JPH081900B2 - 汚染粒子除去法 - Google Patents

汚染粒子除去法

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、少くとも実質的に固体
アルゴン粒子が含まれるエアロゾルの衝突流れを用い汚
染感応面からの微粒子洗浄の分野に関する。詳述すれ
ば、本発明は、窒素キャリヤーガス中の固体アルゴン粒
子のエアロゾルの流れを前記感応面に衝突させて、感応
マイクロ電子表面から粒子および薄膜を洗浄して前記粒
子または（および）薄膜を転置し、かつガス抜きにより
副生成物を除去する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】少量の汚染でもマイクロチップの二次加
工には有害である。微粒子、薄膜または分子の形での汚
染は、短絡、開路、シリコン結晶積層欠陥、およびその
他の欠陥の原因となる。これらの欠陥は、完成超小型電
子回路破損の原因にもなり得る。このような欠陥は、マ
イクロ電子工業における有意の収量低下の原因となる。
ミクロの汚染によりもたらされた収量低下は、実質的に
加工費の増加をきたす。
【０００３】超小型回路には多数の加工工程が必要であ
る。加工は極度に清浄な条件下で行われることである。
しかし、超小型回路において、決定的欠陥を発生させる
に要する汚染量は極めて少量である。たとえば、直径で
１００オングストロームという小径の個々の粒子が、最
新の超小型回路における欠陥の決め手にもなり得る。ミ
クロの汚染は、回路の完成に要する数多い工程中いつで
も発生する。従って、超小型回路に用いられるウエハー
の定期洗浄が経済的生産力の維持に必要とされる。さら
に、加工ガスの純度と清浄度のきびしい管理が必要であ
る。
【０００４】将来の超小型回路には、さらに小さい形状
で、しかもはるかに複雑性が高く、さらに多くの工程が
必要となるであろう。それ故に、経済的生産高を維持す
るため、前記加工ガス装置と、加工環境における汚染管
理技術が有意に改善する必要があり、またウエハー洗浄
手順の改良開発の必要がある。
【０００５】電子工業用の表面洗浄には現在、数多くの
方法が用いられている。表面からの汚染薄膜の除去に、
溶剤もしくは薬品洗浄が用いられる。溶剤には、溶剤が
溶解できる材料により選択性があるので、汚染除去には
適当な溶剤の選択が必要である。薬品溶液は、「大音
波」もしくは「超音波」クリーナーとの組合わせが可能
である。これらの装置は、高エネルギー音波を有機薄
膜、イオン性不純物および、３，０００オングストロー
ムという小径粒子が除去できる表面に付与する。高純度
かつ高清浄性の溶剤での達成は、困難で高価、またはそ
のいずれかである。そのうえ、前記液剤は、使用すれば
する程、汚染が進み、定期的処分が必要になる。液剤の
定期的交換を怠ると、汚染物の再堆積をもたらし、洗浄
作業の効率を低下させる。このような液剤の処分は、し
ばしば環境の損傷を招く。さらに、このような液剤は、
操作員への暴露を最小化するため操作中、特別な安全手
順が必要である。
【０００６】ガス噴射洗浄ならびに液体噴霧洗浄は、現
在シリコンウエハーからの相対的大径粒子に用いられて
いる。ガス噴射（例えば、濾過窒素噴射）は、約５０，
０００オングストローム以下の小径の粒子を除去するこ
とが困難である。これは粒子を表面に維持しようとする
接着力が粒子の直径に比例する一方で、気体による粒子
を除去しようとする気体力学的牽引力が直径の二乗に比
例するためである。従って、これらの比の関係から、粒
子の大きさが小さくなるに従い接着を助けることにな
る。さらに、より小径の粒子は、気体速度の低い表面境
界層内にとどまるために、気体噴流の強力な牽引力に曝
されることはないから一層接着力は堅固なものとなる。
また液体噴射洗浄は、粒子除去のためのより強力な剪断
力がそなわっているが、費用が高くまた高純度の液体が
得難いので乾燥後に汚染残留物を残す恐れがあるし、さ
らに、通常の液体噴射溶媒（例えば、フレオンＴＦ）
は、環境的にも問題がある。
【０００７】紫外線を照射しながらオゾンに暴露する
と、それは表面からの汚染炭化水素の分解に利用でき
る。しかし、この技術は、汚染粒子の除去には示されな
かった。
【０００８】最近開発の洗浄技術は、二酸化炭素エアロ
ゾルを用いて、汚染表面の「サンド・ブラスト掛け」が
必要である。加圧気体二酸化炭素をノズルを用いて膨張
させる。膨張は前記二酸化炭素圧を大気圧に低下させ
る。結果として起こるジュール・トムソン冷却は、固体
二酸化炭素粒子を形成し、それは、表面境界層を横切
り、汚染面に衝突する。いくつかの事例では、二酸化炭
素が軟質物質を形成し、それが表面上を流れて、残留物
を残すことなく粒子を転置させる。従って極めて清浄か
つ純粋の二酸化炭素がこの技術には必要である。供給ガ
ス中に含まれた極微量の分子汚染物（たとえば炭化水
素）は、膨張に際し、固体微粒子または液滴に凝縮し
て、表面に新たな汚染物を沈着させる。二酸化炭素は、
超高純度、すなわち、不純物が１ｐｐｍ以下の極微量の
ものの供給が困難かつ高価であるか、またはいずれかで
ある。この問題があるため、前記二酸化炭素洗浄技術
は、超清浄（たとえば、シリコン・ウエハー）での応用
で有効であるとの説明は未だにない。
【０００９】固体二酸化炭素を使用する表面からの微粒
子の除去技術は、米国特許第４，８０６，１７１号に示
されている。
【００１０】欧州特許出願公開第０３３２３５６号での
開示された二酸化炭素を使用する洗浄技術では、液体二
酸化炭素を先ず気化させ、結果としてできる気体を濾過
し、その気体を再液化して二酸化炭素の純度を高め、ド
ライアイス雪の形にして洗浄剤として用いている。
【００１１】欧州特許出願公開第２１４６９２６Ａ号
は、成形固体二酸化炭素、水氷のオーバー・レイヤーお
よび圧縮空気の連行噴流とからなる二酸化炭素洗浄剤を
記述する。この技術は、前記洗浄剤で支持された材料で
処理される表面を再汚染することなく高純度洗浄を可能
にするに必要な洗浄剤にとって、考えられる汚染源を複
雑にする。
【００１２】二酸化炭素での洗浄を意図する方式の装置
は、「スペクトラ・クリーンTM（S-pectra CleanTM）Ｃ
Ｏ２」と題するエアコ、スペシャル・ガスイス（Air-co
Special Guses) からの小冊子に記述されている。この
装置は、二酸化炭素加圧ガスシリンダーに取り付けられ
たミクロン以下の炉材と導管からなり、数工程で圧力降
下を行って、洗浄の目的のため二酸化炭素雪の管理され
た流れをつくる。
【００１３】１９８９年１１月刊「ケミカル・プロセシ
ング(Chemical Processing) 」第５４頁の論文に、ドラ
イアイス「二酸化炭素」装置が、コールドジェットR ク
リーニングシステム(COLD JET R CLEANING SYSTEM) と
して一体化して液体炭素の追い出しに利用できることを
示している。
【００１４】１９８９年１１月刊「セミコンダクター・
インターナショナル(SemiconductorInternational)」の
第１６頁の論文で、三菱のLSI リサーチ・アンド・ディ
ベロプメント・ラボラトリ(Research and Development
Laboratory) は、半導体ウエハーの洗浄に水氷を用いる
報告をしている。また、Ｔ．オーモリ(Ohmori)、Ｔ．フ
クモト(Fukumoto)およびＴ．カトー(Kato)による「ウル
トラクリーン・アイス・スクラバー・クリーニング・ウ
イズ・ジェティング・ファイン・パーティクルズ(Ultra
clean Ice Scrubber Cleaning with Jetting Fine Ice
Particles ）」と題する要約書第３７７号を参照された
い。
【００１５】１９８６年８月刊「コンプレスド・エア・
マガジン(Compressed Air Magazine) 」第２２乃至２４
頁に出ているスチュアートＡ．ホーニッヒ(Hoenig)によ
る論文で、適当な表面洗浄の洗浄剤としての乾燥窒素ガ
スとの混合で二酸化炭素雪を用いる装置を記述してい
る。
【００１６】ドライアイス技術はまた、インスティチュ
ート・オブ・エンヴァイロンメンタル・サイエンシス(I
nstitute of Environmental Sciences) による１９８８
年度第９回ＩＣＣＣＳ議事録第６７１乃至６７８頁に出
ている「コントロール・オブ・パーティキュレート・コ
ンタミネーション・バイ・サーモフォレシス・エレクト
ロスタティックス・アンド・ドライアイス・テクニック
ス(Control of Particulate Contamination by Thermop
horesis Electrostatics and Dry Ice Techniques)」と
題する論文で、スチュアートＡ．ホーニッヒ(Hoenig)ほ
かにより開示されている。この論文は、半導体および電
子材料における汚染を減少させる種々の技術を記述して
いる。ドライアイス粒子の流れの使用の論評もしてい
る。
【００１７】超小型電子二次加工品および材料に必要な
洗浄の完全性を備えさせようとする意図にもかかわら
ず、液体溶剤、二酸化炭素もしくは水ベースの洗浄剤に
基く先行技術の装置には、これらの物質自体がマイクロ
チップ二次加工工程において不純物となり得ると考えら
れる不利益があるという欠点がある。たとえば、電子製
品製造者に積出された大量の窒素の現在の純度規格では
二酸化炭素が約１０ｐｐｂ以上、水が約５０ｐｐｂ以上
あってはならない。二酸化炭素または水を洗浄剤として
用いる時、これらの物質は吸着汚染物として表面に残留
する。焼なましや、ドーパント融解のようなウエハー処
理工程が数多くあるが、これらは高温で実施され、また
反応性汚染物の存在によって影響を受ける。たとえば、
