JPH08191042A - 電子線描画装置およびその調整方法 - Google Patents
電子線描画装置およびその調整方法Info
- Publication number
- JPH08191042A JPH08191042A JP244395A JP244395A JPH08191042A JP H08191042 A JPH08191042 A JP H08191042A JP 244395 A JP244395 A JP 244395A JP 244395 A JP244395 A JP 244395A JP H08191042 A JPH08191042 A JP H08191042A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- mark
- drawing apparatus
- lens barrel
- beam drawing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
電子線描画装置およびその調整方法を提供すること、マ
ルチカラムを有する電子線描画装置における均一露光を
実現すること、および、装置を小型化すること。 【構成】 複数本の電子銃および電子線鏡筒を有し、前
記各鏡筒が独立に光学系の調整を可能に構成された電子
線描画装置であって、前記複数本の鏡筒の調整を同時に
行う手段を有することを特徴とする電子線描画装置、該
装置において、複数本の鏡筒毎に異なる電子照射時間を
設定可能としたことを特徴とする電子線描画装置、およ
び、描画時に前記マーク群を有する基板が退避するため
の、描画が行われるチャンバに隣接したサブチャンバを
持つことを特徴とする電子線描画装置、ならびに、これ
らの装置において、前記複数本の鏡筒の調整を同時に行
うことを特徴とする電子線描画装置の調整方法。
Description
の調整方法に関し、特に複数本の電子銃および電子線鏡
筒を有する電子線描画装置においてビーム校正を容易に
かつ高速に行うために、複数本の鏡筒の調整を同時に行
う技術に関するものである。
グラフィ技術として、i線などの光を用いたリソグラフ
ィ技術が用いられてきた。しかし、光による微細加工に
も限界があり、新たなリソグラフィ技術が求められてい
る。この種のリソグラフィ技術の一つである電子線描画
技術は、微細加工性,描画精度は優れているものの、ス
ループットの低いことが問題となっていた。電子線描画
装置のスループット向上を目的としては様々な描画方法
が考案されているが、その中にマルチビームを用いた露
光(描画)法がある。マルチビーム露光法は、複数の電子
線鏡筒をアレイ状に並べて、各々の鏡筒を用いて同時に
描画することにより、描画装置のスループットを向上さ
せたものである。その代表的な例として、特開昭58-252
35号公報に開示されている方法がある。この方法では、
一つ一つのチップは一本または複数の電子線鏡筒によっ
て描画される。各々の電子線鏡筒による描画は、同時に
行われる。同時に各々の電子線鏡筒を制御することによ
り、搭載した電子線鏡筒の数だけスループット向上を見
込むことが可能となっている。更に、上述の方法では、
電子線鏡筒間の接続精度を向上させるために、基準マー
キング・ホールの位置を測定することによって、鏡筒間
の相対位置を確認し、必要に応じて補正を行っている。
そして、この方法の応用として、基準マーキング・ホー
ルを利用した、パターンの偏り,回転,四辺形歪,感度
変化の修正等を行っている。
複数の鏡筒の調整順序等、装置全体の調整に関しては十
分な考慮が払われていない。しかし、実際の装置では、
各鏡筒の調整時間の短縮が重要である。つまり、例え
ば、1本の鏡筒の調整に1分かかるとすると、鏡筒が数
十本並ぶと調整に数十分かかり、実効的なスループット
を落としてしまうという問題が生じる。また、鏡筒の調
整に時間がかかりすぎると、各々の鏡筒を順番に調整
し、最後の鏡筒の調整が終了するときには、最初に調整
した鏡筒は最適な状態からずれてしまい、すべての鏡筒
を最適に調整することができないという結果になる。ま
た、上述の従来技術では、レジストの露光時間に関して
も考慮がなされていない。つまり、ビーム電流の補正は
各鏡筒毎に行っているが、すべての鏡筒のビーム電流を
均一に調整することは実際には非常に困難である。従っ
て、各鏡筒毎の露光時間を等しくすると、描画する鏡筒
によって露光ムラを生じるという問題がある。本発明は
上記事情に鑑みてなされたもので、その目的とするとこ
ろは、従来の技術における上述の如き問題を解消し、鏡
筒の調整の高速化,高精度化を可能とする電子線描画装
置およびその調整方法を提供することにある。また、本
発明の他の目的は、マルチカラムを有する電子線描画装
置における均一露光を実現することにある。本発明の更
に他の目的は、鏡筒の調整に用いる調整マーク基板の収
納方法を改良し、装置を小型化することにある。
複数本の電子銃および電子線鏡筒を有し、前記各鏡筒が
独立に光学系の調整を可能に構成された電子線描画装置
であって、前記複数本の鏡筒の調整を同時に行う手段を
有することを特徴とする電子線描画装置、ならびに、こ
の装置において、前記複数本の鏡筒の調整を同時に行う
ことを特徴とする電子線描画装置の調整方法によって達
成される。また、本発明の第二の目的は、複数本の鏡筒
毎に異なる電子照射時間を設定可能としたことを特徴と
する電子線描画装置、ならびに、この装置において、前
記複数本の鏡筒の調整を同時に行うことを特徴とする電
子線描画装置の調整方法によって達成される。また、本
発明の第三の目的は、描画時に前記マーク群を有する基
板が退避するための、描画が行われるチャンバに隣接し
たサブチャンバを持つことを特徴とする電子線描画装
置、ならびに、この装置において、前記複数本の鏡筒の
調整を同時に行うことを特徴とする電子線描画装置の調
整方法によって達成される。
筒の調整を並行して行うことによって、全鏡筒の調整に
要する時間は鏡筒の本数をnとすると、一本一本鏡筒の
調整を行った場合に比べ1/nと高速調整が実現され
る。なお、各鏡筒の調整を並行に行うことを容易にする
ために、大きな調整用マーク群を用いる。更に、回転調
整用のプリアラインメントマークを設け、回転調整を行
うことが高精度化の一つの手段である。また、本発明に
係る電子線描画装置においては、調整を容易にするため
に、上述の調整用マーク群を鏡筒単位で電気的に分離し
てある。これらの各マークに流れる電流を検出すること
により、調整が可能となる。電流を検出する方法として
は、装置本体とマークの電気的結合を取る手段を設ける
ことにより解決される。更に、調整用マーク群に、マー
クの回転量を補正するためのプリアラインメントマーク
を設け、ビーム校正前にマーク回転量の補正を行い、ま
た、全鏡筒の調整は鏡筒単位で電気的に分離されたビー
