的研磨が利用されてもよい。
された後容易に作ることができる。低電圧電子放出膜で
コーティングされた混合基板粒子はスクリーン印刷ある
いはスプレイコーティングとそれに続く（例えば１００
μｍ幅の放出器ストライプへの）パターン化のような従
来の技術を使用して、放出器配列として（ガラス板のよ
うな）フラット表示基板の表面上に適用される。例示的
には、コーティングされた粒子は、（アセトン、アルコ
ール、水のような）液体媒体、選択的には（後で熱分解
される）有機結合剤と（高融点半田あるいは合金粒子の
ような）金属あるいは導電性酸化物粒子と混合される。
その混合物がフラットな面にスプレーコーティングある
いはスクリーン印刷された後、その構造が半田を溶かす
ように加熱される。他の方法として、（銀含有エポキシ
あるいはポリイミドのような）導電性接着剤が電子放出
粒子のためのスクリーン印刷液体キャリアとして使用さ
れてもよい。ある焼き手順あるいは加熱手順が電界放出
装置の高真空動作のために揮発成分をとばすことが望ま
しい。埋め込まれた放出器粒子の付加的な露出のために
は、僅かな表面エッチング、溶剤による溶出、あるいは
機械的研磨が利用されてもよい。
【００２１】十分な導電性粒子に適する２番目の他の方
法として、粒子のいくらかの層が接着層により導電性表
面に直接接着され、粒子が基板と互いに直接接触しない
ようにその接着層の体積が放出器粒子の体積より小さい
というものである。接着剤は有機シロキサンの加水分解
により発生する主としてシリカガラスであることが望ま
しいが、微粉状のバルクガラスあるいは有機接着剤であ
ってもよい。
法として、粒子のいくらかの層が接着層により導電性表
面に直接接着され、粒子が基板と互いに直接接触しない
ようにその接着層の体積が放出器粒子の体積より小さい
というものである。接着剤は有機シロキサンの加水分解
により発生する主としてシリカガラスであることが望ま
しいが、微粉状のバルクガラスあるいは有機接着剤であ
ってもよい。
【００２２】また、他の手法は、低融点ガラス（ガラス
フリット）の粒子と銀のような導電性金属の粒子あるい
は（水素含有雰囲気中での低温熱処理により金属Ｃｕに
還元される）CuO のような還元が容易なセラミックとを
放出性の粒子と混合することである。これらの粒子、あ
る有機あるいは無機結合剤、及び溶剤あるいは水からな
るスラリーがスプレーコーティングあるいはスクリーン
印刷され、焼き処理あるいは加熱処理される。放出器ス
トライプの中にガラスフリットが存在すれば（特に、ガ
ラスフリットがフラットガラス基板内と同じ組成で、あ
るいは少なくとも１つの共通な酸化物成分を持って）、
熱処理の間に基板上への放出器ストライプの固着が強化
される。乾燥粉体の静電塗装あるいは電気泳動のような
他の粒子堆積技術が使用されてもよい。
フリット）の粒子と銀のような導電性金属の粒子あるい
は（水素含有雰囲気中での低温熱処理により金属Ｃｕに
還元される）CuO のような還元が容易なセラミックとを
放出性の粒子と混合することである。これらの粒子、あ
る有機あるいは無機結合剤、及び溶剤あるいは水からな
るスラリーがスプレーコーティングあるいはスクリーン
印刷され、焼き処理あるいは加熱処理される。放出器ス
トライプの中にガラスフリットが存在すれば（特に、ガ
ラスフリットがフラットガラス基板内と同じ組成で、あ
るいは少なくとも１つの共通な酸化物成分を持って）、
熱処理の間に基板上への放出器ストライプの固着が強化
される。乾燥粉体の静電塗装あるいは電気泳動のような
他の粒子堆積技術が使用されてもよい。
【００２３】これらの低電圧粒子放出器の好ましい使用
は電子放出フラットパネル表示装置のような電界放出装
置の製造にある。図９は、低電圧粒子放出器を使用する
例示的なフラットパネル表示装置９０の断面図である。
その表示装置は、複数の低電圧粒子放出器９２を含むカ
ソード９１と真空封止内のその放出器から離れて設けら
れたアノード９３を具備する。透明絶縁基板９４上に形
成されたアノード伝導体９３はリン層９５が提供され、
支持部９６上に取り付けられている。カソードとアノー
ドの間には放出器から僅かに離れて穴のあいた導電性の
ゲート層９７がある。
は電子放出フラットパネル表示装置のような電界放出装
置の製造にある。図９は、低電圧粒子放出器を使用する
例示的なフラットパネル表示装置９０の断面図である。
その表示装置は、複数の低電圧粒子放出器９２を含むカ
ソード９１と真空封止内のその放出器から離れて設けら