極微量の二酸化炭素は、高温処理工程中の分解もあっ
て、シリコン・ウエハー表面に沈着した炭素を残す。こ
の炭素は、完成超小型電子回路の電気絶縁性に有意に影
響を与える。
【００１８】
【発明が解決しようする課題】洗浄剤としての二酸化炭
素は、超小型電子回路組立工業の要求条件を超える汚染
の傾向がある。二酸化炭素は典型的な例として、天然ガ
スを酸化させることで生産される。かなりの量の不純物
が、前記天然ガス中の多数の未反応成分と、反応の副生
成物とを含むこの反応の生成物に残留する。二酸化炭素
は、分子篩上の不純物の吸着によりさらに精製が可能で
あるが、１ｐｐｍ以下の純度の達成は困難である。蒸留
による精製は、炭化水素のような典型的不純物には二酸
化炭素に近い分子量と沸点をもち、従って有効に分離で
きないので、実用的でない。二酸化炭素は、気体もしく
は液体として販売できるが、潤滑油ポンプを使用して圧
縮する必要がある。これは二酸化炭素の汚染度を増加さ
せる。最後に、液体二酸化炭素は、炭化水素滑剤には強
力な溶剤である。従って、これらの材料を付着させ、使
用場所への輸送中、さらに汚染度を増す傾向がある。
【００１９】特に炭化水素に関して、本質的に高い二酸
化炭素の汚染度は、超小型電子装置の表面に洗浄すべき
凝縮した油状液滴が好ましくない状態で沈着する。前記
液滴は、二酸化炭素洗浄剤を超小型電子用途には不向き
なものとする。二酸化炭素供給ガスの純度をこのような
洗浄使用効果に合うよう改良の努力が行われた。
【００２０】水氷ベースの洗浄剤が、微粒子水氷を用い
る洗浄工程中に、処理される支持体に損傷、詳しくは穴
をあけることがわかったことは周知である。
【００２１】本発明は、高純度、不活性微粒子エアロゾ
ルを供給して、支持体および他の表面を超小型電子工業
が必要とする清浄度に洗浄しながら、前記洗浄エアロゾ
ル自体の粒子による再汚染を防ぐことにより先行技術の
諸欠点を克服するものである。このような洗浄のこの利
点と同様、その他の利点ならびに特徴は次に掲げる本発
明の開示によりさらに詳細に説明される。
【００２２】
【課題を解決するための手段】本発明は、汚染粒子と薄
膜またはそのいずれかを、粒子と薄膜のある表面または
そのいずれかにより、少くとも実質的に固体アルゴン粒
子含有エアロゾルの衝突流を用いて除去する方法に関す
るもので、次の諸工程、すなわち：加工気体アルゴン含
有流れを膨張させる工程で、それは膨張以前の既存の流
れ圧力においてアルゴンの液化温度以上の温度であるこ
とと、アルゴンの少くとも実質的に固体粒子を、前記膨
張に起因する冷却により前記流れ中に形成して、少くと
も実質的に固体のアルゴン粒子を含むエアロゾルを形成
させること、および前記エアロゾルを表面に指向させて
前記汚染粒子と薄膜もしくはそのいずれかを除去する工
程からなることを特徴とする。
【００２３】好ましくは、本発明が、前記アルゴン含有
流れと共に窒素キャリヤーガスを包含し、前記窒素キャ
リヤーガスが前記膨張後でも気体状態のままで、それに
よって窒素キャリヤーガスに少くとも実質的に固体のア
ルゴン粒子のエアロゾルを形成することである。
【００２４】好ましくは、前記アルゴン含有流れの膨張
が真空状態に維持された槽内において実施されることで
ある。
【００２５】また好ましくは、前記アルゴン含有流れを
その液化点以上の温度に予冷して、流れ中の凝縮可能不
純物を完全に凝縮してから膨張させ、そして前記不純物
を前記流れから分離することである。詳しくは、前記不
純物には、水、二酸化炭素および炭化水素が含まれる。
【００２６】前記加圧気体アルゴン含有流れが、約２１
０乃至６９０ｐｓｉｇ、さらに好ましくは約２０乃至１
００ｐｓｉｇ範囲の圧力であることが好ましい。
【００２７】さらには、洗浄すべき表面の平面と、前記
表面に衝突するエアロゾルの方向とが鋭角をなすことが
好ましい。
【００２８】さらには、汚染粒子と薄膜またはそのいず
れかの除去後、前記表面を既存の圧力においてアルゴン
の液化温度以上に熱入れすることが好ましい。最適条件
としては、表面を既存の圧力において水の液化温度以上
に熱入れすることである。
【００２９】さらには、前記表面には特に次掲のもの、
すなわち：ガス配管系構成部品たとえば管、弁および導
管、超小型電子処理装置たとえば炉およびプラズマ室と
同様、シリコン・ウエハーおよび超小型電子部品が含ま
れることが好ましい。
【００３０】好ましくは、アルゴンが窒素と混合してい
る場合、アルゴンの窒素に対する比が、アルゴンの約１
０％乃至１００％に対し、窒素が容量比にして残量であ
ることである。
【００３１】さらに好ましくは、予冷を約−１９０°Ｆ
乃至−３００゜Ｆ（約−１２３℃乃至−１８４℃）の範
囲の温度において実施することである。
【００３２】好ましくは、少くとも実質的に固体のアル
ゴン粒子含有流れの洗浄すべき表面との衝突鋭角が約４
５度であることである。
【００３３】さらに、表面上の汚染粒子が１００，００
０オングストロームより小さいことが好ましい。
【００３４】
【作用】好ましい実施例において、本発明は、汚染粒子
と薄膜またはそのいずれかを、粒子および薄膜のある表
面またはそのいずれかより、窒素キャリアーガス中の固
体アルゴン粒子の衝突エアロゾル流れを用いて除去する
方法で次掲、すなわち：アルゴンと窒素の気体混合物を
凝縮可能不純物を完全に凝縮するに十分な温度に予冷す
ることと、前記凝縮可能不純物を前記気体混合物から分
離することと、前記気体混合物を、約２０乃至１００ｐ
ｓｉｇの範囲の圧力とアルゴンの液化点以上の温度から
真空圧条件に急速に膨張させることと、前記気体混合物
中のアルゴンの固体粒子を、前記膨張から起る冷却によ
り形成して前記エアロゾル流れを発生させること、およ
び前記エアロゾル流れを表面に指向して前記汚染粒子と
薄膜またはそのいずれかを除去する工程からなることを
特徴とする。
【００３５】本発明は、少くとも実質的に固体のアルゴ
ン粒子含有エアロゾルを用いて汚染表面を「サンド・ブ
ラスト」することである。アルゴンは、シリコン・ウエ
ハーまた超小型回路には無害の不活性物質である。超高
純度のアルゴンは経済的に生産可能である。本発明での
アルゴンは単独でもあるいは、高純度窒素と混合しても
使用できる。前記窒素は気相のまま残り、キャリヤー媒
体として前記アルゴン粒子に高速性付与に役立つ。前記
アルゴンに窒素に添加することにより、さらに高い膨張
率が可能になり、前記ジュール・トムソン効果を高め、
冷却を増進させる。アルゴンの窒素に対する混合比は、
容量比で約１０％乃至１００％と変化可能である。
【００３６】予め精製したアルゴン又はアルゴン・窒素
混合物を濾過して残留汚染粒子をゼロにし、また好まし
くは、例えば熱交換器で予冷することである。両成分は
前記予冷作業につづき気相のまま残留する。予冷はさら
に、部分凝縮と、わずかの残留極微量不純物も前記熱交
換器壁への除去を可能とする。分子篩又は不純物の接触
除去装置、又は前記熱交換器の上流に配置した不純物ゲ
ッターを用いて、予冷を極微量不純物の除去とを同時に
組み合わせて行うこともできる。分子状態の極微量不純
物を不活性ガスから除去することの方法については、公
知である。予冷混合物の圧力は、典型的な例として２０
ｐｓｉｇ乃至６９０ｐｓｉｇの範囲に、好ましくは２０
ｐｓｉｇ乃至１００ｐｓｉｇの範囲に維持することであ
る。また、予冷混合物の温度は、典型的な例としては、
約−１９０°Ｆ乃至−３００゜Ｆ（約−１２３℃乃至−
１８４℃）の温度範囲に、好ましくは約−２５０°Ｆ乃
至−３００°Ｆ（約−１５７°Ｃ乃至−１８４°Ｃ）の
温度範囲にすることである。
【００３７】その後、前記予冷混合物をノズルもしくは
膨張弁で膨張させて低圧にする。膨張混合物の圧力は高
真空圧から大気圧以上に亘る。結果としてできるジュー
ル・トムソン冷却は、アルゴン粒子の凝縮および液化も
しくは凝固に役立つ。本発明の目的のために、固体粒子
だけでなく液体粒子を形成させるが、それでもなお洗浄
には意図した効果がある。固体粒子の形成が好ましい
が、しかし、少くとも、アルゴン粒子の実質的部分が固
体である場合、先行技術の洗浄方法を有意に改良する。
アルゴン粒子は、均質核形成の工程により凝縮できる。
結果としてできる極低温エアロゾルをそこで、洗浄すべ
き汚染面に対して傾斜角（典型的例として４５度）をも
って指向させる。噴射は、前記汚染面上１／１６インチ
（約０．１５９ｃｍ）乃至数インチの垂直距離において
である。気体混合物をノズルにより膨張させる。ノズル
の構造は決っていない。本発明は円形ノズルと、細長ノ
ズルとに効果的である。細長ノズルは、幅広表面たとえ
ばシリコン・ウヘハーに最適である。表面汚染物の完全
除去は、エアロゾルに暴露して数秒間で達成されるのが
典型的である。
【００３８】シリコン・ウエハーの有効な洗浄は、アル
ゴン洗浄技術で与えられることがわかった。気体洗浄噴
射の実施例では、０．６２４マイクロメートル（６，２
４０オングストローム）の粒子が普通の窒素ガス噴射洗
浄技術を用いて除去されないことが立証された。しか
し、同一の粒子が、アルゴンエアロゾル洗浄技術を用い
て完全に除去される（ほぼ１００％の効率）・アルゴン
洗浄剤も、１，０００オングストロームサイズの粒子の
裸シリコン・ウエハーからの除去と、また付着グリース
の厚手膜のガラス面からの除去に有効である。本発明に
言う粒子という術語は、分子の大きさ量の粒子も含まれ
る。
【００３９】汚染面の洗浄は、本発明においては、洗浄
すべき表面に対し高速でアルゴン粒子を衝突させる方法
により達成される。アルゴン粒子は、表面上にある汚染
粒子、薄膜および分子に衝突する。衝突は汚染に対し、
表面からその汚染を解放させるに十分なエネルギーを付
与する。解放された汚染はガス流に連行されてガス抜き
される。エアロゾルの気相は表面と衝突してそれを横切
って流れ、薄手の境界層を形成する。汚染物質の直径