ム調整用マーク群を各鏡筒直下に設け、マーク上を流れ
る電流を各マーク各々同時に、マークと装置本体との電
気的結合手段を通じて装置本体に存在する電流測定手段
を用い測定することにより、すべての鏡筒同時に高精度
なビーム校正が可能となる。なお、各鏡筒の並列調整を
高精度に行うためには、調整を行う鏡筒の周辺の決めら
れた鏡筒、例えば、隣接した鏡筒の調整は同時に行わな
いことも場合によっては必要となる。また、電気的に分
離された各マークの中にファラデーカップ状の窪みを設
け、ビーム電流を測定することにより、すべての鏡筒同
時にビーム電流が測定でき、高速なビーム校正が可能と
なる。この測定された各々の鏡筒のビーム電流を用い、
ビームのショット時間を鏡筒ごとに調整することによっ
てすべての鏡筒からのビームの照射電流を一様にするこ
とができる。更に、本発明に係る電子線描画装置におい
ては、装置を小型化するために、調整(ビーム校正)に使
用されるマーク群を有する基板(マークウェハ)を、描画
が行われるチャンバに出し入れ可能とし、描画時には、
描画が行われるチャンバに隣接したチャンバに退避する
ようにしている。なお、上述の如く、マークウェハを描
画する試料の搬送路を通して描画チャンバに出し入れ可
能とすることにより、描画チャンバ体積を、マークウェ
ハを描画チャンバ内に常置する場合に比べ少なくでき、
排気速度を高め、装置体積を小さくすることができる。
上述のマークウェハは、描画する試料と同じ搬送路を通
るため、描画試料がシリコンウェーハの場合には調整用
マークはシリコンウェーハと類似した形状としておく
と、搬送機構および搬送が簡単となる。
に説明する。 実施例1:図1は、本発明の一実施例を示すマーク群を
用いたマルチショット電子線描画システムの構成図であ
る。以下に、各々の電子線鏡筒のビーム校正の概略を説
明する。なお、本明細書中において「ビーム校正」とは、
ビーム電流,ビーム回転,倍率,焦点,非点,偏向歪等
の鏡筒特性の調整を指す。まず、各々の鏡筒11ごと
に、同時に、各々の鏡筒の直下にあるマークウェハ10
上のマーク9を走査し、各々の走査位置におけるマーク
電流をマーク電流検出器52によって測定する。得られ
たマーク電流の変化を、ワークステーション16によっ
て計算機処理することによって、各々の鏡筒11内の電
子銃1〜3,電子レンズ4〜6,偏向器7に適正な電圧
を同時に設定し、校正を行う。
クの概念図を、図2(a),図2(b)に示す。ビーム校正
用のマークは、図2(a)に示す構成となっており、その
基板(マークウェハ)10は、描画すべきシリコンウェー
ハと同一形状となっている。従って、シリコンウェーハ
と同様の手順で、ロード,アンロードが可能である。こ
のように構成したロード,アンロード可能なマークウェ
ハ10は、描画を行う真空チャンバ内にマークを常置す
る場合に比べて、描画を行う真空チャンバの実効体積を
少なくすることができ、高真空を保つことができる。各
々の鏡筒の直下におかれたマーク18は、タングステン
からなる十字マーク20,ファラデーカップ19,引出
電線21,電極22から構成される。なお、上記マーク
18は、ビーム校正速度を考慮すると、鏡筒の数と等し
いかそれ以上の個数存在することが望ましい。
々のマーク18上を走査し、マーク18上を流れるビー
ム電流の変化によって測定される。このため、各々のマ
ーク18は電気的に分離されている。その状態を示した
のがマークの断面図である図2(b)である。マーク18
はシリコンウェーハ25の上に形成された絶縁層26の
上に作製され、マークごとの電気的な分離が図られてい
る。また、本実施例に係るマークウェーハ10は可搬で
あるため、マークウェーハ10をウェーハパレット64
に装着した際には、回転方向の補正をしなければならな
い。このためのプリアラインメントマークが図2(a)の
24であり、マークウェーハ10をウェーハパレット6
4に装着した後、このプリアラインメントマーク24を
検出してウェーハの回転量を測定し、ウェーハの回転量
を補正したビーム校正を行う。
形状を作製可能であるため、従来例に比べ高精度なビー
ム校正が可能となる。マークの作製は、従来からLSI
生産などに用いられている半導体プロセスを応用するこ
とによって容易に作製可能である。なお、本実施例では
マークの18はシリコン、マーク本体20はタングステ
ンで構成されているが、電子ビームでマーク上を走査し
たときに検出信号に十分なコントラストの得られる材料
であれば、上述の材料以外の材料でも本実施例と同様の
効果を得ることができる。定性的には、下地材料とマー
ク材料との電子ビームの反射率の差が大きいほど、高い
コントラストが得られる。ビーム校正のアルゴリズムと
しては、従来の電子線描画装置に用いられていた方法を
そのまま使用することができる。
ーム焦点校正の場合を説明すると、まず、上記の方法に
よってマーク上をビーム走査しマークのビームプロファ
イルを得る。得られたビームプロファイルを二階微分
し、そのピークトウピークの大きさを測定する。鏡筒の
焦点を変化させながらこのピークトウピークの測定を行
い、ピークトウピークが最大になる焦点位置を求める。
これらの操作を鏡筒が複数個存在する場合には、複数個
の鏡筒同時に行う。また、ビーム焦点校正以外の場合も
これに準じ、従来の方法をそのまま使用することができ
る。次に、上述のマークウェーハの電極と電流測定手段
との電気的結合について説明する。上述の如く、マーク
ウェーハは可搬であるため、ウェーハパレット64に装
着した際に電流測定手段との結合を図る必要がある。
る。図3(a)は、電気的結合の図られていない状態、図
3(b)は、電気的結合が図られた状態を各々示す図であ
る。端子68は電流測定手段(図1の52)に接続されて
おり、端子68を通じてマーク上を流れる電流を測定可
能に構成されている。また、端子68は電極70と同じ
個数存在する。マークウェーハ10をウェーハパレット
64に装着するときには、図3(a)に示す如く、端子6
8は上に上がった状態となっている。そして、パレット
にウェーハ10が装着されると、ヒンジ状の端子68が
下がり、図3(b)に示す如く、ウェーハ10上の電極7
0と接し、電流測定手段との電気的結合が図られる。
ロードについて説明する。マークウェーハ10のロー
ド,アンロードは、先に述べたように描画を行うウェー
ハと同様に行われる。図4,図5に、ロード,アンロー
ドの方法を示す。図4は、マークウェーハ10が電子線
鏡筒と同じチャンバ(以下、「ワークチャンバ」と呼ぶ)6
5内にあり、ビーム校正を行っている状態である。この
とき、描画するウェーハ67は、ワークチャンバの一つ
手前のチャンバ(以下、「サブチャンバ」と呼ぶ)66内に
入れられ、ビーム校正が終わり次第、マークウェーハ1
0と交換される。実際に描画が行われている状態が、図
5である。このときは、マークウェーハ10はサブチャ
