JPH08167567A - 走査型露光装置 - Google Patents
走査型露光装置Info
- Publication number
- JPH08167567A JPH08167567A JP6332967A JP33296794A JPH08167567A JP H08167567 A JPH08167567 A JP H08167567A JP 6332967 A JP6332967 A JP 6332967A JP 33296794 A JP33296794 A JP 33296794A JP H08167567 A JPH08167567 A JP H08167567A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- scanning
- original plate
- mask
- projection optical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optical Systems Of Projection Type Copiers (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は走査型露光装置において、スループツ
ト及び露光精度を維持して大画面の原板の像を被露光体
に露光する。 【構成】原板（３）をほぼ鉛直に支持することにより、
原板（３）のたわみによる投影光学系（２）の不都合を
未然に防止し得、さらに等倍かつ正立の像の投影光学系
（２）を複数配置することにより、原板（３）をほぼ鉛
直に支持しても、被露光体（４）を一体に支持する支持
手段（７）を水平方向に走査するだけで露光でき、鉛直
方向にステツプ又はスキヤン駆動する必要がない分、全
体の構成を簡略化し得る。また露光自体を一度のアライ
メントと一度の走査で完了するため、複数回のアライメ
ント及び走査露光を必要とする従来の露光方法と比較し
て、スループツトを向上し得る。
ト及び露光精度を維持して大画面の原板の像を被露光体
に露光する。 【構成】原板（３）をほぼ鉛直に支持することにより、
原板（３）のたわみによる投影光学系（２）の不都合を
未然に防止し得、さらに等倍かつ正立の像の投影光学系
（２）を複数配置することにより、原板（３）をほぼ鉛
直に支持しても、被露光体（４）を一体に支持する支持
手段（７）を水平方向に走査するだけで露光でき、鉛直
方向にステツプ又はスキヤン駆動する必要がない分、全
体の構成を簡略化し得る。また露光自体を一度のアライ
メントと一度の走査で完了するため、複数回のアライメ
ント及び走査露光を必要とする従来の露光方法と比較し
て、スループツトを向上し得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は走査型露光装置に関し、
例えば液晶表示デバイスの製造に用いられるものに適用
し得る。
例えば液晶表示デバイスの製造に用いられるものに適用
し得る。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の走査型露光装置において
は、原板でなるマスクと被露光体でなる感光基板とを位
置的に整合させた後、これらのマスク及び感光基板を投
影光学系に対して一体的にスキヤンすることにより、マ
スクの像を感光基板に転写するものがある（特開昭６１
−１８８９３３号公報）。この露光装置において、マス
クは水平に支持され、感光基板側にＸ、Ｙ、θ方向に移
動可能なステージを有して構成される。なお感光基板側
のステージは、スキヤン方向と直交する方向（Ｘ方向）
にステツプ移動のための大きなストロークが必要され
る。
は、原板でなるマスクと被露光体でなる感光基板とを位
置的に整合させた後、これらのマスク及び感光基板を投
影光学系に対して一体的にスキヤンすることにより、マ
スクの像を感光基板に転写するものがある（特開昭６１
−１８８９３３号公報）。この露光装置において、マス
クは水平に支持され、感光基板側にＸ、Ｙ、θ方向に移
動可能なステージを有して構成される。なお感光基板側
のステージは、スキヤン方向と直交する方向（Ｘ方向）
にステツプ移動のための大きなストロークが必要され
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで上述した露光
装置においては、マスクと感光基板とをキヤリツジ上に
載せ、これらを投影光学系に対してスキヤン移動させる
ことにより、画面全体を露光している。しかし最近画面
の大型化や、パネルの多面取り化が進んでおり、露光範
囲を大きくし、かつスキヤン長を伸ばす必要があること
から、露光装置自体が大型化してくるという問題があつ
た。この問題を解決するため、画面を分割してスキヤン
焼きを複数回に分けて行なういわゆるステツプ及びスキ
ヤン焼方法が考えられ、液晶デバイス等のように大型で
単一有効画面を有するものの製造に適用される。
装置においては、マスクと感光基板とをキヤリツジ上に
載せ、これらを投影光学系に対してスキヤン移動させる
ことにより、画面全体を露光している。しかし最近画面
の大型化や、パネルの多面取り化が進んでおり、露光範
囲を大きくし、かつスキヤン長を伸ばす必要があること
から、露光装置自体が大型化してくるという問題があつ
た。この問題を解決するため、画面を分割してスキヤン
焼きを複数回に分けて行なういわゆるステツプ及びスキ
ヤン焼方法が考えられ、液晶デバイス等のように大型で
単一有効画面を有するものの製造に適用される。
【０００４】ところがステツプ及びスキヤン焼方法で
は、露光するスキヤン方向以外に必ずそのスキヤン方向
と直交する方向に、マスクと光学系、又は感光基板をス
テツプさせる必要がある。これは露光装置の構造を複雑
にするだけでなく、高精度に隣合う露光領域同士を継ぐ
ためには、ステツプ毎にマスクと感光基板をアライメン
トする必要があり、スループツトを大きく損うという問
題があつた。
は、露光するスキヤン方向以外に必ずそのスキヤン方向
と直交する方向に、マスクと光学系、又は感光基板をス
テツプさせる必要がある。これは露光装置の構造を複雑
にするだけでなく、高精度に隣合う露光領域同士を継ぐ
ためには、ステツプ毎にマスクと感光基板をアライメン
トする必要があり、スループツトを大きく損うという問
題があつた。
【０００５】さらに大画面に対応する大型マスクを水平
方向に吸着し支持すると、図３に示すように、マスク自
重によるたわみが発生する。投影光学系のテレセントリ
ツクの度合いすなわちフオーカス位置からのずれに応じ
た横シフト量をａとし、マスクのデフオーカス誤差をδ
とし、マスク自重たわみによる幾何学的に発生する変形
量の横シフト量をεとすると、マスクパターンのシフト
誤差Δは、Δ＝ａ・δ＋εで表され、たわみに応じてシ
フト誤差が大きくなる問題があつた。
方向に吸着し支持すると、図３に示すように、マスク自
重によるたわみが発生する。投影光学系のテレセントリ
ツクの度合いすなわちフオーカス位置からのずれに応じ
た横シフト量をａとし、マスクのデフオーカス誤差をδ
とし、マスク自重たわみによる幾何学的に発生する変形
量の横シフト量をεとすると、マスクパターンのシフト
誤差Δは、Δ＝ａ・δ＋εで表され、たわみに応じてシ
フト誤差が大きくなる問題があつた。
【０００６】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、スループツト及び露光精度を維持して大画面の原板
の像を被露光体に露光し得る走査型露光装置を提案しよ
うとするものである。
で、スループツト及び露光精度を維持して大画面の原板
の像を被露光体に露光し得る走査型露光装置を提案しよ
うとするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、原板（３）と被露光体（４）を対
向させてほぼ鉛直に支持する支持手段（７）と、所定の
方向に沿つて配置されると共に原板（３）の等倍かつ正
立の像を被露光体（４）に投影する複数の投影光学系
（２）と、その複数の投影光学系（２）に対して、原板
（３）及び被露光体（４）を同期して、所定の方向と投
影光学系（２）の光軸方向とに直交する方向に走査する
走査手段（８、９）とを設けるようにした。
め本発明においては、原板（３）と被露光体（４）を対
向させてほぼ鉛直に支持する支持手段（７）と、所定の
方向に沿つて配置されると共に原板（３）の等倍かつ正
立の像を被露光体（４）に投影する複数の投影光学系
（２）と、その複数の投影光学系（２）に対して、原板
（３）及び被露光体（４）を同期して、所定の方向と投
影光学系（２）の光軸方向とに直交する方向に走査する
走査手段（８、９）とを設けるようにした。
【０００８】また本発明において、支持手段（７）は、
原板（３）及び被露光体（４）を一体的に支持し、走査
手段（８、９）によつて投影光学系（２）に対して走査
するようにした。
原板（３）及び被露光体（４）を一体的に支持し、走査
手段（８、９）によつて投影光学系（２）に対して走査
するようにした。
【０００９】
【作用】原板（３）をほぼ鉛直に支持することにより、
原板（３）のたわみによる投影光学系（２）の不都合を
未然に防止し得、さらに等倍かつ正立の像の投影光学系
（２）を複数配置することにより露光領域を広くするこ
とができ、原板（３）をほぼ鉛直に支持しても、被露光
体（４）を一体に支持する支持手段（７）を水平方向に
走査するだけで露光でき、鉛直方向にステツプ又はスキ
ヤン駆動する必要がない分、全体の構成を簡略化し得
る。また露光自体を一度のアライメントと一度の走査で
完了するため、複数回のアライメント及び走査露光を必
要とする従来の露光方法と比較して、スループツトを向