（粒子、薄膜など）は、典型的例として非常に小さいの
で、完全に低速境界層内に存在する。従って、前記気相
だけが、不十分な剪断強さのため小径汚染の除去が不可
能である。しかし、アルゴン粒子には有意の慣性が具わ
っているので、前記境界層を横切って表面に達する。
【００４０】アルゴン粒子は、表面に向って境界層を通
過するに従って減速する傾向がある。洗浄が順序よく起
こるため、アルゴン粒子が境界層を横断して表面に衝突
する必要がある。単純なモデルでは、気体流れがごく僅
かの速度の標準成分をもつ厚さ「ｈ」の境界層を発生さ
せることを想定している。表面と衝突させるため、凝固
アルゴン粒子は、少くとも「ｈ／ｔ」に等しい速度の標
準成分をもつ境界層に進入する必要がある。粒子の緩和
時間「ｔ」は次式、すなわち： ｔ＝２ａ２ρＰ ｃ／９μ …（１）で得られる。［式
中、「ａ」はアルゴン粒子の半径、「ρＰ」は粒子密
度、「μ」は気体の動力学粘度、そして「ｃ」はストー
クス・カニンガム（Stokes-Cunningham)スリップ補正率
で次式、すなわち： ｃ＝1 ＋ 1.246（λ／ａ）＋0.42（λ／ａ）ｅｘｐ［−
0.87（ａ／λ）］…（２）で得られ、「λ」は気体分子
の平均自由行路で気体圧力に逆比例する。
【００４１】上記の分析は、前記洗浄方法が大質量また
は高初期速度をもつアルゴン粒子に最も効果的であるこ
とを立証する。前記洗浄方法はさらに、増大する粒子ス
リップのため低圧において、またアルゴン粒子にかかる
低下減速抵抗力のため低気体粘度において強化される。
【００４２】アルゴン粒子は膨脹工程において生成す
る。膨脹によって起こる温度低下によって気体アルゴン
に核生成を起こさせ、少なくとも実質的に固体のアルゴ
ン粒子が凝縮される。固体アルゴン粒子は、混合物の圧
力がアルゴンの三重点よりも低い場合には、気相アルゴ
ンから直接生成し、三重点よりも高い場合には気相アル
ゴンが先ず液滴に凝縮してから固体粒子として凍結され
る。従ってアルゴンは三重点においては、圧力は９．９
９ｐｓｉｇであり、温度は−３０８．９°Ｆ（−１８９
°Ｃ）である。
【００４３】
【実施例】ここで本発明を図面を参照しながらさらに詳
細に説明する。図面において、空気の極低温蒸留で高純
度に精製された形で入手できるアルゴンを、たとえば高
純度用の典型的工業用ガスシリンダー１０に供給する。
他の例として、アルゴンガスを液体貯蔵タンクまたはガ
ス管路から供給する。前記アルゴンガスを弁１２を通し
て計測する。それを極低温空気分離からも供給され、高
純度使用用工業ガスシリンダーに貯蔵された窒素１８と
混合する。他の例として、窒素を液体貯蔵タンクまたは
ガス管路から供給する。この窒素流れは弁２０を通って
流れる。前記アルゴンと窒素をマニホールド１６におい
て、容量比でアルゴンの窒素に対する比を１０％から最
高１００％の範囲になるよう混合する。下流系での運転
停止もしくは修理期間中、ガスは弁２４を通してガス抜
きできるが、普通の作業においては、アルゴンと窒素の
気体混合物を、ミクロン以下の粒子連行と、高純度アル
ゴンと窒素の付加洗浄の提供に設計された濾過器２６に
通す。他のインライン洗浄装置、たとえば吸着剤床、触
媒清浄器またはゲッターも使用可能である。アルゴンと
窒素の気体混合物が好ましいが、加圧アルゴン含有流れ
を今度は間接熱交換器２８内でその加圧条件でそれの液
化点以上の温度に予熱し、それによって残留凝縮可能の
不純物を完全凝縮し、このような凝縮不純物を、前記ア
ルゴン含有流れが通過する熱交換器２８の通路３０の内
面または内壁への付着により分離させる。前記アルゴン
含有流れの冷却効果は、たとえば格納容器４８に供給さ
れ、そして弁５０を通して計測された極低温液体窒素に
より与えられるが、それは通路３０と間接熱交換関係を
有する交番通路３２を通って熱交換器２８に入る。再熱
入れされた窒素は熱交換器から除去されて管路５２に入
り、水槽５４でさらに熱入れされて、弁５６を通過して
大気にガス抜きする。別の例として、予冷は他の機構、
たとえば閉サイクル極低温冷却器または、洗浄使用後ガ
ス抜きされたアルゴン・窒素ガスを用いる復熱式熱交換
器により達成できるが、あるいは、前記アルゴンと窒素
またはそのいずれかが既に十分に冷却されている状態、
たとえば極低温液体源から供給されている場合には必要
でないかも知れない。前記予冷されたアルゴン含有流れ
を、約２０乃至６９０ｐｓｉｇ、好ましくは２０乃至１
００ｐｓｉｇの範囲の圧力（圧力計２２により調節され
る）と、アルゴンの液化点以上の温度（温度計１４によ
り調節される）から膨張させて、気体アルゴンまたは窒
素キャリヤーガスのいずれかとの混合で少くとも実質的
に固体のアルゴン粒子を形成させる。これは結果として
少くとも実質的に固体のアルゴン粒子含有エアロゾルと
なる。これらの少くとも実質的に固体のアルゴン粒子
は、前記ジュール・トムソン効果を利用する膨張が起因
となる冷却により形成される。この膨張は、様々に調節
できる径絞りオリフィスと、真空ポンプなどのような適
当な真空誘導機構に接続される管路４４および弁４６を
通って供給される真空条件下でも差支えない超清浄処理
室で洗浄すべき汚染面４０に前記少くとも実質的に固体
のアルゴン含有エアロゾル３８を指向させるスロートと
からなる膨張ノズル３６で行われる。前記ノズル３６
と、洗浄すべき表面４０に対するその結果として生ずる
流れ３８の目標は、前記エアロゾル流れの流量のベクト
ルにより測定される表面の面に鋭角であることが好まし
い。好ましくはこの角度が約４５度であることである。
表面４０には前記少くとも実質的に固体のアルゴンで冷
却される傾向があるが、それは必ずしも排気室３４で行
われる必要もない。しかし、表面を加熱器（図示せず）
で周囲条件に加熱してから前記表面４０を前記室３４か
ら除去することが適当である。
【００４４】本発明のアルゴン表面洗浄剤は、先行技術
二酸化炭素表面洗浄剤とは有意に異なる。前記アルゴン
表面洗浄剤は、二酸化炭素に比べて本質的にはるかに純
度の高い洗浄剤を用いる。アルゴンと窒素は不活性であ
るため、二酸化炭素に比べてマイクロチップ２次加工工
程に有害性が低い。アルゴン表面洗浄剤は、アルゴンと
窒素の２成分混合物を用いて、洗浄エアロゾルを発生さ
せることが好ましい。二酸化炭素洗浄剤は二酸化炭素だ
けを使用する。アルゴン表面洗浄剤は前記二酸化炭素に
比べ実質的に低い温度で作用する。アルゴン洗浄剤は、
予冷を使用してから膨張が行われるのに対し、二酸化炭
素洗浄剤は、二酸化炭素の予冷をしないで膨張させる。
前記予冷作業は、アルゴンと窒素中の残留極微量分子不
純物の除去を、熱交換器上での凝縮工程を通すことで助
ける。極微量不純物の除去は、凝縮不純物粒子による洗
浄表面の再汚染を防ぐ。
【００４５】
【発明の効果】前記アルゴン表面洗浄剤は、他のタイプ
の一般に使用されている表面洗浄剤にはない多数の利点
を提供する。アルゴン洗浄技術は、残留物を残さないこ
と、環境的に親和性があること、およびマイクロチップ
加工設備において一般に入手できる超清浄洗浄剤（アル
ゴンと窒素）を使用することを特徴とする。アルゴンと
窒素はまた、多数の他の洗浄剤に比べて原価が安くつ
く。アルゴン洗浄法は、ミクロン以下の粒子（１０，０
００オングストロームより小さい粒子）のほぼ完全な除
去と、しかも大径粒子も除去できることを示した。他の
洗浄技術は、ミクロン以下の粒子汚染の除去に非効果的
であるが、さもなければ完全でない。気体は極めて高い
清浄度に濾過できるが、一方、液体は相対的に高い量の
連行微粒汚染のあることが特有である。従って、アルゴ
ン洗浄法は、たとえば霧噴射または溶剤洗浄に比べ、か
なり清浄な薬剤を用いる。さらに、アルゴンと窒素と
は、作業中間断なくガス抜きされるので、たとえば、溶
剤または薬品洗浄に起こるような洗浄剤の漸進性汚染を
受けない。アルゴン洗浄法は、真空条件で作業できる。
これは、将来大規模に真空条件で行われるマイクロチッ
プ加工技術に前記方法を適応させることになる。アルゴ
ンは、同等の温度条件下の二酸化炭素に比べ、高い蒸気
圧がかかっている。従って、アルゴンは真空系から、よ
り容易にポンピングできる。これは、アルゴンが将来、
マイクロチップ加工作業に一層よく適合させるものであ
る。アルゴン洗浄法は、不活性超清浄雰囲気で実施でき
るので、洗浄完了後の分子不純物による表面の再汚染
を、さらに容易に防ぐことができる。アルゴンと窒素
は、再熱入れ後、即座に大気中にガス抜きできるので、
ガス抜きガスの浄化や調節の必要がない。アルゴンと窒
素は、窒息性であるが、無毒性かつ難燃性である。従っ
て、アルゴン洗浄法は、現在最もよく使用されている洗
浄法に比べ、本質的により安全である。アルゴン洗浄法
は、洗浄効力に融通性をもたせる。たとえば、エアロゾ
ル強さを弱めて、繊細な表面特性を損傷させることなく
洗浄が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の好ましい実施例の略図である。
【符号の説明】
１０ ガスシリンダー １２ 弁 １４ 温度計 １６ マニホールド １８ 窒素 ２０ 弁 ２２ 圧力計 ２４ 弁 ２６ 濾過器 ２８ 間接熱交換器 ３０ 通路 ３２ 交番通路 ３４ 超清浄処理室 ３６ 膨張ノズル ３８ 固体粒子エアロゾル ４０ 洗浄すべき汚染表面 ４４ 管路 ４６ 弁 ４８ 液体窒素（格納容器） ５２ 管路 ５４ 水槽 ５６ 弁