ンバ66に退避され、描画が行われるウェーハ67がワ
ークチャンバ65に入れられている。
ブチャンバ66に入れられており、現在描画が行われて
いるウェーハ67の描画が終わり次第、ワークチャンバ
65に入れられる状態になっている。上述の如く、マー
クウェーハ10を常にサブチャンバ66内に入れておく
ことにより、任意の時点でマークウェーハ10をワーク
チャンバ65に入れ、ビーム校正を行うことが可能とな
る。なお、ワークチャンバ65を図4,図5に示したも
のより高さ方向にウェーハ1枚分程度拡大して、底部に
マークウェーハ10を常に退避させるように構成するこ
とも可能である。この場合には、ワークチャンバ65が
多少大きくなるが、ウェハの出し入れの操作が簡単にな
るという効果がある。上記実施例によれば、鏡筒の調整
の高速化,高精度化が可能となり、また、均一露光を実
現することが可能になる。更に、調整マーク基板の収納
方法を改良したことによる、装置の小型化も実現されて
いる。
示すマークを用いたマルチショット電子線描画システム
の概念図を示す。図6においては、図1に示したと同じ
構成要素は、同じ記号で示されている。本実施例におけ
る各々の電子線鏡筒のビーム校正の概略を、以下に説明
する。まず、各々の鏡筒11毎に各々の鏡筒の直下にあ
るマーク9を走査し、各々の走査位置における反射電子
を、反射電子検出器8および15によって検出する。得
られた反射電子信号の変化をワークステーション16に
よって計算機処理することによって、各々の鏡筒11,
74〜76内の電子銃1〜3、電子レンズ4〜6、偏向
器7に適正な電圧を同時に設定し、校正を行う。各々の
鏡筒のビーム校正を行うためのマークの概念図を、図7
に示す。ビーム校正用のマークは図7に示す構成となっ
ており、描画すべきシリコンウェーハと同一形状となっ
ている。
66を用いてロード,アンロードが可能となっている。
また、実施例1と同様に、マークウェーハ10は可搬で
あるため、プリアラインメントマーク24を用いてプリ
アラインメントを行う必要がある。各々の鏡筒の調整
は、各々の鏡筒の直下に存在するマーク20上を走査し
て、それに伴って発生する反射電子を、図6に示す反射
電子検出器8によって検出する。反射電子検出器8によ
る検出は、隣合う鏡筒間では反射電子の混合が起こり、
検出信号のコントラストの低下を招く。そこで、本発明
では、隣り合う鏡筒の反射電子の検出は、同時には行わ
ない。つまり、図6においては、鏡筒11と75のビー
ム校正を同時に行い、その後、鏡筒74と76の校正を
行う。
ビーム33,35,37の校正を同時に行い、その後、
ビーム34,36,38の校正を同時に行う。本実施例
によれば、上述の如きビーム校正方法により、隣り合う
鏡筒間の反射電子の干渉を避けることができ、鏡筒1本
ずつ行った場合と同様の精度で、ビームの校正が可能と
なる。なお、本実施例による反射電子検出法は、ビーム
校正に限らず、描画時のマーク検出にも応用可能であ
る。また、本実施例による信号検出方法は、信号検出手
段が反射電子検出器の場合に限らず、その他の方法によ
る信号検出手段にも適用可能であることはもちろんであ
る。 実施例:3本実施例では前記実施例2のビーム校正を更
に高速化した方法について述べる。図8(a)に、前述の
実施例2でのビーム校正シーケンスを示す。
す。各鏡筒はビームオン時に反射電子検出を行い、ビー
ムオフ時に偏向の偏向電圧を変化させ、次の走査位置へ
とビームを移動する。前記実施例2では鏡筒一つおきに
シーケンス56を実行し、残りの鏡筒はシーケンス57
を実行していた。本実施例では、シーケンスを次のよう
に行う。まず、最初に、鏡筒一つおきにシーケンス58
を実行する。そして、残りの鏡筒はシーケンス59を実
行する。このシーケンス59は、前のシーケンス58の
ビームオンからビームオフに変わるときにビームをオン
とし、シーケンス59のビームがオフに変わるときにシ
ーケンス58のビームをオンとする。
によって、前記実施例2に比べ、ビーム校正時間の短縮
を図ることができる。つまり、1ショットあたりの反射
電子検出時間(ビームオン時間)54をA、偏向整定待ち
時間(ビームオフ時間)55をBとし、1鏡筒あたりの反
射電子検出に関するショット数をCとすると1ウェーハ
あたりのビーム校正時間は2×C×(A+B)から2×C
×Aと2×C×B分だけ描画時間を短縮できる。なお、
本実施例による反射電子検出法はビーム校正に限らず、
描画時のマーク検出にも応用可能である。 実施例4:本実施例では、本発明によるマークを用いた
ステージ移動に伴う接続精度評価法について述べる。
子線描画システムに使用することは可能であるが、簡単
のため、以下の説明では単一鏡筒の電子線描画装置につ
いて述べる。接続精度評価には、図7に示したウェーハ
10を用いる。まず、ウェーハ10内の十字マーク20
を、図9(a)に示す如く、描画フィールドの下端にお
く。そしてマーク検出を行い、十字マーク20の位置を
求める。次に、図9(b)に示すようにマークを描画フィ
ールド分移動し、マークを描画フィールドの上端に置
き、同様にマーク検出を行い、十字マーク20の位置を
求める。この二つのマーク位置の差は、フィールド接続
誤差の水平方向の倍率誤差となる。
(c),図9(d)のようにマークを描画フィールドの下端
と描画フィールドの上端に置き、マーク検出を行うこと
によって求めることが可能である。同様に、垂直方向の
回転,倍率誤差も測定することができる。上記実施例に
よれば、以上の測定をステージを移動させて行っていく
ことにより、ステージ移動に伴う接続誤差を求めること
が可能となる。なお、上記各実施例は本発明の一例を示
したものであり、本発明はこれらに限定されるべきもの
ではないことは言うまでもないことである。
れば、マルチショット方式の電子線描画装置に上述の如
きマークを用いることにより、鏡筒の調整の高速化,高
精度化を可能とする電子線描画装置およびその調整方法
を実現すること、マルチカラムを有する電子線描画装置
における均一露光を実現すること、および、装置を小型
化すること等の各効果を奏するものである。
チショット方式の電子線描画システムの構成図である。
トとの間の電気的結合の説明図である。
の1)である。
の2)である。
の電子線描画システムを示す図である。
である。
タイミングを示す図である。
る図である。
Claims (15)
- 【請求項1】 複数本の電子銃および電子線鏡筒を有
し、前記各鏡筒が独立に光学系の調整を可能に構成され
た電子線描画装置であって、前記複数本の鏡筒の調整を
同時に行う手段を有することを特徴とする電子線描画装
置。 - 【請求項2】 前記手段に加えて、描画する試料の搬送
路を通して描画が行われるチャンバに出し入れ可能な、
調整(ビーム校正)に用いられるマーク群を持つことを特
徴とする請求項1記載の電子線描画装置。 - 【請求項3】 前記マーク群を有する基板の外形はシリ
