JP3714486B2 - 化合物半導体の気相成長法 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
この発明は、積層構造を有する化合物半導体の気相成長法に関する。
【0002】
【従来の技術】
III−V族化合物半導体の結晶成長において、III族原子原料とV族原子原料と共に、n型もしくはp型の不純物となる原料を添加して気相成長することで、それぞれn型もしくはp型の導電形となったIII−V族化合物半導体の結晶を成長できる。
従来、この、n型,p型それぞれの伝導型を実現するための添加物として、III族,IV族,VI族の原子が広く用いられてきた。
中でも、IV族原子である炭素(C)は、結晶中での拡散定数が小さく高濃度ドーピングが可能であるなどの特徴を有していることから、近年p型ドーパントとして注目を集めている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、一般的に、IV族元素は両性的な性質をしており、III−V族化合物半導体の成長条件によっては、p型にもn型にもなり得る。
すなわち、III−V族化合物半導体の結晶成長において、炭素をドーピングした場合、III族元素のサイトとなりドナーとして働く場合と、V族元素のサイトとなりアクセプターとして働く場合とがある。
このため、アクセプターとして働かせるようにドーピングしていても、ドナーとしてドーピングされてしまう状態、すなわち補償比が増大した状態となり、ドーピングした炭素原子のアクセプターの状態の量とドナーの状態の量とが近接してしまうことがある。
この結果、キャリア濃度が低下したり、所望の導電形が得られないという問題があった。
【0004】
例えば、近年、超高速素子用材料として注目されている、3元系のIII−V族化合物半導体であるInGaAs中へ炭素ドーピングを行う場合、炭素の両性的性質が顕著に現れる。
このため、このInGaAsの成長において、所望の性能を得るためにInの組成比を増大させると、上述した補償比が増大し、キャリア(正孔)濃度が急激に低下してしまうという問題があった。
【0005】
この発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、炭素不純物の取り込み効率を増大させて、p型の導電形となった3元系の化合物半導体を気相成長できるようにすることを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
この発明の化合物半導体の気相成長法は、基板上に炭素が不純物として導入される化合物半導体層を結晶成長させる化合物半導体の気相成長法において、化合物半導体層を形成する基体の主表面が、(100)面もしくはこの(100)面と等価な面から、[011]方向もしくはこの[011]方向と等価な方向へ、20度ないし60度の範囲に傾けた面方位となっており、炭素をp型の不純物としてドーピングでき、キャリア濃度の低下を抑制できることを特徴とする。また、化合物半導体層は少なくとも3元系のIII−V族化合物半導体であることを特徴とする。
【0007】
【作用】
不純物として導入される炭素は、p型のドーパントとして作用する。
【0008】
【実施例】
以下この発明の1実施例を図を参照して説明する。
図1は、この発明の1実施例におけるキャリア(正孔)の濃度とInの組成比との関係を示す相関図である。
この実施例では、炭素をドープするInGaAsの結晶成長に関し、Gaの原料としてトリメチルガリウム(TMGa),Inの原料としてトリメチルインジウム(TMIn),Asの原料としてアルシン(AsH3 )を用いた。
また、ドープする炭素のソースとしては四臭化炭素(CBr4 )を用いた。
【0009】
そして、この場合、四臭化炭素の供給流量は一定とし、結晶成長の温度は510℃とした。
使用したInP基板の面方位は、(100)面から[011]方向へ約25.2度傾けた(311)A面である。なお、GaAs基板を用いるようにしても良い。
また、これに対する従来の例として、面方位(100)のInP基板上にも、上述と同様にInGaAsの結晶を成長させた。
【0010】
ここで、成長させているInGaAs層のInの組成を変化させると、図1に示すように、面方位が(100)の基板でも(311)Aの基板でも、In組成比の増大にともない、キャリア濃度は低下している。
しかし、Inの組成比(x)が0.2以上で、面方位が(311)Aの基板では、図中「○」で示すように、図中「△」で示す面方位が(100)の基板の場合に比較して、キャリア濃度の低下が少なく、炭素のドーピング効率が数倍程度改善されることが分かる。
【0011】
例えば、通常良く用いられるInの組成が0.53程度では、キャリア濃度は4倍であり、すなわち、炭素のドーピング効率が4倍となる。
この現象は、炭素原子と結晶を構成する各原子との結合力が、Ga>As>Inという関係になっていることに起因している。
【0012】
炭素原子は、InGaAs結晶中でInやGaのIII族原子と結合を作ること、すなわち、V族原子であるAsサイトとなることでp型不純物となる。
ここで、表面がほぼAsで覆われている(100)基板を用いた場合、成長させる結晶中のIn組成比を増大させると、炭素原子とAsとの結合確率が増大し、p型不純物のドーピングによるキャリア濃度が急激に低下してしまう。
これに対して、(311)A基板では、未結合のボンドを持つIII族原子が基板表面に高密度に存在しているため、炭素原子とIII族原子との結合確率が一定の割合で高く保たれ、p型不純物のドーピングによるキャリア濃度の低下が抑制されるためと考えられる。