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 591147845 インターナショナル．ビジネス．マシーン ズ．コーポレイション ＩＮＴＥＲＮＡＴＩＯＮＡＬ ＢＵＳＩＮ ＥＳＳ ＭＡＣＨＩＮＥＳ ＣＯＲＰＯＲ ＡＴＩＯＮ アメリカ合衆国．10598．ニューヨーク州. ヨークタウン．ハイツ（番地なし) (72)発明者 ウエイン．トーマス．マクダーモット アメリカ合衆国．18103．ペンシルバニア 州．アレンタウン．クラブ．アベニュー. 1342 (72)発明者 リチャード．カール．オコビック アメリカ合衆国．18103．ペンシルバニア 州．アレンタウン．イースト．ジョナサ ン．ストリート．1919 (72)発明者 ジン．ジャン．ウー アメリカ合衆国．10562．ニューヨーク州. オッシング．クロトン．アベニュー．139. アパート．Ｆ (72)発明者 ダグラス．ウインスロー．クーパー アメリカ合衆国．10546．ニューヨーク州. ミルウッド．レッジウッド．コモンズ．26 (72)発明者 アレキサンダー．シュワルツ アメリカ合衆国．18103．ペンシルバニア 州．アレンタウン．レハイ．パークウエ イ．1600．イースト．アパートメント．６ イー (72)発明者 ヘンリー．ルイス．オフ アメリカ合衆国．12569．ニューヨーク州. プリーザント．バレー．バーチ．ドライ ブ．200 (56)参考文献 特開 平３−116831（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−277236（ＪＰ，Ａ)

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 少なくとも実質的に固体のアルゴン粒子
    を含むエアロゾルの衝突流を用いて、汚染粒子と薄膜の
    少なくとも一方が存在する表面から前記汚染粒子と前記
    薄膜の少なくとも一方を除去する方法であって、膨脹前
    の流体圧においてアルゴンの液化点以上の温度にある加
    圧ガス状アルゴン含有流れを膨張させ、膨脹の結果起こ
    る冷却によって該流れ中に少なくとも実質的に固体のア
    ルゴン粒子を生成させて少なくとも実質的に固体のアル
    ゴンを含有するエアロゾルを形成し、該エアロゾルを前
    記表面に向けて衝突させて前記汚染粒子と前記薄膜の少
    なくとも一方を除去することを特徴とする汚染粒子除去
    法。
  2. 【請求項２】 アルゴン含有流れには窒素キャリアーガ
    スが含まれており、該窒素キャリアーガスは膨脹後も気
    体状態のまま残留して、少なくとも実質的に固体のアル
    ゴン粒子を前記窒素キャリアーガス中に生成させるよう
    にしたことを特徴とする請求項１記載の汚染粒子除去
    法。
  3. 【請求項３】 窒素に対するアルゴンの比が、容量比で
    約１０％乃至１００％であり、残部が窒素であることを
    特徴とする請求項２記載の汚染粒子除去法。
  4. 【請求項４】 アルゴン含有流れの膨張を真空状態に維
    持された槽内で行うことを特徴とする請求項１記載の汚
    染粒子除去法。
  5. 【請求項５】 アルゴン含有流れを膨脹させる前に、該
    流れ中の凝縮可能な不純物を凝縮させて該不純物を該流
    れから除去するために、アルゴンの液化点以上の温度に
    予備冷却することを特徴とする請求項１記載の汚染粒子
    除去法。
  6. 【請求項６】 前記不純物は、水、二酸化炭素及び炭化
    水素を含むことを特徴とする請求項５記載の汚染粒子除
    去法。
  7. 【請求項７】 アルゴン含有流れの圧力は、約２０ｐｓ
    ｉｇ乃至６９０ｐｓｉｇの範囲であることを特徴とする
    請求項５記載の汚染粒子除去法。
  8. 【請求項８】 予備冷却の温度は約−１９０°Ｆ乃至−
    ３００°Ｆ（約−１２３℃乃至約−１８４℃）の範囲で
    あることを特徴とする請求項７記載の汚染粒子除去法。
  9. 【請求項９】 アルゴン含有流れの圧力は、約２０ｐｓ
    ｉｇ乃至１００ｐｓｉｇの範囲であることを特徴とする
    請求項５記載の汚染粒子除去法。
  10. 【請求項１０】 予備冷却の温度は約−２５０゜Ｆ乃至
    −３００°Ｆ（約−１５７℃乃至−１８４℃）の範囲で
    あることを特徴とする請求項９記載の汚染粒子除去法。
  11. 【請求項１１】 衝突するエアロゾルを表面となす角度
    が鋭角になるようにして該表面に指向させることを特徴
    とする請求項１記載の汚染粒子除去法。
  12. 【請求項１２】 前記鋭角が、約４５度であることを特
    徴とする請求項１１記載の汚染粒子除去法。
  13. 【請求項１３】 汚染粒子と薄膜の少なくとも一方を除
    去した後、表面をその時点での圧力の下でアルゴンの液
    化温度以上の温度に加温することを特徴とする請求項１
    記載の汚染粒子除去法。
  14. 【請求項１４】 汚染粒子と薄膜の少なくとも一方を除
    去した後、表面をその時点での圧力の下で水の液化温度
    以上の温度に加温することを特徴とする請求項１記載の
    汚染粒子除去法。
  15. 【請求項１５】 表面を気体供給装置構成部品、超小型
    電子加工装置及びシリコンウエハーからなる群より選ぶ
    ことを特徴とする請求項１記載の汚染粒子除去法。
  16. 【請求項１６】 表面から１０，０００オングストロー
    ム以下の粒子を除去することを特徴とする請求項１記載
    の汚染粒子除去法。
  17. 【請求項１７】 窒素キャリアーガス中にアルゴン粒子
    を含むエアロゾル衝突流を用いて、汚染粒子と薄膜の少
    なくとも一方が存在する表面から前記汚染粒子と前記薄
    膜の少なくとも一方を除去する方法であって、アルゴン
    と窒素のガス状混合物を凝縮可能な不純物が凝縮する温
    度に予冷し、凝縮した不純物を前記ガス状混合物から除
    去し、アルゴンの液化温度以上の温度で約２０乃至１０
    ０ｐｓｉｇの範囲の圧力にある前記ガス状混合物を真空
    状態にまで急速膨脹させ、該膨脹に伴う冷却によって前
    記ガス状混合物中にアルゴンの固体粒子を生成させてエ
    アゾル流れを形成させ、該エアゾル流れを前記表面に向
    けて衝突させて前記汚染粒子と前記薄膜の少なくとも一
    方を除去することを特徴とする汚染粒子除去法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016511135A (ja) * 2012-12-18 2016-04-14 ポステック アカデミー‐インダストリー ファウンデーション 超高速均一ナノ粒子生成ノズル、生成装置および生成方法

Families Citing this family (145)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5315793A (en) † 1991-10-01 1994-05-31 Hughes Aircraft Company System for precision cleaning by jet spray
US5571335A (en) * 1991-12-12 1996-11-05 Cold Jet, Inc. Method for removal of surface coatings
US5782253A (en) * 1991-12-24 1998-07-21 Mcdonnell Douglas Corporation System for removing a coating from a substrate
US5328517A (en) * 1991-12-24 1994-07-12 Mcdonnell Douglas Corporation Method and system for removing a coating from a substrate using radiant energy and a particle stream
US5613509A (en) * 1991-12-24 1997-03-25 Maxwell Laboratories, Inc. Method and apparatus for removing contaminants and coatings from a substrate using pulsed radiant energy and liquid carbon dioxide
US5209028A (en) * 1992-04-15 1993-05-11 Air Products And Chemicals, Inc. Apparatus to clean solid surfaces using a cryogenic aerosol
CA2093750C (en) * 1992-04-15 1999-03-09 Wayne Thomas Mcdermott Apparatus to clean solid surfaces using a cryogenic aerosol
US5316591A (en) * 1992-08-10 1994-05-31 Hughes Aircraft Company Cleaning by cavitation in liquefied gas
US5456759A (en) * 1992-08-10 1995-10-10 Hughes Aircraft Company Method using megasonic energy in liquefied gases
US5294261A (en) * 1992-11-02 1994-03-15 Air Products And Chemicals, Inc. Surface cleaning using an argon or nitrogen aerosol
US5512106A (en) * 1993-01-27 1996-04-30 Sumitomo Heavy Industries, Ltd. Surface cleaning with argon
