JPH04230030A - 汚染粒子除去法 - Google Patents
汚染粒子除去法Info
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- JPH04230030A JPH04230030A JP3155683A JP15568391A JPH04230030A JP H04230030 A JPH04230030 A JP H04230030A JP 3155683 A JP3155683 A JP 3155683A JP 15568391 A JP15568391 A JP 15568391A JP H04230030 A JPH04230030 A JP H04230030A
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- B24C3/32—Abrasive blasting machines or devices; Plants designed for abrasive blasting of particular work, e.g. the internal surfaces of cylinder blocks
- B24C3/322—Abrasive blasting machines or devices; Plants designed for abrasive blasting of particular work, e.g. the internal surfaces of cylinder blocks for electrical components
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、少くとも実質的に固体
アルゴン粒子が含まれるエアロゾルの衝突流れを用い汚
染感応面からの微粒子洗浄の分野に関する。詳述すれば
、本発明は、窒素キャリヤーガス中の固体アルゴン粒子
のエアロゾルの流れを前記感応面に衝突させて、感応マ
イクロ電子表面から粒子および薄膜を洗浄して前記粒子
または（および）薄膜を転置し、かつガス抜きにより副
生成物を除去する方法に関する。
アルゴン粒子が含まれるエアロゾルの衝突流れを用い汚
染感応面からの微粒子洗浄の分野に関する。詳述すれば
、本発明は、窒素キャリヤーガス中の固体アルゴン粒子
のエアロゾルの流れを前記感応面に衝突させて、感応マ
イクロ電子表面から粒子および薄膜を洗浄して前記粒子
または（および）薄膜を転置し、かつガス抜きにより副
生成物を除去する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】少量の汚染でもマイクロチップの二次加
工には有害である。微粒子、薄膜または分子の形での汚
染は、短絡、開路、シリコン結晶積層欠陥、およびその
他の欠陥の原因となる。これらの欠陥は、完成超小型電
子回路破損の原因にもなり得る。このような欠陥は、マ
イクロ電子工業における有意の収量低下の原因となる。 ミクロの汚染によりもたらされた収量低下は、実質的に
加工費の増加をきたす。
工には有害である。微粒子、薄膜または分子の形での汚
染は、短絡、開路、シリコン結晶積層欠陥、およびその
他の欠陥の原因となる。これらの欠陥は、完成超小型電
子回路破損の原因にもなり得る。このような欠陥は、マ
イクロ電子工業における有意の収量低下の原因となる。 ミクロの汚染によりもたらされた収量低下は、実質的に
加工費の増加をきたす。
【０００３】超小型回路には多数の加工工程が必要であ
る。加工は極度に清浄な条件下で行われることである。 しかし、超小型回路において、決定的欠陥を発生させる
に要する汚染量は極めて少量である。たとえば、直径で
１００オングストロームという小径の個々の粒子が、最
新の超小型回路における欠陥の決め手にもなり得る。ミ
クロの汚染は、回路の完成に要する数多い工程中いつで
も発生する。従って、超小型回路に用いられるウエハー
の定期洗浄が経済的生産力の維持に必要とされる。さら
に、加工ガスの純度と清浄度のきびしい管理が必要であ
る。
る。加工は極度に清浄な条件下で行われることである。 しかし、超小型回路において、決定的欠陥を発生させる
に要する汚染量は極めて少量である。たとえば、直径で
１００オングストロームという小径の個々の粒子が、最
新の超小型回路における欠陥の決め手にもなり得る。ミ
クロの汚染は、回路の完成に要する数多い工程中いつで
も発生する。従って、超小型回路に用いられるウエハー
の定期洗浄が経済的生産力の維持に必要とされる。さら
に、加工ガスの純度と清浄度のきびしい管理が必要であ
る。
【０００４】将来の超小型回路には、さらに小さい形状
で、しかもはるかに複雑性が高く、さらに多くの工程が
必要となるであろう。それ故に、経済的生産高を維持す
るため、前記加工ガス装置と、加工環境における汚染管
理技術が有意に改善する必要があり、またウエハー洗浄
手順の改良開発の必要がある。
で、しかもはるかに複雑性が高く、さらに多くの工程が
必要となるであろう。それ故に、経済的生産高を維持す
るため、前記加工ガス装置と、加工環境における汚染管
理技術が有意に改善する必要があり、またウエハー洗浄
手順の改良開発の必要がある。
【０００５】電子工業用の表面洗浄には現在、数多くの
方法が用いられている。表面からの汚染薄膜の除去に、
溶剤もしくは薬品洗浄が用いられる。溶剤には、溶剤が
溶解できる材料により選択性があるので、汚染除去には
適当な溶剤の選択が必要である。薬品溶液は、「大音波
」もしくは「超音波」クリーナーとの組合わせが可能で
ある。これらの装置は、高エネルギー音波を有機薄膜、
イオン性不純物および、３，０００オングストロームと
いう小径粒子が除去できる表面に付与する。高純度かつ
高清浄性の溶剤での達成は、困難で高価、またはそのい
ずれかである。そのうえ、前記液剤は、使用すればする
程、汚染が進み、定期的処分が必要になる。液剤の定期
的交換を怠ると、汚染物の再堆積をもたらし、洗浄作業
の効率を低下させる。このような液剤の処分は、しばし
ば環境の損傷を招く。さらに、このような液剤は、操作
員への暴露を最小化するため操作中、特別な安全手順が
必要である。
方法が用いられている。表面からの汚染薄膜の除去に、
溶剤もしくは薬品洗浄が用いられる。溶剤には、溶剤が
溶解できる材料により選択性があるので、汚染除去には
適当な溶剤の選択が必要である。薬品溶液は、「大音波
」もしくは「超音波」クリーナーとの組合わせが可能で
ある。これらの装置は、高エネルギー音波を有機薄膜、
イオン性不純物および、３，０００オングストロームと
いう小径粒子が除去できる表面に付与する。高純度かつ
高清浄性の溶剤での達成は、困難で高価、またはそのい
ずれかである。そのうえ、前記液剤は、使用すればする
程、汚染が進み、定期的処分が必要になる。液剤の定期
的交換を怠ると、汚染物の再堆積をもたらし、洗浄作業
の効率を低下させる。このような液剤の処分は、しばし
ば環境の損傷を招く。さらに、このような液剤は、操作
員への暴露を最小化するため操作中、特別な安全手順が
必要である。
【０００６】ガス噴射洗浄ならびに液体噴霧洗浄は現在
シリコンウエハーからの相対的大径粒子洗浄に用いられ
ている。ガス噴射（たとえば、濾過窒素噴射）は、約５
０，０００オングストローム以下の小径粒子の除去には
効果的でない。さらに小径の粒子の除去は一層困難であ
る。これは、粒子を表面に保持しようとする接着力が粒
子の直径に比例する一方、気体による粒子を除去しよう
とする空力的牽引力がまともに直径に比例するからであ
る。従って、これらの力の比は、粒子の大きさが収縮す
るに従い接着を助けることになる。さらに、さらに小径
の粒子は、気体速度の低い表面境界層内にとどまること
ができるので、噴流の強力な牽引力に暴露されることが
ない。液噴射には、さらに強力な剪断力が具わり、粒子
を除去するが、高純度での達成は、高価でかつ困難であ
るか、またはいずれかであり、乾燥後に汚染残留物を残
すこともある。さらに、普通の液体噴霧溶剤（フレオン
ＴＦ）は、環境損傷をもたらすことになる。
シリコンウエハーからの相対的大径粒子洗浄に用いられ
ている。ガス噴射（たとえば、濾過窒素噴射）は、約５
０，０００オングストローム以下の小径粒子の除去には
効果的でない。さらに小径の粒子の除去は一層困難であ
る。これは、粒子を表面に保持しようとする接着力が粒
子の直径に比例する一方、気体による粒子を除去しよう
とする空力的牽引力がまともに直径に比例するからであ
る。従って、これらの力の比は、粒子の大きさが収縮す
るに従い接着を助けることになる。さらに、さらに小径
の粒子は、気体速度の低い表面境界層内にとどまること
ができるので、噴流の強力な牽引力に暴露されることが
ない。液噴射には、さらに強力な剪断力が具わり、粒子
を除去するが、高純度での達成は、高価でかつ困難であ
るか、またはいずれかであり、乾燥後に汚染残留物を残
すこともある。さらに、普通の液体噴霧溶剤（フレオン
ＴＦ）は、環境損傷をもたらすことになる。
【０００７】紫外線を照射しながらオゾンに暴露すると
、それは表面からの汚染炭化水素の分解に利用できる。 しかし、この技術は、汚染粒子の除去には示されなかっ
た。
、それは表面からの汚染炭化水素の分解に利用できる。 しかし、この技術は、汚染粒子の除去には示されなかっ
た。
【０００８】最近開発の洗浄技術は、二酸化炭素エアロ
ゾルを用いて、汚染表面の「サンド・ブラスト掛け」が
必要である。加圧気体二酸化炭素をノズルを用いて膨張
させる。膨張は前記二酸化炭素圧を大気圧に低下させる
。結果として起こるジュール・トムソン冷却は、固体二
酸化炭素粒子を形成し、それは、表面境界層を横切り、
汚染面に衝突する。いくつかの事例では、二酸化炭素が
軟質物質を形成し、それが表面上を流れて、残留物を残
すことなく粒子を転置させる。従って極めて清浄かつ純
粋の二酸化炭素がこの技術には必要である。供給ガス中
に含まれた極微量の分子汚染物（たとえば炭化水素）は
、膨張に際し、固体微粒子または液滴に凝縮して、表面
に新たな汚染物を沈着させる。二酸化炭素は、超高純度
、すなわち、不純物が１ｐｐｍ以下の極微量のものの供
給が困難かつ高価であるか、またはいずれかである。こ
の問題があるため、前記二酸化炭素洗浄技術は、超清浄
（たとえば、シリコン・ウエハー）での応用で有効であ
るとの説明は未だにない。
ゾルを用いて、汚染表面の「サンド・ブラスト掛け」が
必要である。加圧気体二酸化炭素をノズルを用いて膨張
させる。膨張は前記二酸化炭素圧を大気圧に低下させる
。結果として起こるジュール・トムソン冷却は、固体二
酸化炭素粒子を形成し、それは、表面境界層を横切り、
汚染面に衝突する。いくつかの事例では、二酸化炭素が
軟質物質を形成し、それが表面上を流れて、残留物を残
すことなく粒子を転置させる。従って極めて清浄かつ純
粋の二酸化炭素がこの技術には必要である。供給ガス中
に含まれた極微量の分子汚染物（たとえば炭化水素）は
、膨張に際し、固体微粒子または液滴に凝縮して、表面
に新たな汚染物を沈着させる。二酸化炭素は、超高純度
、すなわち、不純物が１ｐｐｍ以下の極微量のものの供
給が困難かつ高価であるか、またはいずれかである。こ
の問題があるため、前記二酸化炭素洗浄技術は、超清浄
（たとえば、シリコン・ウエハー）での応用で有効であ
るとの説明は未だにない。
【０００９】固体二酸化炭素を使用する表面からの微粒
子の除去技術は、米国特許第４，８０６，１７１号に示
されている。
子の除去技術は、米国特許第４，８０６，１７１号に示
されている。
【００１０】欧州特許出願公開第０３３２３５６号での
開示された二酸化炭素を使用する洗浄技術では、液体二
酸化炭素を先ず気化させ、結果としてできる気体を濾過
し、その気体を再液化して二酸化炭素の純度を高め、ド
ライアイス雪の形にして洗浄剤として用いている。
開示された二酸化炭素を使用する洗浄技術では、液体二
酸化炭素を先ず気化させ、結果としてできる気体を濾過
し、その気体を再液化して二酸化炭素の純度を高め、ド
ライアイス雪の形にして洗浄剤として用いている。
【００１１】欧州特許出願公開第２１４６９２６Ａ号は
、成形固体二酸化炭素、水氷のオーバー・レイヤーおよ
び圧縮空気の連行噴流とからなる二酸化炭素洗浄剤を記
述する。この技術は、前記洗浄剤で支持された材料で処
理される表面を再汚染することなく高純度洗浄を可能に
するに必要な洗浄剤にとって、考えられる汚染源を複雑
にする。
、成形固体二酸化炭素、水氷のオーバー・レイヤーおよ
び圧縮空気の連行噴流とからなる二酸化炭素洗浄剤を記
述する。この技術は、前記洗浄剤で支持された材料で処
理される表面を再汚染することなく高純度洗浄を可能に
するに必要な洗浄剤にとって、考えられる汚染源を複雑
にする。
【００１２】二酸化炭素での洗浄を意図する方式の装置
は、「スペクトラ・クリーンＴＭ（Ｓ−ｐｅｃｔｒａ
ＣｌｅａｎＴＭ）ＣＯ２」と題するエアコ、スペシャル
・ガスイス（Ａｉｒ−ｃｏ Ｓｐｅｃｉａｌ Ｇｕｓｅ
ｓ） からの小冊子に記述されている。この装置は、二
酸化炭素加圧ガスシリンダーに取り付けられたミクロン
以下の炉材と導管からなり、数工程で圧力降下を行って
、洗浄の目的のため二酸化炭素雪の管理された流れをつ
くる。
は、「スペクトラ・クリーンＴＭ（Ｓ−ｐｅｃｔｒａ
ＣｌｅａｎＴＭ）ＣＯ２」と題するエアコ、スペシャル
・ガスイス（Ａｉｒ−ｃｏ Ｓｐｅｃｉａｌ Ｇｕｓｅ
ｓ） からの小冊子に記述されている。この装置は、二
酸化炭素加圧ガスシリンダーに取り付けられたミクロン
以下の炉材と導管からなり、数工程で圧力降下を行って
、洗浄の目的のため二酸化炭素雪の管理された流れをつ
くる。
【００１３】１９８９年１１月刊「ケミカル・プロセシ
ング（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ） 」
第５４頁の論文に、ドライアイス「二酸化炭素」装置が
、コールドジェットＲ クリーニングシステム（ＣＯＬ
Ｄ ＪＥＴ Ｒ ＣＬＥＡＮＩＮＧ ＳＹＳＴＥＭ）
として一体化して液体炭素の追い出しに利用できるこ
とを示している。
ング（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ） 」
第５４頁の論文に、ドライアイス「二酸化炭素」装置が
、コールドジェットＲ クリーニングシステム（ＣＯＬ
Ｄ ＪＥＴ Ｒ ＣＬＥＡＮＩＮＧ ＳＹＳＴＥＭ）
として一体化して液体炭素の追い出しに利用できるこ
とを示している。
【００１４】１９８９年１１月刊「セミコンダクター・
インターナショナル（ＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＩｎ
ｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ）」の第１６頁の論文で、三菱
のＬＳＩ リサーチ・アンド・ディベロプメント・ラボ
ラトリ（Ｒｅｓｅａｒｃｈ ａｎｄ Ｄｅｖｅｌｏｐｍ
ｅｎｔ Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ） は、半導体ウエハー
の洗浄に水氷を用いる報告をしている。また、Ｔ．オー
モリ（Ｏｈｍｏｒｉ）、Ｔ．フクモト（Ｆｕｋｕｍｏｔ
ｏ）およびＴ．カトー（Ｋａｔｏ）による「ウルトラク
リーン・アイス・スクラバー・クリーニング・ウイズ・
ジェティング・ファイン・パーティクルズ（Ｕｌｔｒａ
ｃｌｅａｎ Ｉｃｅ Ｓｃｒｕｂｂｅｒ Ｃｌｅａｎｉ
ｎｇ ｗｉｔｈ Ｊｅｔｔｉｎｇ Ｆｉｎｅ Ｉｃｅ
Ｐａｒｔｉｃｌｅｓ ）」と題する要約書第３７７号を
参照されたい。
インターナショナル（ＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＩｎ
ｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ）」の第１６頁の論文で、三菱
のＬＳＩ リサーチ・アンド・ディベロプメント・ラボ
ラトリ（Ｒｅｓｅａｒｃｈ ａｎｄ Ｄｅｖｅｌｏｐｍ
ｅｎｔ Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ） は、半導体ウエハー
の洗浄に水氷を用いる報告をしている。また、Ｔ．オー
モリ（Ｏｈｍｏｒｉ）、Ｔ．フクモト（Ｆｕｋｕｍｏｔ
ｏ）およびＴ．カトー（Ｋａｔｏ）による「ウルトラク
リーン・アイス・スクラバー・クリーニング・ウイズ・
ジェティング・ファイン・パーティクルズ（Ｕｌｔｒａ
ｃｌｅａｎ Ｉｃｅ Ｓｃｒｕｂｂｅｒ Ｃｌｅａｎｉ
ｎｇ ｗｉｔｈ Ｊｅｔｔｉｎｇ Ｆｉｎｅ Ｉｃｅ
Ｐａｒｔｉｃｌｅｓ ）」と題する要約書第３７７号を
参照されたい。
【００１５】１９８６年８月刊「コンプレスド・エア・
マガジン（Ｃｏｍｐｒｅｓｓｅｄ Ａｉｒ Ｍａｇａｚ
ｉｎｅ） 」第２２乃至２４頁に出ているスチュアート
Ａ．ホーニッヒ（Ｈｏｅｎｉｇ）による論文で、適当な
表面洗浄の洗浄剤としての乾燥窒素ガスとの混合で二酸
化炭素雪を用いる装置を記述している。
マガジン（Ｃｏｍｐｒｅｓｓｅｄ Ａｉｒ Ｍａｇａｚ
ｉｎｅ） 」第２２乃至２４頁に出ているスチュアート
Ａ．ホーニッヒ（Ｈｏｅｎｉｇ）による論文で、適当な
表面洗浄の洗浄剤としての乾燥窒素ガスとの混合で二酸
化炭素雪を用いる装置を記述している。
【００１６】ドライアイス技術はまた、インスティチュ
ート・オブ・エンヴァイロンメンタル・サイエンシス（
Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｅｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔａ
ｌ Ｓｃｉｅｎｃｅｓ） による１９８８年度第９回Ｉ
ＣＣＣＳ議事録第６７１乃至６７８頁に出ている「コン
トロール・オブ・パーティキュレート・コンタミネーシ
ョン・バイ・サーモフォレシス・エレクトロスタティッ
クス・アンド・ドライアイス・テクニックス（Ｃｏｎｔ
ｒｏｌ ｏｆ Ｐａｒｔｉｃｕｌａｔｅ Ｃｏｎｔａｍ
ｉｎａｔｉｏｎ ｂｙ Ｔｈｅｒｍｏｐｈｏｒｅｓｉｓ
Ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃｓ ａｎｄ Ｄｒｙ Ｉ
ｃｅ Ｔｅｃｈｎｉｑｕｅｓ）」と題する論文で、スチ
ュアートＡ．ホーニッヒ（Ｈｏｅｎｉｇ）ほかにより開
示されている。この論文は、半導体および電子材料にお
ける汚染を減少させる種々の技術を記述している。ドラ
イアイス粒子の流れの使用の論評もしている。
ート・オブ・エンヴァイロンメンタル・サイエンシス（
Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｅｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔａ
ｌ Ｓｃｉｅｎｃｅｓ） による１９８８年度第９回Ｉ
ＣＣＣＳ議事録第６７１乃至６７８頁に出ている「コン
トロール・オブ・パーティキュレート・コンタミネーシ
ョン・バイ・サーモフォレシス・エレクトロスタティッ
クス・アンド・ドライアイス・テクニックス（Ｃｏｎｔ
ｒｏｌ ｏｆ Ｐａｒｔｉｃｕｌａｔｅ Ｃｏｎｔａｍ
ｉｎａｔｉｏｎ ｂｙ Ｔｈｅｒｍｏｐｈｏｒｅｓｉｓ
Ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃｓ ａｎｄ Ｄｒｙ Ｉ
ｃｅ Ｔｅｃｈｎｉｑｕｅｓ）」と題する論文で、スチ
ュアートＡ．ホーニッヒ（Ｈｏｅｎｉｇ）ほかにより開
示されている。この論文は、半導体および電子材料にお
ける汚染を減少させる種々の技術を記述している。ドラ
イアイス粒子の流れの使用の論評もしている。
【００１７】超小型電子二次加工品および材料に必要な
洗浄の完全性を備えさせようとする意図にもかかわらず
、液体溶剤、二酸化炭素もしくは水ベースの洗浄剤に基
く先行技術の装置には、これらの物質自体がマイクロチ
ップ二次加工工程において不純物となり得ると考えられ
る不利益があるという欠点がある。たとえば、電子製品
製造者に積出された大量の窒素の現在の純度規格では二
酸化炭素が約１０ｐｐｂ以上、水が約５０ｐｐｂ以上あ
ってはならない。二酸化炭素または水を洗浄剤として用
いる時、これらの物質は吸着汚染物として表面に残留す
る。焼なましや、ドーパント融解のようなウエハー処理
工程が数多くあるが、これらは高温で実施され、また反
応性汚染物の存在によって影響を受ける。たとえば、極
微量の二酸化炭素は、高温処理工程中の分解もあって、
シリコン・ウエハー表面に沈着した炭素を残す。この炭
素は、完成超小型電子回路の電気絶縁性に有意に影響を
与える。
洗浄の完全性を備えさせようとする意図にもかかわらず
、液体溶剤、二酸化炭素もしくは水ベースの洗浄剤に基
く先行技術の装置には、これらの物質自体がマイクロチ
ップ二次加工工程において不純物となり得ると考えられ
る不利益があるという欠点がある。たとえば、電子製品
製造者に積出された大量の窒素の現在の純度規格では二
酸化炭素が約１０ｐｐｂ以上、水が約５０ｐｐｂ以上あ
ってはならない。二酸化炭素または水を洗浄剤として用
いる時、これらの物質は吸着汚染物として表面に残留す
る。焼なましや、ドーパント融解のようなウエハー処理
工程が数多くあるが、これらは高温で実施され、また反
応性汚染物の存在によって影響を受ける。たとえば、極
微量の二酸化炭素は、高温処理工程中の分解もあって、
シリコン・ウエハー表面に沈着した炭素を残す。この炭
素は、完成超小型電子回路の電気絶縁性に有意に影響を
与える。
【００１８】
【発明が解決しようする課題】洗浄剤としての二酸化炭
素は、超小型電子回路組立工業の要求条件を超える汚染
の傾向がある。二酸化炭素は典型的な例として、天然ガ
スを酸化させることで生産される。かなりの量の不純物
が、前記天然ガス中の多数の未反応成分と、反応の副生
成物とを含むこの反応の生成物に残留する。二酸化炭素
は、分子篩上の不純物の吸着によりさらに精製が可能で
あるが、１ｐｐｍ以下の純度の達成は困難である。蒸留
による精製は、炭化水素のような典型的不純物には二酸
化炭素に近い分子量と沸点をもち、従って有効に分離で
きないので、実用的でない。二酸化炭素は、気体もしく
は液体として販売できるが、潤滑油ポンプを使用して圧
縮する必要がある。これは二酸化炭素の汚染度を増加さ
せる。最後に、液体二酸化炭素は、炭化水素滑剤には強
力な溶剤である。従って、これらの材料を付着させ、使
用場所への輸送中、さらに汚染度を増す傾向がある。
素は、超小型電子回路組立工業の要求条件を超える汚染
の傾向がある。二酸化炭素は典型的な例として、天然ガ
スを酸化させることで生産される。かなりの量の不純物
が、前記天然ガス中の多数の未反応成分と、反応の副生
成物とを含むこの反応の生成物に残留する。二酸化炭素
は、分子篩上の不純物の吸着によりさらに精製が可能で
あるが、１ｐｐｍ以下の純度の達成は困難である。蒸留
による精製は、炭化水素のような典型的不純物には二酸
化炭素に近い分子量と沸点をもち、従って有効に分離で
きないので、実用的でない。二酸化炭素は、気体もしく
は液体として販売できるが、潤滑油ポンプを使用して圧
縮する必要がある。これは二酸化炭素の汚染度を増加さ
せる。最後に、液体二酸化炭素は、炭化水素滑剤には強
力な溶剤である。従って、これらの材料を付着させ、使
用場所への輸送中、さらに汚染度を増す傾向がある。
【００１９】特に炭化水素に関して、本質的に高い二酸
化炭素の汚染度は、超小型電子装置の表面に洗浄すべき
凝縮した油状液滴が好ましくない状態で沈着する。前記
液滴は、二酸化炭素洗浄剤を超小型電子用途には不向き
なものとする。二酸化炭素供給ガスの純度をこのような
洗浄使用効果に合うよう改良の努力が行われた。
化炭素の汚染度は、超小型電子装置の表面に洗浄すべき
凝縮した油状液滴が好ましくない状態で沈着する。前記
液滴は、二酸化炭素洗浄剤を超小型電子用途には不向き
なものとする。二酸化炭素供給ガスの純度をこのような
洗浄使用効果に合うよう改良の努力が行われた。
【００２０】水氷ベースの洗浄剤が、微粒子水氷を用い
る洗浄工程中に、処理される支持体に損傷、詳しくは穴
をあけることがわかったことは周知である。
る洗浄工程中に、処理される支持体に損傷、詳しくは穴
をあけることがわかったことは周知である。
【００２１】本発明は、高純度、不活性微粒子エアロゾ
ルを供給して、支持体および他の表面を超小型電子工業
が必要とする清浄度に洗浄しながら、前記洗浄エアロゾ
ル自体の粒子による再汚染を防ぐことにより先行技術の
諸欠点を克服するものである。このような洗浄のこの利
点と同様、その他の利点ならびに特徴は次に掲げる本発
明の開示によりさらに詳細に説明される。
ルを供給して、支持体および他の表面を超小型電子工業
が必要とする清浄度に洗浄しながら、前記洗浄エアロゾ
ル自体の粒子による再汚染を防ぐことにより先行技術の
諸欠点を克服するものである。このような洗浄のこの利
点と同様、その他の利点ならびに特徴は次に掲げる本発
明の開示によりさらに詳細に説明される。
【００２２】
【課題を解決するための手段】本発明は、汚染粒子と薄
膜またはそのいずれかを、粒子と薄膜のある表面または
そのいずれかにより、少くとも実質的に固体アルゴン粒
子含有エアロゾルの衝突流を用いて除去する方法に関す
るもので、次の諸工程、すなわち：加工気体アルゴン含
有流れを膨張させる工程で、それは膨張以前の既存の流
れ圧力においてアルゴンの液化温度以上の温度であるこ
とと、アルゴンの少くとも実質的に固体粒子を、前記膨
張に起因する冷却により前記流れ中に形成して、少くと
も実質的に固体のアルゴン粒子を含むエアロゾルを形成
させること、および前記エアロゾルを表面に指向させて
前記汚染粒子と薄膜もしくはそのいずれかを除去する工
程からなることを特徴とする。
膜またはそのいずれかを、粒子と薄膜のある表面または
そのいずれかにより、少くとも実質的に固体アルゴン粒
子含有エアロゾルの衝突流を用いて除去する方法に関す
るもので、次の諸工程、すなわち：加工気体アルゴン含
有流れを膨張させる工程で、それは膨張以前の既存の流
れ圧力においてアルゴンの液化温度以上の温度であるこ
とと、アルゴンの少くとも実質的に固体粒子を、前記膨
張に起因する冷却により前記流れ中に形成して、少くと
も実質的に固体のアルゴン粒子を含むエアロゾルを形成
させること、および前記エアロゾルを表面に指向させて
前記汚染粒子と薄膜もしくはそのいずれかを除去する工
程からなることを特徴とする。
【００２３】好ましくは、本発明が、前記アルゴン含有
流れと共に窒素キャリヤーガスを包含し、前記窒素キャ
リヤーガスが前記膨張後でも気体状態のままで、それに
よって窒素キャリヤーガスに少くとも実質的に固体のア
ルゴン粒子のエアロゾルを形成することである。
流れと共に窒素キャリヤーガスを包含し、前記窒素キャ
リヤーガスが前記膨張後でも気体状態のままで、それに
よって窒素キャリヤーガスに少くとも実質的に固体のア
ルゴン粒子のエアロゾルを形成することである。
【００２４】好ましくは、前記アルゴン含有流れの膨張
が真空条件に維持された層に伝導されることである。
が真空条件に維持された層に伝導されることである。
【００２５】また好ましくは、前記アルゴン含有流れを
その液化点以上の温度に予冷して、流れ中の凝縮可能不
純物を完全に凝縮してから膨張させ、そして前記不純物
を前記流れから分離することである。詳しくは、前記不
純物には、水、二酸化炭素および炭化水素が含まれる。
その液化点以上の温度に予冷して、流れ中の凝縮可能不
純物を完全に凝縮してから膨張させ、そして前記不純物
を前記流れから分離することである。詳しくは、前記不
純物には、水、二酸化炭素および炭化水素が含まれる。
【００２６】前記加圧気体アルゴン含有流れが、約２１
０乃至６９０ｐｓｉｇ、さらに好ましくは約２０乃至１
００ｐｓｉｇ範囲の圧力であることが好ましい。
０乃至６９０ｐｓｉｇ、さらに好ましくは約２０乃至１
００ｐｓｉｇ範囲の圧力であることが好ましい。
【００２７】さらには、洗浄すべき表面の平面と、前記
表面に衝突するエアロゾルの方向とが鋭角をなすことが
好ましい。
表面に衝突するエアロゾルの方向とが鋭角をなすことが
好ましい。
【００２８】さらには、汚染粒子と薄膜またはそのいず
れかの除去後、前記表面を既存の圧力においてアルゴン
の液化温度以上に熱入れすることが好ましい。最適条件
としては、表面を既存の圧力において水の液化温度以上
に熱入れすることである。
れかの除去後、前記表面を既存の圧力においてアルゴン
の液化温度以上に熱入れすることが好ましい。最適条件
としては、表面を既存の圧力において水の液化温度以上
に熱入れすることである。
【００２９】さらには、前記表面には特に次掲のもの、
すなわち：ガス配管系構成部品たとえば管、弁および導
管、超小型電子処理装置たとえば炉およびプラズマ室と
同様、シリコン・ウエハーおよび超小型電子部品が含ま
れることが好ましい。
すなわち：ガス配管系構成部品たとえば管、弁および導
管、超小型電子処理装置たとえば炉およびプラズマ室と
同様、シリコン・ウエハーおよび超小型電子部品が含ま
れることが好ましい。
【００３０】好ましくは、アルゴンが窒素と混合してい
る場合、アルゴンの窒素に対する比が、アルゴンの約１
０％乃至１００％に対し、窒素が容量比にして残量であ
ることである。
る場合、アルゴンの窒素に対する比が、アルゴンの約１
０％乃至１００％に対し、窒素が容量比にして残量であ
ることである。
【００３１】さらには、予冷を約−１９０°Ｆ乃至−３
００°Ｆ（約−８７．８℃乃至−１４８．９℃）の範囲
の温度にして実施することが好ましい。
００°Ｆ（約−８７．８℃乃至−１４８．９℃）の範囲
の温度にして実施することが好ましい。
【００３２】好ましくは、少くとも実質的に固体のアル
ゴン粒子含有流れの洗浄すべき表面との衝突鋭角が約４
５度であることである。
ゴン粒子含有流れの洗浄すべき表面との衝突鋭角が約４
５度であることである。
【００３３】さらに、表面上の汚染粒子が１００，００
０オングストロームより小さいことが好ましい。
０オングストロームより小さいことが好ましい。
【００３４】
【作用】好ましい実施例において、本発明は、汚染粒子
と薄膜またはそのいずれかを、粒子および薄膜のある表
面またはそのいずれかより、窒素キャリヤーガス中の固
体アルゴン粒子の衝突エアロゾル流れを用いて除去する
方法で次掲、すなわち：アルゴンと窒素の気体混合物を
凝縮可能不純物を完全に凝縮するに十分な温度に予冷す
ることと、前記凝縮可能不純物を前記気体混合物から分
離することと、前記気体混合物を、約２０乃至１００ｐ
ｓｉｇの範囲の圧力とアルゴンの液化点以上の温度から
真空圧条件に急速に膨張させることと、前記気体混合物
中のアルゴンの固体粒子を、前記膨張から起る冷却によ
り形成して前記エアロゾル流れを発生させること、およ
び前記エアロゾル流れを表面に指向して前記汚染粒子と
薄膜またはそのいずれかを除去する工程からなることを
特徴とする。
と薄膜またはそのいずれかを、粒子および薄膜のある表
面またはそのいずれかより、窒素キャリヤーガス中の固
体アルゴン粒子の衝突エアロゾル流れを用いて除去する
方法で次掲、すなわち：アルゴンと窒素の気体混合物を
凝縮可能不純物を完全に凝縮するに十分な温度に予冷す
ることと、前記凝縮可能不純物を前記気体混合物から分
離することと、前記気体混合物を、約２０乃至１００ｐ
ｓｉｇの範囲の圧力とアルゴンの液化点以上の温度から
真空圧条件に急速に膨張させることと、前記気体混合物
中のアルゴンの固体粒子を、前記膨張から起る冷却によ
り形成して前記エアロゾル流れを発生させること、およ
び前記エアロゾル流れを表面に指向して前記汚染粒子と
薄膜またはそのいずれかを除去する工程からなることを
特徴とする。
【００３５】本発明は、少くとも実質的に固体のアルゴ
ン粒子含有エアロゾルを用いて汚染表面を「サンド・ブ
ラスト」することである。アルゴンは、シリコン・ウエ
ハーまた超小型回路には無害の不活性物質である。超高
純度のアルゴンは経済的に生産可能である。本発明での
アルゴンは単独でもあるいは、高純度窒素と混合しても
使用できる。前記窒素は気相のまま残り、キャリヤー媒
体として前記アルゴン粒子に高速性付与に役立つ。前記
アルゴンに窒素に添加することにより、さらに高い膨張
率が可能になり、前記ジュール・トムソン効果を高め、
冷却を増進させる。アルゴンの窒素に対する混合比は、
容量比で約１０％乃至１００％と変化可能である。
ン粒子含有エアロゾルを用いて汚染表面を「サンド・ブ
ラスト」することである。アルゴンは、シリコン・ウエ
ハーまた超小型回路には無害の不活性物質である。超高
純度のアルゴンは経済的に生産可能である。本発明での
アルゴンは単独でもあるいは、高純度窒素と混合しても
使用できる。前記窒素は気相のまま残り、キャリヤー媒
体として前記アルゴン粒子に高速性付与に役立つ。前記
アルゴンに窒素に添加することにより、さらに高い膨張
率が可能になり、前記ジュール・トムソン効果を高め、
冷却を増進させる。アルゴンの窒素に対する混合比は、
容量比で約１０％乃至１００％と変化可能である。
【００３６】予め精製したアルゴンまたアルゴン・窒素
混合物を濾過して残留汚染粒子をゼロにし、また好まし
くは、たとえば熱交換器で予冷することである。両成分
は前記予冷作業につづき気相のまま残留する。予冷はさ
らに、部分凝縮と、わずかの残留極微量不純物も前記熱
交換器壁への除去を可能にする。分子篩もしくは不純物
の接触除去装置、あるいは前記熱交換器の上流に配置し
た不純物ゲッターを用いて、予冷を極微量不純物の除去
を同時に組合せることができる。このような極微量分子
不純物を不活性ガスから除去する方法は業界では周知の
ことである。予冷混合物の圧力は、典型的例として、圧
力を２０ｐｓｉｇ乃至６９０ｐｓｉｇの範囲に、好まし
くは２０ｐｓｉｇ乃至１００ｐｓｉｇの範囲に維持する
ことである。予冷混合物の温度は、典型的例として、第
１圧力範囲に約−１９０°Ｆ乃至−３００°Ｆ（約−８
７．８℃乃至−１４８．９℃）の範囲、また第２圧力範
囲に約−２５０°Ｆ乃至−３００°Ｆ（約−１２１．１
°Ｆ乃至−１４８．９°Ｆ）の範囲であること。
混合物を濾過して残留汚染粒子をゼロにし、また好まし
くは、たとえば熱交換器で予冷することである。両成分
は前記予冷作業につづき気相のまま残留する。予冷はさ
らに、部分凝縮と、わずかの残留極微量不純物も前記熱
交換器壁への除去を可能にする。分子篩もしくは不純物
の接触除去装置、あるいは前記熱交換器の上流に配置し
た不純物ゲッターを用いて、予冷を極微量不純物の除去
を同時に組合せることができる。このような極微量分子
不純物を不活性ガスから除去する方法は業界では周知の
ことである。予冷混合物の圧力は、典型的例として、圧
力を２０ｐｓｉｇ乃至６９０ｐｓｉｇの範囲に、好まし
くは２０ｐｓｉｇ乃至１００ｐｓｉｇの範囲に維持する
ことである。予冷混合物の温度は、典型的例として、第
１圧力範囲に約−１９０°Ｆ乃至−３００°Ｆ（約−８
７．８℃乃至−１４８．９℃）の範囲、また第２圧力範
囲に約−２５０°Ｆ乃至−３００°Ｆ（約−１２１．１
°Ｆ乃至−１４８．９°Ｆ）の範囲であること。
【００３７】その後、前記予冷混合物をノズルもしくは
膨張弁で膨張させて低圧にする。膨張混合物の圧力は高
真空圧から大気圧以上に亘る。結果としてできるジュー
ル・トムソン冷却は、アルゴン粒子の凝縮および液化も
しくは凝固に役立つ。本発明の目的のために、固体粒子
だけでなく液体粒子を形成させるが、それでもなお洗浄
には意図した効果がある。固体粒子の形成が好ましいが
、しかし、少くとも、アルゴン粒子の実質的部分が固体
である場合、先行技術の洗浄方法を有意に改良する。 アルゴン粒子は、均質核形成の工程により凝縮できる。 結果としてできる極低温エアロゾルをそこで、洗浄すべ
き汚染面に対して傾斜角（典型的例として４５度）をも
って指向させる。噴射は、前記汚染面上１／１６インチ
（約０．１５９ｃｍ）乃至数インチの垂直距離において
である。気体混合物をノズルにより膨張させる。ノズル
の構造は決っていない。本発明は円形ノズルと、細長ノ
ズルとに効果的である。細長ノズルは、幅広表面たとえ
ばシリコン・ウヘハーに最適である。表面汚染物の完全
除去は、エアロゾルに暴露して数秒間で達成されるのが
典型的である。
膨張弁で膨張させて低圧にする。膨張混合物の圧力は高
真空圧から大気圧以上に亘る。結果としてできるジュー
ル・トムソン冷却は、アルゴン粒子の凝縮および液化も
しくは凝固に役立つ。本発明の目的のために、固体粒子
だけでなく液体粒子を形成させるが、それでもなお洗浄
には意図した効果がある。固体粒子の形成が好ましいが
、しかし、少くとも、アルゴン粒子の実質的部分が固体
である場合、先行技術の洗浄方法を有意に改良する。 アルゴン粒子は、均質核形成の工程により凝縮できる。 結果としてできる極低温エアロゾルをそこで、洗浄すべ
き汚染面に対して傾斜角（典型的例として４５度）をも
って指向させる。噴射は、前記汚染面上１／１６インチ
（約０．１５９ｃｍ）乃至数インチの垂直距離において
である。気体混合物をノズルにより膨張させる。ノズル
の構造は決っていない。本発明は円形ノズルと、細長ノ
ズルとに効果的である。細長ノズルは、幅広表面たとえ
ばシリコン・ウヘハーに最適である。表面汚染物の完全
除去は、エアロゾルに暴露して数秒間で達成されるのが
典型的である。
【００３８】シリコン・ウエハーの有効な洗浄は、アル
ゴン洗浄技術で与えられることがわかった。気体洗浄噴
射の実施例では、０．６２４マイクロメートル（６，２
４０オングストローム）の粒子が普通の窒素ガス噴射洗
浄技術を用いて除去されないことが立証された。しかし
、同一の粒子が、アルゴンエアロゾル洗浄技術を用いて
完全に除去される（ほぼ１００％の効率）・アルゴン洗
浄剤も、１，０００オングストロームサイズの粒子の裸
シリコン・ウエハーからの除去と、また付着グリースの
厚手膜のガラス面からの除去に有効である。本発明に言
う粒子という術語は、分子の大きさ量の粒子も含まれる
。
ゴン洗浄技術で与えられることがわかった。気体洗浄噴
射の実施例では、０．６２４マイクロメートル（６，２
４０オングストローム）の粒子が普通の窒素ガス噴射洗
浄技術を用いて除去されないことが立証された。しかし
、同一の粒子が、アルゴンエアロゾル洗浄技術を用いて
完全に除去される（ほぼ１００％の効率）・アルゴン洗
浄剤も、１，０００オングストロームサイズの粒子の裸
シリコン・ウエハーからの除去と、また付着グリースの
厚手膜のガラス面からの除去に有効である。本発明に言
う粒子という術語は、分子の大きさ量の粒子も含まれる
。
【００３９】汚染面の洗浄は、本発明においては、洗浄
すべき表面に対し高速でアルゴン粒子を衝突させる方法
により達成される。アルゴン粒子は、表面上にある汚染
粒子、薄膜および分子に衝突する。衝突は汚染に対し、
表面からその汚染を解放させるに十分なエネルギーを付
与する。解放された汚染はガス流に連行されてガス抜き
される。エアロゾルの気相は表面と衝突してそれを横切
って流れ、薄手の境界層を形成する。汚染物質の直径（
粒子、薄膜など）は、典型的例として非常に小さいので
、完全に低速境界層内に存在する。従って、前記気相だ
けが、不十分な剪断強さのため小径汚染の除去が不可能
である。しかし、アルゴン粒子には有意の慣性が具わっ
ているので、前記境界層を横切って表面に達する。
すべき表面に対し高速でアルゴン粒子を衝突させる方法
により達成される。アルゴン粒子は、表面上にある汚染
粒子、薄膜および分子に衝突する。衝突は汚染に対し、
表面からその汚染を解放させるに十分なエネルギーを付
与する。解放された汚染はガス流に連行されてガス抜き
される。エアロゾルの気相は表面と衝突してそれを横切
って流れ、薄手の境界層を形成する。汚染物質の直径（
粒子、薄膜など）は、典型的例として非常に小さいので
、完全に低速境界層内に存在する。従って、前記気相だ
けが、不十分な剪断強さのため小径汚染の除去が不可能
である。しかし、アルゴン粒子には有意の慣性が具わっ
ているので、前記境界層を横切って表面に達する。
【００４０】アルゴン粒子は、表面に向って境界層を通
過するに従って減速する傾向がある。洗浄が順序よく起
こるため、アルゴン粒子が境界層を横断して表面に衝突
する必要がある。単純なモデルでは、気体流れがごく僅
かの速度の標準成分をもつ厚さ「ｈ」の境界層を発生さ
せることを想定している。表面と衝突させるため、凝固
アルゴン粒子は、少くとも「ｈ／ｔ」に等しい速度の標
準成分をもつ境界層に進入する必要がある。粒子の緩和
時間「ｔ」は次式、すなわち： ｔ＝２ａ２ρＰ ｃ／９μ …（１）で得られる。 ［式中、「ａ」はアルゴン粒子の半径、「ρＰ」は粒子
密度、「μ」は気体の動力学粘度、そして「ｃ」はスト
ークス・カニンガム（Ｓｔｏｋｅｓ−Ｃｕｎｎｉｎｇｈ
ａｍ）スリップ補正率で次式、すなわち： ｃ＝１ ＋ １．２４６（λ／ａ）＋０．４２（λ／ａ
）ｅｘｐ［−０．８７（ａ／λ）］…（２）で得られ、
「λ」は気体分子の平均自由行路で気体圧力に逆比例す
る。
過するに従って減速する傾向がある。洗浄が順序よく起
こるため、アルゴン粒子が境界層を横断して表面に衝突
する必要がある。単純なモデルでは、気体流れがごく僅
かの速度の標準成分をもつ厚さ「ｈ」の境界層を発生さ
せることを想定している。表面と衝突させるため、凝固
アルゴン粒子は、少くとも「ｈ／ｔ」に等しい速度の標
準成分をもつ境界層に進入する必要がある。粒子の緩和
時間「ｔ」は次式、すなわち： ｔ＝２ａ２ρＰ ｃ／９μ …（１）で得られる。 ［式中、「ａ」はアルゴン粒子の半径、「ρＰ」は粒子
密度、「μ」は気体の動力学粘度、そして「ｃ」はスト
ークス・カニンガム（Ｓｔｏｋｅｓ−Ｃｕｎｎｉｎｇｈ
ａｍ）スリップ補正率で次式、すなわち： ｃ＝１ ＋ １．２４６（λ／ａ）＋０．４２（λ／ａ
）ｅｘｐ［−０．８７（ａ／λ）］…（２）で得られ、
「λ」は気体分子の平均自由行路で気体圧力に逆比例す
る。
【００４１】上記の分析は、前記洗浄方法が大質量また
は高初期速度をもつアルゴン粒子に最も効果的であるこ
とを立証する。前記洗浄方法はさらに、増大する粒子ス
リップのため低圧において、またアルゴン粒子にかかる
低下減速抵抗力のため低気体粘度において強化される。
は高初期速度をもつアルゴン粒子に最も効果的であるこ
とを立証する。前記洗浄方法はさらに、増大する粒子ス
リップのため低圧において、またアルゴン粒子にかかる
低下減速抵抗力のため低気体粘度において強化される。
【００４２】アルゴン粒子は膨張工程中で形成される。
膨張に関連して起こる温度低下は、気体アルゴンが核形
成させ、少くとも実質的に固体の粒子に凝縮させる。固
体アルゴン粒子は、混合物の圧力がアルゴン３重点より
も低い場合気相アルゴンから直接形成する。混合物の圧
力が前記３重点より高い場合、気相アルゴンは先ず液滴
に凝縮してから固体粒子に凍結する。アルゴンの３重点
は、圧力が９．９９ｐｓｉａ温度が−３０８．９°Ｆ（
約−１５３．８３℃）においてである。
成させ、少くとも実質的に固体の粒子に凝縮させる。固
体アルゴン粒子は、混合物の圧力がアルゴン３重点より
も低い場合気相アルゴンから直接形成する。混合物の圧
力が前記３重点より高い場合、気相アルゴンは先ず液滴
に凝縮してから固体粒子に凍結する。アルゴンの３重点
は、圧力が９．９９ｐｓｉａ温度が−３０８．９°Ｆ（
約−１５３．８３℃）においてである。
【００４３】
【実施例】ここで本発明を図面を参照しながらさらに詳
細に説明する。図面において、空気の極低温蒸留で高純
度に精製された形で入手できるアルゴンを、たとえば高
純度用の典型的工業用ガスシリンダー１０に供給する。 他の例として、アルゴンガスを液体貯蔵タンクまたはガ
ス管路から供給する。前記アルゴンガスを弁１２を通し
て計測する。それを極低温空気分離からも供給され、高
純度使用用工業ガスシリンダーに貯蔵された窒素１８と
混合する。他の例として、窒素を液体貯蔵タンクまたは
ガス管路から供給する。この窒素流れは弁２０を通って
流れる。前記アルゴンと窒素をマニホールド１６におい
て、容量比でアルゴンの窒素に対する比を１０％から最
高１００％の範囲になるよう混合する。下流系での運転
停止もしくは修理期間中、ガスは弁２４を通してガス抜
きできるが、普通の作業においては、アルゴンと窒素の
気体混合物を、ミクロン以下の粒子連行と、高純度アル
ゴンと窒素の付加洗浄の提供に設計された濾過器２６に
通す。他のインライン洗浄装置、たとえば吸着剤床、触
媒清浄器またはゲッターも使用可能である。アルゴンと
窒素の気体混合物が好ましいが、加圧アルゴン含有流れ
を今度は間接熱交換器２８内でその加圧条件でそれの液
化点以上の温度に予熱し、それによって残留凝縮可能の
不純物を完全凝縮し、このような凝縮不純物を、前記ア
ルゴン含有流れが通過する熱交換器２８の通路３０の内
面または内壁への付着により分離させる。前記アルゴン
含有流れの冷却効果は、たとえば格納容器４８に供給さ
れ、そして弁５０を通して計測された極低温液体窒素に
より与えられるが、それは通路３０と間接熱交換関係を
有する交番通路３２を通って熱交換器２８に入る。再熱
入れされた窒素は熱交換器から除去されて管路５２に入
り、水槽５４でさらに熱入れされて、弁５６を通過して
大気にガス抜きする。別の例として、予冷は他の機構、
たとえば閉サイクル極低温冷却器または、洗浄使用後ガ
ス抜きされたアルゴン・窒素ガスを用いる復熱式熱交換
器により達成できるが、あるいは、前記アルゴンと窒素
またはそのいずれかが既に十分に冷却されている状態、
たとえば極低温液体源から供給されている場合には必要
でないかも知れない。前記予冷されたアルゴン含有流れ
を、約２０乃至６９０ｐｓｉｇ、好ましくは２０乃至１
００ｐｓｉｇの範囲の圧力（圧力計２２により調節され
る）と、アルゴンの液化点以上の温度（温度計１４によ
り調節される）から膨張させて、気体アルゴンまたは窒
素キャリヤーガスのいずれかとの混合で少くとも実質的
に固体のアルゴン粒子を形成させる。これは結果として
少くとも実質的に固体のアルゴン粒子含有エアロゾルと
なる。これらの少くとも実質的に固体のアルゴン粒子は
、前記ジュール・トムソン効果を利用する膨張が起因と
なる冷却により形成される。この膨張は、様々に調節で
きる径絞りオリフィスと、真空ポンプなどのような適当
な真空誘導機構に接続される管路４４および弁４６を通
って供給される真空条件下でも差支えない超清浄処理室
で洗浄すべき汚染面４０に前記少くとも実質的に固体の
アルゴン含有エアロゾル３８を指向させるスロートとか
らなる膨張ノズル３６で行われる。前記ノズル３６と、
洗浄すべき表面４０に対するその結果として生ずる流れ
３８の目標は、前記エアロゾル流れの流量のベクトルに
より測定される表面の面に鋭角であることが好ましい。 好ましくはこの角度が約４５度であることである。 表面４０には前記少くとも実質的に固体のアルゴンで冷
却される傾向があるが、それは必ずしも排気室３４で行
われる必要もない。しかし、表面を加熱器（図示せず）
で周囲条件に加熱してから前記表面４０を前記室３４か
ら除去することが適当である。
細に説明する。図面において、空気の極低温蒸留で高純
度に精製された形で入手できるアルゴンを、たとえば高
純度用の典型的工業用ガスシリンダー１０に供給する。 他の例として、アルゴンガスを液体貯蔵タンクまたはガ
ス管路から供給する。前記アルゴンガスを弁１２を通し
て計測する。それを極低温空気分離からも供給され、高
純度使用用工業ガスシリンダーに貯蔵された窒素１８と
混合する。他の例として、窒素を液体貯蔵タンクまたは
ガス管路から供給する。この窒素流れは弁２０を通って
流れる。前記アルゴンと窒素をマニホールド１６におい
て、容量比でアルゴンの窒素に対する比を１０％から最
高１００％の範囲になるよう混合する。下流系での運転
停止もしくは修理期間中、ガスは弁２４を通してガス抜
きできるが、普通の作業においては、アルゴンと窒素の
気体混合物を、ミクロン以下の粒子連行と、高純度アル
ゴンと窒素の付加洗浄の提供に設計された濾過器２６に
通す。他のインライン洗浄装置、たとえば吸着剤床、触
媒清浄器またはゲッターも使用可能である。アルゴンと
窒素の気体混合物が好ましいが、加圧アルゴン含有流れ
を今度は間接熱交換器２８内でその加圧条件でそれの液
化点以上の温度に予熱し、それによって残留凝縮可能の
不純物を完全凝縮し、このような凝縮不純物を、前記ア
ルゴン含有流れが通過する熱交換器２８の通路３０の内
面または内壁への付着により分離させる。前記アルゴン
含有流れの冷却効果は、たとえば格納容器４８に供給さ
れ、そして弁５０を通して計測された極低温液体窒素に
より与えられるが、それは通路３０と間接熱交換関係を
有する交番通路３２を通って熱交換器２８に入る。再熱
入れされた窒素は熱交換器から除去されて管路５２に入
り、水槽５４でさらに熱入れされて、弁５６を通過して
大気にガス抜きする。別の例として、予冷は他の機構、
たとえば閉サイクル極低温冷却器または、洗浄使用後ガ
ス抜きされたアルゴン・窒素ガスを用いる復熱式熱交換
器により達成できるが、あるいは、前記アルゴンと窒素
またはそのいずれかが既に十分に冷却されている状態、
たとえば極低温液体源から供給されている場合には必要
でないかも知れない。前記予冷されたアルゴン含有流れ
を、約２０乃至６９０ｐｓｉｇ、好ましくは２０乃至１
００ｐｓｉｇの範囲の圧力（圧力計２２により調節され
る）と、アルゴンの液化点以上の温度（温度計１４によ
り調節される）から膨張させて、気体アルゴンまたは窒
素キャリヤーガスのいずれかとの混合で少くとも実質的
に固体のアルゴン粒子を形成させる。これは結果として
少くとも実質的に固体のアルゴン粒子含有エアロゾルと
なる。これらの少くとも実質的に固体のアルゴン粒子は
、前記ジュール・トムソン効果を利用する膨張が起因と
なる冷却により形成される。この膨張は、様々に調節で
きる径絞りオリフィスと、真空ポンプなどのような適当
な真空誘導機構に接続される管路４４および弁４６を通
って供給される真空条件下でも差支えない超清浄処理室
で洗浄すべき汚染面４０に前記少くとも実質的に固体の
アルゴン含有エアロゾル３８を指向させるスロートとか
らなる膨張ノズル３６で行われる。前記ノズル３６と、
洗浄すべき表面４０に対するその結果として生ずる流れ
３８の目標は、前記エアロゾル流れの流量のベクトルに
より測定される表面の面に鋭角であることが好ましい。 好ましくはこの角度が約４５度であることである。 表面４０には前記少くとも実質的に固体のアルゴンで冷
却される傾向があるが、それは必ずしも排気室３４で行
われる必要もない。しかし、表面を加熱器（図示せず）
で周囲条件に加熱してから前記表面４０を前記室３４か
ら除去することが適当である。
【００４４】本発明のアルゴン表面洗浄剤は、先行技術
二酸化炭素表面洗浄剤とは有意に異なる。前記アルゴン
表面洗浄剤は、二酸化炭素に比べて本質的にはるかに純
度の高い洗浄剤を用いる。アルゴンと窒素は不活性であ
るため、二酸化炭素に比べてマイクロチップ２次加工工
程に有害性が低い。アルゴン表面洗浄剤は、アルゴンと
窒素の２成分混合物を用いて、洗浄エアロゾルを発生さ
せることが好ましい。二酸化炭素洗浄剤は二酸化炭素だ
けを使用する。アルゴン表面洗浄剤は前記二酸化炭素に
比べ実質的に低い温度で作用する。アルゴン洗浄剤は、
予冷を使用してから膨張が行われるのに対し、二酸化炭
素洗浄剤は、二酸化炭素の予冷をしないで膨張させる。 前記予冷作業は、アルゴンと窒素中の残留極微量分子不
純物の除去を、熱交換器上での凝縮工程を通すことで助
ける。極微量不純物の除去は、凝縮不純物粒子による洗
浄表面の再汚染を防ぐ。
二酸化炭素表面洗浄剤とは有意に異なる。前記アルゴン
表面洗浄剤は、二酸化炭素に比べて本質的にはるかに純
度の高い洗浄剤を用いる。アルゴンと窒素は不活性であ
るため、二酸化炭素に比べてマイクロチップ２次加工工
程に有害性が低い。アルゴン表面洗浄剤は、アルゴンと
窒素の２成分混合物を用いて、洗浄エアロゾルを発生さ
せることが好ましい。二酸化炭素洗浄剤は二酸化炭素だ
けを使用する。アルゴン表面洗浄剤は前記二酸化炭素に
比べ実質的に低い温度で作用する。アルゴン洗浄剤は、
予冷を使用してから膨張が行われるのに対し、二酸化炭
素洗浄剤は、二酸化炭素の予冷をしないで膨張させる。 前記予冷作業は、アルゴンと窒素中の残留極微量分子不
純物の除去を、熱交換器上での凝縮工程を通すことで助
ける。極微量不純物の除去は、凝縮不純物粒子による洗
浄表面の再汚染を防ぐ。
【００４５】
【発明の効果】前記アルゴン表面洗浄剤は、他のタイプ
の一般に使用されている表面洗浄剤にはない多数の利点
を提供する。アルゴン洗浄技術は、残留物を残さないこ
と、環境的に親和性があること、およびマイクロチップ
加工設備において一般に入手できる超清浄洗浄剤（アル
ゴンと窒素）を使用することを特徴とする。アルゴンと
窒素はまた、多数の他の洗浄剤に比べて原価が安くつく
。アルゴン洗浄法は、ミクロン以下の粒子（１０，００
０オングストロームより小さい粒子）のほぼ完全な除去
と、しかも大径粒子も除去できることを示した。他の洗
浄技術は、ミクロン以下の粒子汚染の除去に非効果的で
あるが、さもなければ完全でない。気体は極めて高い清
浄度に濾過できるが、一方、液体は相対的に高い量の連
行微粒汚染のあることが特有である。従って、アルゴン
洗浄法は、たとえば霧噴射または溶剤洗浄に比べ、かな
り清浄な薬剤を用いる。さらに、アルゴンと窒素とは、
作業中間断なくガス抜きされるので、たとえば、溶剤ま
たは薬品洗浄に起こるような洗浄剤の漸進性汚染を受け
ない。アルゴン洗浄法は、真空条件で作業できる。 これは、将来大規模に真空条件で行われるマイクロチッ
プ加工技術に前記方法を適応させることになる。アルゴ
ンは、同等の温度条件下の二酸化炭素に比べ、高い蒸気
圧がかかっている。従って、アルゴンは真空系から、よ
り容易にポンピングできる。これは、アルゴンが将来、
マイクロチップ加工作業に一層よく適合させるものであ
る。アルゴン洗浄法は、不活性超清浄雰囲気で実施でき
るので、洗浄完了後の分子不純物による表面の再汚染を
、さらに容易に防ぐことができる。アルゴンと窒素は、
再熱入れ後、即座に大気中にガス抜きできるので、ガス
抜きガスの浄化や調節の必要がない。アルゴンと窒素は
、窒息性であるが、無毒性かつ難燃性である。従って、
アルゴン洗浄法は、現在最もよく使用されている洗浄法
に比べ、本質的により安全である。アルゴン洗浄法は、
洗浄効力に融通性をもたせる。たとえば、エアロゾル強
さを弱めて、繊細な表面特性を損傷させることなく洗浄
が可能になる。
の一般に使用されている表面洗浄剤にはない多数の利点
を提供する。アルゴン洗浄技術は、残留物を残さないこ
と、環境的に親和性があること、およびマイクロチップ
加工設備において一般に入手できる超清浄洗浄剤（アル
ゴンと窒素）を使用することを特徴とする。アルゴンと
窒素はまた、多数の他の洗浄剤に比べて原価が安くつく
。アルゴン洗浄法は、ミクロン以下の粒子（１０，００
０オングストロームより小さい粒子）のほぼ完全な除去
と、しかも大径粒子も除去できることを示した。他の洗
浄技術は、ミクロン以下の粒子汚染の除去に非効果的で
あるが、さもなければ完全でない。気体は極めて高い清
浄度に濾過できるが、一方、液体は相対的に高い量の連
行微粒汚染のあることが特有である。従って、アルゴン
洗浄法は、たとえば霧噴射または溶剤洗浄に比べ、かな
り清浄な薬剤を用いる。さらに、アルゴンと窒素とは、
作業中間断なくガス抜きされるので、たとえば、溶剤ま
たは薬品洗浄に起こるような洗浄剤の漸進性汚染を受け
ない。アルゴン洗浄法は、真空条件で作業できる。 これは、将来大規模に真空条件で行われるマイクロチッ
プ加工技術に前記方法を適応させることになる。アルゴ
ンは、同等の温度条件下の二酸化炭素に比べ、高い蒸気
圧がかかっている。従って、アルゴンは真空系から、よ
り容易にポンピングできる。これは、アルゴンが将来、
マイクロチップ加工作業に一層よく適合させるものであ
る。アルゴン洗浄法は、不活性超清浄雰囲気で実施でき
るので、洗浄完了後の分子不純物による表面の再汚染を
、さらに容易に防ぐことができる。アルゴンと窒素は、
再熱入れ後、即座に大気中にガス抜きできるので、ガス
抜きガスの浄化や調節の必要がない。アルゴンと窒素は
、窒息性であるが、無毒性かつ難燃性である。従って、
アルゴン洗浄法は、現在最もよく使用されている洗浄法
に比べ、本質的により安全である。アルゴン洗浄法は、
洗浄効力に融通性をもたせる。たとえば、エアロゾル強
さを弱めて、繊細な表面特性を損傷させることなく洗浄
が可能になる。
【図１】本発明の好ましい実施例の略図である。
１０ ガスシリンダー
１２ 弁
１４ 温度計
１６ マニホールド
１８ 窒素
２０ 弁
２２ 圧力計
２４ 弁
２６ 濾過器
２８ 間接熱交換器
３０ 通路
３２ 交番通路
３４ 超清浄処理室
３６ 膨張ノズル
３８ 固体粒子エアロゾル
４０ 洗浄すべき汚染表面
４４ 管路
４６ 弁
４８ 液体窒素（格納容器）
５２ 管路
５４ 水槽
５６ 弁
Claims (17)
- 【請求項１】 少くとも実質的に固体のアルゴン粒子
含有エアロゾルの衝突流を用いて、粒子と薄膜のある表
面の少くとも一方から汚染粒子と薄膜の少くとも一方を
除去する方法であって、膨張に先立つ既存の流れ圧力に
おいてアルゴンの液化点以上の温度にある加圧気体アル
ゴン含有流れを膨張させる工程と、前記流れにある少く
とも実質的に固体の粒子を前記膨張に起因する冷却によ
り形成させて、少くとも実質的に固体のアルゴン粒子含
有エアロゾルを形成させる工程と、前記エアロゾルを前
記表面に指向させて前記汚染粒子と薄膜の少くとも一方
を除去する工程と、からなる汚染粒子除去法。 - 【請求項２】 前記アルゴン含有流れには、前記膨張
後も気体状態のまま残留して、少くとも実質的に固体の
アルゴン粒子を窒素キャリヤーガス中に形成することを
特徴とする請求項１の汚染粒子除去法。 - 【請求項３】 前記アルゴンの窒素に対する比が、容
量比で約１０％乃至１００％がアルゴン、残留がたとえ
あるとして窒素であることを特徴とする請求項２の汚染
粒子除去法。 - 【請求項４】 前記アルゴン含有流れの前記膨張を真
空条件に維持された層に行われることを特徴とする請求
項１の汚染粒子除去法。 - 【請求項５】 前記アルゴン含有流れをアルゴンの液
化点以上の温度に予冷して、前記流れにある凝縮可能の
不純物を完全に凝縮してから前記膨張と前記不純物を前
記流れから分離することを特徴とする請求項１の汚染粒
子除去法。 - 【請求項６】 前記不純物には、水、二酸化炭素およ
び炭化水素が含まれることを特徴とする請求項５の汚染
粒子除去法。 - 【請求項７】 前記加圧気体アルゴン含有流れが約２
０ｐｓｉｇ乃至６９０ｐｓｉｇの範囲の圧力であること
を特徴とする請求項５の汚染粒子除去法。 - 【請求項８】 前記予冷を約−１９０°Ｆ乃至−３０
０°Ｆ（約−８７．８℃乃至約−１４８．９℃）の範囲
の温度に実施されることを特徴とする請求項７の汚染粒
子除去法。 - 【請求項９】 前記加圧気体アルゴン含有流れが約２
０ｐｓｉｇ乃至１００ｐｓｉｇの範囲の圧力であること
を特徴とする請求項５の汚染粒子除去法。 - 【請求項１０】 前記予冷を約−２５０°Ｆ乃至−３
００°Ｆ（約−１２１．１℃乃至−１４８．９℃）の範
囲の温度で実施することを特徴とする請求項９の汚染粒
子除去法。 - 【請求項１１】 前記衝突エアロゾルを、前記表面と
前記エアロゾルの方向が形成する鋭角で前記表面に指向
させることを特徴とする請求項１の汚染粒子除去法。 - 【請求項１２】 前記鋭角が、約４５度であることを
特徴とする請求項１１の汚染粒子除去法。 - 【請求項１３】 前記汚染粒子と薄膜またはそのいず
れかの除去後、前記表面を既存圧力におけるアルゴンの
液化温度以上に熱入れすることを特徴とする請求項１の
汚染粒子除去法。 - 【請求項１４】 前記汚染粒子と薄膜またはそのいず
れかの除去後、前記表面を既存の圧力における水の液化
温度以上に熱入れすることを特徴とする請求項１の汚染
粒子除去法。 - 【請求項１５】 前記表面を気体分配装置構成部品、
超小型電子処理装置およびシリコンウエハーからなる群
より選ぶことを特徴とする請求項１の汚染粒子除去法。 - 【請求項１６】 前記表面から、１０，０００オング
ストローム以下の粒子を除去することを特徴とする請求
項１の汚染粒子除去法。 - 【請求項１７】 窒素キャリヤーガス中の固体アルゴ
ン粒子の衝突エアロゾル流れを用いて粒子と薄膜のある
表面のいずれか一方から汚染粒子と薄膜のいずれか一方
を除去する方法であって、アルゴンと窒素の気体混合物
を凝縮可能の不純物を完全に凝縮するに十分な温度に予
冷する工程と、前記凝縮可能不純物を気体混合物から分
離する工程と、前記気体混合物を約２０乃至１００ｐｓ
ｉｇの範囲の圧力と、アルゴンの液化点以上の温度から
真空圧条件と急速膨張させる工程と、前記気体混合物中
のアルゴンの固体粒子を前記膨張が起因する冷却により
形成して前記エアロゾル流れを発生させる工程と、前記
エアロゾル流れを前記表面に指向して前記汚染粒子と薄
膜またはそのいずれかを除去する工程と、からなる汚染
粒子除去法。
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|---|---|---|---|
| US534810 | 1990-06-05 | ||
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04230030A true JPH04230030A (ja) | 1992-08-19 |
| JPH081900B2 JPH081900B2 (ja) | 1996-01-10 |
Family
ID=24131621
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3155683A Expired - Fee Related JPH081900B2 (ja) | 1990-06-05 | 1991-05-30 | 汚染粒子除去法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5062898A (ja) |
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| DE (1) | DE69112913T2 (ja) |
| IE (1) | IE70238B1 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06224172A (ja) * | 1992-11-02 | 1994-08-12 | Air Prod And Chem Inc | アルゴン又は窒素エーロゾルを用いる表面清浄方法 |
| US6869867B2 (en) | 1997-10-01 | 2005-03-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device comprising metal silicide films formed to cover gate electrode and source-drain diffusion layers and method of manufacturing the same wherein the silicide on gate is thicker than on source-drain |
| US8585043B2 (en) | 2010-01-07 | 2013-11-19 | Ricoh Company, Ltd. | Sheet adjusting device, sheet holding receptacle, image forming mechanism, and image reading mechanism |
| CN103639151A (zh) * | 2013-11-28 | 2014-03-19 | 上海华力微电子有限公司 | 清洁光掩模板的装置和方法 |
| US8684350B2 (en) | 2010-01-18 | 2014-04-01 | Ricoh Company, Ltd. | Sheet adjusting device, sheet holding receptacle incorporating same, and image forming apparatus incorporating same |
| US8695969B2 (en) | 2010-01-07 | 2014-04-15 | Ricoh Company, Ltd. | Sheet adjusting device, sheet holding receptacle incorporating same, and image forming apparatus incorporating same |
| JP2016076702A (ja) * | 2014-10-06 | 2016-05-12 | ティーイーエル エフエスアイ，インコーポレイティド | 極低温流体混合物で基板を処理するシステムおよび方法 |
| US10625280B2 (en) | 2014-10-06 | 2020-04-21 | Tel Fsi, Inc. | Apparatus for spraying cryogenic fluids |
| US10748789B2 (en) | 2014-10-06 | 2020-08-18 | Tel Fsi, Inc. | Systems and methods for treating substrates with cryogenic fluid mixtures |
Families Citing this family (137)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5315793A (en) * | 1991-10-01 | 1994-05-31 | Hughes Aircraft Company | System for precision cleaning by jet spray |
| US5571335A (en) * | 1991-12-12 | 1996-11-05 | Cold Jet, Inc. | Method for removal of surface coatings |
| US5613509A (en) * | 1991-12-24 | 1997-03-25 | Maxwell Laboratories, Inc. | Method and apparatus for removing contaminants and coatings from a substrate using pulsed radiant energy and liquid carbon dioxide |
| US5328517A (en) * | 1991-12-24 | 1994-07-12 | Mcdonnell Douglas Corporation | Method and system for removing a coating from a substrate using radiant energy and a particle stream |
| US5782253A (en) * | 1991-12-24 | 1998-07-21 | Mcdonnell Douglas Corporation | System for removing a coating from a substrate |
| EP0569708B1 (en) * | 1992-04-15 | 2003-10-15 | Air Products And Chemicals, Inc. | Apparatus to clean solid surfaces using a cryogenic aerosol |
| US5209028A (en) * | 1992-04-15 | 1993-05-11 | Air Products And Chemicals, Inc. | Apparatus to clean solid surfaces using a cryogenic aerosol |
| US5316591A (en) * | 1992-08-10 | 1994-05-31 | Hughes Aircraft Company | Cleaning by cavitation in liquefied gas |
| US5456759A (en) * | 1992-08-10 | 1995-10-10 | Hughes Aircraft Company | Method using megasonic energy in liquefied gases |
| US5512106A (en) * | 1993-01-27 | 1996-04-30 | Sumitomo Heavy Industries, Ltd. | Surface cleaning with argon |
| JPH08511205A (ja) * | 1993-04-02 | 1996-11-26 | ジェオ リサーチ エス．アー．エール．エル． | 低温流体の噴射による切断設備と方法 |
| US5456758A (en) * | 1993-04-26 | 1995-10-10 | Sematech, Inc. | Submicron particle removal using liquid nitrogen |
| US5525093A (en) * | 1993-04-27 | 1996-06-11 | Westinghouse Electric Corporation | Cleaning method and apparatus |
| US5354384A (en) * | 1993-04-30 | 1994-10-11 | Hughes Aircraft Company | Method for cleaning surface by heating and a stream of snow |
| US5400603A (en) * | 1993-06-14 | 1995-03-28 | International Business Machines Corporation | Heat exchanger |
| US5486132A (en) * | 1993-06-14 | 1996-01-23 | International Business Machines Corporation | Mounting apparatus for cryogenic aerosol cleaning |
| US5366156A (en) * | 1993-06-14 | 1994-11-22 | International Business Machines Corporation | Nozzle apparatus for producing aerosol |
| US5372652A (en) * | 1993-06-14 | 1994-12-13 | International Business Machines Corporation | Aerosol cleaning method |
| US5377911A (en) * | 1993-06-14 | 1995-01-03 | International Business Machines Corporation | Apparatus for producing cryogenic aerosol |
| US5364474A (en) * | 1993-07-23 | 1994-11-15 | Williford Jr John F | Method for removing particulate matter |
| US5514024A (en) * | 1993-11-08 | 1996-05-07 | Ford Motor Company | Nozzle for enhanced mixing in CO2 cleaning system |
| US5378312A (en) * | 1993-12-07 | 1995-01-03 | International Business Machines Corporation | Process for fabricating a semiconductor structure having sidewalls |
| US5456629A (en) * | 1994-01-07 | 1995-10-10 | Lockheed Idaho Technologies Company | Method and apparatus for cutting and abrading with sublimable particles |
| US5733174A (en) * | 1994-01-07 | 1998-03-31 | Lockheed Idaho Technologies Company | Method and apparatus for cutting, abrading, and drilling with sublimable particles and vaporous liquids |
| US5967156A (en) * | 1994-11-07 | 1999-10-19 | Krytek Corporation | Processing a surface |
| US5931721A (en) * | 1994-11-07 | 1999-08-03 | Sumitomo Heavy Industries, Ltd. | Aerosol surface processing |
| US5792275A (en) * | 1995-06-06 | 1998-08-11 | International Business Machines Corporation | Film removal by chemical transformation and aerosol clean |
| DE19615333A1 (de) * | 1995-07-24 | 1997-01-30 | Hewlett Packard Co | Gasanalysator mit einer Anordnung zur Sprühreinigung eines optischen Elements |
| US5616067A (en) * | 1996-01-16 | 1997-04-01 | Ford Motor Company | CO2 nozzle and method for cleaning pressure-sensitive surfaces |
| US5925024A (en) * | 1996-02-16 | 1999-07-20 | Joffe; Michael A | Suction device with jet boost |
| US5699679A (en) * | 1996-07-31 | 1997-12-23 | International Business Machines Corporation | Cryogenic aerosol separator |
| US5810942A (en) * | 1996-09-11 | 1998-09-22 | Fsi International, Inc. | Aerodynamic aerosol chamber |
| US6039059A (en) * | 1996-09-30 | 2000-03-21 | Verteq, Inc. | Wafer cleaning system |
| US5942037A (en) | 1996-12-23 | 1999-08-24 | Fsi International, Inc. | Rotatable and translatable spray nozzle |
| US5961732A (en) * | 1997-06-11 | 1999-10-05 | Fsi International, Inc | Treating substrates by producing and controlling a cryogenic aerosol |
| US6036786A (en) * | 1997-06-11 | 2000-03-14 | Fsi International Inc. | Eliminating stiction with the use of cryogenic aerosol |
| WO1999022403A1 (en) * | 1997-10-24 | 1999-05-06 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process and apparatus for preparation of epitaxial silicon layers free of grown-in defects |
| US6332470B1 (en) * | 1997-12-30 | 2001-12-25 | Boris Fishkin | Aerosol substrate cleaner |
| US6391005B1 (en) | 1998-03-30 | 2002-05-21 | Agilent Technologies, Inc. | Apparatus and method for penetration with shaft having a sensor for sensing penetration depth |
| US6343609B1 (en) | 1998-08-13 | 2002-02-05 | International Business Machines Corporation | Cleaning with liquified gas and megasonics |
| US6572457B2 (en) | 1998-09-09 | 2003-06-03 | Applied Surface Technologies | System and method for controlling humidity in a cryogenic aerosol spray cleaning system |
| US6740247B1 (en) | 1999-02-05 | 2004-05-25 | Massachusetts Institute Of Technology | HF vapor phase wafer cleaning and oxide etching |
| KR100469133B1 (ko) * | 1999-06-24 | 2005-01-29 | 스미도모쥬기가이고교 가부시키가이샤 | 유체스프레이에 의한 세정방법 및 장치 |
| US6383329B1 (en) | 1999-08-10 | 2002-05-07 | Xerox Corporation | Apparatus and method for removing a label from a surface with a chilled medium |
| KR100349948B1 (ko) | 1999-11-17 | 2002-08-22 | 주식회사 다산 씨.앤드.아이 | 클러스터를 이용한 건식 세정 장치 및 방법 |
| US6203623B1 (en) * | 1999-12-28 | 2001-03-20 | Ball Semiconductor, Inc. | Aerosol assisted chemical cleaning method |
| US6627002B1 (en) | 2000-07-28 | 2003-09-30 | Xerox Corporation | Hollow cylindrical imaging member treatment process with solid carbon dioxide pellets |
| US6416389B1 (en) | 2000-07-28 | 2002-07-09 | Xerox Corporation | Process for roughening a surface |
| US6543462B1 (en) | 2000-08-10 | 2003-04-08 | Nano Clean Technologies, Inc. | Apparatus for cleaning surfaces substantially free of contaminants |
| US6719613B2 (en) * | 2000-08-10 | 2004-04-13 | Nanoclean Technologies, Inc. | Methods for cleaning surfaces substantially free of contaminants utilizing filtered carbon dioxide |
| US6530823B1 (en) | 2000-08-10 | 2003-03-11 | Nanoclean Technologies Inc | Methods for cleaning surfaces substantially free of contaminants |
| US6726549B2 (en) * | 2000-09-08 | 2004-04-27 | Cold Jet, Inc. | Particle blast apparatus |
| US6500758B1 (en) | 2000-09-12 | 2002-12-31 | Eco-Snow Systems, Inc. | Method for selective metal film layer removal using carbon dioxide jet spray |
| KR100385432B1 (ko) * | 2000-09-19 | 2003-05-27 | 주식회사 케이씨텍 | 표면 세정용 에어로졸 생성 시스템 |
| US6705331B2 (en) * | 2000-11-20 | 2004-03-16 | Dainippon Screen Mfg., Co., Ltd. | Substrate cleaning apparatus |
| US8641644B2 (en) | 2000-11-21 | 2014-02-04 | Sanofi-Aventis Deutschland Gmbh | Blood testing apparatus having a rotatable cartridge with multiple lancing elements and testing means |
| KR100436361B1 (ko) * | 2000-12-15 | 2004-06-18 | (주)케이.씨.텍 | 기판 가장자리를 세정하기 위한 장치 |
| US7451941B2 (en) * | 2001-03-13 | 2008-11-18 | Jackson David P | Dense fluid spray cleaning process and apparatus |
| US6578369B2 (en) | 2001-03-28 | 2003-06-17 | Fsi International, Inc. | Nozzle design for generating fluid streams useful in the manufacture of microelectronic devices |
| US6656017B2 (en) | 2001-04-24 | 2003-12-02 | David P. Jackson | Method and apparatus for creating an open cell micro-environment for treating a substrate with an impingement spray |
| AU2002348683A1 (en) | 2001-06-12 | 2002-12-23 | Pelikan Technologies, Inc. | Method and apparatus for lancet launching device integrated onto a blood-sampling cartridge |
| US9226699B2 (en) | 2002-04-19 | 2016-01-05 | Sanofi-Aventis Deutschland Gmbh | Body fluid sampling module with a continuous compression tissue interface surface |
| US7981056B2 (en) | 2002-04-19 | 2011-07-19 | Pelikan Technologies, Inc. | Methods and apparatus for lancet actuation |
| US8337419B2 (en) | 2002-04-19 | 2012-12-25 | Sanofi-Aventis Deutschland Gmbh | Tissue penetration device |
| DE60234598D1 (de) | 2001-06-12 | 2010-01-14 | Pelikan Technologies Inc | Selbstoptimierende lanzettenvorrichtung mit adaptationsmittel für zeitliche schwankungen von hauteigenschaften |
| US9427532B2 (en) | 2001-06-12 | 2016-08-30 | Sanofi-Aventis Deutschland Gmbh | Tissue penetration device |
| AU2002315180A1 (en) | 2001-06-12 | 2002-12-23 | Pelikan Technologies, Inc. | Electric lancet actuator |
| US7025774B2 (en) | 2001-06-12 | 2006-04-11 | Pelikan Technologies, Inc. | Tissue penetration device |
| US9795747B2 (en) | 2010-06-02 | 2017-10-24 | Sanofi-Aventis Deutschland Gmbh | Methods and apparatus for lancet actuation |
| JP4210045B2 (ja) * | 2001-06-25 | 2009-01-14 | 横河電機株式会社 | 洗浄装置 |
| US8372016B2 (en) | 2002-04-19 | 2013-02-12 | Sanofi-Aventis Deutschland Gmbh | Method and apparatus for body fluid sampling and analyte sensing |
| US8267870B2 (en) | 2002-04-19 | 2012-09-18 | Sanofi-Aventis Deutschland Gmbh | Method and apparatus for body fluid sampling with hybrid actuation |
| US7229458B2 (en) | 2002-04-19 | 2007-06-12 | Pelikan Technologies, Inc. | Method and apparatus for penetrating tissue |
| US7892183B2 (en) | 2002-04-19 | 2011-02-22 | Pelikan Technologies, Inc. | Method and apparatus for body fluid sampling and analyte sensing |
| US8579831B2 (en) | 2002-04-19 | 2013-11-12 | Sanofi-Aventis Deutschland Gmbh | Method and apparatus for penetrating tissue |
| US8784335B2 (en) | 2002-04-19 | 2014-07-22 | Sanofi-Aventis Deutschland Gmbh | Body fluid sampling device with a capacitive sensor |
| US7674232B2 (en) | 2002-04-19 | 2010-03-09 | Pelikan Technologies, Inc. | Method and apparatus for penetrating tissue |
| US9248267B2 (en) | 2002-04-19 | 2016-02-02 | Sanofi-Aventis Deustchland Gmbh | Tissue penetration device |
| US7297122B2 (en) | 2002-04-19 | 2007-11-20 | Pelikan Technologies, Inc. | Method and apparatus for penetrating tissue |
| US7175642B2 (en) | 2002-04-19 | 2007-02-13 | Pelikan Technologies, Inc. | Methods and apparatus for lancet actuation |
| US9314194B2 (en) | 2002-04-19 | 2016-04-19 | Sanofi-Aventis Deutschland Gmbh | Tissue penetration device |
| US8360992B2 (en) | 2002-04-19 | 2013-01-29 | Sanofi-Aventis Deutschland Gmbh | Method and apparatus for penetrating tissue |
| US7226461B2 (en) | 2002-04-19 | 2007-06-05 | Pelikan Technologies, Inc. | Method and apparatus for a multi-use body fluid sampling device with sterility barrier release |
| US7232451B2 (en) | 2002-04-19 | 2007-06-19 | Pelikan Technologies, Inc. | Method and apparatus for penetrating tissue |
| US7976476B2 (en) | 2002-04-19 | 2011-07-12 | Pelikan Technologies, Inc. | Device and method for variable speed lancet |
| US7909778B2 (en) | 2002-04-19 | 2011-03-22 | Pelikan Technologies, Inc. | Method and apparatus for penetrating tissue |
| US7547287B2 (en) | 2002-04-19 | 2009-06-16 | Pelikan Technologies, Inc. | Method and apparatus for penetrating tissue |
| US7331931B2 (en) | 2002-04-19 | 2008-02-19 | Pelikan Technologies, Inc. | Method and apparatus for penetrating tissue |
| US8221334B2 (en) | 2002-04-19 | 2012-07-17 | Sanofi-Aventis Deutschland Gmbh | Method and apparatus for penetrating tissue |
| US8702624B2 (en) | 2006-09-29 | 2014-04-22 | Sanofi-Aventis Deutschland Gmbh | Analyte measurement device with a single shot actuator |
| US7901362B2 (en) | 2002-04-19 | 2011-03-08 | Pelikan Technologies, Inc. | Method and apparatus for penetrating tissue |
| US9795334B2 (en) | 2002-04-19 | 2017-10-24 | Sanofi-Aventis Deutschland Gmbh | Method and apparatus for penetrating tissue |
| US7491178B2 (en) | 2002-04-19 | 2009-02-17 | Pelikan Technologies, Inc. | Method and apparatus for penetrating tissue |
| US7297286B2 (en) * | 2002-07-29 | 2007-11-20 | Nanoclean Technologies, Inc. | Methods for resist stripping and other processes for cleaning surfaces substantially free of contaminants |
| US7134941B2 (en) * | 2002-07-29 | 2006-11-14 | Nanoclean Technologies, Inc. | Methods for residue removal and corrosion prevention in a post-metal etch process |
| US7066789B2 (en) * | 2002-07-29 | 2006-06-27 | Manoclean Technologies, Inc. | Methods for resist stripping and other processes for cleaning surfaces substantially free of contaminants |
| US6764385B2 (en) | 2002-07-29 | 2004-07-20 | Nanoclean Technologies, Inc. | Methods for resist stripping and cleaning surfaces substantially free of contaminants |
| US7101260B2 (en) * | 2002-07-29 | 2006-09-05 | Nanoclean Technologies, Inc. | Methods for resist stripping and other processes for cleaning surfaces substantially free of contaminants |
| US8574895B2 (en) | 2002-12-30 | 2013-11-05 | Sanofi-Aventis Deutschland Gmbh | Method and apparatus using optical techniques to measure analyte levels |
| US8192555B2 (en) | 2002-12-31 | 2012-06-05 | Micron Technology, Inc. | Non-chemical, non-optical edge bead removal process |
| EP2238892A3 (en) | 2003-05-30 | 2011-02-09 | Pelikan Technologies Inc. | Apparatus for body fluid sampling |
| WO2004107964A2 (en) | 2003-06-06 | 2004-12-16 | Pelikan Technologies, Inc. | Blood harvesting device with electronic control |
| WO2006001797A1 (en) | 2004-06-14 | 2006-01-05 | Pelikan Technologies, Inc. | Low pain penetrating |
| US8282576B2 (en) | 2003-09-29 | 2012-10-09 | Sanofi-Aventis Deutschland Gmbh | Method and apparatus for an improved sample capture device |
| EP1680014A4 (en) | 2003-10-14 | 2009-01-21 | Pelikan Technologies Inc | METHOD AND APPARATUS PROVIDING A VARIABLE USER INTERFACE |
| US7822454B1 (en) | 2005-01-03 | 2010-10-26 | Pelikan Technologies, Inc. | Fluid sampling device with improved analyte detecting member configuration |
| WO2005065414A2 (en) | 2003-12-31 | 2005-07-21 | Pelikan Technologies, Inc. | Method and apparatus for improving fluidic flow and sample capture |
| US20050268425A1 (en) * | 2004-04-20 | 2005-12-08 | Clemons William E Sr | Surface cleaner |
| WO2006011062A2 (en) | 2004-05-20 | 2006-02-02 | Albatros Technologies Gmbh & Co. Kg | Printable hydrogel for biosensors |
| EP1765194A4 (en) | 2004-06-03 | 2010-09-29 | Pelikan Technologies Inc | METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING A DEVICE FOR SAMPLING LIQUIDS |
| US9775553B2 (en) | 2004-06-03 | 2017-10-03 | Sanofi-Aventis Deutschland Gmbh | Method and apparatus for a fluid sampling device |
| US20060105683A1 (en) * | 2004-11-12 | 2006-05-18 | Weygand James F | Nozzle design for generating fluid streams useful in the manufacture of microelectronic devices |
| US7134946B1 (en) | 2004-12-13 | 2006-11-14 | Cool Clean Technologies, Inc. | Apparatus to treat and inspect a substrate |
| US8652831B2 (en) | 2004-12-30 | 2014-02-18 | Sanofi-Aventis Deutschland Gmbh | Method and apparatus for analyte measurement test time |
| US7428843B2 (en) * | 2005-02-03 | 2008-09-30 | Jdl Instruments, Inc. | Multi-function digital pressure measuring device |
| US7905109B2 (en) * | 2005-09-14 | 2011-03-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Rapid cooling system for RTP chamber |
| US8480810B2 (en) * | 2005-12-30 | 2013-07-09 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for particle removal |
| WO2009126900A1 (en) | 2008-04-11 | 2009-10-15 | Pelikan Technologies, Inc. | Method and apparatus for analyte detecting device |
| US9375169B2 (en) | 2009-01-30 | 2016-06-28 | Sanofi-Aventis Deutschland Gmbh | Cam drive for managing disposable penetrating member actions with a single motor and motor and control system |
| US8965476B2 (en) | 2010-04-16 | 2015-02-24 | Sanofi-Aventis Deutschland Gmbh | Tissue penetration device |
| US8883565B2 (en) | 2011-10-04 | 2014-11-11 | Infineon Technologies Ag | Separation of semiconductor devices from a wafer carrier |
| US9099547B2 (en) | 2011-10-04 | 2015-08-04 | Infineon Technologies Ag | Testing process for semiconductor devices |
| KR102139391B1 (ko) | 2012-05-18 | 2020-07-30 | 레이브 엔.피., 인크. | 오염 제거 장치 및 방법 |
| KR101305256B1 (ko) * | 2012-12-18 | 2013-09-06 | 포항공과대학교 산학협력단 | 초고속 균일 나노 입자 생성 노즐, 생성 장치 및 생성 방법 |
| US9321087B2 (en) | 2013-09-10 | 2016-04-26 | TFL FSI, Inc. | Apparatus and method for scanning an object through a fluid spray |
| US10081091B2 (en) * | 2015-06-12 | 2018-09-25 | Postech Academy-Industry Foundation | Nozzle, device, and method for high-speed generation of uniform nanoparticles |
| CN105382699A (zh) * | 2015-11-20 | 2016-03-09 | 金川集团股份有限公司 | 一种纯镍带材表面氧化皮去除方法 |
| JP6596340B2 (ja) | 2016-01-21 | 2019-10-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄方法および基板洗浄装置 |
| WO2018004678A1 (en) * | 2016-06-29 | 2018-01-04 | Tel Fsi, Inc. | Systems and methods for treating substrates with cryogenic fluid mixtures |
| WO2018170264A1 (en) * | 2017-03-17 | 2018-09-20 | Tel Fsi, Inc. | System and method for monitoring treatment of microelectronic substrates with fluid sprays such as cryogenic fluid sprays |
| CN111344853A (zh) * | 2017-08-18 | 2020-06-26 | 东京毅力科创美国制造与工程公司 | 用于喷射低温流体的装置 |
| WO2019055508A1 (en) * | 2017-09-12 | 2019-03-21 | Applied Materials, Inc. | SELECTIVE REMOVAL OF CHEMICAL ENGRAVING DEPOSITION DEFECTS |
| KR20200066325A (ko) * | 2017-09-29 | 2020-06-09 | 티이엘 매뉴팩처링 앤드 엔지니어링 오브 아메리카, 인크. | 극저온 유체 혼합물들로 기판들을 처리하기 위한 시스템들 및 방법들 |
| US11033930B2 (en) | 2018-01-08 | 2021-06-15 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for cryogenic gas stream assisted SAM-based selective deposition |
| US11241720B2 (en) | 2018-03-22 | 2022-02-08 | Tel Manufacturing And Engineering Of America, Inc. | Pressure control strategies to provide uniform treatment streams in the manufacture of microelectronic devices |
| US11207715B2 (en) | 2018-05-03 | 2021-12-28 | Tel Manufacturing And Engineering Of America, Inc. | System and method for monitoring treatment of microelectronic substrates with fluid sprays such as cryogenic fluid sprays |
| US11441974B2 (en) | 2019-08-01 | 2022-09-13 | Applied Materials, Inc. | Detection of surface particles on chamber components with carbon dioxide |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6067077A (ja) * | 1983-09-19 | 1985-04-17 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | 被研掃物の研掃方法及び装置 |
| FR2596672B1 (fr) * | 1986-04-02 | 1988-07-29 | Carboxyque Francaise | Procede et installation de carbosablage |
| US4806171A (en) * | 1987-04-22 | 1989-02-21 | The Boc Group, Inc. | Apparatus and method for removing minute particles from a substrate |
| JPH0622224B2 (ja) * | 1988-03-05 | 1994-03-23 | 大阪酸素工業株式会社 | パーティクルが少ないか又は含まない液化二酸化炭素の供給 |
| JPH09697A (ja) * | 1995-06-19 | 1997-01-07 | Ace Denken:Kk | 遊技機 |
-
1990
- 1990-06-05 US US07/534,810 patent/US5062898A/en not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-05-29 DE DE69112913T patent/DE69112913T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-05-29 EP EP91108809A patent/EP0461476B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-05-29 CA CA002043445A patent/CA2043445C/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-05-30 JP JP3155683A patent/JPH081900B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1991-06-03 KR KR1019910009142A patent/KR940001024B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1991-06-04 IE IE189191A patent/IE70238B1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06224172A (ja) * | 1992-11-02 | 1994-08-12 | Air Prod And Chem Inc | アルゴン又は窒素エーロゾルを用いる表面清浄方法 |
| US6869867B2 (en) | 1997-10-01 | 2005-03-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device comprising metal silicide films formed to cover gate electrode and source-drain diffusion layers and method of manufacturing the same wherein the silicide on gate is thicker than on source-drain |
| US7638432B2 (en) | 1997-10-01 | 2009-12-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device comprising metal silicide films formed to cover gate electrode and source-drain diffusion layers and method of manufacturing the same |
| US8695969B2 (en) | 2010-01-07 | 2014-04-15 | Ricoh Company, Ltd. | Sheet adjusting device, sheet holding receptacle incorporating same, and image forming apparatus incorporating same |
| US8585043B2 (en) | 2010-01-07 | 2013-11-19 | Ricoh Company, Ltd. | Sheet adjusting device, sheet holding receptacle, image forming mechanism, and image reading mechanism |
| US8684350B2 (en) | 2010-01-18 | 2014-04-01 | Ricoh Company, Ltd. | Sheet adjusting device, sheet holding receptacle incorporating same, and image forming apparatus incorporating same |
| CN103639151A (zh) * | 2013-11-28 | 2014-03-19 | 上海华力微电子有限公司 | 清洁光掩模板的装置和方法 |
| JP2016076702A (ja) * | 2014-10-06 | 2016-05-12 | ティーイーエル エフエスアイ，インコーポレイティド | 極低温流体混合物で基板を処理するシステムおよび方法 |
| JP2016076703A (ja) * | 2014-10-06 | 2016-05-12 | ティーイーエル エフエスアイ，インコーポレイティド | 極低温流体混合物で基板を処理するシステムおよび方法 |
| US10625280B2 (en) | 2014-10-06 | 2020-04-21 | Tel Fsi, Inc. | Apparatus for spraying cryogenic fluids |
| US10748789B2 (en) | 2014-10-06 | 2020-08-18 | Tel Fsi, Inc. | Systems and methods for treating substrates with cryogenic fluid mixtures |
| US10991610B2 (en) | 2014-10-06 | 2021-04-27 | Tel Manufacturing And Engineering Of America, Inc. | Systems and methods for treating substrates with cryogenic fluid mixtures |
| US11355376B2 (en) | 2014-10-06 | 2022-06-07 | Tel Manufacturing And Engineering Of America, Inc. | Systems and methods for treating substrates with cryogenic fluid mixtures |
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