れたアノード９３を具備する。透明絶縁基板９４上に形
成されたアノード伝導体９３はリン層９５が提供され、
支持部９６上に取り付けられている。カソードとアノー
ドの間には放出器から僅かに離れて穴のあいた導電性の
ゲート層９７がある。
【００２４】アノードと放出器の間の空間は封止され、
真空にされ、電圧が電源９８から印加されている。電子
放出器９２からの電界放出電子は各画素上の多数の放出
器９２からきてゲート電極９７により加速され、基板９
４上にコーティングされたアノード導電性層（一般には
インジウム−錫−酸化物のような透明導電体）９３に向
かって移動する。リン層９５は電子放出器とアノードと
の間に設けられている。加速された電子がリンをたたく
とき、表示イメージが発生する。
真空にされ、電圧が電源９８から印加されている。電子
放出器９２からの電界放出電子は各画素上の多数の放出
器９２からきてゲート電極９７により加速され、基板９
４上にコーティングされたアノード導電性層（一般には
インジウム−錫−酸化物のような透明導電体）９３に向
かって移動する。リン層９５は電子放出器とアノードと
の間に設けられている。加速された電子がリンをたたく
とき、表示イメージが発生する。
【００２５】本発明の低電圧電界放出器はフラットパネ
ル表示装置のためばかりでなく、電子リソグラフィーの
ためのあるいはマイクロ波電力増幅管のためのｘ−ｙマ
トリクス指向性電子源のような他の応用分野でも使用可
能である。
ル表示装置のためばかりでなく、電子リソグラフィーの
ためのあるいはマイクロ波電力増幅管のためのｘ−ｙマ
トリクス指向性電子源のような他の応用分野でも使用可
能である。
【図１】強化粒子性電界放出器を製造する際のステップ
を示すブロックダイアグラムである。
を示すブロックダイアグラムである。
【図２】図１の方法を実現する際に有益な装置の第１の
実施例を示す図である。
実施例を示す図である。
【図３】図１の方法を実現する際に有益な装置の第２の
実施例を示す図である。
実施例を示す図である。
【図４】図１の方法を実現する際に有益な装置の第３の
実施例を示す図である。
実施例を示す図である。
【図５】強化粒子性電界放出器を使用する電界放出装置
を示す。
を示す。
【図６】強化粒子性電界放出器を使用する電界放出装置
を示す。
を示す。
【図７】強化粒子性電界放出器を使用する電界放出装置
を示す。
を示す。
【図８】強化粒子性電界放出器を使用する電界放出装置
を示す。
を示す。
【図９】図５から図８の低電圧電界放出装置を使用する
電界放出フラットパネル表示装置の断面図である。
電界放出フラットパネル表示装置の断面図である。
１０ 粒子性基板 １１、１２ 管 １３ 制御装置 ２０、３０ チャンバー ２２、２３、２４、３４ マイクロ波源 ２６、２７、２８、３６ プラズマ ４２ 反射板 ５０ 基板 ９３ アノード ９５ リン層 ９４ 透明絶縁基板 ９７ ゲート層 ５１ 粒子性基板 ５２ コーティング
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 グレゴリー ピーター コチャンスキー アメリカ合衆国 08812 ニュージャーシ ィ，ダネレン，サード ストリート 324 (72)発明者 ウエイ ヅー アメリカ合衆国 07060 ニュージャーシ ィ，ノース プレインフィールド，アパー トメント デー７，ノース ドライヴ 375
Claims (20)
- 【請求項１】 ０．１から１００μｍの範囲の最大サイ
ズを有する複数の基板粒子を提供し、そして２５Ｖ／μ
ｍ以下の電界で、少なくとも０．１ｍＡ／ｍｍ2 の電流
密度で電子を放出する低電圧放出材料で前記基板粒子を
コーティングする段階からなることを特徴とする低電圧
電界放出粒子を製造する方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の方法において、前記コ
ーティングは、５ｃｍ-1より大きい全半値幅に広げられ
たラーマン分光で１３３２ｃｍ-1のダイアモンドピーク
を特徴とするダイアモンドで前記基板粒子をコーティン
グすることを特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 請求項１に記載の方法において、前記コ
ーティングは、ｎ型半導体ダイアモンドで前記基板粒子
をコーティングすること特徴とする方法。 - 【請求項４】 請求項１に記載の方法において、前記コ