JPH08511205A (ja) * 1993-04-02 1996-11-26 ジェオ リサーチ エス．アー．エール．エル． 低温流体の噴射による切断設備と方法
US5456758A (en) * 1993-04-26 1995-10-10 Sematech, Inc. Submicron particle removal using liquid nitrogen
US5525093A (en) * 1993-04-27 1996-06-11 Westinghouse Electric Corporation Cleaning method and apparatus
US5354384A (en) * 1993-04-30 1994-10-11 Hughes Aircraft Company Method for cleaning surface by heating and a stream of snow
US5486132A (en) * 1993-06-14 1996-01-23 International Business Machines Corporation Mounting apparatus for cryogenic aerosol cleaning
US5366156A (en) * 1993-06-14 1994-11-22 International Business Machines Corporation Nozzle apparatus for producing aerosol
US5372652A (en) * 1993-06-14 1994-12-13 International Business Machines Corporation Aerosol cleaning method
US5400603A (en) * 1993-06-14 1995-03-28 International Business Machines Corporation Heat exchanger
US5377911A (en) * 1993-06-14 1995-01-03 International Business Machines Corporation Apparatus for producing cryogenic aerosol
US5364474A (en) * 1993-07-23 1994-11-15 Williford Jr John F Method for removing particulate matter
US5514024A (en) * 1993-11-08 1996-05-07 Ford Motor Company Nozzle for enhanced mixing in CO2 cleaning system
US5378312A (en) * 1993-12-07 1995-01-03 International Business Machines Corporation Process for fabricating a semiconductor structure having sidewalls
US5733174A (en) * 1994-01-07 1998-03-31 Lockheed Idaho Technologies Company Method and apparatus for cutting, abrading, and drilling with sublimable particles and vaporous liquids
US5456629A (en) * 1994-01-07 1995-10-10 Lockheed Idaho Technologies Company Method and apparatus for cutting and abrading with sublimable particles
US5967156A (en) * 1994-11-07 1999-10-19 Krytek Corporation Processing a surface
US5931721A (en) * 1994-11-07 1999-08-03 Sumitomo Heavy Industries, Ltd. Aerosol surface processing
US5792275A (en) * 1995-06-06 1998-08-11 International Business Machines Corporation Film removal by chemical transformation and aerosol clean
DE19615333A1 (de) * 1995-07-24 1997-01-30 Hewlett Packard Co Gasanalysator mit einer Anordnung zur Sprühreinigung eines optischen Elements
US5616067A (en) * 1996-01-16 1997-04-01 Ford Motor Company CO2 nozzle and method for cleaning pressure-sensitive surfaces
US5925024A (en) * 1996-02-16 1999-07-20 Joffe; Michael A Suction device with jet boost
US5699679A (en) * 1996-07-31 1997-12-23 International Business Machines Corporation Cryogenic aerosol separator
US5810942A (en) * 1996-09-11 1998-09-22 Fsi International, Inc. Aerodynamic aerosol chamber
US6039059A (en) 1996-09-30 2000-03-21 Verteq, Inc. Wafer cleaning system
US5942037A (en) 1996-12-23 1999-08-24 Fsi International, Inc. Rotatable and translatable spray nozzle
US6036786A (en) * 1997-06-11 2000-03-14 Fsi International Inc. Eliminating stiction with the use of cryogenic aerosol
US5961732A (en) * 1997-06-11 1999-10-05 Fsi International, Inc Treating substrates by producing and controlling a cryogenic aerosol
JP3389075B2 (ja) 1997-10-01 2003-03-24 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
WO1999022403A1 (en) * 1997-10-24 1999-05-06 Memc Electronic Materials, Inc. Process and apparatus for preparation of epitaxial silicon layers free of grown-in defects
US6332470B1 (en) * 1997-12-30 2001-12-25 Boris Fishkin Aerosol substrate cleaner
US6391005B1 (en) 1998-03-30 2002-05-21 Agilent Technologies, Inc. Apparatus and method for penetration with shaft having a sensor for sensing penetration depth
US6343609B1 (en) 1998-08-13 2002-02-05 International Business Machines Corporation Cleaning with liquified gas and megasonics
US6572457B2 (en) 1998-09-09 2003-06-03 Applied Surface Technologies System and method for controlling humidity in a cryogenic aerosol spray cleaning system
US6740247B1 (en) 1999-02-05 2004-05-25 Massachusetts Institute Of Technology HF vapor phase wafer cleaning and oxide etching
US6726777B1 (en) * 1999-06-24 2004-04-27 Sumitomo Heavy Industries Ltd. Cleaning method and apparatus using fluid spraying
US6383329B1 (en) 1999-08-10 2002-05-07 Xerox Corporation Apparatus and method for removing a label from a surface with a chilled medium
KR100349948B1 (ko) 1999-11-17 2002-08-22 주식회사 다산 씨.앤드.아이 클러스터를 이용한 건식 세정 장치 및 방법
US6203623B1 (en) * 1999-12-28 2001-03-20 Ball Semiconductor, Inc. Aerosol assisted chemical cleaning method