コンウェーハと類似形状であることを特徴とする請求項
2記載の電子線描画装置。 - 【請求項4】 描画時に前記マーク群を有する基板が退
避するための、描画が行われるチャンバに隣接したサブ
チャンバを持つことを特徴とする請求項2または3のい
ずれかに記載の電子線描画装置。 - 【請求項5】 前記マーク群に、マークの回転量を補正
するためのプリアラインメントマークを有することを特
徴とする請求項2〜4のいずれかに記載の電子線描画装
置。 - 【請求項6】 前記マーク群は、鏡筒単位で電気的に分
離されていることを特徴とする請求項2〜5のいずれか
に記載の電子線描画装置。 - 【請求項7】 電子線により調整を行う際に用いるため
の、前記マーク群と装置全体の電気的結合手段を有する
ことを特徴とする請求項6記載の電子線描画装置。 - 【請求項8】 鏡筒毎に異なる電子照射時間を設定可能
としたことを特徴とする請求項7記載の電子線描画装
置。 - 【請求項9】 複数本の電子銃および電子線鏡筒を有
し、前記各鏡筒独立に光学系の調整が可能である電子線
描画装置において、前記複数本の鏡筒の調整を同時に行
うことを特徴とする電子線描画装置の調整方法。 - 【請求項10】 描画が行われるチャンバに、描画する
試料の搬送路を通してビーム校正に用いられるマーク群
を有する基板を出し入れすることを特徴とする請求項9
記載の電子線描画装置の調整方法。 - 【請求項11】 前記マーク群を有する基板は、描画時
には、描画が行われるチャンバに隣接したサブチャンバ
に退避させることを特徴とする請求項10記載の電子線
描画装置の調整方法。 - 【請求項12】 前記マーク群の回転量を補正するため
のプリアラインメントマークにより、前記マーク群の回
転を調整することを特徴とする請求項9〜11のいずれ
かに記載の電子線描画装置の調整方法。 - 【請求項13】 ビームの校正にマークを流れる電流を
用いることを特徴とする請求項9〜12のいずれかに記
載の電子線描画装置の調整方法。 - 【請求項14】 電気的に分離された前記マーク群の各
々のマーク内に、ビーム電流測定用のファラデーカップ
状の窪みを有し、該ファラデーカップ状の窪みに流れる
電流を測定することによりビーム電流の校正を行うこと
を特徴とする請求項13記載の電子線描画装置の調整方
法。 - 【請求項15】 周辺の決められた鏡筒の調整は同時に
行わないことを特徴とする請求項2記載の電子線描画装
置の調整方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP00244395A JP3298347B2 (ja) | 1995-01-11 | 1995-01-11 | 電子線描画装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP00244395A JP3298347B2 (ja) | 1995-01-11 | 1995-01-11 | 電子線描画装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08191042A true JPH08191042A (ja) | 1996-07-23 |
JP3298347B2 JP3298347B2 (ja) | 2002-07-02 |
Family
ID=11529426
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP00244395A Expired - Lifetime JP3298347B2 (ja) | 1995-01-11 | 1995-01-11 | 電子線描画装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3298347B2 (ja) |
Cited By (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5933211A (en) * | 1996-08-26 | 1999-08-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Charged beam lithography apparatus and method thereof |
WO1999059183A1 (fr) * | 1998-05-11 | 1999-11-18 | Advantest Corporation | Procede et appareil d'exposition a un faisceau electronique |
WO2001075947A1 (fr) * | 2000-04-04 | 2001-10-11 | Advantest Corporation | Appareil d'exposition multifaisceau comprenant une lentille elctronique multi-axiale, une lentille electronique multi-axiale pour la focalisation de faisceaux d'electrons, et procede de fabrication de dispositif semi-conducteur |
WO2001075946A1 (fr) * | 2000-04-04 | 2001-10-11 | Advantest Corporation | Appareil d'exposition a faisceau multiple comprenant un objectif electronique a axes multiples, objectif electronique a axes multiples pour mettre au point le faisceau electronique multiple, et procede de production d'un appareil a semi-conducteur |
WO2001075949A1 (fr) * | 2000-04-04 | 2001-10-11 | Advantest Corporation | Appareil d'exposition multifaisceau comprenant une lentille electronique multiaxe, et procede de fabrication d'un dispositif a semi-conducteur |
WO2001075951A1 (fr) * | 2000-04-04 | 2001-10-11 | Advantest Corporation | Appareil d'exposition de plusieurs faisceaux comprenant une lentille electromagnetique multiaxiale |