ーティングは、９００℃以下の温度で化学的気相成長法
によりコーティングすることを特徴とする方法。 - 【請求項５】 請求項１に記載の方法において、前記コ
ーティングは、少なくとも０．５原子％の炭素原子含有
量を有するガスを用いて化学的気相成長法によりコーテ
ィングすることを特徴とする方法。 - 【請求項６】 請求項１に記載の方法において、前記基
板粒子は０．５μｍより少ない曲率半径をもつ鋭角な形
状をしていることを特徴とする方法。 - 【請求項７】 ０．１から１００μｍの範囲内の最大大
きさを有する複数の基板粒子と、 ２５Ｖ／μｍ以下の電界で電子を放出する低電圧放出材
料からなる層でコーティングされた前記複数の粒子の各
々とからなり、前記電界放出器は少なくとも０．１ｍＡ
／ｍｍ2 の電流密度で電子を放出することを特徴とする
低電圧で電子を放出する電界放出器。 - 【請求項８】 請求項７に記載の電界放出器において、
前記低電圧放出材料は、５ｃｍ-1より大きい半値全幅に
広げられたラーマン分光で１３３２ｃｍ-1のダイアモン
ドピークで特徴される欠陥含有ダイアモンドであること
を特徴とする電界放出器。 - 【請求項９】 請求項７に記載の電界放出器において、
前記低電圧放出材料は、ｎ型半導体ダイアモンドである
ことを特徴とする電界放出器。 - 【請求項１０】 請求項７に記載の電界放出器におい
て、前記基板流は耐熱性の材料からなる粒子であること
を特徴とする電界放出器。 - 【請求項１１】 請求項７に記載の電界放出器におい
て、前記基板粒子はダイアモンド粒子であることを特徴
とする電界放出器。 - 【請求項１２】 請求項７に記載の電界放出器におい
て、前記複数のコーティングされた基板粒子の各々は、
０．５μｍより少ない曲率半径をもつ少なくとも１つの
領域を含むことを特徴とする電界放出器。 - 【請求項１３】 請求項７乃至１２のいずれかに記載の
電界放出器において、平面基板と、前記基板に前記粒子
を付着させ、前記粒子との電気的接触を提供す導電層と
を更に含むことを特徴とする電界放出器。 - 【請求項１４】 化学的気相成長チャンバーと、 前記基板粒子を動かす前記成長チャンバー内に設けられ
た回転可能チャンバーと、 前記回転可能チャンバー内にＣＶＤガス混合体を通すた
めの手段と、 プラズマからの電子放出性材料で前記粒子をコーティン
グするために、前記チャンバー内に前記プラズマを発生
するための手段とからなることを特徴とする電子放出材
料で基板粒子をコーティングする装置 - 【請求項１５】 請求項１４に記載の装置において、前
記回転可能チャンバーは、マイクロ波に対して透過であ
る材料からなり、前記プラズマを発生する手段はマイク
ロ波源であることを特徴とする装置。 - 【請求項１６】 請求項１５に記載の装置において、前
記プラズマを発生する手段は更に、マイクロ波反射器を
含むことを特徴とする装置。 - 【請求項１７】 請求項１４に記載の装置において、前
記回転可能チャンバー内に前記ガス混合体を通すための
手段は、前記粒子を動かすのに十分な圧力で前記ガスを
導入することを特徴とする装置。 - 【請求項１８】 長手方向に延びたチャンバーと、 前記チャンバーにプラズマガスと粒子性基板を供給する
ための手段と、 前記長手方向に沿って前記チャンバーに隣接して設けら
れ、前記長手方向に沿って隣接して複数のプラズマ領域
を形成する複数のスイッチ可能マイクロ波源と、 前記
チャンバーを通して前記基板を動かすために、順番に前
記源をスイッチングする手段からなることを特徴とする
電子放出性材料で基板粒子をコーティングする装置 - 【請求項１９】 少なくとも１つの電界放出器を含むカ
ソード、前記カソードから離れたアノードと、前記アノ
ードと前記カソードの管に電圧を加え電子を放出を誘起
するための手段とを具備する電界放出装置において、前
記電界放出器は請求項７乃至１２のいずれか記載の電界
放出器を具備する電界放出装置。 - 【請求項２０】 裏面板を有する真空セルと、透明な正
面板と、前記裏面板上の複数の電界放出器を含むカソー
ドと、前記正面板上の燐でコーティングされたアノード
と、及び前記アノードと前記カソードとの間に設けられ
た導電性のゲートとからなるフラットパネル電界放出表
示装置において、 前記電界放出器カソードは請求項７乃至１２のいずれか
記載の電界放出器からなることを特徴とするフラットパ
ネル電界放出表示装置。
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