JPH08162705A - 半導体レーザ発振波長安定化装置 - Google Patents
半導体レーザ発振波長安定化装置Info
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- JPH08162705A JPH08162705A JP32942794A JP32942794A JPH08162705A JP H08162705 A JPH08162705 A JP H08162705A JP 32942794 A JP32942794 A JP 32942794A JP 32942794 A JP32942794 A JP 32942794A JP H08162705 A JPH08162705 A JP H08162705A
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Abstract
影響を抑える。半導体レーザの発振波長を、確実に測定
対象ガスの最大吸収点に、再現性よく自動的に安定させ
る。 【構成】電流安定化回路14は、半導体レーザ3の発振
波長に変調をかける。レーザ光を測定対象ガスを封入し
た参照ガスセル5を介して検出するフォト検出器6で入
力する。信号微分検出器9は、フォト検出器6で検出し
た信号を位相微分検波し、安定化処理の初期設定をす
る。最終的な安定化は、信号同期検出器11で変調周波
数の2倍波信号を検出し、その2倍波信号が最大になる
ように前記温度安定化PID回路13にフィードバック
する。
Description
長設定、ならびに発振波長を高精度安定化する半導体レ
ーザ発振波長安定化装置に関する。特に、光の吸収を利
用して光学的なガス濃度の測定を行い、都市ガス、化学
プラント等のガス漏洩を検出するガス検出装置に使用す
る半導体レーザ発振波長安定化装置に関する。
原子間の振動等に応じて特定波長の光を吸収する吸収帯
があることが知られている。以下、メタンガスの検出を
例として述べれば、メタンは、1.6μm、1.66μ
m、3μm、7μm帯に吸収帯を有する。このうちの一
つの吸収線を利用して、2波長差分吸収法を応用したガ
ス検出装置が種々発表されている (特開昭62−290
190号公報)。このガス検出装置においては、光源の
波長をメタンガスの吸収線に安定させる手段が必要とな
る。
動作温度により変化する性質があり、また半導体レーザ
に流す電流値によっても変化する性質がある。この性質
を利用して半導体レーザの発振波長を制御し安定化す
る。一般に使用されている半導体レーザ発振波長安定化
装置は、測定対象ガスを封入した参照ガスセルに周波数
Fmで周波数変調したレーザ光を通す。その測定対象ガ
スのレーザ光吸収線を利用してその最大吸収点を見つけ
てその波長で、半導体レーザが発振するように半導体レ
ーザの電流または動作温度を変えている。
を可変する従来技術1を、図9を用いて説明する。駆動
電流源31によって駆動された半導体レーザ(LD)3
2から出射されたレーザ光の一部を、ビームスプリッタ
33などで分岐して測定対象ガスであるメタンガスを封
入したガスセル34に透過させ受光器35で受光する。
この時、駆動電流源31の電流値を掃引させるとレーザ
光の波長も電流に従って変化するので、受光器35から
は図6(a)に示すメタンガスの吸収スペクトルが観測
できる。レーザ光の波長が、吸収線付近になるように駆
動電流(バイアス電流ともいう。)を調整しておき、周
波数Fmの発振器39よりの信号を駆動電流に重畳する
ことによりレーザ光の波長(光周波数)に僅かに周波数
変調をかけ、この時の受光器35の出力を増幅器36で
増幅し、同期検波器37でFmを参照信号として同期検
波する。
様な吸収線の吸収特性の微分波形となる。この微分波形
の中心になるように発振波長を設定し、その出力電圧を
サーボ回路38を介して、PID(Proportional Integ
ration and Differential )制御し、駆動電流源31に
帰還することにより、レーザの波長が微分波形出力のゼ
ロクロス点(図6(b)の破線A点)、すなわち吸収ス
ペクトルのピーク点に安定化される。
