JPH08176851A - ドライエッチング方法 - Google Patents
ドライエッチング方法Info
- Publication number
- JPH08176851A JPH08176851A JP32265994A JP32265994A JPH08176851A JP H08176851 A JPH08176851 A JP H08176851A JP 32265994 A JP32265994 A JP 32265994A JP 32265994 A JP32265994 A JP 32265994A JP H08176851 A JPH08176851 A JP H08176851A
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- JP
- Japan
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- solid
- molecular beam
- dry etching
- substrate
- crucible
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Abstract
(57)【要約】
【構成】エッチングガスとしてのハロゲンを、固体ハロ
ゲン化合物（ＺｎＣｌ2）３の蒸気６として供給する。 【効果】エッチングガス供給源が固体であるため、従来
のように毒性・腐食性をもつハロゲンを気体のまま供給
源として用いる場合に比べ、取扱い時の人体への危険性
が大幅に低減される。また、固体ハロゲン化合物はドラ
イエッチング装置内に設置して用いることができるた
め、ガス管を要せず、装置構成が簡素化される。
ゲン化合物（ＺｎＣｌ2）３の蒸気６として供給する。 【効果】エッチングガス供給源が固体であるため、従来
のように毒性・腐食性をもつハロゲンを気体のまま供給
源として用いる場合に比べ、取扱い時の人体への危険性
が大幅に低減される。また、固体ハロゲン化合物はドラ
イエッチング装置内に設置して用いることができるた
め、ガス管を要せず、装置構成が簡素化される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は金属や半導体などの固体
試料のドライエッチング方法に関し、特にエッチングガ
スを安全に供給する方法に関する。
試料のドライエッチング方法に関し、特にエッチングガ
スを安全に供給する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】金属や半導体などの固体試料のエッチン
グ方法には、エッチャントとして液体を用いるウェット
エッチング法と、気体を用いるドライエッチング法があ
る。近年、デバイスの高集積化や高機能化に伴いサブミ
クロンオーダの微細加工技術が必要となっているが、こ
れには微細性のみならず、制御性や再現性及び均一性に
優れたドライエッチング方法の利用が不可欠になってい
る。従来のドライエッチング方法におけるエッチングガ
スの供給源としては、主にハロゲンガスが用いられてき
た。例えば、ＧａＡｓをエッチングするにはＣｌ2 ガス
の使用がジャーナル・オブ・バキューム・サイエンス・
アンド・テクノロジー（Ｊｏｕｒｎａｌｏｆ Ｖａｃｕ
ｍ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）
Ｂ、Ｖｏｌ．５，Ｎｏ．４，１９８７，ｐｐ．８９４−
９０１に記載されており、又Ｃｌ2 化合物の使用がジャ
ーナル・オブ・クリスタル・グロウス（Ｊｏｕｒｎａｌ
ｏｆ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ）Ｖｏｌ．１３
５，１９９４，ｐｐ．３７７−３８２に記載されてい
る。
グ方法には、エッチャントとして液体を用いるウェット
エッチング法と、気体を用いるドライエッチング法があ
る。近年、デバイスの高集積化や高機能化に伴いサブミ
クロンオーダの微細加工技術が必要となっているが、こ
れには微細性のみならず、制御性や再現性及び均一性に
優れたドライエッチング方法の利用が不可欠になってい
る。従来のドライエッチング方法におけるエッチングガ
スの供給源としては、主にハロゲンガスが用いられてき
た。例えば、ＧａＡｓをエッチングするにはＣｌ2 ガス
の使用がジャーナル・オブ・バキューム・サイエンス・
アンド・テクノロジー（Ｊｏｕｒｎａｌｏｆ Ｖａｃｕ
ｍ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）
Ｂ、Ｖｏｌ．５，Ｎｏ．４，１９８７，ｐｐ．８９４−
９０１に記載されており、又Ｃｌ2 化合物の使用がジャ
ーナル・オブ・クリスタル・グロウス（Ｊｏｕｒｎａｌ
ｏｆ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ）Ｖｏｌ．１３
５，１９９４，ｐｐ．３７７−３８２に記載されてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述した
従来のドライエッチング方法では、一般に、毒性や腐食
性をもつハロゲンガスをそのまま供給源として用いるた
め、その取扱いの際に人体に危険を及ぼす可能性が大き
いという問題点があった。また、ハロゲンガスの供給に
おいてはガス管等を配置しなければならない為、エッチ
ング装置が複雑になるという問題点があった。
従来のドライエッチング方法では、一般に、毒性や腐食
性をもつハロゲンガスをそのまま供給源として用いるた
め、その取扱いの際に人体に危険を及ぼす可能性が大き
いという問題点があった。また、ハロゲンガスの供給に
おいてはガス管等を配置しなければならない為、エッチ
ング装置が複雑になるという問題点があった。
【０００４】本発明の目的は、エッチングガスとしてハ
ロゲンを用いる際に生じる取扱い上の危険性や装置の複
雑さを解決したドライエッチング方法を提供することに
ある。
ロゲンを用いる際に生じる取扱い上の危険性や装置の複
雑さを解決したドライエッチング方法を提供することに
