JPH0817970A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
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- JPH0817970A JPH0817970A JP15018494A JP15018494A JPH0817970A JP H0817970 A JPH0817970 A JP H0817970A JP 15018494 A JP15018494 A JP 15018494A JP 15018494 A JP15018494 A JP 15018494A JP H0817970 A JPH0817970 A JP H0817970A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 電流リークが殆ど生じることのない耐水性の
優れた樹脂封止型半導体装置を製造し得る樹脂封止型半
導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 本発明は、複数の半導体チップを形成した半
導体ウエハを粘着テープ上に接着し、前記複数の半導体
チップを個々に分割した後、前記粘着テープから各半導
体チップを分離し、この半導体チップを用いて樹脂封止
型半導体装置を製造する方法において、前記粘着テープ
から各半導体チップを分離した後であって各該半導体チ
ップを樹脂封止する前に、当該半導体チップの表面を選
択的に導電防止処理することを特徴とする樹脂封止型半
導体装置の製造方法である。
優れた樹脂封止型半導体装置を製造し得る樹脂封止型半
導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 本発明は、複数の半導体チップを形成した半
導体ウエハを粘着テープ上に接着し、前記複数の半導体
チップを個々に分割した後、前記粘着テープから各半導
体チップを分離し、この半導体チップを用いて樹脂封止
型半導体装置を製造する方法において、前記粘着テープ
から各半導体チップを分離した後であって各該半導体チ
ップを樹脂封止する前に、当該半導体チップの表面を選
択的に導電防止処理することを特徴とする樹脂封止型半
導体装置の製造方法である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型半導体装置
の製造方法に関する。
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ダイオード、トランジスタ、ＩＣ等の半
導体装置は、半導体チップを水分、機械的ストレス等か
ら保護するためにモールド樹脂で封止された樹脂封止型
のものが一般的に使用されている。この樹脂封止型の半
導体装置は、従来次のようにして製造されている。
導体装置は、半導体チップを水分、機械的ストレス等か
ら保護するためにモールド樹脂で封止された樹脂封止型
のものが一般的に使用されている。この樹脂封止型の半
導体装置は、従来次のようにして製造されている。
【０００３】樹脂封止型ダイオードの製造方法を例にと
ると、シリコン基板を備えた半導体ウエハ上に複数のダ
イオードチップを一体的に形成した半導体ウエハを、粘
着テープ上に接着する。そして、上記半導体ウエハを、
その複数のダイオードチップを個々に分割するべく、ダ
イサーを用いて切断するか、もしくは切り込んだ後機械
的にブレイクする。粘着テープ上において個々に分割さ
れた複数のダイオードチップは、上記粘着テープを加熱
することにより該粘着テープから分離される。こうして
得られたダイオードチップは、チップ表面に付着してい
る接着剤を除去するために、この接着剤を溶解し得る例
えばアセトン、トリプレン等の有機溶剤で洗浄され、一
対のリードフレームに接続されてエポキシ樹脂等の熱硬
化性樹脂を用いてモールド樹脂で封止される。
ると、シリコン基板を備えた半導体ウエハ上に複数のダ
イオードチップを一体的に形成した半導体ウエハを、粘
着テープ上に接着する。そして、上記半導体ウエハを、
その複数のダイオードチップを個々に分割するべく、ダ
イサーを用いて切断するか、もしくは切り込んだ後機械
的にブレイクする。粘着テープ上において個々に分割さ
れた複数のダイオードチップは、上記粘着テープを加熱
することにより該粘着テープから分離される。こうして
得られたダイオードチップは、チップ表面に付着してい
る接着剤を除去するために、この接着剤を溶解し得る例