上し得る。
原板（３）のたわみによる投影光学系（２）の不都合を
未然に防止し得、さらに等倍かつ正立の像の投影光学系
（２）を複数配置することにより露光領域を広くするこ
とができ、原板（３）をほぼ鉛直に支持しても、被露光
体（４）を一体に支持する支持手段（７）を水平方向に
走査するだけで露光でき、鉛直方向にステツプ又はスキ
ヤン駆動する必要がない分、全体の構成を簡略化し得
る。また露光自体を一度のアライメントと一度の走査で
完了するため、複数回のアライメント及び走査露光を必
要とする従来の露光方法と比較して、スループツトを向
上し得る。
【００１０】
【実施例】以下図面について、本発明の一実施例を詳述
する。
する。
【００１１】図１において、１は全体として本発明によ
る走査型露光装置の概略的な構成を示し、投影光学系２
を挟んで対向するようにマスク３及び感光基板４が配置
されている。このマスク３及び感光基板４をＸ方向に同
期して投影光学系２に対して走査させることにより、マ
スク３上の原画パターンの等倍かつ正立像を感光基板４
に投影露光する。
る走査型露光装置の概略的な構成を示し、投影光学系２
を挟んで対向するようにマスク３及び感光基板４が配置
されている。このマスク３及び感光基板４をＸ方向に同
期して投影光学系２に対して走査させることにより、マ
スク３上の原画パターンの等倍かつ正立像を感光基板４
に投影露光する。
【００１２】この実施例の場合、投影光学系２は例えば
ダイソン光学系を用いて構成されている。投影光学系２
は、何れも等倍正立系の投影レンズを複数内蔵してな
り、この結果得られる感光基板４上の投影領域は、図２
に示すように、隣合う領域同士（例えば、ＰＡ１とＰＡ
２、ＰＡ２とＰＡ３）がＸ方向に所定量変位すように、
かつ隣合う領域の端部同士（図中、破線で示す部分）が
Ｙ方向に重複するように配置される。これに応じて複数
の投影レンズも各投影領域ＰＡ１〜ＰＡ５の配置に応じ
て光学的にＸ方向に所定量変位すると共にＹ方向に重複
して配置されている。
ダイソン光学系を用いて構成されている。投影光学系２
は、何れも等倍正立系の投影レンズを複数内蔵してな
り、この結果得られる感光基板４上の投影領域は、図２
に示すように、隣合う領域同士（例えば、ＰＡ１とＰＡ
２、ＰＡ２とＰＡ３）がＸ方向に所定量変位すように、
かつ隣合う領域の端部同士（図中、破線で示す部分）が
Ｙ方向に重複するように配置される。これに応じて複数
の投影レンズも各投影領域ＰＡ１〜ＰＡ５の配置に応じ
て光学的にＸ方向に所定量変位すると共にＹ方向に重複
して配置されている。
【００１３】すなわちこの露光装置１において、マスク
３及び感光基板４はそれぞれマスクステージ５及び感光
基板ステージ６を介して、Ｘ方向から見た断面が上方向
に開口を有するコ字状のキヤリツジ７に取り付けられて
いる。マスクステージ５はマスク３を吸着固定すると共
に、それぞれＸ方向、Ｙ方向、θZ 方向に駆動し得るよ
うになされ、感光基板ステージ６は感光基板４を吸着固
定し、感光基板４の露光面を投影光学系２のフオーカス
位置に合致させるために、それぞれＺ方向、θX 方向、
θY 方向に駆動し得るようになされている。
３及び感光基板４はそれぞれマスクステージ５及び感光
基板ステージ６を介して、Ｘ方向から見た断面が上方向
に開口を有するコ字状のキヤリツジ７に取り付けられて
いる。マスクステージ５はマスク３を吸着固定すると共
に、それぞれＸ方向、Ｙ方向、θZ 方向に駆動し得るよ
うになされ、感光基板ステージ６は感光基板４を吸着固
定し、感光基板４の露光面を投影光学系２のフオーカス
位置に合致させるために、それぞれＺ方向、θX 方向、
θY 方向に駆動し得るようになされている。
【００１４】キヤリツジ７は、マスク３と感光基板４と
を一体的に移送するようになされ、底面部に形成された
エアーベアリング（図示せず）によつて、Ｘ方向に伸長
したエアーベアリングガイド８上を浮遊移動する。実際
上このキヤリツジ７は、両側面に形成されたリニアモー
タ９によつて駆動される。なお投影光学系２、エアーベ
アリングガイド８、リニアモータ９の固定子は、除振装
置上に形成された装置定盤１０上に形成されている。
を一体的に移送するようになされ、底面部に形成された
エアーベアリング（図示せず）によつて、Ｘ方向に伸長
したエアーベアリングガイド８上を浮遊移動する。実際
上このキヤリツジ７は、両側面に形成されたリニアモー
タ９によつて駆動される。なお投影光学系２、エアーベ
アリングガイド８、リニアモータ９の固定子は、除振装
置上に形成された装置定盤１０上に形成されている。
【００１５】以上の構成において、まずマスク３と感光
基板４の位置合わせを行なうため、マスクステージ５を
Ｘ方向、Ｙ方向、θZ 方向に動かしてマスク側アライメ
ントパターンと感光基板側アライメントパターンを合致
