JPH08185713A - 異方導電フィルム - Google Patents
異方導電フィルムInfo
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- JPH08185713A JPH08185713A JP32818494A JP32818494A JPH08185713A JP H08185713 A JPH08185713 A JP H08185713A JP 32818494 A JP32818494 A JP 32818494A JP 32818494 A JP32818494 A JP 32818494A JP H08185713 A JPH08185713 A JP H08185713A
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
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- Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Moulding By Coating Moulds (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 重合度が１５００〜２５００、アセチル化度
が３ｍｏｌ％以下、ブチラール化度が６５ｍｏｌ％以
上、フロー軟化点が２００℃以上の特性を有するポリビ
ニルブチラール樹脂（Ａ）、エポキシ樹脂（Ｂ）、マイ
クロカプセル化イミダゾール誘導体エポキシ化合物
（Ｃ）、溶剤（Ｄ）及び高分子球状核材の表面にニッケ
ル膜を有し、該ニッケル膜の更に外層に金膜を有し、該
ニッケル膜中の燐含有量が２〜２０重量％である導電粒
子（Ｆ）を必須成分し、かつ重量配合割合が（Ａ）／
（（Ｂ）＋（Ｃ））＝（１０〜５０）／１００であるペ
ースト状混合物を離形フィルム上に流延し溶剤を揮散さ
せ製膜されてなる異方導電フィルム。 【効果】 ０．０５ピッチ前後以下の微細なマイクロ接
合に使用可能であり、かつ作業性、長期信頼性優れた異
方導電フィルムが得られる。
が３ｍｏｌ％以下、ブチラール化度が６５ｍｏｌ％以
上、フロー軟化点が２００℃以上の特性を有するポリビ
ニルブチラール樹脂（Ａ）、エポキシ樹脂（Ｂ）、マイ
クロカプセル化イミダゾール誘導体エポキシ化合物
（Ｃ）、溶剤（Ｄ）及び高分子球状核材の表面にニッケ
ル膜を有し、該ニッケル膜の更に外層に金膜を有し、該
ニッケル膜中の燐含有量が２〜２０重量％である導電粒
子（Ｆ）を必須成分し、かつ重量配合割合が（Ａ）／
（（Ｂ）＋（Ｃ））＝（１０〜５０）／１００であるペ
ースト状混合物を離形フィルム上に流延し溶剤を揮散さ
せ製膜されてなる異方導電フィルム。 【効果】 ０．０５ピッチ前後以下の微細なマイクロ接
合に使用可能であり、かつ作業性、長期信頼性優れた異
方導電フィルムが得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、微細な回路同志の電気
的接続、更に詳しくはＬＣＤ（液晶デイスプレイ）とフ
レキシブル回路基板やＴＡＢフィルムとの接続や、半導
体ＩＣとＩＣ搭載回路基板のマイクロ接合に用いる異方
導電フィルムに関するものである。
的接続、更に詳しくはＬＣＤ（液晶デイスプレイ）とフ
レキシブル回路基板やＴＡＢフィルムとの接続や、半導
体ＩＣとＩＣ搭載回路基板のマイクロ接合に用いる異方
導電フィルムに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】最近の電子機器の小型化、薄型化に伴
い、微細な回路同志の接続、微小部品と微細回路の接続
等の必要性が飛躍的に増大してきており、その接続方法
として、異方性の導電性接着剤やフィルムが使用され始
めている（例えば、特開昭５９−１２０４３６、６０−
１９１２２８、６１−２７４３９４、６１−２８７９７
４、６２−２４４２４２、６３−１５３５３４、６３−
３０５５９１、６４−８１８７８、特開平１−４６５４
９、１−２５１７８各号公報等）。更なる部品の微細化
が進み、それに伴う異方性導電フィルムによる回路同志
の接続作業において位置ずれ等の理由によって一度接続
した被接続部材を破損または損傷せずに剥離し再圧着す
ること（所謂“リペア”）が可能であることへの要求
や、異方導電フィルムの熱硬化反応時の硬化収縮や種々
の雰囲気中での樹脂自体の歪み応力に基づき、被着体が
損傷（例えばＬＣＤに用いられるガラス基板のクラック
や基板の反り）するという問題が生じてきている。これ
らの問題を解決するために、速硬化、長ライフ、耐湿
性、更には低歪みの高信頼性熱硬化タイプの異方導電フ
ィルムが強く要求されている。
い、微細な回路同志の接続、微小部品と微細回路の接続
等の必要性が飛躍的に増大してきており、その接続方法
として、異方性の導電性接着剤やフィルムが使用され始
めている（例えば、特開昭５９−１２０４３６、６０−
１９１２２８、６１−２７４３９４、６１−２８７９７
４、６２−２４４２４２、６３−１５３５３４、６３−
３０５５９１、６４−８１８７８、特開平１−４６５４
９、１−２５１７８各号公報等）。更なる部品の微細化
が進み、それに伴う異方性導電フィルムによる回路同志
の接続作業において位置ずれ等の理由によって一度接続
した被接続部材を破損または損傷せずに剥離し再圧着す
ること（所謂“リペア”）が可能であることへの要求
や、異方導電フィルムの熱硬化反応時の硬化収縮や種々
の雰囲気中での樹脂自体の歪み応力に基づき、被着体が
損傷（例えばＬＣＤに用いられるガラス基板のクラック
や基板の反り）するという問題が生じてきている。これ
らの問題を解決するために、速硬化、長ライフ、耐湿
性、更には低歪みの高信頼性熱硬化タイプの異方導電フ
ィルムが強く要求されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来の熱硬
化型では得られなかった短時間での接続が可能であり、
又常温での貯蔵保存性に優れ、加熱加圧して硬化後、広
範囲の温度域（−４０℃〜１００℃）において優れた接
着性を有し、しかも接合部に残る歪み（応力）が極めて
小さく、更に一度圧着したものを所定温度以上に加熱す
ることによって剥離・再圧着可能である熱硬化型異方導
電フィルムを提供するものである。
化型では得られなかった短時間での接続が可能であり、
又常温での貯蔵保存性に優れ、加熱加圧して硬化後、広
範囲の温度域（−４０℃〜１００℃）において優れた接
着性を有し、しかも接合部に残る歪み（応力）が極めて
小さく、更に一度圧着したものを所定温度以上に加熱す
ることによって剥離・再圧着可能である熱硬化型異方導
電フィルムを提供するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、重合度が１５
００〜２５００、アセチル化度が３ｍｏｌ％以下、ブチ
ラール化度が６５ｍｏｌ％以上、フロー軟化点が２００
℃以上の特性を有するポリビニルブチラール樹脂
（Ａ）、エポキシ樹脂（Ｂ）、マイクロカプセル化イミ
ダゾール誘導体エポキシ化合物（Ｃ）、溶剤（Ｄ）及び
高分子球状核材の表面にニッケル膜を有し、該ニッケル
膜の更に外層に金膜を有し、該ニッケル膜中の燐含有量
が２〜２０重量％である導電粒子（Ｆ）を必須成分し、
かつ重量配合割合が（Ａ）／（（Ｂ）＋（Ｃ））＝（１
０〜５０）／１００であるペースト状混合物を離形フィ
ルム上に流延し溶剤を揮散させ製膜されてなる異方導電
フィルムである。
００〜２５００、アセチル化度が３ｍｏｌ％以下、ブチ
ラール化度が６５ｍｏｌ％以上、フロー軟化点が２００
℃以上の特性を有するポリビニルブチラール樹脂
（Ａ）、エポキシ樹脂（Ｂ）、マイクロカプセル化イミ
ダゾール誘導体エポキシ化合物（Ｃ）、溶剤（Ｄ）及び
高分子球状核材の表面にニッケル膜を有し、該ニッケル
膜の更に外層に金膜を有し、該ニッケル膜中の燐含有量
が２〜２０重量％である導電粒子（Ｆ）を必須成分し、
かつ重量配合割合が（Ａ）／（（Ｂ）＋（Ｃ））＝（１
０〜５０）／１００であるペースト状混合物を離形フィ
ルム上に流延し溶剤を揮散させ製膜されてなる異方導電
フィルムである。
【０００５】本発明に用いるポリビニルブチラール樹脂
の重合度は、１５００〜２５００であるが、重合度が１
５００未満だと加熱・加圧時の樹脂の流動性が大きく接
着力が不十分となる。又、重合度が２５００を越えると
樹脂の流動性が不足し、従って導電粒子が端子と接触で
きず導通性が得られない。又、ポリビニルブチラール樹
脂のアセチル化度は、３ｍｏｌ％以下であるが３ｍｏｌ
％を越えると被着体（ＬＣＤガラス基板やＴＡＢフィル
ム）との相溶性が悪くなり接着力が不足する。ブチラー
ル化度は、６５ｍｏｌ％以上であるが６５ｍｏｌ％未満
だと分子中のポリビニルアルコール及びポリ酢酸ビニル
の含有割合が増加し接着力が不足する。更に、ポリビニ
ルブチラール樹脂のフロー軟化点は、２００℃以上であ
るが、２００℃未満だと加熱・加圧時の樹脂の流動性が
大きく気泡の抱き込みが大きくなり接着力が不足する。
フロー軟化点の測定は、高化式フロテスター（島津製作
所・製ＣＦＴ−５００型）を用いて、試料１ｇを８０℃
のシリンダーに充填し、荷重１００Ｋｇ／ｃｍ2、オリ
フィス１ｍｍφ×１０ｍｍ、昇温速度６±０．５℃であ
り、試料の流れ値が１．０×１０-3ｍｌ／ｓｅｃになっ
た温度を読み取りフロー軟化点とする。
の重合度は、１５００〜２５００であるが、重合度が１
５００未満だと加熱・加圧時の樹脂の流動性が大きく接
着力が不十分となる。又、重合度が２５００を越えると
樹脂の流動性が不足し、従って導電粒子が端子と接触で
きず導通性が得られない。又、ポリビニルブチラール樹
脂のアセチル化度は、３ｍｏｌ％以下であるが３ｍｏｌ
％を越えると被着体（ＬＣＤガラス基板やＴＡＢフィル
ム）との相溶性が悪くなり接着力が不足する。ブチラー
ル化度は、６５ｍｏｌ％以上であるが６５ｍｏｌ％未満
だと分子中のポリビニルアルコール及びポリ酢酸ビニル
の含有割合が増加し接着力が不足する。更に、ポリビニ
ルブチラール樹脂のフロー軟化点は、２００℃以上であ
るが、２００℃未満だと加熱・加圧時の樹脂の流動性が
大きく気泡の抱き込みが大きくなり接着力が不足する。
フロー軟化点の測定は、高化式フロテスター（島津製作
所・製ＣＦＴ−５００型）を用いて、試料１ｇを８０℃
のシリンダーに充填し、荷重１００Ｋｇ／ｃｍ2、オリ
フィス１ｍｍφ×１０ｍｍ、昇温速度６±０．５℃であ
り、試料の流れ値が１．０×１０-3ｍｌ／ｓｅｃになっ
た温度を読み取りフロー軟化点とする。
【０００６】ポリビニルブチラール樹脂（Ａ）、エポキ
シ樹脂（Ｂ）及び潜在性硬化剤であるマイクロカプセル
化イミダゾール誘導体エポキシ化合物（Ｃ）の重量割合
は（Ａ）／（（Ｂ）＋（Ｃ））＝（１０〜５０）／１０
０であり、目標とする作業性、信頼性等によって異なる
が、ポリビニルブチラール樹脂が１０重量部未満だと、
初期接着力（粘着力）が不足し、更に異方導電フィルム
にしたとき、溶融時の流動性が大きく気泡の抱き込みが
大きい。又、最近その必要性が高まってきている所謂リ
ペア性についても、１０重量部未満だと、硬化後の樹脂
軟化温度が高く、剥離時に高温を必要とし、被着体に残
る樹脂成分を除去することが困難になる。５０重量部を
越えると接着力は十分であるが、溶融時の粘度が高く、
樹脂の流動性が不足し、従って導電性粒子が端子と接触
できず導電性が得られない恐れが生じる。更にリペア性
等の作業性は比較的良好であるが、エポキシ樹脂系成分
との相溶性、耐熱性、耐湿性が不足する。
シ樹脂（Ｂ）及び潜在性硬化剤であるマイクロカプセル
化イミダゾール誘導体エポキシ化合物（Ｃ）の重量割合
は（Ａ）／（（Ｂ）＋（Ｃ））＝（１０〜５０）／１０
０であり、目標とする作業性、信頼性等によって異なる
が、ポリビニルブチラール樹脂が１０重量部未満だと、
初期接着力（粘着力）が不足し、更に異方導電フィルム
にしたとき、溶融時の流動性が大きく気泡の抱き込みが
大きい。又、最近その必要性が高まってきている所謂リ
ペア性についても、１０重量部未満だと、硬化後の樹脂
軟化温度が高く、剥離時に高温を必要とし、被着体に残
る樹脂成分を除去することが困難になる。５０重量部を
越えると接着力は十分であるが、溶融時の粘度が高く、
樹脂の流動性が不足し、従って導電性粒子が端子と接触
できず導電性が得られない恐れが生じる。更にリペア性
等の作業性は比較的良好であるが、エポキシ樹脂系成分
との相溶性、耐熱性、耐湿性が不足する。
【０００７】本発明に用いるエポキシ樹脂は、１分子中
に少なくとも２個以上のエポキシ基を有し、例えばビス
フェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポ
キシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、フェノー
ルノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型
エポキシ樹脂等が挙げられ、これらに限定されるもので
はなく、単独でも混合して用いても差し支えない。
に少なくとも２個以上のエポキシ基を有し、例えばビス
フェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポ
キシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、フェノー
ルノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型
エポキシ樹脂等が挙げられ、これらに限定されるもので
はなく、単独でも混合して用いても差し支えない。
【０００８】本発明に用いるマイクロカプセル化イミダ
ゾール誘導体エポキシ化合物は、イミダゾール誘導体と
エポキシ化合物との反応生成物をマイクロカプセル化し
微粉末としたもので、市場より入手できるものである。
更にマイクロカプセル化イミダゾール誘導体エポキシ化
合物とイソシアネート化合物とを反応させ、耐薬品性及
び貯蔵保存性を高めたものも好適である。ここで用いる
エポキシ化合物としては、例えば、フェノールノボラッ
ク樹脂、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ及びブロ
ム化ビスフェノールＡ等のグリシジルエーテル型エポキ
シ樹脂、ダイマー酸ジグリシジルエステル、フタル酸ジ
グリシジルエステル等が挙げられる。又イミダゾール誘
導体としては、例えばイミダゾール、２−メチルイミダ
ゾール、２−エチルイミダゾール、２−エチル−４−メ
チルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フ
ェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−
メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−エチルイミダ
ゾール、１−ベンジル−２−エチル−５−メチルイミダ
ゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロシキジ
メチルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロ
キシメチルイミダゾール等が挙げられる。
ゾール誘導体エポキシ化合物は、イミダゾール誘導体と
エポキシ化合物との反応生成物をマイクロカプセル化し
微粉末としたもので、市場より入手できるものである。
更にマイクロカプセル化イミダゾール誘導体エポキシ化
合物とイソシアネート化合物とを反応させ、耐薬品性及
び貯蔵保存性を高めたものも好適である。ここで用いる
エポキシ化合物としては、例えば、フェノールノボラッ
ク樹脂、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ及びブロ
ム化ビスフェノールＡ等のグリシジルエーテル型エポキ
シ樹脂、ダイマー酸ジグリシジルエステル、フタル酸ジ
グリシジルエステル等が挙げられる。又イミダゾール誘
導体としては、例えばイミダゾール、２−メチルイミダ
ゾール、２−エチルイミダゾール、２−エチル−４−メ
チルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フ
ェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−
メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−エチルイミダ
ゾール、１−ベンジル−２−エチル−５−メチルイミダ
ゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロシキジ
メチルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロ
キシメチルイミダゾール等が挙げられる。
【０００９】本発明で用いる導電粒子は、高分子球状核
材の表面にニッケル膜を有し、該ニッケル膜の更に外層
に金膜を有し、該ニッケル膜中の燐含有量が２〜２０重
量％である。導電粒子表面の金膜、ニッケル膜は、ニッ
ケル中の燐含有量が２〜２０重量％であること以外は、
特に限定されるものではない。例えば、皮膜の厚さは特
に限定しないが、薄すぎると導電性が不安定になり、厚
すぎると粒子変形が困難になったり凝集等が生じるた
め、各々の皮膜の厚さは０．０１〜１μｍが好ましい。
又、被覆の形成方法では、この被覆と中心核となる高分
子球状核材との密着力・導電性などを考慮し、均一に形
成されていること好ましく、従来から用いられている無
電解メッキなどが望ましい。ニッケル膜中の燐の含有量
が２重量％未満のもので被覆形成された導電粒子を用い
て、異方導電フィルムにした場合導電粒子の分散性が悪
くなり凝集が発生し、この導電粒子により隣接端子間の
絶縁性が低下し短絡に至る場合もあり、微細な回路接続
には制約がある。逆に、２０重量％を超える場合には、
分散性は良くなるが導電率が低下し、接続抵抗値が高く
なり、長期の接続信頼性も低下してくる問題が生じる。
材の表面にニッケル膜を有し、該ニッケル膜の更に外層
に金膜を有し、該ニッケル膜中の燐含有量が２〜２０重
量％である。導電粒子表面の金膜、ニッケル膜は、ニッ
ケル中の燐含有量が２〜２０重量％であること以外は、
特に限定されるものではない。例えば、皮膜の厚さは特
に限定しないが、薄すぎると導電性が不安定になり、厚
すぎると粒子変形が困難になったり凝集等が生じるた
め、各々の皮膜の厚さは０．０１〜１μｍが好ましい。
又、被覆の形成方法では、この被覆と中心核となる高分
子球状核材との密着力・導電性などを考慮し、均一に形
成されていること好ましく、従来から用いられている無
電解メッキなどが望ましい。ニッケル膜中の燐の含有量
が２重量％未満のもので被覆形成された導電粒子を用い
て、異方導電フィルムにした場合導電粒子の分散性が悪
くなり凝集が発生し、この導電粒子により隣接端子間の
絶縁性が低下し短絡に至る場合もあり、微細な回路接続
には制約がある。逆に、２０重量％を超える場合には、
分散性は良くなるが導電率が低下し、接続抵抗値が高く
なり、長期の接続信頼性も低下してくる問題が生じる。
【００１０】本発明に用いる導電粒子の粒径は３〜１５
μｍ、平均粒径は５〜１０μｍであり、粒径は３μｍ未
満及び平均粒径が５μｍ未満だと、接続する回路表面の
凹凸の大きさに近く、熱圧着時に回路厚みのバラキツを
吸収できず、接続抵抗増やオープン不良の原因となる。
又粒径が１５μｍを越え、かつ平均粒径１０μｍを越え
ると回路ピッチ（回路幅＋回路間隔）が０．１ｍｍ以下
に適用した際に隣接回路間で粒子が接触し、隣接回路間
での絶縁性が低下したり、ショートを起こす危険性があ
る。これらの範囲内で接続する回路端子ピッチ、端子厚
さバラキツ等により最適値を選択すればよい。例えば、
異方導電フィルムの主要な用途である液晶ディスプレイ
パネルとフレキシブル回路基板（以下ＦＰＣという）と
の接続では、金属被覆を有する導電粒子の粒径は３〜１
５μｍ程度で、かつペースト状混合物に対する配合量
は、０．５〜１０体積％が好ましい。
μｍ、平均粒径は５〜１０μｍであり、粒径は３μｍ未
満及び平均粒径が５μｍ未満だと、接続する回路表面の
凹凸の大きさに近く、熱圧着時に回路厚みのバラキツを
吸収できず、接続抵抗増やオープン不良の原因となる。
又粒径が１５μｍを越え、かつ平均粒径１０μｍを越え
ると回路ピッチ（回路幅＋回路間隔）が０．１ｍｍ以下
に適用した際に隣接回路間で粒子が接触し、隣接回路間
での絶縁性が低下したり、ショートを起こす危険性があ
る。これらの範囲内で接続する回路端子ピッチ、端子厚
さバラキツ等により最適値を選択すればよい。例えば、
異方導電フィルムの主要な用途である液晶ディスプレイ
パネルとフレキシブル回路基板（以下ＦＰＣという）と
の接続では、金属被覆を有する導電粒子の粒径は３〜１
５μｍ程度で、かつペースト状混合物に対する配合量
は、０．５〜１０体積％が好ましい。
【００１１】又、導電粒子の圧縮破壊強度は１０〜１０
０ｋｇ／ｍｍ2、圧縮弾性率は１００〜１０００ｋｇ／
ｍｍ2である。圧縮破壊強度が、１０ｋｇ／ｍｍ2未満及
び圧縮弾性率が１００ｋｇ／ｍｍ2未満であると電気的
接続を得る前に粒子が破壊されてしまい接続できない。
又圧縮破壊強度が１００ｋｇ／ｍｍ2を越え、かつ圧縮
弾性率が１０００ｋｇ／ｍｍ2を越える場合には、端子
と端子の接続に充分な面積を得るには過大な圧力をかけ
なくてはらなく被着体を破損する原因となる。熱圧着後
の金属被覆粒子のつぶれ具合が接続信頼性等の諸特性に
影響を及ぼすため、圧縮破壊強度は１０〜１００ｋｇ／
ｍｍ2、圧縮弾性率は１００〜１０００ｋｇ／ｍｍ2であ
る必要がある。
０ｋｇ／ｍｍ2、圧縮弾性率は１００〜１０００ｋｇ／
ｍｍ2である。圧縮破壊強度が、１０ｋｇ／ｍｍ2未満及
び圧縮弾性率が１００ｋｇ／ｍｍ2未満であると電気的
接続を得る前に粒子が破壊されてしまい接続できない。
又圧縮破壊強度が１００ｋｇ／ｍｍ2を越え、かつ圧縮
弾性率が１０００ｋｇ／ｍｍ2を越える場合には、端子
と端子の接続に充分な面積を得るには過大な圧力をかけ
なくてはらなく被着体を破損する原因となる。熱圧着後
の金属被覆粒子のつぶれ具合が接続信頼性等の諸特性に
影響を及ぼすため、圧縮破壊強度は１０〜１００ｋｇ／
ｍｍ2、圧縮弾性率は１００〜１０００ｋｇ／ｍｍ2であ
る必要がある。
【００１２】高分子球状核材の組成は特に限定しない
が、例えばエポキシ樹脂、ウレタン樹脂、メラミン樹
脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹
脂、ポリスチレン樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体
等のポリマーが挙げられ、これらは単独でも混合して用
いても差し支えない。本発明に用いる溶剤は、アセト
ン、メチルエチルケント、メチルイソブチルケトン、ト
ルエン、キシレン、ｎ−ブチルアルコール、酢酸エチ
ル、酢酸ブチル、テトラヒドロフラン、メチルセロソル
ブ、エチルセロソルブ、ジアセトンエーテル、メチルセ
ロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ジ
メチルホルムアミド等が挙げられるが、極性の大きさに
よって配合後の樹脂安定性に影響を及ぼすため配合処方
ごとに安定性を調べ、単独あるいは混合して用いる。次
に異方導電フィルムの担体となる離形フィルムに要求さ
れる特性は、耐熱性、離形性、離形性とバランスしたあ
る程度の密着性等であるが異方導電フィルムの作業性を
大きく左右するため、配合処方を合わせて適宜選択する
ことが必要である。離形フィルムとしてはポリエステル
系フィルム、ポリメチルペンテン系フィルム、フッソ系
フィルム等があり、これらの内ではフッソ系フィルムが
使用条件下において十分な耐熱性を有し、又密着性の強
いエポキシ樹脂の塗膜に対して、十分な密着性と離形性
を保持するので好ましい。接着剤の組成によっては、更
に各種のフッソ系フィルムの中から、作業性の良好なも
のを適宜選択して使用する。以上のようにして選択、調
整した樹脂配合物と導電粒子を適宜配合し、配合・攪拌
し、離形フィルム上に流延することによって異方導電フ
ィルムを作成するが、樹脂の相溶性、安定性、離形フィ
ルムとの濡れ性等の作業性や、フィルム形成時の表面粘
度、密着性等の各種性能を狙って、各種添加剤、例えば
非反応性希釈剤、反応性希釈剤、揺変性付与剤、増粘
剤、無機充填剤等を適宜添加しても差し支えない。
が、例えばエポキシ樹脂、ウレタン樹脂、メラミン樹
脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹
脂、ポリスチレン樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体
等のポリマーが挙げられ、これらは単独でも混合して用
いても差し支えない。本発明に用いる溶剤は、アセト
ン、メチルエチルケント、メチルイソブチルケトン、ト
ルエン、キシレン、ｎ−ブチルアルコール、酢酸エチ
ル、酢酸ブチル、テトラヒドロフラン、メチルセロソル
ブ、エチルセロソルブ、ジアセトンエーテル、メチルセ
ロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ジ
メチルホルムアミド等が挙げられるが、極性の大きさに
よって配合後の樹脂安定性に影響を及ぼすため配合処方
ごとに安定性を調べ、単独あるいは混合して用いる。次
に異方導電フィルムの担体となる離形フィルムに要求さ
れる特性は、耐熱性、離形性、離形性とバランスしたあ
る程度の密着性等であるが異方導電フィルムの作業性を
大きく左右するため、配合処方を合わせて適宜選択する
ことが必要である。離形フィルムとしてはポリエステル
系フィルム、ポリメチルペンテン系フィルム、フッソ系
フィルム等があり、これらの内ではフッソ系フィルムが
使用条件下において十分な耐熱性を有し、又密着性の強
いエポキシ樹脂の塗膜に対して、十分な密着性と離形性
を保持するので好ましい。接着剤の組成によっては、更
に各種のフッソ系フィルムの中から、作業性の良好なも
のを適宜選択して使用する。以上のようにして選択、調
整した樹脂配合物と導電粒子を適宜配合し、配合・攪拌
し、離形フィルム上に流延することによって異方導電フ
ィルムを作成するが、樹脂の相溶性、安定性、離形フィ
ルムとの濡れ性等の作業性や、フィルム形成時の表面粘
度、密着性等の各種性能を狙って、各種添加剤、例えば
非反応性希釈剤、反応性希釈剤、揺変性付与剤、増粘
剤、無機充填剤等を適宜添加しても差し支えない。
【００１３】以上本発明を実施例で具体的に説明する。 実施例１ 反応性エラストマーとして、重合度１７００、アセチル
化度３ｍｏｌ％以下、ブチラール化度６５ｍｏｌ％以
上、フロー軟化点が２２５℃のポリビニルブチラール樹
脂をトルエン／酢酸エチル＝５：１（重量比）混合溶液
に溶解して得られた１０重量％溶液１００重量部を、ビ
スフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量４０００
／ｅｑ）のトルエン／酢酸ブチル＝３：１（重量比）の
混合溶液５０重量％溶液２０重量部と、マイクロカプセ
ル化イミダゾール誘導体エポキシ化合物５０重量部を速
やかに攪拌・混合し、これにポリスチレン球状核材にニ
ッケル／金メッキした導電粒子（ニッケル膜中の燐含有
量１０重量％）を３重量部添加、均一分散せしめ、更に
トルエンを添加し、４−フッ化エチレン−パーフルオロ
アルキルビニルエーテル共重合体フィルム上に、乾燥後
の厚みが２５μｍになるよう流延・乾燥し異方導電フィ
ルムを得た。 実施例２ 反応性エラストマーとして、重合度２３５０、アセチル
化度３ｍｏｌ％以下、ブチラール化度６５ｍｏｌ％以
上、フロー軟化点が２３０℃のポリビニルブチラール樹
脂を酢酸エチルに溶解して得られた１０重量％溶液１０
０重量部を用いた以外は、実施例１と同様にして異方導
電フィルムを得た。 実施例３ 反応性エラストマーとして、重合度１７００、アセチル
化度３ｍｏｌ％以下、ブチラール化度６５ｍｏｌ％以
上、フロー軟化点２２５℃のポリビニルブチラール樹脂
をトルエン／酢酸エチル＝５：１（重量比）混合溶液に
溶解して得られた１０重量％溶液１００重量部を、ビス
フェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量４０００ｇ
／ｅｑ）のトルエン／酢酸ブチル＝３：１（重量比）混
合溶液５０重量％溶液１００重量部と、マイクロカプセ
ル化イミダゾール誘導体エポキシ化合物５０重量部を用
いた以外は、実施例１と同様にして異方導電フィルムを
得た。 実施例４ 反応性エラストマーとして、重合度１７００、アセチル
化度３ｍｏｌ％以下、ブチラール化度６５ｍｏｌ％以
上、フロー軟化点が２２５℃のポリビニルブチラール樹
脂をトルエン／酢酸エチル＝５：１（重量比）混合溶液
に溶解して得られた１０重量％溶液５００重量部を、ビ
スフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量４０００
／ｅｑ）のトルエン／酢酸ブチル＝３：１（重量比）の
混合溶液５０重量％溶液１００重量部と、マイクロカプ
セル化イミダゾール誘導体エポキシ化合物５０重量部を
用いた以外は、実施例１と同様にして異方導電フィルム
を得た。 実施例５、６ 実施例５では、導電粒子としてポリスチレン球状核材に
ニッケル／金メッキしたもの（ニッケル膜中の燐含有量
５重量％）、実施例６ではニッケル膜中の燐含有量２０
重量％を用いた以外は、実施例１と同様にして異方導電
フィルムを得た。
化度３ｍｏｌ％以下、ブチラール化度６５ｍｏｌ％以
上、フロー軟化点が２２５℃のポリビニルブチラール樹
脂をトルエン／酢酸エチル＝５：１（重量比）混合溶液
に溶解して得られた１０重量％溶液１００重量部を、ビ
スフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量４０００
／ｅｑ）のトルエン／酢酸ブチル＝３：１（重量比）の
混合溶液５０重量％溶液２０重量部と、マイクロカプセ
ル化イミダゾール誘導体エポキシ化合物５０重量部を速
やかに攪拌・混合し、これにポリスチレン球状核材にニ
ッケル／金メッキした導電粒子（ニッケル膜中の燐含有
量１０重量％）を３重量部添加、均一分散せしめ、更に
トルエンを添加し、４−フッ化エチレン−パーフルオロ
アルキルビニルエーテル共重合体フィルム上に、乾燥後
の厚みが２５μｍになるよう流延・乾燥し異方導電フィ
ルムを得た。 実施例２ 反応性エラストマーとして、重合度２３５０、アセチル
化度３ｍｏｌ％以下、ブチラール化度６５ｍｏｌ％以
上、フロー軟化点が２３０℃のポリビニルブチラール樹
脂を酢酸エチルに溶解して得られた１０重量％溶液１０
０重量部を用いた以外は、実施例１と同様にして異方導
電フィルムを得た。 実施例３ 反応性エラストマーとして、重合度１７００、アセチル
化度３ｍｏｌ％以下、ブチラール化度６５ｍｏｌ％以
上、フロー軟化点２２５℃のポリビニルブチラール樹脂
をトルエン／酢酸エチル＝５：１（重量比）混合溶液に
溶解して得られた１０重量％溶液１００重量部を、ビス
フェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量４０００ｇ
／ｅｑ）のトルエン／酢酸ブチル＝３：１（重量比）混
合溶液５０重量％溶液１００重量部と、マイクロカプセ
ル化イミダゾール誘導体エポキシ化合物５０重量部を用
いた以外は、実施例１と同様にして異方導電フィルムを
得た。 実施例４ 反応性エラストマーとして、重合度１７００、アセチル
化度３ｍｏｌ％以下、ブチラール化度６５ｍｏｌ％以
上、フロー軟化点が２２５℃のポリビニルブチラール樹
脂をトルエン／酢酸エチル＝５：１（重量比）混合溶液
に溶解して得られた１０重量％溶液５００重量部を、ビ
スフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量４０００
／ｅｑ）のトルエン／酢酸ブチル＝３：１（重量比）の
混合溶液５０重量％溶液１００重量部と、マイクロカプ
セル化イミダゾール誘導体エポキシ化合物５０重量部を
用いた以外は、実施例１と同様にして異方導電フィルム
を得た。 実施例５、６ 実施例５では、導電粒子としてポリスチレン球状核材に
ニッケル／金メッキしたもの（ニッケル膜中の燐含有量
５重量％）、実施例６ではニッケル膜中の燐含有量２０
重量％を用いた以外は、実施例１と同様にして異方導電
フィルムを得た。
【００１４】比較例１、２ 比較例１では、反応性エラストマーとして、重合度３０
０、アセチル化度３ｍｏｌ％を越えたもの、ブチラール
化度６３ｍｏｌ％、フロー軟化点が１１５℃のポリビニ
ルブチラール樹脂を、比較例２では重合度１０００、ア
セチル化度３ｍｏｌ％以下、ブチラール化度７０ｍｏｌ
％、フロー軟化点が１６０℃のポリビニルブチラール樹
脂を用いた以外は、実施例１と同様にして異方導電フィ
ルムを得た。 比較例３ 反応性エラストマーとして、重合度１７００、アセチル
化度３ｍｏｌ％以下、ブチラール化度６５ｍｏｌ％以
上、フロー軟化点が２２５℃のポリビニルブチラール樹
脂をトルエン／酢酸エチル＝５：１（重量比）混合溶液
に溶解して得られた１０重量％溶液５０重量部を、ビス
フェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量４０００／
ｅｑ）のトルエン／酢酸ブチル＝３：１（重量比）の混
合溶液５０重量％溶液１００重量部と、マイクロカプセ
ル化イミダゾール誘導体エポキシ化合物５０重量部を用
いた以外は、実施例１と同様にして異方導電フィルムを
得た。 比較例４ 反応性エラストマーとして、重合度１７００、アセチル
化度３ｍｏｌ％以下、ブチラール化度６５ｍｏｌ％以
上、フロー軟化点が２２５℃のポリビニルブチラール樹
脂をトルエン／酢酸エチル＝５：１（重量比）混合溶液
に溶解して得られた１０重量％溶液１０００重量部を、
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量４００
０／ｅｑ）のトルエン／酢酸ブチル＝３：１（重量比）
の混合溶液５０重量％溶液１００重量部と、マイクロカ
プセル化イミダゾール誘導体エポキシ化合物５０重量部
を用いた以外は、実施例１と同様にして異方導電フィル
ムを得た。 比較例５、６ 比較例５では、導電粒子としてポリスチレン球状核材に
ニッケル／金メッキしたもの（ニッケル膜中の燐含有量
０重量％）、比較例６ではニッケル膜中の燐含有量３０
重量％を用いた以外は、実施例１と同様にして異方導電
フィルムを得た。 これらの実施例及び比較例で得られ
た異方導電フィルムについて、貯蔵保存性、接着力、リ
ペア性、接続信頼性の評価を実施した結果を表１、表２
に示す。
０、アセチル化度３ｍｏｌ％を越えたもの、ブチラール
化度６３ｍｏｌ％、フロー軟化点が１１５℃のポリビニ
ルブチラール樹脂を、比較例２では重合度１０００、ア
セチル化度３ｍｏｌ％以下、ブチラール化度７０ｍｏｌ
％、フロー軟化点が１６０℃のポリビニルブチラール樹
脂を用いた以外は、実施例１と同様にして異方導電フィ
ルムを得た。 比較例３ 反応性エラストマーとして、重合度１７００、アセチル
化度３ｍｏｌ％以下、ブチラール化度６５ｍｏｌ％以
上、フロー軟化点が２２５℃のポリビニルブチラール樹
脂をトルエン／酢酸エチル＝５：１（重量比）混合溶液
に溶解して得られた１０重量％溶液５０重量部を、ビス
フェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量４０００／
ｅｑ）のトルエン／酢酸ブチル＝３：１（重量比）の混
合溶液５０重量％溶液１００重量部と、マイクロカプセ
ル化イミダゾール誘導体エポキシ化合物５０重量部を用
いた以外は、実施例１と同様にして異方導電フィルムを
得た。 比較例４ 反応性エラストマーとして、重合度１７００、アセチル
化度３ｍｏｌ％以下、ブチラール化度６５ｍｏｌ％以
上、フロー軟化点が２２５℃のポリビニルブチラール樹
脂をトルエン／酢酸エチル＝５：１（重量比）混合溶液
に溶解して得られた１０重量％溶液１０００重量部を、
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量４００
０／ｅｑ）のトルエン／酢酸ブチル＝３：１（重量比）
の混合溶液５０重量％溶液１００重量部と、マイクロカ
プセル化イミダゾール誘導体エポキシ化合物５０重量部
を用いた以外は、実施例１と同様にして異方導電フィル
ムを得た。 比較例５、６ 比較例５では、導電粒子としてポリスチレン球状核材に
ニッケル／金メッキしたもの（ニッケル膜中の燐含有量
０重量％）、比較例６ではニッケル膜中の燐含有量３０
重量％を用いた以外は、実施例１と同様にして異方導電
フィルムを得た。 これらの実施例及び比較例で得られ
た異方導電フィルムについて、貯蔵保存性、接着力、リ
ペア性、接続信頼性の評価を実施した結果を表１、表２
に示す。
【００１５】評価方法 試験片として用いた異方導電フィルムの厚みは全て２５
μｍ。 貯蔵保存性：異方導電フィルムを室温（２３℃）及び４
０℃に放置後、１２０℃の熱盤上で溶融することを確認
し、更にこの試験片を用いてＴＡＢとシート抵抗値３０
Ωのインジウム／錫酸化導電皮膜を全面に形成した厚さ
１．１ｍｍのガラス（以下ＩＴＯガラスという）を接続
した場合に、初期接続抵抗値が全ての端子において、２
Ω以下であれば○，２Ωを越えるものであれば×とし
た。 接着力：９０°剥離試験によって評価を行った。被着体
としては、銅箔／ポリイミド＝３５／７５μｍに０．４
μｍの錫メッキを施したＴＡＢ（ピッチ０．１０ｍｍ、
端子数２００本）とＩＴＯガラスを用いた。 リペア性：一度熱圧着によって接合した試験片を熱盤上
で１５０℃に加熱して引き剥し、被接続部材を損傷なく
剥離できるか否かを観察した。 接続信頼性：−４０℃／３０分、２５℃／５分、８０℃
／３０分、２５℃／５分の温度リサクル試験を２５０サ
イクル行った後、隣接する端子間の接続抵抗を測定し
た。
μｍ。 貯蔵保存性：異方導電フィルムを室温（２３℃）及び４
０℃に放置後、１２０℃の熱盤上で溶融することを確認
し、更にこの試験片を用いてＴＡＢとシート抵抗値３０
Ωのインジウム／錫酸化導電皮膜を全面に形成した厚さ
１．１ｍｍのガラス（以下ＩＴＯガラスという）を接続
した場合に、初期接続抵抗値が全ての端子において、２
Ω以下であれば○，２Ωを越えるものであれば×とし
た。 接着力：９０°剥離試験によって評価を行った。被着体
としては、銅箔／ポリイミド＝３５／７５μｍに０．４
μｍの錫メッキを施したＴＡＢ（ピッチ０．１０ｍｍ、
端子数２００本）とＩＴＯガラスを用いた。 リペア性：一度熱圧着によって接合した試験片を熱盤上
で１５０℃に加熱して引き剥し、被接続部材を損傷なく
剥離できるか否かを観察した。 接続信頼性：−４０℃／３０分、２５℃／５分、８０℃
／３０分、２５℃／５分の温度リサクル試験を２５０サ
イクル行った後、隣接する端子間の接続抵抗を測定し
た。
【００１６】
【表１】
【００１７】
【表２】
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば、密着性、作業性のバラ
ンスが極めてよく、信頼性が高く、かつ低接続抵抗の異
方導電フィルムを得ることができる。
ンスが極めてよく、信頼性が高く、かつ低接続抵抗の異
方導電フィルムを得ることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｒ 11/01 Ａ
Claims (1)
- 【請求項１】 重合度が１５００〜２５００、アセチル
化度が３ｍｏｌ％以下、ブチラール化度が６５ｍｏｌ％
以上、フロー軟化点が２００℃以上の特性を有するポリ
ビニルブチラール樹脂（Ａ）、エポキシ樹脂（Ｂ）、マ
イクロカプセル化イミダゾール誘導体エポキシ化合物
（Ｃ）、溶剤（Ｄ）及び高分子球状核材の表面にニッケ
ル膜を有し、該ニッケル膜の更に外層に金膜を有し、該
ニッケル膜中の燐含有量が２〜２０重量％である導電粒
子（Ｆ）を必須成分し、かつ重量配合割合が（Ａ）／
（（Ｂ）＋（Ｃ））＝（１０〜５０）／１００であるペ
ースト状混合物を離形フィルム上に流延し溶剤を揮散さ
せ製膜されてなることを特徴とする異方導電フィルム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32818494A JP3480754B2 (ja) | 1994-12-28 | 1994-12-28 | 異方導電フィルムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32818494A JP3480754B2 (ja) | 1994-12-28 | 1994-12-28 | 異方導電フィルムの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08185713A true JPH08185713A (ja) | 1996-07-16 |
| JP3480754B2 JP3480754B2 (ja) | 2003-12-22 |
Family
ID=18207413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32818494A Expired - Fee Related JP3480754B2 (ja) | 1994-12-28 | 1994-12-28 | 異方導電フィルムの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3480754B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0954208A4 (en) * | 1996-12-27 | 2002-09-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | METHOD AND DEVICE FOR FIXING AN ELECTRONIC COMPONENT ON A CIRCUIT BOARD |
| US6574114B1 (en) | 2002-05-02 | 2003-06-03 | 3M Innovative Properties Company | Low contact force, dual fraction particulate interconnect |
| KR100430626B1 (ko) * | 1997-01-20 | 2004-07-30 | 주식회사 코오롱 | 열융착 에폭시 필름 및 그의 제조방법 |
| JP2014096329A (ja) * | 2012-11-12 | 2014-05-22 | Nippon Shokubai Co Ltd | 導電性微粒子及びそれを用いた異方性導電材料 |
| JP2014116112A (ja) * | 2012-12-06 | 2014-06-26 | Nippon Shokubai Co Ltd | 導電性微粒子及びそれを用いた異方性導電材料 |
-
1994
- 1994-12-28 JP JP32818494A patent/JP3480754B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0954208A4 (en) * | 1996-12-27 | 2002-09-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | METHOD AND DEVICE FOR FIXING AN ELECTRONIC COMPONENT ON A CIRCUIT BOARD |
| EP1445995A1 (en) * | 1996-12-27 | 2004-08-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of mounting an electronic component on a circuit board |
| EP1448033A1 (en) * | 1996-12-27 | 2004-08-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method and device for mounting electronic component on a circuit board |
| EP1448034A1 (en) * | 1996-12-27 | 2004-08-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method and device for mounting electronic component on circuit board |
| US6981317B1 (en) | 1996-12-27 | 2006-01-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method and device for mounting electronic component on circuit board |
| KR100430626B1 (ko) * | 1997-01-20 | 2004-07-30 | 주식회사 코오롱 | 열융착 에폭시 필름 및 그의 제조방법 |
| US6574114B1 (en) | 2002-05-02 | 2003-06-03 | 3M Innovative Properties Company | Low contact force, dual fraction particulate interconnect |
| JP2014096329A (ja) * | 2012-11-12 | 2014-05-22 | Nippon Shokubai Co Ltd | 導電性微粒子及びそれを用いた異方性導電材料 |
| JP2014116112A (ja) * | 2012-12-06 | 2014-06-26 | Nippon Shokubai Co Ltd | 導電性微粒子及びそれを用いた異方性導電材料 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3480754B2 (ja) | 2003-12-22 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |