JPH08171954A - 接点材料及びそれを用いた接点部材 - Google Patents
接点材料及びそれを用いた接点部材Info
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- JPH08171954A JPH08171954A JP33410894A JP33410894A JPH08171954A JP H08171954 A JPH08171954 A JP H08171954A JP 33410894 A JP33410894 A JP 33410894A JP 33410894 A JP33410894 A JP 33410894A JP H08171954 A JPH08171954 A JP H08171954A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 接点部材の耐酸化性、耐摩耗性、挿抜性を向
上させ、安定的に接触抵抗を低くさせることができ、か
つ、低コストで得られる接点材料を得る。 【構成】 接点材料を、Ｐｄ−Ｐｂ、Ｐｄ−Ｐｂ−Ｓ
ｎ、Ｐｄ−Ｓｎ、Ｐｄ−Ｉｎ、Ｐｄ−Ｎｉ−Ｓｎ、Ｐｄ
−Ｎｉ−Ｐｂ、Ｐｄ−Ｎｉ−Ｐｂ−Ｓｎ、Ｐｄ−Ｎｉ、
Ｐｄ−Ｃｕ及びＰｄ−Ｓｎ−Ｉｎから選ばれるＰｄ系合
金を用いて構成する。このＰｄ系合金には、さらにＰ、
Ｂ、Ｒｈ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｂｉ、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｍ
ｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ｗ、Ａｓ及びＳｂの少なくとも
１種を含有させることが好ましい。接点部材は、その基
材金属上にＰｄ系合金を無電解メッキすることにより形
成する。
上させ、安定的に接触抵抗を低くさせることができ、か
つ、低コストで得られる接点材料を得る。 【構成】 接点材料を、Ｐｄ−Ｐｂ、Ｐｄ−Ｐｂ−Ｓ
ｎ、Ｐｄ−Ｓｎ、Ｐｄ−Ｉｎ、Ｐｄ−Ｎｉ−Ｓｎ、Ｐｄ
−Ｎｉ−Ｐｂ、Ｐｄ−Ｎｉ−Ｐｂ−Ｓｎ、Ｐｄ−Ｎｉ、
Ｐｄ−Ｃｕ及びＰｄ−Ｓｎ−Ｉｎから選ばれるＰｄ系合
金を用いて構成する。このＰｄ系合金には、さらにＰ、
Ｂ、Ｒｈ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｂｉ、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｍ
ｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ｗ、Ａｓ及びＳｂの少なくとも
１種を含有させることが好ましい。接点部材は、その基
材金属上にＰｄ系合金を無電解メッキすることにより形
成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、耐摩耗性、挿抜性に優
れた接点材料、及びそれを用いて形成した接点部材に関
する。
れた接点材料、及びそれを用いて形成した接点部材に関
する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、ＩＣカード、ＩＣソケット、コ
ネクタ、リレー、スイッチ等の接点部材は、黄銅、リン
青銅、洋白、ベリリウム銅、４２アロイ等の基材金属か
ら形成されているが、これらの接点部材には、酸化され
にくく、潤滑性や挿抜性に優れ、接触抵抗が低いという
特性が要求される。
ネクタ、リレー、スイッチ等の接点部材は、黄銅、リン
青銅、洋白、ベリリウム銅、４２アロイ等の基材金属か