167225号公報に、「半導体発光素子のスペクトル
を安定化させるために原子共鳴により検出された同期信
号、つまり、ルビジウムに照射するマイクロ波の周波数
を制御するための低周波信号の2倍の周波数成分の変動
を検出して半導体発光素子への電圧が制御される。」と
開示されている。これは、制御系が同期したときに、変
調されたマイクロ波信号と原子または分子共鳴との相互
作用によって、変調信号の2倍波信号が取り出されるも
のである。
は半導体レーザ電流値または半導体レーザ動作温度制御
帰還手段の誤差等により、吸収スペクトルのピーク点、
すなわち測定対象ガスの最大吸収点で安定に制御される
とは限らない。また、半導体レーザの目的動作点を設定
する手段は、半導体レーザ動作温度、または半導体レー
ザ電流をマニュアルで変えることにより図6(b)のA
点に設定し、その後フィードバックを生かして半導体レ
ーザ発振波長をA点で安定するように操作している。
力電圧を可変し、半導体発光素子を制御しているため、
そのまま適用すると、半導体発光素子のバイアス点が変
化し、歪が発生、または歪量が変化するおそれがある。
基本の変調周波数Fmに歪が生じる。結果的に図8のC
による、2Fm検出の精度に影響を与える。
たものであり、歪の影響を抑え、半導体レーザの発振波
長を、確実に測定対象ガスの最大吸収点に自動的に安定
させる半導体レーザ発振波長安定化装置を提供すること
を課題とする。
に本発明の半導体レーザ発振波長安定化装置において
は、図6(b)の実線に示すように、測定対象ガスのレ
ーザ光吸収線の最大吸収点では変調周波数Fmの2倍の
周波数成分が最大に生成されることを利用したものであ
る。
流変調により変化すると仮定した場合のガスセル通過光
の変化の様子を、図8に示す。つまり、半導体レーザを
電流変調すると光出力と波長は変調電流と同相で変化す
る(図8の最上段)。一方、吸収線の最大吸収点に波長
をλ0 とし、中心波長がλ1 の半導体レーザを周波数F
mで電流変調した時、吸収線によるガスセル通過光の変
化は、
(図8のA、B) λ1 >λ0 :光出力は電流と同相で変化(図8のD、
E) λ1 =λ0 :光出力のFm成分は零で2Fm成分だけ
(図8のC) となる。
出するため、変調周波数の基本波に歪等が発生しないよ
うにする必要がある。そこで、請求項1の発明は、Fm
の2倍の周波数成分が最大の点で半導体レーザ発振波長
が安定制御されるようにFmの2倍の周波数成分の信号
を検出する手段を設ける。また、その検出値が最大にな
るように、半導体レーザ動作温度を微小調整(2倍波出
力最大点発振波長安定化フィードバック)する。具体的
には、参照ガスセルを通過した半導体レーザの変調周波
数の2倍波信号を検出する信号同期検出器と、2倍波信
号が最大となるように信号同期検出器の出力を、温度安
定化PID回路に、フィードバックする波長安定化制御
回路とを備え、参照ガスセルのレーザ光吸収線に再現性
よく半導体レーザ発振波長を安定化することとした。
安定化回路が、変調周波数の基本波変調電流を供給する
手段と共に、その変調周波数の2倍波歪を抑圧するため
の2倍波歪抑圧電流加算手段を備えた。
発振波長安定化装置によれば、半導体レーザのバイアス
電流を変化させないため、2次歪の影響を抑え、再現性
よく自動的に半導体レーザ発振波長の安定化ができる。
また、より正確に測定対象ガスの吸収線に半導体レーザ
発振波長を安定化することができる。そのため、遠隔制
御装置等により半導体レーザ発振波長安定化装置、なら
びにそれを組み込んだシステムをリモート制御すること
により、半導体レーザを利用した測定装置、システム等
を無人自動運転することが可能となる。さらに、電源投
入後の自動波長安定化も可能となる。
定化装置によれば、初期条件で発生する2次歪を予め求
めておくことにより、適切な2次歪を打ち消す抑圧電流
を重畳することができる。
する。 〔第1の実施例〕図1は半導体レーザ発振波長安定化装
置のブロック図、図2は2倍波信号増幅器および信号同
期検出器のブロック図、図3は基本波信号増幅器および
信号微分検出器のブロック図、図4は温度安定化PID
回路のブロック図、図5は電流安定化回路のブロック図
