KR960015663A - 미립자 전계 방출체의 향상된 제조 방법 및 장치, 및 생성된 제품 - Google Patents

미립자 전계 방출체의 향상된 제조 방법 및 장치, 및 생성된 제품 Download PDF

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Abstract

미립자 기재를 결함-풍부 다이아몬드와 같은 저 전압 방출 물질로 코팅시킴으로씨 향상된 전계 방출체를 제조한다. 상기 방법은 저전압 방출과 예리한 형상의 기하학적 형태의 유리하고 저렴한 조합을 허용한다.

Description

미립자 전계 방출체의 향상된 제조 방법 및 장치, 및 생성된 제품
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 향상된 미립자 전계 방출체의 제조와 관련된 단계들의 도식적인 작업의 공정도이다,
제2도는 제1도 방법의 실시에 유용한 장치의 첫번째 실시태양을 도식적으로 예시한다,
제3도는 제1도 방법의 실시를 위한 장치의 두번째 실시태양을 예시한다,
제4도는 제1도 방법의 실시에 유용한 장치의 세번째 실시태양을 도식적으로 예시한다,
제5도는 향상된 미렵자 전계 방출체를 사용하는 전계 방사 장치를 예시한다.

Claims (20)

  1. 최대 칫수 범위가 0.1 내지 100㎛인 다수개의 기재 입자를 제공하는 단계; 및 상기 기재 입자를 25V/㎛ 이하의 인가 전계에서 1.0mA㎟ 이상의 전류 밀도로 전자를 방출하는 저 전압 방출 물질로 코팅시키는 단계를 포함하는, 저 전압 전제 방출 입자의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 코팅 단계가 상기 기재 입자를, 5㎝-1이상의 전폭반치(a full width at half maximum)로 확대된 라만 분광학에서 1332㎝-1에서의 다이아몬드 피이크를 특징으로 하는 다이아몬드로 코팅시킴을 포함하는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 코팅 단계가 상기 기재 입자를 n-형 반전도성 다이아몬드로 코팅시킴을 포함하는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 코팅 단계가 900℃ 이하의 온도에서 화학적 증착에 의해 코팅시킴을 포함하는 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 코팅 단계가 0.5원자% 이상의 탄소원자 농도를 갖는 기체를 사용하는 화학적 증착에 의해 코팅시킴을 포함하는 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 기재 입자가 0.5㎛ 미만의 곡률 반경을 갖는 예리한 형상을 갖는 방법.
  7. 최대 칫수 범위가 0.1 내지 100㎛인 다수개의 기재 입자를 포함하고; 상기 다수개의 입자들이 각각 25V/㎛이하의 인가 전계에서 전자를 방출하는 저 전압 방출 물질층으로 코팅되고; 0.lmA/㎟이상의 전류 밀도를 방출하는, 저 전압에서 전자를 방출하는 전계 방출체.
  8. 제7항에 있어서, 상기 저 전압 방출 물질이 5m-1이상의 전폭반치로 확대된 라만 분광학에서 1332㎝-1에서의 다이아몬드 피이크를 특징으로 하는 결함-함유 다이아몬드를 포함하는 전계 방출체.
  9. 제7항에 있어서, 상기 저 전압 방출 물질이 n-형 반전도성 다이아몬드를 포함하는 전계 방출체.
  10. 제7항에 있어서, 상기 기재 입자가 내화성 물질의 입자를 포함하는 전계 방출체.
  11. 제7항에 있어서, 상기 기재 입자가 다이아몬드 입자를 포함하는 전계 방출체.
  12. 제7항에 있어서, 상기 다수개의 코팅된 기재 입자들이 각각 0.5㎛ 미만의 곡률 반경을 갖는 하나이상의 영역을 포함하는 전계 방출체.
  13. 제7항 내지 12항중 어느 한 방에 있어서, 평면 기재, 및 상기 입자를 상기 기재에 부착시키고 상기 입자에 전기적 접촉을 제공하기 위한 전도층을 또한 포함하는 전계 방출체.
  14. 화학적 증착 챔버; 기재 입자를 이동시키기 위해서 상기 증착 챔버내에 배치된 회전가능한 챔버; CVD 기체 혼합물을 상기 회전가능한 챔버내로 통과시키기 위한 수단; 및 상기 입자를 플라즈마로부터의 전자 방출 물질로 코팅시키기 위해 상기 챔버내에서 상기 플라즈마를 발생시키기 위한 수단을 포함하는, 기재 입자를 전자 방출 물질로 코팅시키기 위한 장치.
  15. 제14항에 있어서, 상기 회전가능한 챔버가 마이크로파 투과 물질을 포함하고, 상기 플라즈마 발생 수단이 마이크로파 공급원을 포함하는 장치.
  16. 제15항에 있어서, 상기 플라즈마 발생 수단이 마이크로파 반사기를 또한 포함하는 장치.
  17. 제14항에 있어서, 상기 기체 혼합물을 상기 회전가능한 챔버내로 통과시키기 위한 수단이 상기 기체를 상기 입자의 이동에 충분한 압력에서 도입시키는 장치.
  18. 종방방으로 연장된 챔버; 플라즈마 기체 및 미립자 기체를 상기 챔버에 공급하기 위한 수단; 상기 종방향을 따라 인접한 각각의 다수개의 플라즈마 영역물을 형성시키기 위해 상기 종방향을 따라 상기 챔버에 인접 배치된 다수개의 개폐가능한 마이크로파 공급원; 및 상기 기재를 상기 챔버를 통해 이동시키기 위해 상기 공급원들을 순서대로 개폐하기 위한 수단을 포함하는 기재 입자를 전자 방출 물질로 코팅시키기 위한 장치.
  19. 하나이상의 전계 방출체를 포함하는 음극, 상기 음극과 이격된 양극, 및 전자의 방출을 유도하기 위해서 상기 양극과 상기 음극사이에 전압을 적용시키기 위한 수단을 포함하는 전계 방출 장치에 있어서, 상기 전계 방출체가 제7항 내지 12항중 어느 한 항에 따른 전계 방출체를 포함함이 개선된 장치.
  20. 배면-플레이트, 투명한 전면 플레이트, 상기 배면-플레이트상에 다수개의 전계 방출체를 포함하는 음극, 상기 전면 플레이트상의 인-코팅된 양극 및 상기 양극과 상기 음극 사이에 배치된 전도성 게이트를 갖는 진공 전지를 포함하는 평면 패널 전계 방출 디스플레이에 있어서, 상기 전계 방출체 음극이 제7항 내지 12항중 어느 한 항에 따른 전계 방출체를 포함함이 개선된 디스플레이.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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