ら形成されているが、これらの接点部材には、酸化され
にくく、潤滑性や挿抜性に優れ、接触抵抗が低いという
特性が要求される。
【０００３】そこで、従来より、接点部材の基材金属上
には、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ等の貴金属、あるいは、Ｒｈ、
Ｓｎ、Ｓｎ−Ｐｂ、Ｐｂ等の卑金属からなるメッキ被膜
が形成されている。
には、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ等の貴金属、あるいは、Ｒｈ、
Ｓｎ、Ｓｎ−Ｐｂ、Ｐｂ等の卑金属からなるメッキ被膜
が形成されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような接点部材の
メッキ被膜のうち、Ａｇは固有抵抗が低い点で最も効果
的な接点材料である。しかしながら、ＡｇはＨ2ＳやＳ
Ｏ2等と極めて容易にＡｇＳを形成するので、接点部材
の接触抵抗が急激に高くなるという問題がある。Ａｕは
化学的に安定であり、表面に酸化被膜を形成することが
なく、また、柔らかく潤滑性も優れているので接触信頼
性を高めることができる。しかし、材料価格が非常に高
いという問題がある。
メッキ被膜のうち、Ａｇは固有抵抗が低い点で最も効果
的な接点材料である。しかしながら、ＡｇはＨ2ＳやＳ
Ｏ2等と極めて容易にＡｇＳを形成するので、接点部材
の接触抵抗が急激に高くなるという問題がある。Ａｕは
化学的に安定であり、表面に酸化被膜を形成することが
なく、また、柔らかく潤滑性も優れているので接触信頼
性を高めることができる。しかし、材料価格が非常に高
いという問題がある。
【０００５】低価格で柔らかい材料としてはＳｎ−Ｐｂ
合金があるが、このＳｎ−Ｐｂ合金は大気中で容易に酸
化され、接点部材の接触抵抗の増加を引き起こすという
問題がある。
合金があるが、このＳｎ−Ｐｂ合金は大気中で容易に酸
化され、接点部材の接触抵抗の増加を引き起こすという
問題がある。
【０００６】低価格の材料としてはＰｄもあげることが
できる。Ｐｄは、耐摩耗性に優れ、接触抵抗も低いとい
う利点も有する。しかし、水素を吸蔵しやすく、水素の
吸蔵によりクラック等が発生するという問題がある。
できる。Ｐｄは、耐摩耗性に優れ、接触抵抗も低いとい
う利点も有する。しかし、水素を吸蔵しやすく、水素の
吸蔵によりクラック等が発生するという問題がある。
【０００７】本発明は以上のような従来技術の課題を解
決しようとするものであり、酸化されにくく、耐摩耗
性、挿抜性に優れ、安定的に接点部材の接触抵抗を低く
することができ、低コストで得られる新たな接点材料を
提供することを目的とする。
決しようとするものであり、酸化されにくく、耐摩耗
性、挿抜性に優れ、安定的に接点部材の接触抵抗を低く
することができ、低コストで得られる新たな接点材料を
提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者は、接点部材の
メッキ被膜を形成する接点材料として、特定のＰｄ系合
金が好適であることを見出し、本発明を完成させるに至
った。
メッキ被膜を形成する接点材料として、特定のＰｄ系合
金が好適であることを見出し、本発明を完成させるに至
った。
【０００９】即ち、本発明は、Ｐｄ−Ｐｂ、Ｐｄ−Ｐｂ
−Ｓｎ、Ｐｄ−Ｓｎ、Ｐｄ−Ｉｎ、Ｐｄ−Ｎｉ−Ｓｎ、
Ｐｄ−Ｎｉ−Ｐｂ、Ｐｄ−Ｎｉ−Ｐｂ−Ｓｎ、Ｐｄ−Ｎ
ｉ、Ｐｄ−Ｃｕ及びＰｄ−Ｓｎ−Ｉｎから選ばれるＰｄ
系合金を含むことを特徴とする接点材料を提供する。
−Ｓｎ、Ｐｄ−Ｓｎ、Ｐｄ−Ｉｎ、Ｐｄ−Ｎｉ−Ｓｎ、
Ｐｄ−Ｎｉ−Ｐｂ、Ｐｄ−Ｎｉ−Ｐｂ−Ｓｎ、Ｐｄ−Ｎ
ｉ、Ｐｄ−Ｃｕ及びＰｄ−Ｓｎ−Ｉｎから選ばれるＰｄ