を示す。
づいて説明する。電流安定化回路14は、半導体レーザ
バイアス電流と、半導体レーザ変調電流を設定する。こ
れらの電流設定値を加算して半導体レーザ駆動電流とし
て半導体レーザ3に流す。半導体レーザ3に電流が流れ
ると半導体レーザ3の前面、後面にレーザ光を出射す
る。前面に出射したレーザ光はコリメートレンズ2によ
り集光され保護ガラス1を通して放射する。後面に射出
したレーザ光は参照ガスセル5を通りフォト検出器6で
検出され電流電圧変換プリアンプ7により増幅される。
参照ガスセル5内部には測定対象ガスが封入されてお
り、その吸収線によりレーザ光が吸収され2倍波が生成
される。電流電圧変換プリアンプ7により増幅された信
号(S1)は、基本波信号増幅器8で増幅され(S
2)、信号微分検出器9により位相微分検波され(S
3)、図6(b)破線に示す出力波形になる。
幅され(S5)、信号同期検出器11によりレベル検出
され(S6)、図6(b)実線に示す出力波形になる。
温度安定化PID回路13は、温度センサ4aの誤差入
力をPID演算しその演算結果をペルチェ素子4bに出
力し、半導体レーザ3の動作温度を所定の温度に設定す
る。波長安定化制御回路15は、マイクロプロッセッ
サ、メモリ等から成り、以下に説明する図7等の処理を
実行する。
処理を説明する。温度安定化PID回路13は、半導体
レーザ3の温度設定値を、吸収線の中心波長に一致する
温度、例えば26℃に設定する。この際、波長安定化制
御回路15から入力したデジタル信号をD/A変換器
(DAC)13dでアナログ信号に変換する。また、電
流安定化回路14により半導体レーザバイアス電流を、
例えば100mAに、半導体レーザ3の変調電流を、例
えば25mAに設定する。次に、温度安定化PID回路
13で、動作温度バイアス値を徐々に高くし、そのとき
の信号微分検出器9の信号強度を測定し、図6(b)破
線に示す出力波形を得る。なお、本設定温度の検索は、
半導体レーザ3の動作条件、例えば半導体レーザバイア
ス電流を変更した際に、行えばよい。
振波長初期設定の処理を図7のフローチャートに基づい
て説明する。半導体レーザ3の動作温度をB点の温度に
設定する(a)。つぎにC点の波長になるまで半導体レ
ーザ3の温度を徐々に変えていく(b)。B点の動作温
度からC点の動作温度まで変える(e)間に信号微分検
出器9の出力を監視し(c)、出力が最大値および最小
値となる半導体レーザ3の動作温度を記憶する(d)。
最小値の動作温度と最大値の動作温度とのちょうど中間
の動作温度を算出し(f)、その動作温度を温度安定化
PID回路13に設定する(g)。
の出力がほぼ零であることを確認する(h)。つぎに動
作温度を少し高く設定し、信号微分検出器9の出力が下
がりマエナス方向に変動することを確認し、反対に温度
を低く設定すると出力が上がりプラス方向に変動するこ
とを確認する(i)。この確認が終了した後、スイッチ
12をオンにして温度安定化PID回路13にフィード
バックする(j)。その後、半導体レーザ3の温度が安
定していることを確認する(k)。温度が安定していれ
ばフィードバックが正しく動作していることになる。
する、半導体レーザ3の発振波長の2倍波ピーク安定化
の処理を説明する。温度安定化PID回路13の動作温
度バイアス値を増減する(l)。信号同期検出器11の
出力を監視し、出力が最大値になる動作温度バイアス値
を温度安定化PID回路13に設定する(m)。その
後、2倍波を検出する信号同期検出器11の検出出力値
を常に監視し(n)、最大値になるように動作温度バイ
アス値を変化させ温度安定化PID回路13に設定す
る。この処理を短い間隔で繰り返すことにより測定対象
ガスの最大吸収点(波長λ0 )に半導体レーザ発振波長
を維持し安定にすることができる。設定温度の検索、お
よび初期設定をした後、2倍波ピーク安定化の処理をす
るため、所定の吸収線の最大吸収点に、半導体レーザ3
の発振波長を安定化することができる。
11の詳細を、図2に基づいて説明する。フォト検出器
7で受けた信号を増幅器10aで増幅する。混合器10
cは、その信号と、電圧制御発振器(VCO)10iで