させる。そしてキヤリツジ７を、Ｘ方向にスキヤン移動
させ、投影光学系２を等速にて通過させる。これにより
マスク５上のパターン領域がすべて感光基板４上に転写
され、焼付が完了する。このように、マスク５及び感光
基板６を鉛直方向に支持することにより、図２について
上述したマスクのたわみによるパターンのシフト誤差Δ
や、マスクのデフオーカス誤差δを、それぞれ０にする
ことができる。
基板４の位置合わせを行なうため、マスクステージ５を
Ｘ方向、Ｙ方向、θZ 方向に動かしてマスク側アライメ
ントパターンと感光基板側アライメントパターンを合致
させる。そしてキヤリツジ７を、Ｘ方向にスキヤン移動
させ、投影光学系２を等速にて通過させる。これにより
マスク５上のパターン領域がすべて感光基板４上に転写
され、焼付が完了する。このように、マスク５及び感光
基板６を鉛直方向に支持することにより、図２について
上述したマスクのたわみによるパターンのシフト誤差Δ
や、マスクのデフオーカス誤差δを、それぞれ０にする
ことができる。
【００１６】以上の構成によれば、マスク３を鉛直に支
持することにより、露光範囲が大きい、大きなマスク３
を使用した場合でも、マスク３のたわみによるフオーカ
スずれやパターンずれ（テレセントリツク性のずれ、た
わみによるマスクパターンのシフト）の影響を未然に防
止し、露光精度を向上できる。またどんな大マスクにも
対応でき、一度の走査露光により焼付を完了させること
が可能なことにより、ステツプ及びスキヤン焼方法に比
べ、スキヤン方向にクロスした方向にステツプさせる必
要がなく、その分スループツトを向上し得ると共に、全
体として構成を簡略化し得る。
持することにより、露光範囲が大きい、大きなマスク３
を使用した場合でも、マスク３のたわみによるフオーカ
スずれやパターンずれ（テレセントリツク性のずれ、た
わみによるマスクパターンのシフト）の影響を未然に防
止し、露光精度を向上できる。またどんな大マスクにも
対応でき、一度の走査露光により焼付を完了させること
が可能なことにより、ステツプ及びスキヤン焼方法に比
べ、スキヤン方向にクロスした方向にステツプさせる必
要がなく、その分スループツトを向上し得ると共に、全
体として構成を簡略化し得る。
【００１７】なお上述の実施例においては、マスクステ
ージ及び感光基板ステージをキヤリツジ上に一体に形成
した場合について述べたが、本発明はこれに限らず、マ
スクステージ及び感光基板を別体で形成し、同期して走
査するように構成すれば上述の実施例と同様の効果を実
現できる。また上述の実施例では、水平方向に走査露光
する場合について述べたが、鉛直方向に走査露光する場
合においても、上述の実施例と同様の効果を得ることが
できる。
ージ及び感光基板ステージをキヤリツジ上に一体に形成
した場合について述べたが、本発明はこれに限らず、マ
スクステージ及び感光基板を別体で形成し、同期して走
査するように構成すれば上述の実施例と同様の効果を実
現できる。また上述の実施例では、水平方向に走査露光
する場合について述べたが、鉛直方向に走査露光する場
合においても、上述の実施例と同様の効果を得ることが
できる。
【００１８】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、原板をほ
ぼ鉛直に支持することにより、原板のたわみによる投影
光学系の不都合を未然に防止し得、さらに等倍かつ正立
の像の投影光学系を複数配置することにより、原板をほ
ぼ鉛直に支持し、被露光体と一体に支持する支持手段を
水平方向に走査するだけで露光でき、鉛直方向にステツ
プ又はスキヤン駆動する必要がない分、全体の構成を簡
略化し得る。また露光自体を一度のアライメントと一度
の走査で完了するため、複数回のアライメント及び走査
露光を必要とする従来の露光方法と比較して、スループ
ツトを向上し得る走査型露光装置を実現できる。
ぼ鉛直に支持することにより、原板のたわみによる投影
光学系の不都合を未然に防止し得、さらに等倍かつ正立
の像の投影光学系を複数配置することにより、原板をほ
ぼ鉛直に支持し、被露光体と一体に支持する支持手段を
水平方向に走査するだけで露光でき、鉛直方向にステツ
プ又はスキヤン駆動する必要がない分、全体の構成を簡
略化し得る。また露光自体を一度のアライメントと一度
の走査で完了するため、複数回のアライメント及び走査
露光を必要とする従来の露光方法と比較して、スループ
ツトを向上し得る走査型露光装置を実現できる。
【図１】本発明による走査型露光装置の一実施例を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図２】感光基板上の投影領域を示す略線図である。
【図３】マスクを水平方向に支持した場合に発生するた
わみを示す略線図である。
わみを示す略線図である。
１……走査型露光装置、２……投影光学系、３……マス