系合金を含むことを特徴とする接点材料を提供する。
【００１０】また、本発明は、このような接点材料から
なる被膜を基材金属上に形成した接点部材を提供する。
なる被膜を基材金属上に形成した接点部材を提供する。
【００１１】以下、本発明を詳細に説明する。
【００１２】本発明の接点材料は、Ｐｄ−Ｐｂ、Ｐｄ−
Ｐｂ−Ｓｎ、Ｐｄ−Ｓｎ、Ｐｄ−Ｉｎ、Ｐｄ−Ｎｉ−Ｓ
ｎ、Ｐｄ−Ｎｉ−Ｐｂ、Ｐｄ−Ｎｉ−Ｐｂ−Ｓｎ、Ｐｄ
−Ｎｉ、Ｐｄ−Ｃｕ及びＰｄ−Ｓｎ−Ｉｎから選ばれる
Ｐｄ系合金を含むことを特徴としている。このようなＰ
ｄ系合金は、耐酸化性、耐摩耗性、挿抜性に優れ、安定
的に接点部材の接触抵抗を低くするという接点材料とし
て優れた特性を有し、かつ、低コストで得られるという
利点を有する。なかでも、耐酸化性の点から、Ｐｄが２
０〜９０重量％、Ｓｎ、Ｐｂが５〜３０重量％含まれる
Ｐｄ系合金が好ましい。
Ｐｂ−Ｓｎ、Ｐｄ−Ｓｎ、Ｐｄ−Ｉｎ、Ｐｄ−Ｎｉ−Ｓ
ｎ、Ｐｄ−Ｎｉ−Ｐｂ、Ｐｄ−Ｎｉ−Ｐｂ−Ｓｎ、Ｐｄ
−Ｎｉ、Ｐｄ−Ｃｕ及びＰｄ−Ｓｎ−Ｉｎから選ばれる
Ｐｄ系合金を含むことを特徴としている。このようなＰ
ｄ系合金は、耐酸化性、耐摩耗性、挿抜性に優れ、安定
的に接点部材の接触抵抗を低くするという接点材料とし
て優れた特性を有し、かつ、低コストで得られるという
利点を有する。なかでも、耐酸化性の点から、Ｐｄが２
０〜９０重量％、Ｓｎ、Ｐｂが５〜３０重量％含まれる
Ｐｄ系合金が好ましい。
【００１３】またこのようなＰｄ系合金には、さらに
Ｐ、Ｂ、Ｒｈ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｂｉ、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｒｕ、
Ｍｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ｗ、Ｓｂ及びＡｓの少なくと
も１種を含有させることが好ましい。これにより耐酸化
性、耐摩耗性、挿抜性を一層向上させることが可能とな
る。この場合、Ｐ、Ｂ等は、Ｐｄ系合金中０．１〜２０
重量％とすることが好ましい。
Ｐ、Ｂ、Ｒｈ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｂｉ、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｒｕ、
Ｍｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ｗ、Ｓｂ及びＡｓの少なくと
も１種を含有させることが好ましい。これにより耐酸化
性、耐摩耗性、挿抜性を一層向上させることが可能とな
る。この場合、Ｐ、Ｂ等は、Ｐｄ系合金中０．１〜２０
重量％とすることが好ましい。
【００１４】本発明の接点部材は、このような接点材料
からなる被膜を基材金属上に形成したものである。
からなる被膜を基材金属上に形成したものである。
【００１５】この場合、基材金属は、従来のＩＣカー
ド、ＩＣソケット等の接点部材の基材金属と同様の形状
に構成することができる。また、基材金属の種類につい
ても従来のＩＣカード、ＩＣソケット等の接点部材と同
様に、黄銅、リン青銅、洋白、ベリリウム銅、４２アロ
イ等とすることができる。
ド、ＩＣソケット等の接点部材の基材金属と同様の形状
に構成することができる。また、基材金属の種類につい
ても従来のＩＣカード、ＩＣソケット等の接点部材と同
様に、黄銅、リン青銅、洋白、ベリリウム銅、４２アロ
イ等とすることができる。
【００１６】基材金属上に本発明の接点材料からなる被
膜を形成する方法としては、無電解メッキが好ましい。
