JPH08181106A - 半導体製造方法及び製造装置 - Google Patents
半導体製造方法及び製造装置Info
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- JPH08181106A JPH08181106A JP5330599A JP33059993A JPH08181106A JP H08181106 A JPH08181106 A JP H08181106A JP 5330599 A JP5330599 A JP 5330599A JP 33059993 A JP33059993 A JP 33059993A JP H08181106 A JPH08181106 A JP H08181106A
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Abstract
体製造装置を提供する。 【構成】枚様式半導体製造装置を、第1・第2の異種の
ドライエッチング装置を備え、第1のドライエッチング
装置が複数の反応室を持つ複合ドライエッチング可能な
装置とした。例えば、第1のドライエッチング装置を、
反応性スパッタエッチング容器20を含む反応性スパッ
タエッチング装置とし、第2のドライエッチング装置
を、マイクロ波放電容器30を含むマイクロ波プラズマ
エッチング装置とする。 【効果】異なるドライエッチング技術を組み合わせるこ
とでエッチング要求仕様の多様化に対応できる。
Description
造装置に係り、特に、ウエハを一枚毎ドライプロセスに
てエッチングするのに好適な半導体製造方法及び製造装
置に関するものである。
する半導体製造装置としては、複数枚のウエハを同時に
エッチング処理するバッチ式半導体製造装置が従来主流
を占めていた。しかし、半導体集積回路素子の微細化、
高集積化及びウエハの径大化が進むにつれエッッチング
の均一性等の性能上の要求が一段と厳しくなり、バッチ
式半導体製造装置では、この要求に最早対応しきれなく
なった。そこで、この要求を満足しようとする半導体製
造装置として、ウエハを一枚毎ドライプロセスにてエッ
チング処理する枚葉式半導体製造装置が開発され、近年
広く用いられるようになってきた。
チング処理する技術(以下、ドライエッチング技術と
略)としては、反応性スパッタエッチング技術やマイク
ロ波プロズマエッチング技術等がある。これらドライエ
ッチング技術の諸特性については、最近ではかなりの程
度解明されており、その中のいくつかは実用化されてい
る。しかしながら、これらのドライエッチング技術に
は、それぞれ一長一短があり、その適用範囲は限られて
いる。
に半導体集積回路素子の微細化、高集積化及びウエハの
経大化によるエッチングの均一性等の性能上の要求に一
応対応できるものの、用いられてるドライエッチング技
術の適用範囲が限定された単一の技術であるため、エッ
チング形状を段階的に制御したり、エッチング処理の前
後の処理を連続して同一装置内で行なう等、エッチング
要求仕様の多様化が更に進む現在においては、これらに
充分対応できなくなってきている。
るドライエッチング技術を組み合わせることで、エッチ
ング要求使用の多様化に対応できる半導体製造装置及び
半導体製造方法を提供することにある。
は、プラズマ発生方法の異なる複数のププラズマ処理工
程を用い連続してウエハーを処理する際に、前記異なる
プラズマ発生方法のうち少なくとも一つのプラズマ処理
工程を二度行なうことを特徴とする。
を、第1・第2の異種のドライエッチング装置を備え、
第1のドライエッチング装置が複数の反応室を持つ複合
ドライエッチング可能な装置としたことにある。
とでエッチング要求仕様の多様化に対応できる。
1で、反応室10には、反応性スパッタエッチングとマ
イクロ波プラズマエッチングとの複合エッチング可能な
ように第1のエッチング装置としての反応性スパッタエ
ッチング装置の容器20と第2のエッチング装置として
のマイクロ波放電装置の容器30とが内設されている。
反応室10とマイクロ波放電装置の容器30とは、排気
計11により、又、反応性スパッタエッチング装置の容
器20は、排気計12によりそれぞれ真空排気させる。
高周波電極21とウエハ載置用電極(以下、テーブルと
略)22とがこの場合、上下方向に対抗して内設されて
いる。高周波電極21には、エッチングガスをテーブル
22面に向かって放出するガス放出孔(図示省略)と、
ガス放出孔と連通しガス放出孔にエッチングガスを供給
するガス供給路(図示省略)とが形成され、ガス供給路
には、反応室10外に設置されたガス供給手段、例えば
ガスボンベ23に連結されたガス導管24が連結されて
いる。又、高周波電極21は、反応室10外に設置され
た高周波電源25が接続されている。
ハ40が一枚載置され、高周波電極21には、高周波電
源25より高周波が印加される。これにより、ガス放出
孔から反応性スパッタエッチング容器20内に放出され
たエッチングガスは、プラズマ化される。このプラズマ
中の活性化された中性分子及び原子(ラジカル)とイオ
ンとは、ウエハ40に入射し、この結果、ウエハ40
は、その表面を化学的及び物質的にエッチングされる。
器30と対向してテ−ブル31が内設されると共に、テ
ーブル31の下方には、永久磁石32が設けられてい
る。反応室10の頂壁には、一端にマイクロ波発生器3
3が設けられた導波管34がマイクロ波放電器30を包
囲した状態でその他端が連結されている。導波管34に
外周には、磁場発生用コイル35が設けられ又、マイク
ロ波放電器30には、マイクロ波放電器30の放電空間
36に連通し、反応室10外に設置されたガス供給手
段、例えば、ガスボンベ37に連結されたガス導管38
が連結されている。
ハ40が一板載置され、放電空間36には、ガスボンベ
37からエッチングガスが導入される。放電空間36に
導入されたエッチングガスは、磁場発生用コイル35と
永久磁石32とによって放電空間36に形成されるミラ
ー磁場と、マイクロ波発生器33で発生され導波管34
で伝播されたマイクロ波により放電空間36に形成され
るマイクロ波電界との相乗作用によりプラズマ化され
る。このプラズマ中の活性イオンはミラー磁場に沿って
ウエア40に入射し、この結果ウエハ40は、その表面
をエッチングされる。 尚、図1では図示を省略した
が、この場合、反応性スパッタエッチング容器20とマ
イクロ波放電容器との間でウエハ40を搬送可能、反応
室10と外部との間でウエハ40を搬出入可能な構造と
なっている。
素子のゲート膜に用いられる単結晶シリコンをエッチン
グする場合について、以下説明する。
反応機構によりその性能は大きく左右される。反応性ス
パッタエッチング技術では、エッチング速度は早いが、
しかし、イオンよる電気的ダメージが大きい。一方、マ
イクロ波プラズマエッチング技術は、イオンによる電気
的ダメージは小さく、又、エッチング角度などの形状制
御が可能である等極めて微細加工性に優れているが、し
かし、エッチング速度が小さく量産性に極めて劣る。そ
こで、次のような順序によりエッチングすることにより
両エッチング技術の長所を最大限に生かすことができ
る。つまり、エッチングの第1段階においては、反応性
スパッタエッチング技術により単結晶シリコンの70〜
80%をエッチングし、その後、第2段階でマイクロ波
プラズマエッチング技術により残り20〜30%の単結
晶シリコンをエッチングする。これにより半導体素子に
電気的ダメージを与えることなしに大きいエッチング速
度でエッチングすることができる。また、エッチング形
状を段階的に制御することにより半導体素子加工上の最
適な形状に仕上げることができる。
ので、処理室10’には、反応性スパッタエッチング容
器20が2個、マイクロ波放電容器30が1個内設され
てる。尚、図2で、図1と同一装置等は同一符号で示し
説明を省略する。このような半導体製造装置では、ウエ
ハの複数段のエッチングにおいて各々に最適なドライエ
ッチング技術を採用することによりエッチング要求仕様
の多様化に更に対応することができる。
ので、処理室10”には、反応性スパッタエッチング容
器20が1個、マイクロ波放電容器30が2個内設され
ている。尚、図3で、図1と同一装置等は同一符号で示
し説明を省略する。このような半導体製造装置では、上
記第1実施例で得られた効果を得ることができる。
ので、図1で示したテーブル22、31が一体化された
テーブル50が処理室10に回動可能に内設されてい
る。又、試料台51は共用される。尚、図4で、図1と
同一装置等は同一符号で示し説明を省略する。
パッタエッチンタ容器とマイクロ波放電容器との間でウ
エハを搬送機構を簡単化することができる。
導体製造装置を複合ドライエッチング可能な装置とした
ことで、同一装置内でウエハを異なるドライエッチング
技術の組み合わせによりテッチングできるので、エッチ
ング要求仕様の多様化に対応できるという効果がある。
枚様式半導体製造装置の構成図である。
を示す枚様式半導体製造装置の構成図である。
を示す枚様式半導体製造装置の構成図である。
を示す枚様式半導体製造装置の構成図である。
系、 20…反応性スパッタエッチング容器、 23,
37…ガスボンベ、 25…高周波電源、 30…マイ
クロ波放電容器、 32…永久磁石、 33…マイクロ
波発生器、 34…導波管、 35…磁場発生用コイ
ル、 40…ウエハ
Claims (5)
- 【請求項1】プラズマ発生方法の異なる複数のププラズ
マ処理工程を用い連続してウエハーを処理する際に、前
記異なるプラズマ発生方法のうち少なくとも一つのプラ
ズマ処理工程を二度行なうことを特徴とする半導体製造
方法。 - 【請求項2】前記異なるプラズマ発生方法が、反応性ス
パッタエッチング及びマイクロ波プラズマエッチングで
ある請求項1記載の半導体製造方法。 - 【請求項3】反応室内でウエハを一枚毎ドライプロセス
にてエッチング処理するプラズマ処理装置において、第
1のプラズマ処理装置と、該第1のプラズマ処理装置と
は種類の異なる第2のプラズマ処理装置とからなり、 前記第1のプラズマ処理装置は複数の反応室を備えてい
ることを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項4】前記第1のプラズマ処理装置を反応性スパ
ッタエッチング装置、前記第2のプラズマ処理装置をマ
イクロ波プラズマエッチング装置とした請求項3記載の
半導体製造装置。 - 【請求項5】前記第1のプラズマ処理装置をマイクロ波
プラズマエッチング装置、前記第2のプラズマ処理装置
を反応性スパッタエッチング装置とした請求項3記載の
半導体製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5330599A JP2624158B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | プラズマエッチング方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5330599A JP2624158B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | プラズマエッチング方法及び装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58144941A Division JPS6037129A (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | 半導体製造装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8221180A Division JP3052264B2 (ja) | 1996-08-22 | 1996-08-22 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08181106A true JPH08181106A (ja) | 1996-07-12 |
JP2624158B2 JP2624158B2 (ja) | 1997-06-25 |
Family
ID=18234461
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5330599A Expired - Lifetime JP2624158B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | プラズマエッチング方法及び装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2624158B2 (ja) |
-
1993
- 1993-12-27 JP JP5330599A patent/JP2624158B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2624158B2 (ja) | 1997-06-25 |
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