ク、４……感光基板、５……マスクステージ、６……感
光基板ステージ、７……キヤリツジ、８……エアーベア
リングガイド、９……リニアモータ、１０……装置定
盤。
ク、４……感光基板、５……マスクステージ、６……感
光基板ステージ、７……キヤリツジ、８……エアーベア
リングガイド、９……リニアモータ、１０……装置定
盤。
Claims (2)
- 【請求項１】原板と被露光体を対向させてほぼ鉛直に支
持する支持手段と、 所定の方向に沿つて配置されると共に前記原板の等倍か
つ正立の像を前記被露光体に投影する複数の投影光学系
と、 該複数の投影光学系に対して、前記原板及び前記被露光
体を同期して、前記所定の方向と前記投影光学系の光軸
方向とに直交する方向に走査する走査手段とを具えるこ
とを特徴とする走査型露光装置。 - 【請求項２】前記支持手段は、前記原板及び前記被露光
体を一体的に支持し、前記走査手段によつて前記投影光
学系に対して走査することを特徴とする請求項１に記載
の走査型露光装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6332967A JPH08167567A (ja) | 1994-12-14 | 1994-12-14 | 走査型露光装置 |
| KR1019950049571A KR100399813B1 (ko) | 1994-12-14 | 1995-12-14 | 노광장치 |
| US08/917,226 US5923409A (en) | 1994-12-14 | 1997-08-25 | Scanning-type exposure apparatus including a vertically disposed holder surface and method thereof |
| US09/309,709 US6266131B1 (en) | 1994-12-14 | 1999-05-11 | Exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6332967A JPH08167567A (ja) | 1994-12-14 | 1994-12-14 | 走査型露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08167567A true JPH08167567A (ja) | 1996-06-25 |
Family
ID=18260825
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6332967A Pending JPH08167567A (ja) | 1994-12-14 | 1994-12-14 | 走査型露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08167567A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010046478A (ko) * | 1999-11-12 | 2001-06-15 | 구자홍 | 수직형 대면적 노광장치 |
| KR100355878B1 (ko) * | 1999-12-31 | 2002-10-12 | 아남반도체 주식회사 | 레티클 스테이지의 자동 기울기 조정장치 |
| KR100355877B1 (ko) * | 1999-12-31 | 2002-10-12 | 아남반도체 주식회사 | 반도체 노광장치의 웨이퍼 기울기 조정장치 |
| KR100360451B1 (ko) * | 1999-12-09 | 2002-11-13 | 주식회사 엘지이아이 | 수직형 노광장치의 간격 조정 장치 |
| KR100360450B1 (ko) * | 1999-12-09 | 2002-11-13 | 주식회사 엘지이아이 | 수직형 노광장치의 마스크 정렬 장치 |
| KR100400461B1 (ko) * | 2001-05-23 | 2003-10-01 | 엘지전자 주식회사 | 수직 노광 작업을 위한 로딩/언로딩 장치 |
| KR100432784B1 (ko) * | 2002-06-19 | 2004-05-24 | 한국전자통신연구원 | 수직형 노광 장비의 마스크 정렬 장치 |
| CN112433447A (zh) * | 2020-10-23 | 2021-03-02 | 江苏迪盛智能科技有限公司 | 一种曝光机自动输料系统及方法 |
-
1994
- 1994-12-14 JP JP6332967A patent/JPH08167567A/ja active Pending
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