これにより、基材金属が凹凸の入り組んだ表面形状を有
していても、所定の膜厚の被膜を均一に形成することが
可能となる。
膜を形成する方法としては、無電解メッキが好ましい。
これにより、基材金属が凹凸の入り組んだ表面形状を有
していても、所定の膜厚の被膜を均一に形成することが
可能となる。
【００１７】この場合の無電解メッキの条件は、接点部
材の用途、当該基材金属や接点材料の種類等に応じて適
宜定めることができる。例えば、Ｃｕ製の基材金属上に
本発明の接点材料としてＰｄ−Ｐｂ−Ｓｎ−Ｐ系合金を
メッキする場合、無電解メッキ液として、０．００１〜
２モル／ｌ、好ましくは０．０１〜０．５モル／ｌのパ
ラジウム化合物、０．００１〜２モル／ｌ、好ましくは
０．０１〜０．５モル／ｌの鉛化合物、０．００１〜５
モル／ｌ、好ましくは０．０１〜２モル／ｌの錫化合
物、及び０．０１〜２モル／ｌ、好ましくは０．１〜
０．５モル／ｌのリン化合物（還元剤）を含有するメッ
キ液を調製し、ｐＨ１〜１３、好ましくはｐＨ３〜１
０、温度３０〜９５℃、好ましくは４０〜９３℃という
条件で無電解メッキを行うことができる。
材の用途、当該基材金属や接点材料の種類等に応じて適
宜定めることができる。例えば、Ｃｕ製の基材金属上に
本発明の接点材料としてＰｄ−Ｐｂ−Ｓｎ−Ｐ系合金を
メッキする場合、無電解メッキ液として、０．００１〜
２モル／ｌ、好ましくは０．０１〜０．５モル／ｌのパ
ラジウム化合物、０．００１〜２モル／ｌ、好ましくは
０．０１〜０．５モル／ｌの鉛化合物、０．００１〜５
モル／ｌ、好ましくは０．０１〜２モル／ｌの錫化合
物、及び０．０１〜２モル／ｌ、好ましくは０．１〜
０．５モル／ｌのリン化合物（還元剤）を含有するメッ
キ液を調製し、ｐＨ１〜１３、好ましくはｐＨ３〜１
０、温度３０〜９５℃、好ましくは４０〜９３℃という
条件で無電解メッキを行うことができる。
【００１８】基材金属上に形成する被膜の厚さは、接点
部材の用途、当該基材金属や接点材料の種類等に応じて
適宜定めることができるが、一般には０．１〜５０μｍ
程度とすることが好ましい。
部材の用途、当該基材金属や接点材料の種類等に応じて
適宜定めることができるが、一般には０．１〜５０μｍ
程度とすることが好ましい。
【００１９】また、本発明の接点材料からなる被膜は基
材金属上に直接形成することができるが、これに先立っ
て、予め、基材金属表面にＮｉ系メッキ被膜を形成し、
その上に本発明の接点材料からなる被膜を形成してもよ
い。これにより接点寿命を延ばすことが可能となる。こ
のようなＮｉ系メッキ被膜としては、例えば、Ｎｉ被
膜、Ｎｉ−Ｐ被膜、Ｎｉ−Ｂ被膜を形成することができ
る。また、Ｎｉ系メッキ被膜の形成方法は、無電解メッ
キあるいは電解メッキ等により形成することができる
が、複雑な表面形状の基材金属上に均一な被膜を形成す
る点からは無電解メッキが好ましい。
材金属上に直接形成することができるが、これに先立っ
て、予め、基材金属表面にＮｉ系メッキ被膜を形成し、
その上に本発明の接点材料からなる被膜を形成してもよ
い。これにより接点寿命を延ばすことが可能となる。こ
のようなＮｉ系メッキ被膜としては、例えば、Ｎｉ被
膜、Ｎｉ−Ｐ被膜、Ｎｉ−Ｂ被膜を形成することができ
る。また、Ｎｉ系メッキ被膜の形成方法は、無電解メッ
キあるいは電解メッキ等により形成することができる
が、複雑な表面形状の基材金属上に均一な被膜を形成す
る点からは無電解メッキが好ましい。
【００２０】このようにして得られる本発明の接点部材
は、ＩＣカード、ＩＣソケット、コネクタ、リレー、ス
イッチ等の各種接点部材として有用なものとなる。
は、ＩＣカード、ＩＣソケット、コネクタ、リレー、ス