US6416389B1 (en) 2000-07-28 2002-07-09 Xerox Corporation Process for roughening a surface
US6627002B1 (en) 2000-07-28 2003-09-30 Xerox Corporation Hollow cylindrical imaging member treatment process with solid carbon dioxide pellets
US6530823B1 (en) 2000-08-10 2003-03-11 Nanoclean Technologies Inc Methods for cleaning surfaces substantially free of contaminants
US6719613B2 (en) * 2000-08-10 2004-04-13 Nanoclean Technologies, Inc. Methods for cleaning surfaces substantially free of contaminants utilizing filtered carbon dioxide
US6543462B1 (en) 2000-08-10 2003-04-08 Nano Clean Technologies, Inc. Apparatus for cleaning surfaces substantially free of contaminants
US6726549B2 (en) * 2000-09-08 2004-04-27 Cold Jet, Inc. Particle blast apparatus
US6500758B1 (en) 2000-09-12 2002-12-31 Eco-Snow Systems, Inc. Method for selective metal film layer removal using carbon dioxide jet spray
KR100385432B1 (ko) * 2000-09-19 2003-05-27 주식회사 케이씨텍 표면 세정용 에어로졸 생성 시스템
US6705331B2 (en) * 2000-11-20 2004-03-16 Dainippon Screen Mfg., Co., Ltd. Substrate cleaning apparatus
US8641644B2 (en) 2000-11-21 2014-02-04 Sanofi-Aventis Deutschland Gmbh Blood testing apparatus having a rotatable cartridge with multiple lancing elements and testing means
KR100436361B1 (ko) * 2000-12-15 2004-06-18 (주)케이.씨.텍 기판 가장자리를 세정하기 위한 장치
US7451941B2 (en) * 2001-03-13 2008-11-18 Jackson David P Dense fluid spray cleaning process and apparatus
US6578369B2 (en) 2001-03-28 2003-06-17 Fsi International, Inc. Nozzle design for generating fluid streams useful in the manufacture of microelectronic devices
US6656017B2 (en) 2001-04-24 2003-12-02 David P. Jackson Method and apparatus for creating an open cell micro-environment for treating a substrate with an impingement spray
US7981056B2 (en) 2002-04-19 2011-07-19 Pelikan Technologies, Inc. Methods and apparatus for lancet actuation
JP4149911B2 (ja) 2001-06-12 2008-09-17 ペリカン テクノロジーズ インコーポレイテッド 電気式ランセットアクチュエータ
WO2002100254A2 (en) 2001-06-12 2002-12-19 Pelikan Technologies, Inc. Method and apparatus for lancet launching device integrated onto a blood-sampling cartridge
US9427532B2 (en) 2001-06-12 2016-08-30 Sanofi-Aventis Deutschland Gmbh Tissue penetration device
US9795747B2 (en) 2010-06-02 2017-10-24 Sanofi-Aventis Deutschland Gmbh Methods and apparatus for lancet actuation
US7041068B2 (en) 2001-06-12 2006-05-09 Pelikan Technologies, Inc. Sampling module device and method
US9226699B2 (en) 2002-04-19 2016-01-05 Sanofi-Aventis Deutschland Gmbh Body fluid sampling module with a continuous compression tissue interface surface
US8337419B2 (en) 2002-04-19 2012-12-25 Sanofi-Aventis Deutschland Gmbh Tissue penetration device
AU2002315177A1 (en) 2001-06-12 2002-12-23 Pelikan Technologies, Inc. Self optimizing lancing device with adaptation means to temporal variations in cutaneous properties
US7344507B2 (en) 2002-04-19 2008-03-18 Pelikan Technologies, Inc. Method and apparatus for lancet actuation
JP4210045B2 (ja) * 2001-06-25 2009-01-14 横河電機株式会社 洗浄装置
US8360992B2 (en) 2002-04-19 2013-01-29 Sanofi-Aventis Deutschland Gmbh Method and apparatus for penetrating tissue
US8784335B2 (en) 2002-04-19 2014-07-22 Sanofi-Aventis Deutschland Gmbh Body fluid sampling device with a capacitive sensor
US7491178B2 (en) 2002-04-19 2009-02-17 Pelikan Technologies, Inc. Method and apparatus for penetrating tissue
US7892183B2 (en) 2002-04-19 2011-02-22 Pelikan Technologies, Inc. Method and apparatus for body fluid sampling and analyte sensing
US7297122B2 (en) 2002-04-19 2007-11-20 Pelikan Technologies, Inc. Method and apparatus for penetrating tissue
US8372016B2 (en) 2002-04-19 2013-02-12 Sanofi-Aventis Deutschland Gmbh Method and apparatus for body fluid sampling and analyte sensing
US8267870B2 (en) 2002-04-19 2012-09-18 Sanofi-Aventis Deutschland Gmbh Method and apparatus for body fluid sampling with hybrid actuation
US9795334B2 (en) 2002-04-19 2017-10-24 Sanofi-Aventis Deutschland Gmbh Method and apparatus for penetrating tissue
US7547287B2 (en) 2002-04-19 2009-06-16 Pelikan Technologies, Inc. Method and apparatus for penetrating tissue
US8702624B2 (en) 2006-09-29 2014-04-22 Sanofi-Aventis Deutschland Gmbh Analyte measurement device with a single shot actuator
US8221334B2 (en) 2002-04-19 2012-07-17 Sanofi-Aventis Deutschland Gmbh Method and apparatus for penetrating tissue
US7229458B2 (en) 2002-04-19 2007-06-12 Pelikan Technologies, Inc. Method and apparatus for penetrating tissue
US8579831B2 (en) 2002-04-19 2013-11-12 Sanofi-Aventis Deutschland Gmbh Method and apparatus for penetrating tissue
US7232451B2 (en) 2002-04-19 2007-06-19 Pelikan Technologies, Inc. Method and apparatus for penetrating tissue
US7976476B2 (en) 2002-04-19 2011-07-12 Pelikan Technologies, Inc. Device and method for variable speed lancet
US9314194B2 (en) 2002-04-19 2016-04-19 Sanofi-Aventis Deutschland Gmbh Tissue penetration device
US7901362B2 (en) 2002-04-19 2011-03-08 Pelikan Technologies, Inc. Method and apparatus for penetrating tissue
US7713214B2 (en) 2002-04-19 2010-05-11 Pelikan Technologies, Inc. Method and apparatus for a multi-use body fluid sampling device with optical analyte sensing
US7909778B2 (en) 2002-04-19 2011-03-22 Pelikan Technologies, Inc. Method and apparatus for penetrating tissue
US7331931B2 (en) 2002-04-19 2008-02-19 Pelikan Technologies, Inc. Method and apparatus for penetrating tissue
US9248267B2 (en) 2002-04-19 2016-02-02 Sanofi-Aventis Deustchland Gmbh Tissue penetration device
US7674232B2 (en) 2002-04-19 2010-03-09 Pelikan Technologies, Inc. Method and apparatus for penetrating tissue
US7101260B2 (en) * 2002-07-29 2006-09-05 Nanoclean Technologies, Inc. Methods for resist stripping and other processes for cleaning surfaces substantially free of contaminants
US7066789B2 (en) * 2002-07-29 2006-06-27 Manoclean Technologies, Inc. Methods for resist stripping and other processes for cleaning surfaces substantially free of contaminants
US6764385B2 (en) * 2002-07-29 2004-07-20 Nanoclean Technologies, Inc. Methods for resist stripping and cleaning surfaces substantially free of contaminants
US7134941B2 (en) * 2002-07-29 2006-11-14 Nanoclean Technologies, Inc. Methods for residue removal and corrosion prevention in a post-metal etch process
US7297286B2 (en) * 2002-07-29 2007-11-20 Nanoclean Technologies, Inc. Methods for resist stripping and other processes for cleaning surfaces substantially free of contaminants
US8574895B2 (en) 2002-12-30 2013-11-05 Sanofi-Aventis Deutschland Gmbh Method and apparatus using optical techniques to measure analyte levels
US8192555B2 (en) 2002-12-31 2012-06-05 Micron Technology, Inc. Non-chemical, non-optical edge bead removal process
EP1628567B1 (en) 2003-05-30 2010-08-04 Pelikan Technologies Inc. Method and apparatus for fluid injection
US7850621B2 (en) 2003-06-06 2010-12-14 Pelikan Technologies, Inc. Method and apparatus for body fluid sampling and analyte sensing
WO2006001797A1 (en) 2004-06-14 2006-01-05 Pelikan Technologies, Inc. Low pain penetrating
EP1671096A4 (en) 2003-09-29 2009-09-16 Pelikan Technologies Inc METHOD AND APPARATUS FOR PROVIDING IMPROVED SAMPLE CAPTURING DEVICE
US9351680B2 (en) 2003-10-14 2016-05-31 Sanofi-Aventis Deutschland Gmbh Method and apparatus for a variable user interface
US7822454B1 (en) 2005-01-03 2010-10-26 Pelikan Technologies, Inc. Fluid sampling device with improved analyte detecting member configuration
WO2005065414A2 (en) 2003-12-31 2005-07-21 Pelikan Technologies, Inc. Method and apparatus for improving fluidic flow and sample capture
US20050268425A1 (en) * 2004-04-20 2005-12-08 Clemons William E Sr Surface cleaner
US8828203B2 (en) 2004-05-20 2014-09-09 Sanofi-Aventis Deutschland Gmbh Printable hydrogels for biosensors
US9775553B2 (en) 2004-06-03 2017-10-03 Sanofi-Aventis Deutschland Gmbh Method and apparatus for a fluid sampling device
US9820684B2 (en) 2004-06-03 2017-11-21 Sanofi-Aventis Deutschland Gmbh Method and apparatus for a fluid sampling device
US20060105683A1 (en) * 2004-11-12 2006-05-18 Weygand James F Nozzle design for generating fluid streams useful in the manufacture of microelectronic devices
US7134946B1 (en) 2004-12-13 2006-11-14 Cool Clean Technologies, Inc. Apparatus to treat and inspect a substrate
US8652831B2 (en) 2004-12-30 2014-02-18 Sanofi-Aventis Deutschland Gmbh Method and apparatus for analyte measurement test time
US7428843B2 (en) * 2005-02-03 2008-09-30 Jdl Instruments, Inc. Multi-function digital pressure measuring device
US7905109B2 (en) * 2005-09-14 2011-03-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Rapid cooling system for RTP chamber
US8480810B2 (en) * 2005-12-30 2013-07-09 Lam Research Corporation Method and apparatus for particle removal
US9386944B2 (en) 2008-04-11 2016-07-12 Sanofi-Aventis Deutschland Gmbh Method and apparatus for analyte detecting device
US9375169B2 (en) 2009-01-30 2016-06-28 Sanofi-Aventis Deutschland Gmbh Cam drive for managing disposable penetrating member actions with a single motor and motor and control system
JP2011157214A (ja) 2010-01-07 2011-08-18 Ricoh Co Ltd シート位置合わせ装置、シート収納装置、画像形成装置、及び画像読取装置
JP5672532B2 (ja) 2010-01-07 2015-02-18 株式会社リコー シート位置合わせ機構、シート位置合わせ装置、シート収納装置、画像形成装置、及び画像読取装置
JP5594594B2 (ja) 2010-01-18 2014-09-24 株式会社リコー シート位置合わせ装置、シート収納装置、画像形成装置、及び画像読取装置
US8965476B2 (en) 2010-04-16 2015-02-24 Sanofi-Aventis Deutschland Gmbh Tissue penetration device
US8883565B2 (en) 2011-10-04 2014-11-11 Infineon Technologies Ag Separation of semiconductor devices from a wafer carrier
US9099547B2 (en) 2011-10-04 2015-08-04 Infineon Technologies Ag Testing process for semiconductor devices
KR102139391B1 (ko) 2012-05-18 2020-07-30 레이브 엔.피., 인크. 오염 제거 장치 및 방법
US9321087B2 (en) 2013-09-10 2016-04-26 TFL FSI, Inc. Apparatus and method for scanning an object through a fluid spray
CN103639151B (zh) * 2013-11-28 2016-07-06 上海华力微电子有限公司 清洁光掩模板的装置和方法
US10014191B2 (en) 2014-10-06 2018-07-03 Tel Fsi, Inc. Systems and methods for treating substrates with cryogenic fluid mixtures
WO2016057524A1 (en) * 2014-10-06 2016-04-14 Tel Fsi, Inc. Systems and Methods for Treating Substrates with Cryogenic Fluid Mixtures
US10625280B2 (en) 2014-10-06 2020-04-21 Tel Fsi, Inc. Apparatus for spraying cryogenic fluids
US10081091B2 (en) * 2015-06-12 2018-09-25 Postech Academy-Industry Foundation Nozzle, device, and method for high-speed generation of uniform nanoparticles
CN105382699A (zh) * 2015-11-20 2016-03-09 金川集团股份有限公司 一种纯镍带材表面氧化皮去除方法
JP6596340B2 (ja) 2016-01-21 2019-10-23 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法および基板洗浄装置
TW201801163A (zh) * 2016-06-29 2018-01-01 東京威力科創Ｆｓｉ股份有限公司 以低溫流體混合物處理基板之系統及方法
US10748788B2 (en) 2017-03-17 2020-08-18 Tel Fsi, Inc. System and method for monitoring treatment of microelectronic substrates with fluid sprays such as cryogenic fluid sprays
CN111344853A (zh) * 2017-08-18 2020-06-26 东京毅力科创美国制造与工程公司 用于喷射低温流体的装置
CN110622284B (zh) * 2017-09-12 2023-07-28 应用材料公司 通过化学蚀刻去除选择性沉积缺陷
KR20200066325A (ko) * 2017-09-29 2020-06-09 티이엘 매뉴팩처링 앤드 엔지니어링 오브 아메리카, 인크. 극저온 유체 혼합물들로 기판들을 처리하기 위한 시스템들 및 방법들
US11033930B2 (en) 2018-01-08 2021-06-15 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for cryogenic gas stream assisted SAM-based selective deposition
US11241720B2 (en) 2018-03-22 2022-02-08 Tel Manufacturing And Engineering Of America, Inc. Pressure control strategies to provide uniform treatment streams in the manufacture of microelectronic devices
US11207715B2 (en) 2018-05-03 2021-12-28 Tel Manufacturing And Engineering Of America, Inc. System and method for monitoring treatment of microelectronic substrates with fluid sprays such as cryogenic fluid sprays
US11441974B2 (en) 2019-08-01 2022-09-13 Applied Materials, Inc. Detection of surface particles on chamber components with carbon dioxide

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6067077A (ja) * 1983-09-19 1985-04-17 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd 被研掃物の研掃方法及び装置
FR2596672B1 (fr) * 1986-04-02 1988-07-29 Carboxyque Francaise Procede et installation de carbosablage
US4806171A (en) * 1987-04-22 1989-02-21 The Boc Group, Inc. Apparatus and method for removing minute particles from a substrate
JPH0622224B2 (ja) * 1988-03-05 1994-03-23 大阪酸素工業株式会社 パーティクルが少ないか又は含まない液化二酸化炭素の供給
JPH09697A (ja) * 1995-06-19 1997-01-07 Ace Denken:Kk 遊技機

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016511135A (ja) * 2012-12-18 2016-04-14 ポステック アカデミー‐インダストリー ファウンデーション 超高速均一ナノ粒子生成ノズル、生成装置および生成方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR920000394A (ko) 1992-01-29
CA2043445A1 (en) 1991-12-06
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JPH04230030A (ja) 1992-08-19
IE911891A1 (en) 1991-12-18
US5062898A (en) 1991-11-05
DE69112913T2 (de) 1996-02-08
EP0461476B1 (en) 1995-09-13
EP0461476A3 (en) 1992-10-21
IE70238B1 (en) 1996-11-13
CA2043445C (en) 1997-01-21
DE69112913D1 (de) 1995-10-19
EP0461476A2 (en) 1991-12-18

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