WO2001075948A1 (fr) * | 2000-04-04 | 2001-10-11 | Advantest Corporation | Appareil d'exposition a des faisceaux multiples a objectif a plusieurs axes, objectif a plusieurs axes de focalisation de faisceaux d'electrons, et procede de fabrication de dispositifs semi-conducteurs |
WO2001075950A1 (fr) * | 2000-04-04 | 2001-10-11 | Advantest Corporation | Appareil d'exposition multifaisceau comprenant une lentille electronique multiaxe, procede de fabrication de ladite lentille, et procede de fabrication d'un dispositif a semi-conducteur |
WO2002029866A1 (fr) * | 2000-10-03 | 2002-04-11 | Advantest Corporation | Systeme d'exposition de faisceau d'electrons et procede permettant de corriger la position d'irradiation du faisceau d'electrons |
WO2002029867A1 (fr) * | 2000-10-03 | 2002-04-11 | Advantest Corporation | Procede de correction de faisceau electronique et systeme d'exposition a faisceaux electroniques |
JP2002110534A (ja) * | 2000-10-03 | 2002-04-12 | Advantest Corp | 半導体素子製造システム、電子ビーム露光装置 |
WO2002041374A1 (fr) * | 2000-11-15 | 2002-05-23 | Advantest Corporation | Systeme d'exposition a des faisceaux d'electrons, procede de correction de faisceaux d'electrons, procede d'exposition a des faisceaux d'electrons, et procede permettant de produire un element semi-conducteur |
WO2002041373A1 (fr) * | 2000-11-15 | 2002-05-23 | Advantest Corporation | Procede de correction de faisceaux d'electrons et systeme d'exposition a des faisceaux d'electrons |
WO2002041372A1 (fr) * | 2000-11-17 | 2002-05-23 | Advantest Corporation | Systeme d'exposition a un faisceau electronique, procede d'exposition a un faisceau electronique et procede de production d'elements semi-conducteurs |
WO2002047131A1 (fr) * | 2000-12-06 | 2002-06-13 | Advantest Corporation | Systeme d'exposition a un faisceau electronique, procede de detection de position d'irradiation et detecteur d'electrons |
WO2002050877A1 (fr) * | 2000-12-20 | 2002-06-27 | Advantest Corporation | Systeme d'exposition a un faisceau d'electrons, element correcteur, procede de correction et procede d'exposition |
WO2002052623A1 (fr) * | 2000-12-27 | 2002-07-04 | Advantest Corporation | Systeme d'exposition d'un faisceau d'electrons et element d'etalonnage de la positon d'irradiation du faisceau d'electrons |
JP2003077813A (ja) * | 2001-09-05 | 2003-03-14 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光装置の結像性能の評価方法、荷電粒子線露光装置の調整方法、ビームぼけ計測装置及び荷電粒子線露光装置 |
JP2004055933A (ja) * | 2002-07-22 | 2004-02-19 | Advantest Corp | 電子ビーム露光装置、及び電子ビーム計測モジュール |
US6787780B2 (en) | 2000-04-04 | 2004-09-07 | Advantest Corporation | Multi-beam exposure apparatus using a multi-axis electron lens, fabrication method of a semiconductor device |
JP2006032613A (ja) * | 2004-07-15 | 2006-02-02 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子ビーム電流計測方法、電子ビーム描画方法および装置 |
EP1768162A2 (en) * | 2001-10-05 | 2007-03-28 | ICT, Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik Mbh | Multiple electron beam device |