イッチ等の各種接点部材として有用なものとなる。
【００２１】
【作用】本発明の接点材料は特定のＰｄ系合金からなる
ので、この被膜を表面に形成した接点部材は、酸化され
にくく、その接触抵抗は安定的に低いものとなる。ま
た、耐摩耗性、挿抜性にも優れたものとなる。
ので、この被膜を表面に形成した接点部材は、酸化され
にくく、その接触抵抗は安定的に低いものとなる。ま
た、耐摩耗性、挿抜性にも優れたものとなる。
【００２２】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説
明する。
明する。
【００２３】以下の実施例１〜４、比較例１〜２に記載
したように、市販の２６ピンの２ピースコネクタに、表
１に示したＮｉ系被膜とＰｄ系合金被膜を順次形成し
た。
したように、市販の２６ピンの２ピースコネクタに、表
１に示したＮｉ系被膜とＰｄ系合金被膜を順次形成し
た。
【００２４】実施例１ 市販の２６ピンの２ピースコネクタに、常法により脱
脂、酸洗処理を行い、次いで、以下のようにして無電解
Ｎｉメッキを行った。即ち、硫酸ニッケル１０ｇ／ｌ、
クエン酸アンモニウム２０ｇ／ｌ、次亜リン酸ソーダ１
０ｇ／ｌからなるメッキ液を調製し、ｐＨ４．５、９０
℃で１５分間メッキし、厚さ３μｍのＮｉ系被膜（被膜
組成：Ｎｉ９０％、Ｐ１０％）を形成した。
脂、酸洗処理を行い、次いで、以下のようにして無電解
Ｎｉメッキを行った。即ち、硫酸ニッケル１０ｇ／ｌ、
クエン酸アンモニウム２０ｇ／ｌ、次亜リン酸ソーダ１
０ｇ／ｌからなるメッキ液を調製し、ｐＨ４．５、９０
℃で１５分間メッキし、厚さ３μｍのＮｉ系被膜（被膜
組成：Ｎｉ９０％、Ｐ１０％）を形成した。
【００２５】次に、水洗後、Ｎｉ系被膜上に以下のよう
にしてＰｄ系合金被膜を形成した。即ち、ＰｄＣｌ2２
ｇ／ｌ、塩化鉛１０ｇ／ｌ、塩化第一錫１０ｇ／ｌ、ク
エン酸アンモニウム２０ｇ／ｌ、酒石酸アンモニウム２
０ｇ／ｌ、次亜リン酸ソーダ２０ｇ／ｌからなるＰｄ系
合金メッキ液を調製し、ｐＨ４．５、８０℃で４０分間
メッキし、厚さ３μｍのＰｄ系合金被膜（被膜組成：Ｐ
ｄ７０％、Ｐｂ２０％、Ｓｎ５％、Ｐ５％）を形成し
た。
にしてＰｄ系合金被膜を形成した。即ち、ＰｄＣｌ2２
ｇ／ｌ、塩化鉛１０ｇ／ｌ、塩化第一錫１０ｇ／ｌ、ク
エン酸アンモニウム２０ｇ／ｌ、酒石酸アンモニウム２
０ｇ／ｌ、次亜リン酸ソーダ２０ｇ／ｌからなるＰｄ系
合金メッキ液を調製し、ｐＨ４．５、８０℃で４０分間
メッキし、厚さ３μｍのＰｄ系合金被膜（被膜組成：Ｐ
ｄ７０％、Ｐｂ２０％、Ｓｎ５％、Ｐ５％）を形成し
た。
【００２６】Ｐｄ系合金被膜形成後、乾燥し、さらに１
５０℃で約２時間ベーキング処理を行うことにより吸蔵
されている水素を除去し、実施例１のコネクタを得た。
５０℃で約２時間ベーキング処理を行うことにより吸蔵
されている水素を除去し、実施例１のコネクタを得た。
【００２７】実施例２ 実施例１の方法に準じて、次のようにしてコネクタを作
製した。即ち、市販の２６ピンの２ピースコネクタに実
施例１と同様にＮｉ系被膜を形成し、水洗した。
製した。即ち、市販の２６ピンの２ピースコネクタに実
施例１と同様にＮｉ系被膜を形成し、水洗した。
【００２８】次に、ＰｄＣｌ2２ｇ／ｌ、塩化鉛１０ｇ
／ｌ、クエン酸アンモニウム２０ｇ／ｌ、酒石酸アンモ
ニウム２０ｇ／ｌ、次亜リン酸ソーダ３０ｇ／ｌからな
るＰｄ系合金メッキ液を調製し、ｐＨ４．５、８０℃で
４０分間メッキし、厚さ３μｍのＰｄ系合金被膜（被膜
組成：Ｐｄ６５％、Ｐｂ３０％、Ｐ５％）を形成した。
／ｌ、クエン酸アンモニウム２０ｇ／ｌ、酒石酸アンモ
ニウム２０ｇ／ｌ、次亜リン酸ソーダ３０ｇ／ｌからな
るＰｄ系合金メッキ液を調製し、ｐＨ４．５、８０℃で
４０分間メッキし、厚さ３μｍのＰｄ系合金被膜（被膜
組成：Ｐｄ６５％、Ｐｂ３０％、Ｐ５％）を形成した。
【００２９】Ｐｄ系合金被膜形成後、乾燥し、さらに１
５０℃で約２時間ベーキング処理を行うことにより吸蔵
されている水素を除去し、実施例２のコネクタを得た。
５０℃で約２時間ベーキング処理を行うことにより吸蔵
されている水素を除去し、実施例２のコネクタを得た。
【００３０】実施例３ 実施例１の方法に準じて、次のようにしてコネクタを作
製した。即ち、市販の２６ピンの２ピースコネクタに実
施例１と同様にＮｉ系被膜を形成し、水洗した。
製した。即ち、市販の２６ピンの２ピースコネクタに実
施例１と同様にＮｉ系被膜を形成し、水洗した。
【００３１】次に、ＰｄＣｌ2２ｇ／ｌ、塩化第一錫２
０ｇ／ｌ、クエン酸アンモニウム２０ｇ／ｌ、酒石酸ア
ンモニウム１０ｇ／ｌ、次亜リン酸ソーダ２０ｇ／ｌか
らなるＰｄ系合金メッキ液を調製し、ｐＨ５．０、８０
℃で４０分間メッキし、厚さ３μｍのＰｄ系合金被膜
（被膜組成：Ｐｄ８５％、Ｓｎ１０％、Ｐ５％）を形成
した。
０ｇ／ｌ、クエン酸アンモニウム２０ｇ／ｌ、酒石酸ア
ンモニウム１０ｇ／ｌ、次亜リン酸ソーダ２０ｇ／ｌか
らなるＰｄ系合金メッキ液を調製し、ｐＨ５．０、８０
℃で４０分間メッキし、厚さ３μｍのＰｄ系合金被膜
（被膜組成：Ｐｄ８５％、Ｓｎ１０％、Ｐ５％）を形成
した。
【００３２】Ｐｄ系合金被膜形成後、乾燥し、さらに１
５０℃で約２時間ベーキング処理を行うことにより吸蔵
されている水素を除去し、実施例３のコネクタを得た。
５０℃で約２時間ベーキング処理を行うことにより吸蔵
されている水素を除去し、実施例３のコネクタを得た。
【００３３】実施例４ 実施例１の方法に準じて、次のようにしてコネクタを作
製した。即ち、市販の２６ピンの２ピースコネクタに実
施例１と同様にＮｉ系被膜を形成し、水洗した。
製した。即ち、市販の２６ピンの２ピースコネクタに実
施例１と同様にＮｉ系被膜を形成し、水洗した。
【００３４】次に、ＰｄＣｌ2２ｇ／ｌ、塩化鉛１０ｇ
／ｌ、クエン酸アンモニウム２０ｇ／ｌ、酒石酸アンモ
ニウム２０ｇ／ｌ、ソジウムボロハイドライド（ＮａＨ
ＢＯ4）５ｇ／ｌからなるＰｄ系合金メッキ液を調製
し、ｐＨ６．６、６０℃で３０分間メッキし、厚さ３μ
ｍのＰｄ系合金被膜（被膜組成：Ｐｄ６５％、Ｐｂ３０
％、Ｂ５％）を形成した。
／ｌ、クエン酸アンモニウム２０ｇ／ｌ、酒石酸アンモ
ニウム２０ｇ／ｌ、ソジウムボロハイドライド（ＮａＨ
ＢＯ4）５ｇ／ｌからなるＰｄ系合金メッキ液を調製
し、ｐＨ６．６、６０℃で３０分間メッキし、厚さ３μ
ｍのＰｄ系合金被膜（被膜組成：Ｐｄ６５％、Ｐｂ３０
％、Ｂ５％）を形成した。
【００３５】Ｐｄ系合金被膜形成後、乾燥し、さらに１
５０℃で約２時間ベーキング処理を行うことにより吸蔵
されている水素を除去し、実施例４のコネクタを得た。
５０℃で約２時間ベーキング処理を行うことにより吸蔵
されている水素を除去し、実施例４のコネクタを得た。
【００３６】比較例１、２ 実施例１の方法に準じて、次のようにしてコネクタを作
製した。即ち、市販の２６ピンの２ピースコネクタに実
施例１と同様にＮｉ系被膜を形成し、水洗した。次に、
常法にしたがって、Ａｕメッキ（比較例１）あるいはＡ
ｕ−Ｃｏメッキ（比較例２）を行った。
製した。即ち、市販の２６ピンの２ピースコネクタに実
施例１と同様にＮｉ系被膜を形成し、水洗した。次に、
常法にしたがって、Ａｕメッキ（比較例１）あるいはＡ
ｕ−Ｃｏメッキ（比較例２）を行った。
【００３７】評価 (1) 挿抜性の評価 実施例及び比較例のコネクタの挿抜を繰り返し、挿抜１
０００回毎にプッシュ−プルゲージ（push-pull gauge