発振させた周波数信号と混合し、中間周波数を生成す
る。本実施例は、局部発振器11aの周波数を455k
Hz−2Fmとし、中間周波数を455kHzとした。
これを狭帯域フィルタ10dに通し、位相同期検波器1
1gで同期検波する。同期検波した信号を低域フィルタ
11hを経て直流アンプ11iで増幅する。この増幅さ
れた信号の最大値が2倍波信号のピークとなる。ここ
で、位相シフト器11bで、光学系等で遅延した信号の
位相と、発振器11aの2Fmの位相とを調整する。
路14の2倍波歪抑圧動作について、図5で説明する。
電流安定化回路14は、波長安定化制御回路15からの
制御信号(S9)により、半導体レーザ3に駆動電流
(S12)を発生する。LDバイアス電流値により、半
導体レーザ3のバイアス電流を設定する。基本波変調電
流値により、変調周波数の基本波であるFmのレベル
(電流値)を設定する。LD抑圧電流値により、変調周
波数の2倍波(2Fm)のレベル(電流値)を設定す
る。これらの電流が加算器14nで重畳され、バッファ
14oを介して半導体レーザ3に供給される。
る場合には、2倍波歪抑圧電流となるLD抑圧電流値を
設定して、基本波に重畳し、2倍波歪が最小になるよう
にする。具体的には、発振器14gの2Fmの位相を、
位相シフト器14hで逆相にして、基本波に重畳する。
その際、重畳するレベルを、基本波から発生する2倍波
の歪をキャンセルするように、減衰器(ATT)14m
を調整する。
順で自動的に行うことができる。予め、LDバイアス電
流値、基本波変調電流値、および動作温度により定まる
2倍波歪の大きさをテーブル(図示せず)に記憶する。
初期設定をした、LDバイアス電流値、基本波変調電流
値、および図7のフローチャートの(f)で算出した動
作温度により、テーブルを参照し、2倍波歪抑圧電流を
決定する。
レーザ3の温度制御をより高速、かつ高精度に行う場
合、同一出願人による「半導体素子用温度制御装置」
(特開平2−266552号公報)に示すように、ペル
チェ素子4bの表面に電気的絶縁層を設け、その上に薄
膜吸発熱体(図示せず)を備える。温度安定化PID回
路13は、温度設定値をペルチェ素子4bに出力し、温
度を微調整する動作温度バイアス値を薄膜吸発熱体に出
力する。さらに、温度センサ4aを、同一出願人による
「半導体素子の温度制御装置」(特開平4−15153
0号公報)に示すように、熱抵抗を小さくした小型薄膜
温度センサを用いる。その温度センサ4aを半導体レー
ザ3と薄膜吸発熱体(例えば、ペルチェ素子)の間に備
える。
れば大気中のメタンガス濃度を、精度よく自動的に連続
測定することができる。ここで、吸収線の最大吸収点
(波長λ0 )における減衰量はガスの濃度に比例する。
したがって、λ0 の発振波長をもつ半導体レーザ光を作
り、ガスに照射し、その減衰量を測定し適当な係数を掛
けることでガスの濃度を推定することができる。
のガスの吸収帶に適合したものを使用すれば、二酸化炭
素ガス、アセチレンガス等にも応用でき、半導体レーザ
3をセンサにした大気汚染測定装置を実現できる。その
他、共同溝、都市ガス配管のガス漏れ検出装置、化学プ
ラント等のガスモニタリングシステムにも応用できる。
半導体レーザ3の変調周波数の2倍波信号を検出し、そ
れが最大となるように制御することである。これを精度
よく実現するためには、検出信号の変動を除去しなけれ
ばならない。そのための手段として、コリメートレンズ
2を非球面レンズとし、参照ガスセル5のレーザ光が通
過する面を射光軸に対して所定の角度(例えば、6度)
をもたせ、半導体レーザ3への戻り光を軽減する構成と
する。そのため、光アイソレータを使用する必要がない
ため、光学部品が減り、装置の小型化、可搬性が実現で
きる。
ーザ発振波長安定化装置によれば、波長安定条件の設定
を自動的にし、半導体レーザ変調周波数Fmの2倍周波
数を検出する信号同期検出器11と、その検出信号がピ
ークになるよう温度安定化PID回路13を制御する波
長安定化制御回路15とを備えた。そのため、2次歪量
が変化せず、測定対象ガスの吸収線への発振波長安定化
が再現性よく正確に行えるようになった。
