JPS61236123A - 真空処理装置 - Google Patents

真空処理装置

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Publication number
JPS61236123A
JPS61236123A JP7657185A JP7657185A JPS61236123A JP S61236123 A JPS61236123 A JP S61236123A JP 7657185 A JP7657185 A JP 7657185A JP 7657185 A JP7657185 A JP 7657185A JP S61236123 A JPS61236123 A JP S61236123A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
temperature
pump
mechanical booster
booster pump
processing chamber
Prior art date
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Pending
Application number
JP7657185A
Other languages
English (en)
Inventor
Hirohide Omoto
大本　博秀
Makoto Marumoto
丸本　愿
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP7657185A priority Critical patent/JPS61236123A/ja
Publication of JPS61236123A publication Critical patent/JPS61236123A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting

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  • Power Engineering (AREA)
  • Compressors, Vaccum Pumps And Other Relevant Systems (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は真空処理装置に係り、特にプロセスガスな導入
し試料の処理を行うのに好適な真空処理゛　　装置に関
するものである。
〔発明の背景〕
従来の装置は、例えば特開昭５６−７７３８１号公報に
記載のように、エツチング中のエツチング室を排気する
排気装置において、ルーツポンプによりまず排気して、
トラップを介して油回転ポンプによりさらに排気するも
のがある。
本従来装置は、ＣＰａやＣＣｌ４等のへロゲン元素を含
むエツチングガスな、使用するもので、排気装置の保護
からトラップを設けたものであるが、ルーツポンプにつ
いての保護は考慮さｎ、てぃなかった。
〔発明の目的〕
本発明は、排気装置の熱付加手段を付けることにより、
処理室内での処理によって生成さｊ、排気さｒる反応生
成物の付着を防止し、排気装置の保護が行える真空処理
装置を提供することにある。
〔発明の概要〕
本発明は、処理室と、前記処理室内を真空排気する排気
装置と、前記処理室内にプロセスガスな供給するガス供
給装置と、前記排気装置を加熱する熱付加手段とかる成
ることを特徴とし、排気装置に熱付加手段を付けること
により、処理室内での処理によって生成さｎ排気さｒる
反応生成物の付着を防止し、排気装置の保護ができるよ
うｔこしたものである。
〔発明の実施例〕
以下、未発明の一実施例を第１図により説明する。
■はエツチング処理を行う処理室、２はエツチングさす
るＡｌの基板、３はエツチング時のプロセスガスである
塩素系カスのガス供給装置、４は処理室フ内の基板２を
載置するテーブルｔこ高周波電力を印加する高周波電源
、５は処理室】の圧力を調整する圧力調整バルブ、６は
処理室】を真空排気する排気装置であるメカニカルブー
スタポンプ、８は排気装置６を加熱する熱付加手段例え
ばヒータ、９はヒータ８＃こより加熱さｒたメカニカル
ブースタポンプ６の温度を測定する温度センサ、３０は
温度センサ９によりヒータ８を制御する温度制御ユニッ
トである。７は油回転ポンプである。
上記構成−こよって、エツチング処理時の反応生成物で
あるＡ　ｌ　ｃ　ｌ　ｓは、温度２７℃における蒸気圧
が１．２　ｘ　１０　　’Ｔｏｒｒで非常に低いため、
メカニカルブースタポンプ６の内面に付着しやすく、そ
の為メカニカルブースタポンプ６の損傷を早めるため、
メカニカルブースタポンプ６の内面の温度をヒータ８に
よって上げてやり１反応生成物の凝縮を防ぎ、メカニカ
ルブースタポンプ６への付着を防止する。メカニカルブ
ースタポンプ６の温度は、温度センサ９により測定し、
温度制御ユニット】０１こよって４０℃〜６０℃位１こ
調整さｎ、る。
メカニカルブースタポンプ６の温度をあまり高くすると
、メカニカルブースタポンプ６自体の寿命が短くなる為
、温度はあまり高くできない。
以上木−実施例によｎ、ば、ｋｌの基板２をエツチング
する時ｌｃ発生する反応生成物が、メカニカルブースタ
ポンプ６に付着しないので、メカニカルブースタポンプ
の寿命が低びるとともに、メンテナンス周期を大幅に延
長できる。
〔発明の効果〕
未発明によｎば、排気装置に熱付加手段を付けることに
より、処理室内での処理によって生成さｎ排出さする反
応生成物の付着を防止できるので、排気装置の保護が行
えるという効果がある。
９面の簡単な説明 第１図は未発明の一実施例である真空処理装置を示す構
成図である。
】・・・・・・処理室、３・曲・ガス供給装置、６・・
・・・・排気装置、８・・・・・・ヒータ、９・・・・
・・温度センサ、、１゜・・・・・・温度制御ユニット 代理人　弁理士　　小　川　勝　男″−ゝ、／−−−−
−−一処理生 ３−−−−一力゛ス麿匂皓４鉋【 ６・−−一−−−何氏装盈 ８・−−−−−と−７ ９−−−−−−−ｕ乞傅

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、処理室と、前記処理室内を真空排気する排気装置と
    、前記処理室内にプロセスガスを供給するガス供給装置
    と、前記排気装置を加熱する熱付加手段とから成ること
    を特徴とする真空処理装置。
JP7657185A 1985-04-12 1985-04-12 真空処理装置 Pending JPS61236123A (ja)

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JP7657185A JPS61236123A (ja) 1985-04-12 1985-04-12 真空処理装置

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JPS61236123A true JPS61236123A (ja) 1986-10-21

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01306580A (ja) * 1988-06-01 1989-12-11 Mitsubishi Electric Corp エツチング装置
WO2001096744A1 (fr) * 2000-06-15 2001-12-20 Alcatel Regulation thermique a debit et temperature de refroidissement constants pour dispositif de generation de vide

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01306580A (ja) * 1988-06-01 1989-12-11 Mitsubishi Electric Corp エツチング装置
WO2001096744A1 (fr) * 2000-06-15 2001-12-20 Alcatel Regulation thermique a debit et temperature de refroidissement constants pour dispositif de generation de vide
FR2810375A1 (fr) * 2000-06-15 2001-12-21 Cit Alcatel Regulation thermique a debit et temperature de refroidissement constants pour dispositif de generation de vide

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