えばアセトン、トリプレン等の有機溶剤で洗浄され、一
対のリードフレームに接続されてエポキシ樹脂等の熱硬
化性樹脂を用いてモールド樹脂で封止される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の樹脂封止型ダイオードは、上記洗浄に用いられる有
機溶剤中に含まれる導電性物質としての炭素物質が、ダ
イオードチップの表面に付着した状態でモールド樹脂さ
れているので、これを高湿度の環境下にさらした場合
に、図４に示すように、水分３１がモールド樹脂３２と
リードフレーム３３との界面からリードフレーム３３の
表面づたいにモールド樹脂３２内に侵入して、この水分
３１と炭素物質３５とが上記ダイオードチップ３４の表
面上で接触して電気的に導通するため、通常の電流ルー
ト（ダイオードチップ３４内部を通るルート）以外で、
ダイオードチップ３４の表面づたいに電流が印加されて
電流リークが起こるといった不良が多発していた。
来の樹脂封止型ダイオードは、上記洗浄に用いられる有
機溶剤中に含まれる導電性物質としての炭素物質が、ダ
イオードチップの表面に付着した状態でモールド樹脂さ
れているので、これを高湿度の環境下にさらした場合
に、図４に示すように、水分３１がモールド樹脂３２と
リードフレーム３３との界面からリードフレーム３３の
表面づたいにモールド樹脂３２内に侵入して、この水分
３１と炭素物質３５とが上記ダイオードチップ３４の表
面上で接触して電気的に導通するため、通常の電流ルー
ト（ダイオードチップ３４内部を通るルート）以外で、
ダイオードチップ３４の表面づたいに電流が印加されて
電流リークが起こるといった不良が多発していた。
【０００５】本発明は以上のような状況下で考え出され
たもので、電流リークが略生じることのない耐水性の優
れた樹脂封止型半導体装置を製造し得る樹脂封止型半導
体装置の製造方法を提供することを目的とする。
たもので、電流リークが略生じることのない耐水性の優
れた樹脂封止型半導体装置を製造し得る樹脂封止型半導
体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明は、複数の半導体チップを形成した半導体ウエ
ハを粘着テープ上に接着し、複数の半導体チップを個々
に分割した後、粘着テープから各半導体チップを分離
し、この半導体チップを用いて樹脂封止型半導体装置を
製造する方法において、粘着テープから各半導体チップ
を分離した後であって各該半導体チップを樹脂封止する
前に、当該半導体チップの表面を選択的に導電防止処理
することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法
を提供するものである。
に本発明は、複数の半導体チップを形成した半導体ウエ
ハを粘着テープ上に接着し、複数の半導体チップを個々
に分割した後、粘着テープから各半導体チップを分離
し、この半導体チップを用いて樹脂封止型半導体装置を
製造する方法において、粘着テープから各半導体チップ
を分離した後であって各該半導体チップを樹脂封止する
前に、当該半導体チップの表面を選択的に導電防止処理
することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法
を提供するものである。
【０００７】また、本発明は、更に、半導体チップの表
面をフッ酸で処理することにより導電防止処理を行うこ
とを特徴とする上記の樹脂封止型半導体装置の製造方法
を提供するものである。
面をフッ酸で処理することにより導電防止処理を行うこ
とを特徴とする上記の樹脂封止型半導体装置の製造方法
を提供するものである。
【０００８】
【発明の作用及び効果】この構成において、粘着テープ
上の半導体ウエハから個々に分割および分離された半導
体チップは、その表面に付着した粘着テープの接着剤を
剥離するために例えばアセトン等の有機溶剤で洗浄され
るが、この際に該表面に有機溶剤中の炭素物質等の導電
物質が付着する。このような半導体チップは、その表面
をフッ酸等により処理されることにより、該表面に形成
されている例えばガラス膜の表層部が上記フッ酸と反応
して該フッ酸中に溶解されるので、上記ガラス膜上に付
着していた導電物質は、ガラス膜の表層部の溶解ととも
に除去され、この状態で樹脂封止されることになる。
上の半導体ウエハから個々に分割および分離された半導
体チップは、その表面に付着した粘着テープの接着剤を
剥離するために例えばアセトン等の有機溶剤で洗浄され