ある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のドライエッチン
グ方法は、固体ハロゲン化合物を加熱し発生した蒸気の
分子線を被エッチング試料に照射することを特徴とす
る。
グ方法は、固体ハロゲン化合物を加熱し発生した蒸気の
分子線を被エッチング試料に照射することを特徴とす
る。
【０００６】
【作用】本発明においては、エッチングガスとしてのハ
ロゲンを、固体ハロゲン化合物の蒸気として供給する。
エッチングガス供給源が固体であるため取扱い時に人体
への危険性が大幅に低減される。また、ドライエッチン
グ装置内に設置して用いることができるため、ガス管等
が不要となり、装置構成が簡素化される。
ロゲンを、固体ハロゲン化合物の蒸気として供給する。
エッチングガス供給源が固体であるため取扱い時に人体
への危険性が大幅に低減される。また、ドライエッチン
グ装置内に設置して用いることができるため、ガス管等
が不要となり、装置構成が簡素化される。
【０００７】
【実施例】次に本発明を図面を参照して説明する。図１
は本発明の一実施例を説明するためのエッチング装置の
構成図である。
は本発明の一実施例を説明するためのエッチング装置の
構成図である。
【０００８】まず、真空槽１内に設置した坩堝２に固体
塩化亜鉛（ＺｎＣｌ2 ）３を入れる。この時、ＺｎＣｌ
2 の大気圧下での融点は３６５℃なので、常温では大気
に拡散しない為、人体に危険はない。次に真空槽１を真
空ポンプ４で１ｘ１０-9Ｔｏｒｒに排気する。次に、Ｚ
ｎＣｌ2 ３を入れた坩堝２を坩堝用のヒータ５により２
００℃に加熱し塩化亜鉛の分子線を発生させる。この分
子線６を基板用ヒータ７により３００℃に保持されＳｉ
Ｏ2 等のマスクが形成されたＺｎＳｅ基板８に照射する
ことにより、ＺｎＳｅ基板８の所定部分をエッチングす
る。この時のエッチング速度は約１０ｎｍ／ｍｉｎであ
り、十分実用に適するものである。
塩化亜鉛（ＺｎＣｌ2 ）３を入れる。この時、ＺｎＣｌ
2 の大気圧下での融点は３６５℃なので、常温では大気
に拡散しない為、人体に危険はない。次に真空槽１を真
空ポンプ４で１ｘ１０-9Ｔｏｒｒに排気する。次に、Ｚ
ｎＣｌ2 ３を入れた坩堝２を坩堝用のヒータ５により２
００℃に加熱し塩化亜鉛の分子線を発生させる。この分
子線６を基板用ヒータ７により３００℃に保持されＳｉ
Ｏ2 等のマスクが形成されたＺｎＳｅ基板８に照射する
ことにより、ＺｎＳｅ基板８の所定部分をエッチングす
る。この時のエッチング速度は約１０ｎｍ／ｍｉｎであ
り、十分実用に適するものである。
【０００９】尚、上記実施例においてはエッチャントと
してＺｎＣｌ2 を用いた場合について説明したが、Ａｌ
Ｃｌ2 ，ＳｂＣｌ3 ，ＧａＣｌ3 ，ＡｌＦ3 ，Ｓｂ
Ｉ3 ，ＺｎＦ2 等を用いることもできる。
してＺｎＣｌ2 を用いた場合について説明したが、Ａｌ
Ｃｌ2 ，ＳｂＣｌ3 ，ＧａＣｌ3 ，ＡｌＦ3 ，Ｓｂ
Ｉ3 ，ＺｎＦ2 等を用いることもできる。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、エッチン
グガスとしてのハロゲンを、固体ハロゲン化合物の蒸気
として供給するため、従来のように毒性・腐食性をもつ
ハロゲンガスを気体のまま供給源として用いる場合に比
べ、取扱い時の人体への危険性が大幅に低減される。ま
た、固体ハロゲン化合物はドライエッチング装置内に設
置して用いることができるため、ガス管等が必要でなく
なり装置構成を簡素化することができる。
グガスとしてのハロゲンを、固体ハロゲン化合物の蒸気
として供給するため、従来のように毒性・腐食性をもつ
ハロゲンガスを気体のまま供給源として用いる場合に比
べ、取扱い時の人体への危険性が大幅に低減される。ま
た、固体ハロゲン化合物はドライエッチング装置内に設
置して用いることができるため、ガス管等が必要でなく
なり装置構成を簡素化することができる。
【図１】本発明の一実施例を説明する為のエッチング装
置の構成図である。
置の構成図である。
１ 真空槽 ２ 坩堝 ３ 固体塩化亜鉛 ４ 真空ポンプ ５ ヒータ ６ 分子線 ７ 基板用ヒータ ８ ＺｎＳｅ基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｚ
Claims (1)
- 【請求項１】 真空槽内で固体ハロゲン化合物を加熱し
発生した蒸気の分子線を被エッチング試料に照射してエ
ッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6322659A JP2682479B2 (ja) | 1994-12-26 | 1994-12-26 | ドライエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6322659A JP2682479B2 (ja) | 1994-12-26 | 1994-12-26 | ドライエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08176851A true JPH08176851A (ja) | 1996-07-09 |
| JP2682479B2 JP2682479B2 (ja) | 1997-11-26 |
Family
ID=18146171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6322659A Expired - Lifetime JP2682479B2 (ja) | 1994-12-26 | 1994-12-26 | ドライエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2682479B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110050331A (zh) * | 2016-12-09 | 2019-07-23 | Asm Ip 控股有限公司 | 热原子层蚀刻工艺 |