）でコネクタの挿入力及び引張力を測定した。この結
果を表１に示す。
０００回毎にプッシュ−プルゲージ（push-pull gauge
）でコネクタの挿入力及び引張力を測定した。この結
果を表１に示す。
【００３８】
【表１】 Ni系被膜 Pd系被膜 挿入力／引張力 厚 (μm) 種類 ：厚 (μm) (1回) (1000回) (10000 回) 実施例１ 3 Pd-Pb-Sn-P： 3 800/700 700/500 700/450 ２ 3 Pd-Pb-P ： 3 850/750 730/560 700/550 ３ 3 Pd-Sn-P ： 3 700/750 750/600 730/680 ４ 3 Pd-Pb-B ： 3 830/740 700/600 700/650 比較例１ 3 Au ： 0.2 900/600 600/400 800/600 ２ 3 Au-Co 0.5 1000/650 850/500 1000/850 表１から、本発明の実施例１〜４のコネクタでは、１０
００回目の挿抜と１００００回目の挿抜とについて、挿
入力及び引張力共に大きな差異はなく、安定的な挿抜性
を示しているが、比較例のコネクタでは１０００回目よ
りも１００００回目の方が挿入力及び引張力共に大きく
なっており、安定的な挿抜性を得られないことがわか
る。
００回目の挿抜と１００００回目の挿抜とについて、挿
入力及び引張力共に大きな差異はなく、安定的な挿抜性
を示しているが、比較例のコネクタでは１０００回目よ
りも１００００回目の方が挿入力及び引張力共に大きく
なっており、安定的な挿抜性を得られないことがわか
る。
【００３９】(2) 接触抵抗の評価 実施例１のコネクタの接触抵抗を、加速劣化試験の前後
で測定した。この場合、加速劣化試験は、温度８０℃、
湿度１００％に２００時間放置することにより行った。
で測定した。この場合、加速劣化試験は、温度８０℃、
湿度１００％に２００時間放置することにより行った。
【００４０】その結果、実施例１の接触抵抗は加速劣化
試験前後でほとんど変化せず、１〜２ｍΩであった。こ
の値は、Ａｇ又はＡｕの被膜を有する従来のコネクタで
あって、加速劣化試験に供する前のものの接触抵抗値と
同程度である。したがって、本発明によれば、コネクタ
の接触抵抗を安定的に大きく低減させられることがわか
る。
試験前後でほとんど変化せず、１〜２ｍΩであった。こ
の値は、Ａｇ又はＡｕの被膜を有する従来のコネクタで
あって、加速劣化試験に供する前のものの接触抵抗値と
同程度である。したがって、本発明によれば、コネクタ
の接触抵抗を安定的に大きく低減させられることがわか
る。
【００４１】
【発明の効果】本発明の接点材料によれば、酸化されに
くく、耐摩耗性、挿抜性に優れ、接触抵抗が安定的に低
い接点部材を低コストに製造することが可能となる。
くく、耐摩耗性、挿抜性に優れ、接触抵抗が安定的に低
い接点部材を低コストに製造することが可能となる。
Claims (4)
- 【請求項１】 Ｐｄ−Ｐｂ、Ｐｄ−Ｐｂ−Ｓｎ、Ｐｄ−
Ｓｎ、Ｐｄ−Ｉｎ、Ｐｄ−Ｎｉ−Ｓｎ、Ｐｄ−Ｎｉ−Ｐ
ｂ、Ｐｄ−Ｎｉ−Ｐｂ−Ｓｎ、Ｐｄ−Ｎｉ、Ｐｄ−Ｃｕ
及びＰｄ−Ｓｎ−Ｉｎから選ばれるＰｄ系合金を含むこ
とを特徴とする接点材料。 - 【請求項２】 Ｐｄ系合金が、さらにＰ、Ｂ、Ｒｈ、Ｃ
ｕ、Ａｇ、Ｂｉ、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｐ
ｔ、Ｚｎ、Ｗ、Ｓｂ及びＡｓの少なくとも１種を含有す
る請求項１記載の接点材料。 - 【請求項３】 基材金属上に請求項１又は２記載の接点
材料からなる被膜が形成されていることを特徴とする接
点部材。 - 【請求項４】 請求項１又は２記載の接点材料からなる
被膜が、無電解メッキ被膜である請求項２記載の接点部
材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33410894A JPH08171954A (ja) | 1994-12-16 | 1994-12-16 | 接点材料及びそれを用いた接点部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33410894A JPH08171954A (ja) | 1994-12-16 | 1994-12-16 | 接点材料及びそれを用いた接点部材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08171954A true JPH08171954A (ja) | 1996-07-02 |
Family
ID=18273619
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33410894A Pending JPH08171954A (ja) | 1994-12-16 | 1994-12-16 | 接点材料及びそれを用いた接点部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08171954A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003323929A (ja) * | 2002-02-26 | 2003-11-14 | Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk | 耐アーク性端子対 |
| WO2013168764A1 (ja) * | 2012-05-11 | 2013-11-14 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | コネクタ用めっき端子および端子対 |
-
1994
- 1994-12-16 JP JP33410894A patent/JPH08171954A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003323929A (ja) * | 2002-02-26 | 2003-11-14 | Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk | 耐アーク性端子対 |
| WO2013168764A1 (ja) * | 2012-05-11 | 2013-11-14 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | コネクタ用めっき端子および端子対 |
| CN104303371A (zh) * | 2012-05-11 | 2015-01-21 | 株式会社自动网络技术研究所 | 连接器用镀敷端子以及端子对 |
| JP5696811B2 (ja) * | 2012-05-11 | 2015-04-08 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | コネクタ用めっき端子および端子対 |
| US9673547B2 (en) | 2012-05-11 | 2017-06-06 | Autonetworks Technologies, Ltd. | Plated terminal for connector and terminal pair |
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