JPH08208397A - 化合物半導体の気相成長法 - Google Patents
化合物半導体の気相成長法Info
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- JPH08208397A JPH08208397A JP1138795A JP1138795A JPH08208397A JP H08208397 A JPH08208397 A JP H08208397A JP 1138795 A JP1138795 A JP 1138795A JP 1138795 A JP1138795 A JP 1138795A JP H08208397 A JPH08208397 A JP H08208397A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 炭素不純物の取り込み効率を増大させて、ｐ
型の導電形となった３元系の化合物半導体を気相成長で
きるようにすることを目的とする。 【構成】 ３元系のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を結晶成
長させる基板の面方位を、（１００）面もしくはこの
（１００）面と等価な面から、［０１１］方向もしくは
この［０１１］方向と等価な方向へ、２０度ないし６０
度の範囲に傾けた状態とする。
型の導電形となった３元系の化合物半導体を気相成長で
きるようにすることを目的とする。 【構成】 ３元系のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を結晶成
長させる基板の面方位を、（１００）面もしくはこの
（１００）面と等価な面から、［０１１］方向もしくは
この［０１１］方向と等価な方向へ、２０度ないし６０
度の範囲に傾けた状態とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、積層構造を有する化
合物半導体の気相成長法に関する。
合物半導体の気相成長法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の結晶成長に
おいて、ＩＩＩ族原子原料とＶ族原子原料と共に、ｎ型
もしくはｐ型の不純物となる原料を添加して気相成長す
ることで、それぞれｎ型もしくはｐ型の導電形となった
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の結晶を成長できる。従来、
この、ｎ型，ｐ型それぞれの伝導型を実現するための添
加物として、ＩＩＩ族，ＩＶ族，ＶＩ族の原子が広く用
いられてきた。中でも、ＩＶ族原子である炭素（Ｃ）
は、結晶中での拡散定数が小さく高濃度ドーピングが可
能であるなどの特徴を有していることから、近年ｐ型ド
ーパントとして注目を集めている。
おいて、ＩＩＩ族原子原料とＶ族原子原料と共に、ｎ型
もしくはｐ型の不純物となる原料を添加して気相成長す
ることで、それぞれｎ型もしくはｐ型の導電形となった
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の結晶を成長できる。従来、
この、ｎ型，ｐ型それぞれの伝導型を実現するための添
加物として、ＩＩＩ族，ＩＶ族，ＶＩ族の原子が広く用
いられてきた。中でも、ＩＶ族原子である炭素（Ｃ）
は、結晶中での拡散定数が小さく高濃度ドーピングが可
能であるなどの特徴を有していることから、近年ｐ型ド
ーパントとして注目を集めている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、一般的に、Ｉ
Ｖ族元素は両性的な性質をしており、ＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体の成長条件によっては、ｐ型にもｎ型にもなり
得る。すなわち、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の結晶成長
において、炭素をドーピングした場合、ＩＩＩ族元素の
サイトとなりドナーとして働く場合と、Ｖ族元素のサイ
トとなりアクセプターとして働く場合とがある。このた
め、アクセプターとして働かせるようにドーピングして
いても、ドナーとしてドーピングされてしまう状態、す
なわち補償比が増大した状態となり、ドーピングした炭
素原子のアクセプターの状態の量とドナーの状態の量と
が近接してしまうことがある。この結果、キャリア濃度
が低下したり、所望の導電形が得られないという問題が
あった。
Ｖ族元素は両性的な性質をしており、ＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体の成長条件によっては、ｐ型にもｎ型にもなり
得る。すなわち、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の結晶成長
において、炭素をドーピングした場合、ＩＩＩ族元素の
サイトとなりドナーとして働く場合と、Ｖ族元素のサイ
トとなりアクセプターとして働く場合とがある。このた
め、アクセプターとして働かせるようにドーピングして
いても、ドナーとしてドーピングされてしまう状態、す
なわち補償比が増大した状態となり、ドーピングした炭
素原子のアクセプターの状態の量とドナーの状態の量と
が近接してしまうことがある。この結果、キャリア濃度
が低下したり、所望の導電形が得られないという問題が
あった。
【０００４】例えば、近年、超高速素子用材料として注
目されている、３元系のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体であ
るＩｎＧａＡｓ中へ炭素ドーピングを行う場合、炭素の
両性的性質が顕著に現れる。このため、このＩｎＧａＡ
ｓの成長において、所望の性能を得るためにＩｎの組成
比を増大させると、上述した補償比が増大し、キャリア
（正孔）濃度が急激に低下してしまうという問題があっ
た。
目されている、３元系のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体であ
るＩｎＧａＡｓ中へ炭素ドーピングを行う場合、炭素の
両性的性質が顕著に現れる。このため、このＩｎＧａＡ
ｓの成長において、所望の性能を得るためにＩｎの組成
比を増大させると、上述した補償比が増大し、キャリア
（正孔）濃度が急激に低下してしまうという問題があっ
た。
【０００５】この発明は、以上のような問題点を解消す
るためになされたものであり、炭素不純物の取り込み効
率を増大させて、ｐ型の導電形となった３元系の化合物
半導体を気相成長できるようにすることを目的とする。
るためになされたものであり、炭素不純物の取り込み効
率を増大させて、ｐ型の導電形となった３元系の化合物
半導体を気相成長できるようにすることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明の化合物半導体
の気相成長法は、基板上に炭素が不純物として導入され
る化合物半導体層を結晶成長させる化合物半導体の気相
成長法において、化合物半導体層を形成する基体の主表
面が、（１００）面もしくはこの（１００）面と等価な
面から、［０１１］方向もしくはこの［０１１］方向と
等価な方向へ、２０度ないし６０度の範囲に傾けた面方
位となっていることを特徴とする。また、化合物半導体
層は少なくとも３元系のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体であ
ることを特徴とする。
の気相成長法は、基板上に炭素が不純物として導入され
る化合物半導体層を結晶成長させる化合物半導体の気相
成長法において、化合物半導体層を形成する基体の主表
面が、（１００）面もしくはこの（１００）面と等価な
面から、［０１１］方向もしくはこの［０１１］方向と
等価な方向へ、２０度ないし６０度の範囲に傾けた面方
位となっていることを特徴とする。また、化合物半導体
層は少なくとも３元系のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体であ
ることを特徴とする。
【０００７】
【作用】不純物として導入される炭素は、ｐ型のドーパ
ントとして作用する。
ントとして作用する。
【０００８】
【実施例】以下この発明の１実施例を図を参照して説明
する。図１は、この発明の１実施例におけるキャリア
（正孔）の濃度とＩｎの組成比との関係を示す相関図で
ある。この実施例では、炭素をドープするＩｎＧａＡｓ
の結晶成長に関し、Ｇａの原料としてトリメチルガリウ
ム（ＴＭＧａ），Ｉｎの原料としてトリメチルインジウ
ム（ＴＭＩｎ），Ａｓの原料としてアルシン（ＡｓＨ
3 ）を用いた。また、ドープする炭素のソースとしては
四臭化炭素（ＣＢｒ4 ）を用いた。
する。図１は、この発明の１実施例におけるキャリア
（正孔）の濃度とＩｎの組成比との関係を示す相関図で
ある。この実施例では、炭素をドープするＩｎＧａＡｓ
の結晶成長に関し、Ｇａの原料としてトリメチルガリウ
ム（ＴＭＧａ），Ｉｎの原料としてトリメチルインジウ
ム（ＴＭＩｎ），Ａｓの原料としてアルシン（ＡｓＨ
3 ）を用いた。また、ドープする炭素のソースとしては
四臭化炭素（ＣＢｒ4 ）を用いた。
【０００９】そして、この場合、四臭化炭素の供給流量
は一定とし、結晶成長の温度は５１０℃とした。使用し
たＩｎＰ基板の面方位は、（１００）面から［０１１］
方向へ約２５．２度傾けた（３１１）Ａ面である。な
お、ＧａＡｓ基板を用いるようにしても良い。また、こ
れに対する従来の例として、面方位（１００）のＩｎＰ
基板上にも、上述と同様にＩｎＧａＡｓの結晶を成長さ
せた。
は一定とし、結晶成長の温度は５１０℃とした。使用し
たＩｎＰ基板の面方位は、（１００）面から［０１１］
方向へ約２５．２度傾けた（３１１）Ａ面である。な
お、ＧａＡｓ基板を用いるようにしても良い。また、こ
れに対する従来の例として、面方位（１００）のＩｎＰ
基板上にも、上述と同様にＩｎＧａＡｓの結晶を成長さ
せた。
【００１０】ここで、成長させているＩｎＧａＡｓ層の
Ｉｎの組成を変化させると、図１に示すように、面方位
が（１００）の基板でも（３１１）Ａの基板でも、Ｉｎ
組成比の増大にともない、キャリア濃度は低下してい
る。しかし、Ｉｎの組成比（ｘ）が０．２以上で、面方
位が（３１１）Ａの基板では、図中「○」で示すよう
に、図中「△」で示す面方位が（１００）の基板の場合
に比較して、キャリア濃度の低下が少なく、炭素のドー
ピング効率が数倍程度改善されることが分かる。
Ｉｎの組成を変化させると、図１に示すように、面方位
が（１００）の基板でも（３１１）Ａの基板でも、Ｉｎ
組成比の増大にともない、キャリア濃度は低下してい
る。しかし、Ｉｎの組成比（ｘ）が０．２以上で、面方
位が（３１１）Ａの基板では、図中「○」で示すよう
に、図中「△」で示す面方位が（１００）の基板の場合
に比較して、キャリア濃度の低下が少なく、炭素のドー
ピング効率が数倍程度改善されることが分かる。
【００１１】例えば、通常良く用いられるＩｎの組成が
０．５３程度では、キャリア濃度は４倍であり、すなわ
ち、炭素のドーピング効率が４倍となる。この現象は、
炭素原子と結晶を構成する各原子との結合力が、Ｇａ＞
Ａｓ＞Ｉｎという関係になっていることに起因してい
る。
０．５３程度では、キャリア濃度は４倍であり、すなわ
ち、炭素のドーピング効率が４倍となる。この現象は、
炭素原子と結晶を構成する各原子との結合力が、Ｇａ＞
Ａｓ＞Ｉｎという関係になっていることに起因してい
る。
【００１２】炭素原子は、ＩｎＧａＡｓ結晶中でＩｎや
ＧａのＩＩＩ族原子と結合を作ること、すなわち、Ｖ族
原子であるＡｓサイトとなることでｐ型不純物となる。
ここで、表面がほぼＡｓで覆われている（１００）基板
を用いた場合、成長させる結晶中のＩｎ組成比を増大さ
せると、炭素原子とＡｓとの結合確率が増大し、ｐ型不
純物のドーピングによるキャリア濃度が急激に低下して
しまう。これに対して、（３１１）Ａ基板では、未結合
のボンドを持つＩＩＩ族原子が基板表面に高密度に存在
しているため、炭素原子とＩＩＩ族原子との結合確率が
一定の割合で高く保たれ、ｐ型不純物のドーピングによ
るキャリア濃度の低下が抑制されるためと考えられる。
ＧａのＩＩＩ族原子と結合を作ること、すなわち、Ｖ族
原子であるＡｓサイトとなることでｐ型不純物となる。
ここで、表面がほぼＡｓで覆われている（１００）基板
を用いた場合、成長させる結晶中のＩｎ組成比を増大さ
せると、炭素原子とＡｓとの結合確率が増大し、ｐ型不
純物のドーピングによるキャリア濃度が急激に低下して
しまう。これに対して、（３１１）Ａ基板では、未結合
のボンドを持つＩＩＩ族原子が基板表面に高密度に存在
しているため、炭素原子とＩＩＩ族原子との結合確率が
一定の割合で高く保たれ、ｐ型不純物のドーピングによ
るキャリア濃度の低下が抑制されるためと考えられる。
【００１３】発明者らは、以上の効果が基板の面方位や
成長させる結晶の組成と深い関係にあると考え、注意深
く検討を行った結果、それらのことは、（１００）面よ
り［０１１］方向へ約５４．７度傾けた（１１１）Ａ面
から（３１１）Ａ面までと、これらの面から微傾斜した
面方位の基板、または、これらと等価な面の基板を用い
た場合に得られる効果であることを確認した。すなわ
ち、結晶を成長する基板の面方位が（１００）面、また
は、これと等価な面から、［０１１］方向またはこれと
等価な方向へ、２０ないし６０度の範囲で同様に得られ
ることを確認した。
成長させる結晶の組成と深い関係にあると考え、注意深
く検討を行った結果、それらのことは、（１００）面よ
り［０１１］方向へ約５４．７度傾けた（１１１）Ａ面
から（３１１）Ａ面までと、これらの面から微傾斜した
面方位の基板、または、これらと等価な面の基板を用い
た場合に得られる効果であることを確認した。すなわ
ち、結晶を成長する基板の面方位が（１００）面、また
は、これと等価な面から、［０１１］方向またはこれと
等価な方向へ、２０ないし６０度の範囲で同様に得られ
ることを確認した。
【００１４】本実施例では、ドープする炭素の原料とし
て四臭化炭素を用いたが、この他、ＴＭＧａ，トリメチ
ルアルシン（ＴＭＡｓ），トリメチルアルミニウム（Ｔ
ＭＡｌ），四塩化炭素（ＣＣｌ4 ）などを用いる場合で
も同様である。また、Ｇａの原料としてトリメチルガリ
ウムを用いるようにしたが、トリエチルガリウム（ＴＥ
Ｇａ）を用いても良く、またＩｎの原料としてはトリエ
チルインジウム（ＴＥＩｎ）であっても良い。また、Ａ
ｓの原料としては、トリメチルアルシン（ＴＭＡｓ），
トリエチルアルシン（ＴＥＡｓ），ターシャリーブチル
アルシン（ＴＢＡｓ）などを用いるようにしても良い。
て四臭化炭素を用いたが、この他、ＴＭＧａ，トリメチ
ルアルシン（ＴＭＡｓ），トリメチルアルミニウム（Ｔ
ＭＡｌ），四塩化炭素（ＣＣｌ4 ）などを用いる場合で
も同様である。また、Ｇａの原料としてトリメチルガリ
ウムを用いるようにしたが、トリエチルガリウム（ＴＥ
Ｇａ）を用いても良く、またＩｎの原料としてはトリエ
チルインジウム（ＴＥＩｎ）であっても良い。また、Ａ
ｓの原料としては、トリメチルアルシン（ＴＭＡｓ），
トリエチルアルシン（ＴＥＡｓ），ターシャリーブチル
アルシン（ＴＢＡｓ）などを用いるようにしても良い。
【００１５】ところで、上記実施例においては、ＩｎＧ
ａＡｓを結晶成長する場合について説明したが、これに
限るものではなく、ＩｎＡｌＡｓやＩｎＧａＡｓＰを結
晶成長する場合でも同様である。すなわち、Ｉｎx Ａｌ
y Ｇａ1-x-y Ａｓ1-z Ｐz （０．２≦ｘ≦０．８、０≦
ｙ≦１、０≦ｚ≦０．５）の結晶成長をする場合、同様
な効果が得られる。この場合、Ａｌの原料としては、ト
リメチルアルミニウム（ＴＭＡｌ），トリエチルアルミ
ニウム（ＴＥＡｌ）などを用いれば良く、Ｐの原料とし
てはフォスフィン（ＰＨ3 ）やターシャリーブチルフォ
スフィン（ＴＢＰ）などを用いるようにすればよい。ま
た、上記構成にＳｂを加えても良い。
ａＡｓを結晶成長する場合について説明したが、これに
限るものではなく、ＩｎＡｌＡｓやＩｎＧａＡｓＰを結
晶成長する場合でも同様である。すなわち、Ｉｎx Ａｌ
y Ｇａ1-x-y Ａｓ1-z Ｐz （０．２≦ｘ≦０．８、０≦
ｙ≦１、０≦ｚ≦０．５）の結晶成長をする場合、同様
な効果が得られる。この場合、Ａｌの原料としては、ト
リメチルアルミニウム（ＴＭＡｌ），トリエチルアルミ
ニウム（ＴＥＡｌ）などを用いれば良く、Ｐの原料とし
てはフォスフィン（ＰＨ3 ）やターシャリーブチルフォ
スフィン（ＴＢＰ）などを用いるようにすればよい。ま
た、上記構成にＳｂを加えても良い。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、３元系のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を結晶成長させ
る基板の面方位を、（１００）面もしくはこの（１０
０）面と等価な面から、［０１１］方向もしくはこの
［０１１］方向と等価な方向へ、２０度ないし６０度の
範囲に傾けた状態とするようにした。このため、炭素を
ｐ型の不純物として効率よくドーピングでき、キャリア
濃度の低下を抑制できるという効果がある。
ば、３元系のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を結晶成長させ
る基板の面方位を、（１００）面もしくはこの（１０
０）面と等価な面から、［０１１］方向もしくはこの
［０１１］方向と等価な方向へ、２０度ないし６０度の
範囲に傾けた状態とするようにした。このため、炭素を
ｐ型の不純物として効率よくドーピングでき、キャリア
濃度の低下を抑制できるという効果がある。
【図１】 この発明の１実施例における不純物の濃度と
Ｉｎの組成比との関係を示す相関図である。
Ｉｎの組成比との関係を示す相関図である。
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に炭素が不純物として導入される
化合物半導体層を結晶成長させる化合物半導体の気相成
長法において、 前記化合物半導体層を形成する基体の主表面が、（１０
０）面もしくはこの（１００）面と等価な面から、［０
１１］方向もしくはこの［０１１］方向と等価な方向
へ、２０度ないし６０度の範囲に傾けた面方位となって
いることを特徴とする化合物半導体の気相成長法。 - 【請求項２】 請求項１記載の化合物半導体の気相成長
法において、 前記化合物半導体層は少なくとも３元系のＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体であることを特徴とする化合物半導体の気
相成長法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01138795A JP3714486B2 (ja) | 1995-01-27 | 1995-01-27 | 化合物半導体の気相成長法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01138795A JP3714486B2 (ja) | 1995-01-27 | 1995-01-27 | 化合物半導体の気相成長法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08208397A true JPH08208397A (ja) | 1996-08-13 |
| JP3714486B2 JP3714486B2 (ja) | 2005-11-09 |
Family
ID=11776608
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01138795A Expired - Lifetime JP3714486B2 (ja) | 1995-01-27 | 1995-01-27 | 化合物半導体の気相成長法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3714486B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006030565A1 (ja) * | 2004-09-17 | 2006-03-23 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | エピタキシャル結晶の成長方法 |
-
1995
- 1995-01-27 JP JP01138795A patent/JP3714486B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006030565A1 (ja) * | 2004-09-17 | 2006-03-23 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | エピタキシャル結晶の成長方法 |
| JPWO2006030565A1 (ja) * | 2004-09-17 | 2008-05-08 | 日鉱金属株式会社 | エピタキシャル結晶の成長方法 |
| US7465353B2 (en) | 2004-09-17 | 2008-12-16 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Method for growing epitaxial crystal |
| JP4696070B2 (ja) * | 2004-09-17 | 2011-06-08 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | エピタキシャル結晶の成長方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3714486B2 (ja) | 2005-11-09 |
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