| US11183367B2 (en) | 2016-12-22 | 2021-11-23 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer etching processes |
| US11437249B2 (en) | 2019-07-18 | 2022-09-06 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead device for semiconductor processing system |
| US11574813B2 (en) | 2019-12-10 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer etching |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61270830A (ja) * | 1985-05-24 | 1986-12-01 | Nec Corp | 表面清浄化方法 |
| JPH02230719A (ja) * | 1989-03-03 | 1990-09-13 | Nec Corp | 薄膜成長・加工装置 |
-
1994
- 1994-12-26 JP JP6322659A patent/JP2682479B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61270830A (ja) * | 1985-05-24 | 1986-12-01 | Nec Corp | 表面清浄化方法 |
| JPH02230719A (ja) * | 1989-03-03 | 1990-09-13 | Nec Corp | 薄膜成長・加工装置 |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110050331B (zh) * | 2016-12-09 | 2023-07-25 | Asm Ip 控股有限公司 | 热原子层蚀刻工艺 |
| KR20190093593A (ko) * | 2016-12-09 | 2019-08-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 열적 원자층 식각 공정 |
| JP2020501373A (ja) * | 2016-12-09 | 2020-01-16 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | 熱原子層エッチングプロセス |
| CN110050331A (zh) * | 2016-12-09 | 2019-07-23 | Asm Ip 控股有限公司 | 热原子层蚀刻工艺 |
| US11230770B2 (en) | 2016-12-09 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Thermal atomic layer etching processes |
| US11230769B2 (en) | 2016-12-09 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Thermal atomic layer etching processes |
| US11739428B2 (en) | 2016-12-09 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Thermal atomic layer etching processes |
| US11739427B2 (en) | 2016-12-09 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Thermal atomic layer etching processes |
| US11183367B2 (en) | 2016-12-22 | 2021-11-23 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer etching processes |
| US11640899B2 (en) | 2016-12-22 | 2023-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer etching processes |
| US12094686B2 (en) | 2016-12-22 | 2024-09-17 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer etching processes |
| US11437249B2 (en) | 2019-07-18 | 2022-09-06 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead device for semiconductor processing system |
| US11948813B2 (en) | 2019-07-18 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead device for semiconductor processing system |
| US11574813B2 (en) | 2019-12-10 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer etching |
| US12040195B2 (en) | 2019-12-10 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer etching |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2682479B2 (ja) | 1997-11-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19970708 |