定化装置によれば、2倍波歪抑圧電流加算手段を備え
た。そのため、2次歪の影響を抑圧することができ、低
いガス濃度が正確に測定できるようになった。また、装
置の操作の簡便さが飛躍的に改善され、ならびに装置の
自動遠隔制御が可能になった。
施例を示すブロック図である。
施例を示すブロック図である。
ク図である。
ある。
ーザ光吸収波形を示し、(b)破線は信号微分波形を示
し、(b)実線は2倍波信号ピーク検出波形を示す。
処理を示すフローチャートである。
ルにおける波長−光出力の波形図である。
る。
ーザ、4…温度制御素子、5…参照ガスセル、6…フォ
ト検出器、7…電流電圧変換プリアンプ、8…基本波信
号増幅器、9…信号微分検出器、10…2倍波信号増幅
器、11…信号同期検出器、12…スイッチ、13…温
度安定化PID回路、14…電流安定化回路、14g,
14h,14i,14j,14k,14l,14m…2
倍波歪抑圧電流加算手段、15…波長安定化制御回路。
Claims (2)
- 【請求項1】半導体レーザ(3)と、半導体レーザの発
振波長に変調をかける電流安定化回路(14)と、半導
体レーザの発振波長を安定化するための温度安定化PI
D回路(13)と、半導体レーザのレーザ光を検出する
フォト検出器(6)と、前記半導体レーザとフォト検出
器との間の光路に設置し、測定対象ガスを封入した参照
ガスセル(5)と、フォト検出器で検出した信号を位相
微分検波する信号微分検出器(9)と、その位相微分検
波出力信号から安定化すべき発振波長からのずれを検出
し、温度安定化PID回路にフィードバックする波長安
定化制御回路(15)とを備えた半導体レーザ発振波長
安定化装置において、 前記参照ガスセルを通過した半導体レーザ変調周波数の
2倍波信号を検出する信号同期検出器(11)とを備
え、前記波長安定化制御回路が2倍波信号が最大となる
ように該信号同期検出器の出力を前記温度安定化PID
回路にフィードバックして、参照ガスセルのレーザ光吸
収線に半導体レーザ発振波長を安定化することを特徴と
する半導体レーザ発振波長安定化装置。 - 【請求項2】前記電流安定化回路が、変調周波数の基本
波変調電流を供給する手段と共に、その変調周波数の2
倍波歪を抑圧するための2倍波歪抑圧電流加算手段(1
4g、14h、14i、14j、14k、14l、14
m)を備えたことを特徴とする請求項1記載の半導体レ
ーザ発振波長安定化装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32942794A JP3305904B2 (ja) | 1994-12-02 | 1994-12-02 | 半導体レーザ発振波長安定化装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32942794A JP3305904B2 (ja) | 1994-12-02 | 1994-12-02 | 半導体レーザ発振波長安定化装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08162705A true JPH08162705A (ja) | 1996-06-21 |
JP3305904B2 JP3305904B2 (ja) | 2002-07-24 |
Family
ID=18221275
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32942794A Expired - Lifetime JP3305904B2 (ja) | 1994-12-02 | 1994-12-02 | 半導体レーザ発振波長安定化装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3305904B2 (ja) |
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JP3305904B2 (ja) | 2002-07-24 |
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