WO2008117398A1 (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-02 | Advantest Corporation | マルチコラム電子ビーム露光装置及びマルチコラム電子ビーム露光方法 |
JP2012222068A (ja) * | 2011-04-06 | 2012-11-12 | Advantest Corp | 電子ビーム露光装置及び電子ビーム露光方法 |
-
1995
- 1995-01-11 JP JP00244395A patent/JP3298347B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5933211A (en) * | 1996-08-26 | 1999-08-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Charged beam lithography apparatus and method thereof |
US6140654A (en) * | 1996-08-26 | 2000-10-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Charged beam lithography apparatus and method thereof |
WO1999059183A1 (fr) * | 1998-05-11 | 1999-11-18 | Advantest Corporation | Procede et appareil d'exposition a un faisceau electronique |
US6218060B1 (en) | 1998-05-11 | 2001-04-17 | Advantest Corporation | Electron beam exposure method and electron beam exposure apparatus |
WO2001075949A1 (fr) * | 2000-04-04 | 2001-10-11 | Advantest Corporation | Appareil d'exposition multifaisceau comprenant une lentille electronique multiaxe, et procede de fabrication d'un dispositif a semi-conducteur |
WO2001075946A1 (fr) * | 2000-04-04 | 2001-10-11 | Advantest Corporation | Appareil d'exposition a faisceau multiple comprenant un objectif electronique a axes multiples, objectif electronique a axes multiples pour mettre au point le faisceau electronique multiple, et procede de production d'un appareil a semi-conducteur |
WO2001075947A1 (fr) * | 2000-04-04 | 2001-10-11 | Advantest Corporation | Appareil d'exposition multifaisceau comprenant une lentille elctronique multi-axiale, une lentille electronique multi-axiale pour la focalisation de faisceaux d'electrons, et procede de fabrication de dispositif semi-conducteur |
WO2001075951A1 (fr) * | 2000-04-04 | 2001-10-11 | Advantest Corporation | Appareil d'exposition de plusieurs faisceaux comprenant une lentille electromagnetique multiaxiale |
WO2001075948A1 (fr) * | 2000-04-04 | 2001-10-11 | Advantest Corporation | Appareil d'exposition a des faisceaux multiples a objectif a plusieurs axes, objectif a plusieurs axes de focalisation de faisceaux d'electrons, et procede de fabrication de dispositifs semi-conducteurs |
WO2001075950A1 (fr) * | 2000-04-04 | 2001-10-11 | Advantest Corporation | Appareil d'exposition multifaisceau comprenant une lentille electronique multiaxe, procede de fabrication de ladite lentille, et procede de fabrication d'un dispositif a semi-conducteur |
US6787780B2 (en) | 2000-04-04 | 2004-09-07 | Advantest Corporation | Multi-beam exposure apparatus using a multi-axis electron lens, fabrication method of a semiconductor device |
JP4401614B2 (ja) * | 2000-04-04 | 2010-01-20 | 株式会社アドバンテスト | 多軸電子レンズを用いたマルチビーム露光装置、複数の電子ビームを集束する多軸電子レンズ、半導体素子製造方法 |
JP4451042B2 (ja) * | 2000-04-04 | 2010-04-14 | 株式会社アドバンテスト | 多軸電子レンズを用いたマルチビーム露光装置、半導体素子製造方法 |
JP4451041B2 (ja) * | 2000-04-04 | 2010-04-14 | 株式会社アドバンテスト | 多軸電子レンズを用いたマルチビーム露光装置、複数の電子ビームを集束する多軸電子レンズ、半導体素子製造方法 |