【0013】
発明者らは、以上の効果が基板の面方位や成長させる結晶の組成と深い関係にあると考え、注意深く検討を行った結果、それらのことは、(100)面より[011]方向へ約54.7度傾けた(111)A面から(311)A面までと、これらの面から微傾斜した面方位の基板、または、これらと等価な面の基板を用いた場合に得られる効果であることを確認した。
すなわち、結晶を成長する基板の面方位が(100)面、または、これと等価な面から、[011]方向またはこれと等価な方向へ、20ないし60度の範囲で同様に得られることを確認した。
【0014】
本実施例では、ドープする炭素の原料として四臭化炭素を用いたが、この他、TMGa,トリメチルアルシン(TMAs),トリメチルアルミニウム(TMAl),四塩化炭素(CCl4 )などを用いる場合でも同様である。
また、Gaの原料としてトリメチルガリウムを用いるようにしたが、トリエチルガリウム(TEGa)を用いても良く、またInの原料としてはトリエチルインジウム(TEIn)であっても良い。
また、Asの原料としては、トリメチルアルシン(TMAs),トリエチルアルシン(TEAs),ターシャリーブチルアルシン(TBAs)などを用いるようにしても良い。
【0015】
ところで、上記実施例においては、InGaAsを結晶成長する場合について説明したが、これに限るものではなく、InAlAsやInGaAsPを結晶成長する場合でも同様である。
すなわち、Inx Aly Ga1-x-y As1-z Pz (0.2≦x≦0.8、0≦y≦1、0≦z≦0.5)の結晶成長をする場合、同様な効果が得られる。
この場合、Alの原料としては、トリメチルアルミニウム(TMAl),トリエチルアルミニウム(TEAl)などを用いれば良く、Pの原料としてはフォスフィン(PH3 )やターシャリーブチルフォスフィン(TBP)などを用いるようにすればよい。また、上記構成にSbを加えても良い。
【0016】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、3元系のIII−V族化合物半導体を結晶成長させる基板の面方位を、(100)面もしくはこの(100)面と等価な面から、[011]方向もしくはこの[011]方向と等価な方向へ、20度ないし60度の範囲に傾けた状態とするようにした。
このため、炭素をp型の不純物として効率よくドーピングでき、キャリア濃度の低下を抑制できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の1実施例における不純物の濃度とInの組成比との関係を示す相関図である。
Claims (2)
- 基板上に炭素が不純物として導入される化合物半導体層を結晶成長させる化合物半導体の気相成長法において、
前記化合物半導体層を形成する基体の主表面が、(100)面もしくはこの(100)面と等価な面から、[011]方向もしくはこの[011]方向と等価な方向へ、20度ないし60度の範囲に傾けた面方位となっており、
炭素をp型の不純物としてドーピングでき、キャリア濃度の低下を抑制できる
ことを特徴とする化合物半導体の気相成長法。 - 請求項1記載の化合物半導体の気相成長法において、
前記化合物半導体層は少なくとも3元系のIII−V族化合物半導体であることを特徴とする化合物半導体の気相成長法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP01138795A JP3714486B2 (ja) | 1995-01-27 | 1995-01-27 | 化合物半導体の気相成長法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP01138795A JP3714486B2 (ja) | 1995-01-27 | 1995-01-27 | 化合物半導体の気相成長法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08208397A JPH08208397A (ja) | 1996-08-13 |
JP3714486B2 true JP3714486B2 (ja) | 2005-11-09 |
Family
ID=11776608
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP01138795A Expired - Lifetime JP3714486B2 (ja) | 1995-01-27 | 1995-01-27 | 化合物半導体の気相成長法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3714486B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101092289B1 (ko) | 2004-09-17 | 2011-12-13 | 닛코킨조쿠 가부시키가이샤 | 에피택셜 결정의 성장 방법 |
-
1995
- 1995-01-27 JP JP01138795A patent/JP3714486B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH08208397A (ja) | 1996-08-13 |
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