るが、この際に該表面に有機溶剤中の炭素物質等の導電
物質が付着する。このような半導体チップは、その表面
をフッ酸等により処理されることにより、該表面に形成
されている例えばガラス膜の表層部が上記フッ酸と反応
して該フッ酸中に溶解されるので、上記ガラス膜上に付
着していた導電物質は、ガラス膜の表層部の溶解ととも
に除去され、この状態で樹脂封止されることになる。
【０００９】従って、本発明によれば、半導体チップ表
面の任意の箇所を不導電状態とするような、半導体チッ
プ表面の選択的な導電防止処理を施すことが可能とな
り、例えば半導体チップ表面を通じた通常ルート外での
電流リークを略防ぐことが可能となる。
面の任意の箇所を不導電状態とするような、半導体チッ
プ表面の選択的な導電防止処理を施すことが可能とな
り、例えば半導体チップ表面を通じた通常ルート外での
電流リークを略防ぐことが可能となる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の一実施例を、半導体装置とし
てダイオードを例にとり、図１〜図３を参照しつつ説明
するが、本発明はこれに限定されるものでない。図１
は、樹脂封止型のダイオードを示す一部切欠き断面図で
ある。このダイオードは、ダイオードチップ１をその上
下面を銅からなる一対のリードフレーム２で半田ペース
ト（図示せず）を介して挟むように接続した状態で、エ
ポキシ樹脂からなるモールド樹脂３により樹脂封止され
てなるものである。
てダイオードを例にとり、図１〜図３を参照しつつ説明
するが、本発明はこれに限定されるものでない。図１
は、樹脂封止型のダイオードを示す一部切欠き断面図で
ある。このダイオードは、ダイオードチップ１をその上
下面を銅からなる一対のリードフレーム２で半田ペース
ト（図示せず）を介して挟むように接続した状態で、エ
ポキシ樹脂からなるモールド樹脂３により樹脂封止され
てなるものである。
【００１１】上記ダイオードチップ１は、シリコン基板
４上にＰ層、Ｎ層を積層してなるＰＮ接合部５（図中に
は積層状態を記載せず）を設けた、いわゆるメサ型構造
を有するものであり、また、上記ＰＮ接合部５の両側面
（図中の左右両側面）はそれぞれテーパ形状となってお
り、このテーパに沿ってガラス膜６が形成されている。
４上にＰ層、Ｎ層を積層してなるＰＮ接合部５（図中に
は積層状態を記載せず）を設けた、いわゆるメサ型構造
を有するものであり、また、上記ＰＮ接合部５の両側面
（図中の左右両側面）はそれぞれテーパ形状となってお
り、このテーパに沿ってガラス膜６が形成されている。
【００１２】また、上記リードフレーム２は、モールド
樹脂３の両側面よりそれぞれ突出した状態で樹脂封止さ
れている。このような構成のダイオードは、図２（ａ）
および図２（ｂ）に示すように、以下の手順で製造され
る。まず、複数のダイオードチップ１を平面上に一体的
に形成した半導体ウエハ７を、上面に接着剤層８が設け
られたＰＶＣ樹脂からなる粘着テープ９上に接着し、次
いで、この半導体ウエハ７を、周面に切断刃を備えた円
板状のダイサー（図示せず）を用いて、複数のダイオー
ドチップ１に個々に分割するべく、図２（ａ）に示すよ
うな状態に切断する。上記粘着テープ９は、上面が平面
形状である架台（図示せず）上に張設した状態となって
いる。そして、粘着テープ９上において個々に分割され
た複数のダイオードチップ１を、上記粘着テープ９とと
もにトリクレンからなる有機溶剤中に約１分間浸積する
ことにより、該粘着テープ９から個々に分離する。
樹脂３の両側面よりそれぞれ突出した状態で樹脂封止さ
れている。このような構成のダイオードは、図２（ａ）
および図２（ｂ）に示すように、以下の手順で製造され
る。まず、複数のダイオードチップ１を平面上に一体的
に形成した半導体ウエハ７を、上面に接着剤層８が設け
られたＰＶＣ樹脂からなる粘着テープ９上に接着し、次
いで、この半導体ウエハ７を、周面に切断刃を備えた円
板状のダイサー（図示せず）を用いて、複数のダイオー
ドチップ１に個々に分割するべく、図２（ａ）に示すよ
うな状態に切断する。上記粘着テープ９は、上面が平面
形状である架台（図示せず）上に張設した状態となって
いる。そして、粘着テープ９上において個々に分割され
た複数のダイオードチップ１を、上記粘着テープ９とと
もにトリクレンからなる有機溶剤中に約１分間浸積する
ことにより、該粘着テープ９から個々に分離する。
【００１３】このとき、ダイオードチップ１は、その表
面に付着した粘着テープ９の接着剤層８を有機溶剤中に
おいて剥離するべく洗浄されるが、この際に該表面に有
機溶剤中の炭素物質９１（導電物質）が付着する。その
後に、ダイオードチップ１を、有機溶剤中から取り出し
てフッ化水素を含む水溶液（フッ酸）中に約１分間浸積
する。
面に付着した粘着テープ９の接着剤層８を有機溶剤中に
おいて剥離するべく洗浄されるが、この際に該表面に有
機溶剤中の炭素物質９１（導電物質）が付着する。その
後に、ダイオードチップ１を、有機溶剤中から取り出し
てフッ化水素を含む水溶液（フッ酸）中に約１分間浸積
する。
【００１４】この場合、図２（ｂ）に示すように、ダイ
オードチップ１のガラス膜６の表層部が、上記フッ化水
素と反応して水溶液中に溶解してしまう（ガラス膜６の
厚さ約２５ミクロンに対して溶解される厚さ約１０００
オングストローム）ので、ガラス膜６上では導電物質が
確実に除去されることになる。そして、ダイオードチッ
プ１を、上記水溶液から取り出してシャワー式の水洗を
約１０分間施した後に、個々にリードフレーム２上にダ
イボンディングした後に、モールド樹脂により先述し且
つ図１に示した所定形状に封止する。
オードチップ１のガラス膜６の表層部が、上記フッ化水
素と反応して水溶液中に溶解してしまう（ガラス膜６の
厚さ約２５ミクロンに対して溶解される厚さ約１０００
オングストローム）ので、ガラス膜６上では導電物質が
確実に除去されることになる。そして、ダイオードチッ
プ１を、上記水溶液から取り出してシャワー式の水洗を
約１０分間施した後に、個々にリードフレーム２上にダ
イボンディングした後に、モールド樹脂により先述し且
つ図１に示した所定形状に封止する。
【００１５】このような方法により製造される樹脂封止
型ダイオードは、例えば温度８５度、湿度８５％といっ
た高温高湿の環境下にさらされた場合に、水分１０がモ
ールド樹脂３とリードフレーム２との界面からリードフ
レーム２の表面づたいにモールド樹脂３内に侵入して
も、ガラス膜６上に炭素物質９１が一切存在しないの
で、対抗するリードフレーム２間においてダイオードチ
ップ１表面を通じた電流リークが無くなり、常にダイオ
ードチップ１内部を通るルートで電流を印加することが
可能となるのである。
型ダイオードは、例えば温度８５度、湿度８５％といっ
た高温高湿の環境下にさらされた場合に、水分１０がモ
ールド樹脂３とリードフレーム２との界面からリードフ
レーム２の表面づたいにモールド樹脂３内に侵入して
も、ガラス膜６上に炭素物質９１が一切存在しないの
で、対抗するリードフレーム２間においてダイオードチ
ップ１表面を通じた電流リークが無くなり、常にダイオ
ードチップ１内部を通るルートで電流を印加することが
可能となるのである。
【００１６】すなわち、本発明によれば、半導体チップ
表面の任意の箇所を不導電状態とするような、半導体チ
ップ表面の選択的な導電防止処理を施すことが可能とな
り、高湿環境下にさらされても、半導体チップ表面を通
じるような通常ルート外での電流リークが生じない耐湿
性の優れた樹脂封止型半導体装置を提供することが可能
となる。
表面の任意の箇所を不導電状態とするような、半導体チ
ップ表面の選択的な導電防止処理を施すことが可能とな
り、高湿環境下にさらされても、半導体チップ表面を通
じるような通常ルート外での電流リークが生じない耐湿
性の優れた樹脂封止型半導体装置を提供することが可能
となる。
【００１７】本実施例では、ダイオードチップをフッ化
水素を含む水溶液で処理することにより導電防止処理を
行っているが、これに限定するものでなく、図３に示す
ように有機溶剤による洗浄後にダイオードチップ１１の
左右両側面にガラス等の絶縁膜１２をスクリーン印刷等
の塗布により形成しても、ダイオードチップ１１の表面
に付着した炭素物質１３を覆うようにして導電防止処理
を行うことができる。
水素を含む水溶液で処理することにより導電防止処理を
行っているが、これに限定するものでなく、図３に示す
ように有機溶剤による洗浄後にダイオードチップ１１の
左右両側面にガラス等の絶縁膜１２をスクリーン印刷等
の塗布により形成しても、ダイオードチップ１１の表面
に付着した炭素物質１３を覆うようにして導電防止処理
を行うことができる。
【００１８】また、本実施例では、ダイオードチップを
フッ化水素を含む水溶液中に約１分間浸積しているが、
これに限定するものでなく、ガラス膜を溶解する厚さに
よって浸積時間を変化させればよい。さらに、本実施例
では、粘着テープ９上のダイオードチップ１を、有機溶
剤中に浸積することにより、該粘着テープ９から分離し
ているが、これに限定するものでなく、粘着テープ９を
加熱して接着剤の接着力を弱めることにより、粘着テー
プ９から分離することも可能である。
フッ化水素を含む水溶液中に約１分間浸積しているが、
これに限定するものでなく、ガラス膜を溶解する厚さに
よって浸積時間を変化させればよい。さらに、本実施例
では、粘着テープ９上のダイオードチップ１を、有機溶
剤中に浸積することにより、該粘着テープ９から分離し
ているが、これに限定するものでなく、粘着テープ９を
加熱して接着剤の接着力を弱めることにより、粘着テー
プ９から分離することも可能である。
【００１９】加えて、本実施例では、半導体ウエハを、
ダイサーにより複数の半導体チップに個々に分割してい
るが、これに限定するものでなく、半導体ウエハに予め
切断用のスリットを設け、後に機械的にブレイクするこ
とも可能である。また、本実施例では、ダイオードを例
にとっているが、これに限定するものでなく、ＩＣ等の
樹脂封止型半導体装置に適用可能である。
ダイサーにより複数の半導体チップに個々に分割してい
るが、これに限定するものでなく、半導体ウエハに予め
切断用のスリットを設け、後に機械的にブレイクするこ
とも可能である。また、本実施例では、ダイオードを例
にとっているが、これに限定するものでなく、ＩＣ等の
樹脂封止型半導体装置に適用可能である。
【図１】ダイオードの製造途中の形態を示す一部切欠き
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法を説
明する説明図である。
明する説明図である。
【図３】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法の変
形例を説明する説明図である。
形例を説明する説明図である。
【図４】従来の方法により製造された樹脂封止型半導体
装置を高湿環境下にさらした際の状態を説明する説明図
である。
装置を高湿環境下にさらした際の状態を説明する説明図
である。
１ ダイオードチップ ２ リードフレーム ３ モールド樹脂 ４ シリコン基板 ５ ＰＮ接合部 ６ ガラス膜 ７ 半導体ウエハ ８ 接着剤層 ９ 粘着テープ １０ 水分 １１ ダイオードチップ １２ 絶縁膜 １３ 炭素物質 ９１ 炭素物質
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/02 Ｚ Ｈ０１Ｌ 21/78 Ｐ
Claims (2)
- 【請求項１】 複数の半導体チップを形成した半導体ウ
エハを粘着テープ上に接着し、前記複数の半導体チップ
を個々に分割した後、前記粘着テープから各半導体チッ
プを分離し、この半導体チップを用いて樹脂封止型半導
体装置を製造する方法において、 前記粘着テープから各半導体チップを分離した後であっ
て各該半導体チップを樹脂封止する前に、当該半導体チ
ップの表面を選択的に導電防止処理することを特徴とす
る樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記半導体チップの表面をフッ酸で処理
することにより導電防止処理を行うことを特徴とする請
求項１に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15018494A JPH0817970A (ja) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15018494A JPH0817970A (ja) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0817970A true JPH0817970A (ja) | 1996-01-19 |
Family
ID=15491353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15018494A Pending JPH0817970A (ja) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0817970A (ja) |
-
1994
- 1994-06-30 JP JP15018494A patent/JPH0817970A/ja active Pending
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