WO2002029866A1 (fr) * | 2000-10-03 | 2002-04-11 | Advantest Corporation | Systeme d'exposition de faisceau d'electrons et procede permettant de corriger la position d'irradiation du faisceau d'electrons |
JP2002110534A (ja) * | 2000-10-03 | 2002-04-12 | Advantest Corp | 半導体素子製造システム、電子ビーム露光装置 |
WO2002029867A1 (fr) * | 2000-10-03 | 2002-04-11 | Advantest Corporation | Procede de correction de faisceau electronique et systeme d'exposition a faisceaux electroniques |
WO2002041373A1 (fr) * | 2000-11-15 | 2002-05-23 | Advantest Corporation | Procede de correction de faisceaux d'electrons et systeme d'exposition a des faisceaux d'electrons |
WO2002041374A1 (fr) * | 2000-11-15 | 2002-05-23 | Advantest Corporation | Systeme d'exposition a des faisceaux d'electrons, procede de correction de faisceaux d'electrons, procede d'exposition a des faisceaux d'electrons, et procede permettant de produire un element semi-conducteur |
WO2002041372A1 (fr) * | 2000-11-17 | 2002-05-23 | Advantest Corporation | Systeme d'exposition a un faisceau electronique, procede d'exposition a un faisceau electronique et procede de production d'elements semi-conducteurs |
WO2002047131A1 (fr) * | 2000-12-06 | 2002-06-13 | Advantest Corporation | Systeme d'exposition a un faisceau electronique, procede de detection de position d'irradiation et detecteur d'electrons |
WO2002050877A1 (fr) * | 2000-12-20 | 2002-06-27 | Advantest Corporation | Systeme d'exposition a un faisceau d'electrons, element correcteur, procede de correction et procede d'exposition |
JP2002198298A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-12 | Advantest Corp | 電子ビーム露光装置及び電子ビームの照射位置の校正用部材 |
WO2002052623A1 (fr) * | 2000-12-27 | 2002-07-04 | Advantest Corporation | Systeme d'exposition d'un faisceau d'electrons et element d'etalonnage de la positon d'irradiation du faisceau d'electrons |
JP2003077813A (ja) * | 2001-09-05 | 2003-03-14 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光装置の結像性能の評価方法、荷電粒子線露光装置の調整方法、ビームぼけ計測装置及び荷電粒子線露光装置 |
EP1768162A2 (en) * | 2001-10-05 | 2007-03-28 | ICT, Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik Mbh | Multiple electron beam device |
EP1768162A3 (en) * | 2001-10-05 | 2007-05-09 | ICT, Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik Mbh | Multiple electron beam device |
JP2004055933A (ja) * | 2002-07-22 | 2004-02-19 | Advantest Corp | 電子ビーム露光装置、及び電子ビーム計測モジュール |
JP2006032613A (ja) * | 2004-07-15 | 2006-02-02 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子ビーム電流計測方法、電子ビーム描画方法および装置 |
WO2008117398A1 (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-02 | Advantest Corporation | マルチコラム電子ビーム露光装置及びマルチコラム電子ビーム露光方法 |
US8222619B2 (en) | 2007-03-26 | 2012-07-17 | Advantest Corp. | Multi-column electron beam exposure apparatus and multi-column electron beam exposure method |
JP5368086B2 (ja) * | 2007-03-26 | 2013-12-18 | 株式会社アドバンテスト | マルチコラム電子ビーム露光装置及びマルチコラム電子ビーム露光方法 |
JP2012222068A (ja) * | 2011-04-06 | 2012-11-12 | Advantest Corp | 電子ビーム露光装置及び電子ビーム露光方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3298347B2 (ja) | 2002-07-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH08191042A (ja) | 電子線描画装置およびその調整方法 | |
US6864488B2 (en) | Charged particle beam exposure method and apparatus | |
US7408760B2 (en) | Charged particle beam application system | |
US7554095B2 (en) | Static electricity deflecting device, electron beam irradiating apparatus, substrate processing apparatus, substrate processing method, and method of manufacturing substrate | |
US4694178A (en) | Multiple channel electron beam optical column lithography system and method of operation | |
US20030155508A1 (en) | Workpiece holder, semiconductor fabricating apparatus, semiconductor inspecting apparatus, circuit pattern inspecting apparatus, charged particle beam application apparatus, calibrating substrate, workpiece holding method, circuit pattern inspecting method, and charged particle beam application method | |
US20070114449A1 (en) | Standard component for length measurement calibration, method for manufacturing the same, and calibration method and apparatus using the same | |
US7479634B2 (en) | Electron beam apparatus and device manufacturing method using the same | |
US6730906B2 (en) | Method and apparatus for testing a substrate | |
US6653634B1 (en) | Method of measuring length with scanning type electron microscope | |
US6624430B2 (en) | Method of measuring and calibrating inclination of electron beam in electron beam proximity exposure apparatus, and electron beam proximity exposure apparatus | |
JPH0732111B2 (ja) | 荷電ビ−ム投影露光装置 | |
US6818364B2 (en) | Charged particle beam exposure apparatus and exposure method | |
EP0431864B1 (en) | Method of detecting and adjusting exposure conditions of charged particle exposure system and such a system | |
US20050074909A1 (en) | Integrated implant monitor for closed loop control | |
US5311026A (en) | Charged particle beam lithography system and method therefor | |
JPH10106931A (ja) | 電子ビーム露光方法およびそれを用いた半導体集積回路装置の製造方法 | |
JP2000149845A (ja) | 試料の保持方法,試料の保持装置、および荷電粒子線装置 | |
JP3866782B2 (ja) | 電子ビーム露光装置及び露光方法 | |
Beasley et al. | An electron beam maskmaker | |
JPH09246135A (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置 | |
JP3714280B2 (ja) | 電子ビーム近接露光装置における電子ビームの傾き測定方法及び傾き較正方法並びに電子ビーム近接露光装置 | |
JP3472564B2 (ja) | パターン転写用マスク、パターン転写方法、露光方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
JPS63261727A (ja) | 板状体の面歪み補正方法 | |
JP2004165498A (ja) | 荷電粒子線露光装置、デバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080419 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090419 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090419 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100419 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110419 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120419 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120419 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130419 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140419 Year of fee payment: 12 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |