JPH08181263A - リードフレームの製造方法及びこれに用いる金型装置 - Google Patents

リードフレームの製造方法及びこれに用いる金型装置

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JPH08181263A
JPH08181263A JP33624594A JP33624594A JPH08181263A JP H08181263 A JPH08181263 A JP H08181263A JP 33624594 A JP33624594 A JP 33624594A JP 33624594 A JP33624594 A JP 33624594A JP H08181263 A JPH08181263 A JP H08181263A
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JP33624594A
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Tatsuo Yoshifuji
辰夫 吉藤
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Mitsui High Tec Inc
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Mitsui High Tec Inc
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、上記の実情に鑑みてなされたもの
であって、プレス加工により、内部リード先端部に生じ
た打ち抜き方向のチルトを、内部残留応力を滞有させる
ことなく矯正を行うことができ、ワイヤボンデングを行
う際の熱効率の優れたリードフレームを提供することを
目的とするものである。 【構成】 半導体回路素子搭載部と該搭載部を囲むよう
に配列された内部リードとこれを延在して設けた外部リ
ードなどの所要の形状を備え、半導体装置を組立てる際
に反転して用いるリードフレームの製造方法において、
前記リードフレームの所要の形状を形成する形状加工を
行って後、前記内部リード先端部の裏面側より、前記内
部リードの先端部を押し上げ、前記内部リード先端部に
生じた打ち抜き方向のチルトを矯正する構成とされてい
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置を組み立て
る際に、反転して用いる半導体装置用リードフレームの
製造方法及びこれに用いる金型装置に係る、詳細には、
形状加工を行う際に、打ち抜き方向に生じる内部リード
先端部のチルトを上反り叉は他の部材と同一平面となる
ように矯正するチルト矯正方法に関する。
【0002】
【従来の技術】一般的に、この種の半導体装置用リード
フレームは、半導体回路素子搭載部、内部リード部及び
外部リード部などの所要の形状を形成する形状加工手段
を備えた順送り金型装置を用い、プレス加工により、金
属条材から順次、不要部分を除去して形成される。
【0003】このリードフレームを用いた半導体装置
は、該リードフレームの前記半導体回路素子搭載部の上
面に半導体回路素子を搭載し、次いで内部リードの先端
のワイヤボンデング領域と半導体回路素子の電極端子と
を接続するワイヤボンディングを行い電気的導通回路を
形成した後、前記半導体回路素子及びその搭載部が樹脂
モールドされて外部リードを露出した半導体装置パッケ
ージが形成される。次ぎに、外部リードの先端を切断分
離し、U型、J型などの形状にフォミングを行って形成
されている。
【0004】前記ワイヤボンディングは、前記リードフ
レームの内部リード先端部のワイヤボンディング領域と
前記半導体回路素子上に形成された電極端子とを1対1
で接合して電気導通回路を構成している。
【0005】しかも、近来、半導体装置の高集積化、小
型化が進み、内部リードの信号リード、電源リード及び
接地リードなどのリード数が増加し多ピン化する傾向に
伴い、内部リード先端部も狭くなる傾向にある。
【0006】この種のリードフレームをプレス加工で製
造する場合には、プレス加工の特性として、打ち抜き側
の周縁部に打ち抜きダレが生じ、内部リード先端部の平
坦幅が狭くなる。特に、内部リードの先端部の周縁部に
打ち抜きダレが生じると、ボンディングワイヤの接続的
中率が著しく低下するするという問題が生じていた。こ
のため、半導体装置用リードフレームを表裏反転して裏
面側(打ち抜きかえり側)をワイヤボンディング領域と
して用い、前記回路素子の電極端子との接続を行い多ピ
ン化の傾向に対応している。
【0007】また、プレス加工により、内部リード先端
部分を形成する際に、内部リード先端部が打ち抜き方向
にチルトする現象が生じる、特に、この現象は、裏面に
薄肉部(裏コイニング)を設けた内部リード先端部に多
く発生する。ここで、前記チルトは、図3に示すよう
に、内部リード先端部30が打ち抜き方向にかしいだ状
態をいう。この状態のリードフレームを反転すると内部
リード先端部30が上反りした状態となる。
【0008】従って、このリードフレームを裏表反転
し、ワイヤボンディングを行う場合に、図4に示すよう
に、内部リード先端部30とこれを搭載するヒートプレ
ート31との間に隙間tが生じ、ワイヤボンディングを
行う際の熱効率を低下させるという問題があった。
【0009】上記の問題点を解決するために、発明者
は、図5に示すように、リードフレーム部材を押さえる
ストリッパー32の当接面側にコイニング用突起33を
設け、前記内部リード先端部30の隣接部にコイニング
加工を施し、チルトの矯正を試みたが、部材厚みの変動
やプレス加工中のコイニング深さが変動し、内部リード
先端部30のチルト矯正にバラツキが生じるという問題
があった。
【0010】さらに、コイニング加工により、部材中に
内部残留応力が滞有し、ワイヤボンデング等の後工程の
熱履歴で前記内部残留応力が除去され、内部残留歪が解
放されて内部リード先端部30が変形するという問題が
あった。
【0011】
【発明が解決しよとする課題】本発明は、上記の実情に
鑑みてなされたものであって、リードフレームの形状加
工の際に、打ち抜き方向に生じる内部リード先端部のチ
ルトを、他の部材中に内部残留応力を滞有させることな
く矯正を行い、ワイヤボンデングを行う際の熱効率の優
れたリードフレームを提供することを目的とするもので
ある。
【0012】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成させる、
請求項1記載のリードフレームの製造方法は、半導体回
路素子搭載部と該搭載部を囲むように配列された内部リ
ードとこれを延在して設けた外部リードなどの所要の形
状を備え、半導体装置を組立てる際に反転して用いるリ
ードフレームの製造方法において、前記リードフレーム
の所要の形状を形成する形状加工を行って後、前記内部
リード先端部の裏面側より、前記内部リードの先端部を
押し上げ、前記内部リード先端部に生じた打ち抜き方向
のチルトを矯正することを特徴とするものである。ま
た、請求項2記載のリードフレームの製造方法に用いる
金型装置は、半導体回路素子搭載部と該搭載部を囲むよ
うに配列された内部リードとこれを延在して設けた外部
リードなどの所要の形状を形成する形状加工手段を適切
な順序で配列した金型装置において、前記金型装置の下
型に設け、前記内部リード先端部を押し上げる矯正用突
起と、前記金型の上型に設け、前記リードフレーム部材
を押さえるストリッパーの当接面側に前記内部リード先
端部に対応する領域を逃がす逃げ用窪みとで構成された
チルト矯正手段を前記形状加工手段の後に具備して成る
ことを特徴とするものである。
【0013】
【発明の作用】請求項1記載のリードフレームの製造方
法及び請求項2記載のリードフレームの製造方法に用い
る金型装置においては、内部リード先端部を押し上げる
加工を行ってチルトの矯正を行い内部リード先端部を他
の部材と同一平面もしくは上反りとなるように矯正する
ので、前記リードフレームを反転すると内部リードの先
端部が他の部材と同一平面もしくは下反りの状態となる
ように矯正することがてきる。これによって、ワイヤボ
ンディングを行う際に、従来技術で生じていた内部リー
ド先端部とこれを搭載するヒートプレートとの間の隙間
がなくなり、熱効率を著しく向上させることができる。
さらに、前記内部リードの先端部のチルトの矯正量を矯
正用突起の高さで行うので、従来のコイニング深さによ
りチルトの矯正を行うのに比べて、チルト矯正量の調整
を容易に行うことができると共に、部材の変形や加工中
のコイニング深さの変化によって生じていたチルト矯正
のバラツキをなくすことができる。さらにまた、前記内
部リードの先端部のチルトの矯正を矯正用突起を用いた
折り曲げ方式を採用しているので、従来のコイニングに
よりチルトの矯正を行うのに比べて、他の部材中に滞有
する内部残留応力を抑制することできる。その結果とし
て、後工程の加熱により、発生する内部残留歪の解放に
よる変形を抑制することができる。
【0014】
【実施例】続いて、本発明の実施の一例を添付した図面
に基づきリードフレームの製造方法を説明する。ここで
図1は本発明のリードフレームの製造方法に用いた各形
状加工ステーションとチルト矯正ステーションを設けた
順送り金型装置の概要を示す側面図である。
【0015】本発明のリードフレームの製造方法に用い
た順送り金型装置は、図1に示すように、外部リード
部、内部リード及び半導体回路素子搭載部などの所要の
形状を部分的に順次打ち抜き形成する加工ステーション
S1、S2、S3と必要ならば反転して用いる際のワイ
ヤボンディング領域となる部分に平坦部を形成する裏コ
イニングステーションS4とを適切な加工順序で配置し
た形状加工ステーションS5と、前記形状加工で生じた
内部リード先端部のチルトを矯正するチルト矯正ステー
ションS6とを具備した構成とされている。
【0016】本発明のリードフレームの製造方法は、図
1に示すように、前記順送り金型装置10を用い、プレ
ス加工により、金属薄板条材11を前記順送り金型装置
10に設けた形状加工ステーションS5及びチルト矯正
ステーションS6の上型10aと下型10bの間を間歇
搬送しつつ、前記外部リード部、内部リード及び半導体
回路素子搭載部などの所要の形状を部分的に順次打ち抜
き形成する前記加工ステーションS1、S2、S3及び
裏コイニング・ステーションS4などの前記形状加工ス
テーションS5を経て、前記金属薄板条材11から不要
部分の打ち抜き除去を行ってリードフレーム12の所要
の形状が形成される。次に、前記チルト矯正ステーショ
ンS6で、前記形状加工ステーションS5で生じた内部
リード先端部13のチルトを他の部材と同一平面もしく
は上反りとなるように矯正を行って形成される。さら
に、必要ならば、前記形状加工などの加工履歴で部材中
に滞有した内部残留応力を除去して内部残留歪(見かけ
の歪)の解放を抑制する熱処理や前記リードフレームの
所要の領域を被覆する金属めっき処理を行って形成され
る。
【0017】次に、図2に基づき、内部リード先端部に
生じたチルトの矯正について説明する。ここで図2は本
発明のリードフレームの製造方法に用いたチルトの矯正
ステーションを示す部分断面図である。
【0018】前記チルトの矯正ステーションS6は、図
によれば、前記金型装置10(図1参照)の上型10a
に設け、リードフレーム部材に当接して、これを押さえ
るストリツパー10cの当接面側に、前記内部リード先
端部13に対応する領域に設けた前記内部リード先端部
13の逃げ用窪み14と前記金型装置10(図1参照)
の下型10bに設け、リードフレーム部材の裏面に当接
して、前記内部リード先端部13を押し上げるチルト矯
正用突起15とを具備した構成とされており、前記スト
リッパー10cで前記内部リード先端部13を除くリー
ドフレムの部材を押さえることにより、前記下型10b
に設けた前記矯正用突起15で前記内部リード先端部1
3の押し上げを行い打ち抜き方向に生じた前記湖内部リ
ード先端部13のチルトを他の部材と同一平面もしくは
上反りの状態に矯正を行うことができる。
【0019】
【発明の効果】本発明によれば、従来技術のコイニング
によるチルトの矯正に代えて、折り曲げ方式の矯正法を
用いているので、内部残留応力の滞有を抑制し、内部リ
ード先端部の変形を防止することができる。さらに、突
起の高さを変えることにより容易にチルトの矯正量の調
整を行うことができるので、調整作業の作業性を著しく
向上させることができる。また、裏表反転してワイヤボ
ンディングを行う際の熱効率の優れた寸法精度のよいリ
ードフレームを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の一例に係る順送り金型装置の概
要を示す側面図である。
【図2】本発明の実施の一例に係るチルト矯正ステーシ
ョンを示す部分断面図である。
【図3】従来の実施の一例に係る内部リード先端部のチ
ルトの状態を示す側面図である。
【図4】従来の実施の一例に係るワイヤボンディング工
程を示す断面図である。
【図5】従来の実施の一例に係るチルト矯正ステーショ
ンを示す部分断面図である。
【符号の説明】 10 順送り金型装置 10a 上型 10b 下型 10c ストリツパー 11 金属薄板条材 12 リードフレーム 13 内部リード先端部 14 逃げ用窪み 15 矯正用突起 S1 外部リード部の加工ステーション S2 内部リード部の加工ステーション S3 半導体回路素子搭載部の加工ステーション S4 裏コイニングステーション S5 形状加工ステーション S6 チルト矯正ステーション 30 内部リード先端部 31 ヒートプレート 32 ストリッパー 33 コイニング用突起

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体回路素子搭載部と該搭載部を囲む
    ように配列された内部リードとこれを延在して設けた外
    部リードなどの所要の形状を備え、半導体装置を組立て
    る際に反転して用いるリードフレームの製造方法におい
    て、 前記リードフレームの所要の形状を形成する形状加工を
    行って後、前記内部リード先端部の裏面側より、前記内
    部リードの先端部を押し上げ、前記内部リード先端部に
    生じた打ち抜き方向のチルトを矯正することを特徴とす
    るリードフレームの製造方法。
  2. 【請求項2】 半導体回路素子搭載部と該搭載部を囲む
    ように配列された内部リードとこれを延在して設けた外
    部リードなどの所要の形状を形成する形状加工手段を適
    切な順序で配列した金型装置において、 前記金型装置の下型に設け、前記内部リード先端部を押
    し上げる矯正用突起と、前記金型の上型に設け、前記リ
    ードフレーム部材を押さえるストリッパーの当接面側に
    前記内部リード先端部に対応する領域を逃がす逃げ用窪
    みとで構成されたチルト矯正手段を前記形状加工手段の
    後に具備して成ることを特徴とする金型装置。
JP33624594A 1994-12-22 1994-12-22 リードフレームの製造方法及びこれに用いる金型装置 Pending JPH08181263A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104517926A (zh) * 2013-09-26 2015-04-15 恩智浦有限公司 半导体器件引线框架

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104517926A (zh) * 2013-09-26 2015-04-15 恩智浦有限公司 半导体器件引线框架

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