JPH08162271A - 表示パネル接続端子部の半田接続方法 - Google Patents
表示パネル接続端子部の半田接続方法Info
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- JPH08162271A JPH08162271A JP6300468A JP30046894A JPH08162271A JP H08162271 A JPH08162271 A JP H08162271A JP 6300468 A JP6300468 A JP 6300468A JP 30046894 A JP30046894 A JP 30046894A JP H08162271 A JPH08162271 A JP H08162271A
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- terminal portion
- terminal part
- lead wire
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/36—Assembling printed circuits with other printed circuits
- H05K3/361—Assembling flexible printed circuits with other printed circuits
- H05K3/363—Assembling flexible printed circuits with other printed circuits by soldering
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- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Connections Effected By Soldering, Adhesion, Or Permanent Deformation (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】難半田付け性金属からなる剛性基板の接続端子
部と可とう性マルチリード線を均一に半田付けする。 【構成】接続端子部１１に難半田付け性金属を使用し、
酸素親和性の高い元素を微量添加したＰｂ―Ｓｎ共晶合
金からなる特殊半田１０を載置し、外部引き出し用の可
とう性マルチリード線７を前記端子部１１と重合し、さ
らに弾性体６を積層して所定の温度に加熱しながら超音
波溶接を行う。
部と可とう性マルチリード線を均一に半田付けする。 【構成】接続端子部１１に難半田付け性金属を使用し、
酸素親和性の高い元素を微量添加したＰｂ―Ｓｎ共晶合
金からなる特殊半田１０を載置し、外部引き出し用の可
とう性マルチリード線７を前記端子部１１と重合し、さ
らに弾性体６を積層して所定の温度に加熱しながら超音
波溶接を行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は剛性基板上の接続端子部
と、可とう性マルチリード線の接続方法に係り、特に可
とう性マルチリード線の半田リフロー接続方法に関す
る。
と、可とう性マルチリード線の接続方法に係り、特に可
とう性マルチリード線の半田リフロー接続方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】現在、下記に示すような二重絶縁型の電
場発光素子の開発が進められている。図３は電場発光素
子を示す平面図である。図４は電場発光素子を示す断面
図である。ガラス基板１２上に下部電極２１と接続端子
部２６，２７、第１絶縁層２２、発光層２３、第２絶縁
層２４、背面電極２５と接続端子部２８，２９が順次積
層される。下部電極２１、第１絶縁層２２、発光層２
３、第２絶縁層２４、背面電極２５はシール剤１４と封
止ガラス１３により封止される。封止は注入口１９より
封入剤１５を注入して行う。注入口１９は空間部２０と
シール剤１８を介して注入口封止ガラス１７により閉じ
られる。接続端子部２６，２７，２８，２９は封止され
ることなく外部引き出し用の可とう性プリント回路基板
と接続される。
場発光素子の開発が進められている。図３は電場発光素
子を示す平面図である。図４は電場発光素子を示す断面
図である。ガラス基板１２上に下部電極２１と接続端子
部２６，２７、第１絶縁層２２、発光層２３、第２絶縁
層２４、背面電極２５と接続端子部２８，２９が順次積
層される。下部電極２１、第１絶縁層２２、発光層２
３、第２絶縁層２４、背面電極２５はシール剤１４と封
止ガラス１３により封止される。封止は注入口１９より
封入剤１５を注入して行う。注入口１９は空間部２０と
シール剤１８を介して注入口封止ガラス１７により閉じ
られる。接続端子部２６，２７，２８，２９は封止され
ることなく外部引き出し用の可とう性プリント回路基板
と接続される。
【０００３】接続端子部２６，２７はそれぞれ走査信号
入力偶数端子部と走査信号入力奇数端子部である。接続
端子部２８，２９はそれぞれデータ信号入力偶数端子部
とデータ信号入力奇数端子部である。上述の電場発光素
子（ＥＬパネルとも称される）のデバイス形成プロセス
においては、プロセス温度が４５０℃以下の低い温度で
あるため、接続端子部２６は低融点の半田を使用して接
続を行うことができる。従来のＥＬパネルの接続端子部
２６，２７，２８，２９は、ＩＴＯ／Ａｌ／Ｎｉ端子，
Ａｌ／Ｎｉ端子，Ｎｉ端子等が半田リフロー接続に使用
される。これらは、ガラス基板に対する密着性と低融点
半田に対する濡れ性を考慮して決められている。
入力偶数端子部と走査信号入力奇数端子部である。接続
端子部２８，２９はそれぞれデータ信号入力偶数端子部
とデータ信号入力奇数端子部である。上述の電場発光素
子（ＥＬパネルとも称される）のデバイス形成プロセス
においては、プロセス温度が４５０℃以下の低い温度で
あるため、接続端子部２６は低融点の半田を使用して接
続を行うことができる。従来のＥＬパネルの接続端子部
２６，２７，２８，２９は、ＩＴＯ／Ａｌ／Ｎｉ端子，
Ａｌ／Ｎｉ端子，Ｎｉ端子等が半田リフロー接続に使用
される。これらは、ガラス基板に対する密着性と低融点
半田に対する濡れ性を考慮して決められている。
【０００４】剛性基板と、可とう性プリント回路基板
（ＦＰＣとも称される）を接続する場合、剛性基板の接
続端子部と可とう性プリント回路基板の少なくとも一方
あるいは両方を半田仕上げし、両基板を位置合わせして
密着し、赤外線ランプ照射して半田接続する（市岡 敏
と他３名 「赤外線ランプによる微小細線接続技術」電
子材料 P125〜P130 1975年2 月) 。
（ＦＰＣとも称される）を接続する場合、剛性基板の接
続端子部と可とう性プリント回路基板の少なくとも一方
あるいは両方を半田仕上げし、両基板を位置合わせして
密着し、赤外線ランプ照射して半田接続する（市岡 敏
と他３名 「赤外線ランプによる微小細線接続技術」電
子材料 P125〜P130 1975年2 月) 。
【０００５】赤外線は透明な石英板を介して照射し半田
を溶融させる。しかし透明な石英板を介して剛性基板と
可とう性プリント回路基板を接続する場合２つの基板が
相互に完全に接触しない場合があり半田付けが不良とな
る。また両基板が接触していてもその接着強度にばらつ
きが生じる。このような理由で、剛性基板の接続端子部
と可とう性マルチリード線の良好な接続は困難であっ
た。
を溶融させる。しかし透明な石英板を介して剛性基板と
可とう性プリント回路基板を接続する場合２つの基板が
相互に完全に接触しない場合があり半田付けが不良とな
る。また両基板が接触していてもその接着強度にばらつ
きが生じる。このような理由で、剛性基板の接続端子部
と可とう性マルチリード線の良好な接続は困難であっ
た。
【０００６】特開昭５２−１９２６９号公報には赤外線
リフローによる接続装置が開示されている。この装置に
おいては密封容器にフィルムをシールして気密室が形成
される。剛性基板とＦＰＣには対応する位置に接続端子
部と可とう性マルチリード線が形成され、両者の少なく
とも一方には半田仕上げがなされる。両基板をフィルム
と共にクリップで固定し、気密室にガスが圧入される。
圧力上昇によりフィルムが膨張しＦＰＣは剛性基板に押
圧され密着する。その状態で赤外線を透明な剛性基板よ
り照射して半田を溶融する。
リフローによる接続装置が開示されている。この装置に
おいては密封容器にフィルムをシールして気密室が形成
される。剛性基板とＦＰＣには対応する位置に接続端子
部と可とう性マルチリード線が形成され、両者の少なく
とも一方には半田仕上げがなされる。両基板をフィルム
と共にクリップで固定し、気密室にガスが圧入される。
圧力上昇によりフィルムが膨張しＦＰＣは剛性基板に押
圧され密着する。その状態で赤外線を透明な剛性基板よ
り照射して半田を溶融する。
【０００７】上述の接続装置では、剛性基板の接続端子
部が、半田に濡れ易い場合は問題が少ないが、半田に濡
れにくい場合は半田付けが困難である。たとえば、Si,G
e,Al,Ti,Ta,Nb,W,Mo,Ru,Zr,Be,Cr,ITO( 透明電極) 等と
これらの合金等は半田に濡れにくい材料として知られて
いる。半田に濡れやすい材料であっても表面あるいは全
体が酸化や硫化等により濡れにくい状態となる場合も同
様に半田接続が困難になる。半田に濡れやすい材料とし
ては、Au,Ag,Cu,Ni,Zn,Pb,Sn等が知られている。
部が、半田に濡れ易い場合は問題が少ないが、半田に濡
れにくい場合は半田付けが困難である。たとえば、Si,G
e,Al,Ti,Ta,Nb,W,Mo,Ru,Zr,Be,Cr,ITO( 透明電極) 等と
これらの合金等は半田に濡れにくい材料として知られて
いる。半田に濡れやすい材料であっても表面あるいは全
体が酸化や硫化等により濡れにくい状態となる場合も同
様に半田接続が困難になる。半田に濡れやすい材料とし
ては、Au,Ag,Cu,Ni,Zn,Pb,Sn等が知られている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】プロセス温度が４５０
℃以下の低い温度である場合に対してＥＬパネルのデバ
イス形成プロセス温度が高く５００〜６５０℃の範囲に
なる場合には接続端子部は高融点金属あるいは合金を使
用する必要が生ずる。高融点金属またはその合金は半田
に対し濡れが悪いため接続には特殊半田を使用する必要
がある。
℃以下の低い温度である場合に対してＥＬパネルのデバ
イス形成プロセス温度が高く５００〜６５０℃の範囲に
なる場合には接続端子部は高融点金属あるいは合金を使
用する必要が生ずる。高融点金属またはその合金は半田
に対し濡れが悪いため接続には特殊半田を使用する必要
がある。
【０００９】図５は従来の超音波加熱半田リフロー接続
方法を示す断面図である。図６は従来の超音波加熱半田
リフロー接続方法を示す断面図である。超音波振動子１
とホーン２，チップ３，チップの周りにシースヒーター
４を巻き付けた超音波半田付け装置を用いて、ガラスや
セラミックス基板に直接半田付けしたり、基板３４上の
難半田付け性金属３５または金属酸化物３５Ａに、特殊
半田１０や半田３６を用いて、リード線３３を接続する
ことができる。図６は特殊半田１０を１回溶融して接続
するワンステップ接続法，図７は特殊半田を溶融してあ
らかじめ接着し，次いで一般の共晶半田（Ｐｂ−Ｓｎ）
でリード線３３と特殊半田１０を接着するツウステップ
接続法に対応している。
方法を示す断面図である。図６は従来の超音波加熱半田
リフロー接続方法を示す断面図である。超音波振動子１
とホーン２，チップ３，チップの周りにシースヒーター
４を巻き付けた超音波半田付け装置を用いて、ガラスや
セラミックス基板に直接半田付けしたり、基板３４上の
難半田付け性金属３５または金属酸化物３５Ａに、特殊
半田１０や半田３６を用いて、リード線３３を接続する
ことができる。図６は特殊半田１０を１回溶融して接続
するワンステップ接続法，図７は特殊半田を溶融してあ
らかじめ接着し，次いで一般の共晶半田（Ｐｂ−Ｓｎ）
でリード線３３と特殊半田１０を接着するツウステップ
接続法に対応している。
【００１０】この発明は上述の点に鑑みてなされその目
的は、剛性基板上の接続端子部と、可とう性マルチリー
ド線の接続方法を改良して、難半田付け性金属である剛
性基板の接続端子部と可とう性マルチリード線を均一に
接続することが可能な表示パネル接続端子部の半田接続
方法を提供することにある。
的は、剛性基板上の接続端子部と、可とう性マルチリー
ド線の接続方法を改良して、難半田付け性金属である剛
性基板の接続端子部と可とう性マルチリード線を均一に
接続することが可能な表示パネル接続端子部の半田接続
方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上述の目的はこの発明に
よれば電場発光素子の剛性基板上に形成した接続端子部
を外部引き出し用の可とう性マルチリード線と半田を介
して接続する半田接続方法において、難半田付け性金属
からなる接続端子部に、酸素親和性の高い元素を微量添
加したＰｂ―Ｓｎ共晶合金からなる特殊半田を載置し、
外部引き出し用の可とう性マルチリード線を前記接続端
子部と重合し、さらに弾性体を積層して所定の温度に加
熱しながら超音波溶接を行うとすることにより達成され
る。
よれば電場発光素子の剛性基板上に形成した接続端子部
を外部引き出し用の可とう性マルチリード線と半田を介
して接続する半田接続方法において、難半田付け性金属
からなる接続端子部に、酸素親和性の高い元素を微量添
加したＰｂ―Ｓｎ共晶合金からなる特殊半田を載置し、
外部引き出し用の可とう性マルチリード線を前記接続端
子部と重合し、さらに弾性体を積層して所定の温度に加
熱しながら超音波溶接を行うとすることにより達成され
る。
【００１２】前記の発明において難半田付け性金属がＩ
ＴＯ，Ｗ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｓｉ，Ｃｒ等の高融点金
属または合金であるとすること、または酸素親和力の高
い微量元素がＺｎ，Ｓｂ，Ａｌ，Ｔｉ，ＳｉまたはＣｕ
であるとすることが有効である。弾性体としてはシリコ
ンゴム，フッ素ゴム等が用いられる。
ＴＯ，Ｗ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｓｉ，Ｃｒ等の高融点金
属または合金であるとすること、または酸素親和力の高
い微量元素がＺｎ，Ｓｂ，Ａｌ，Ｔｉ，ＳｉまたはＣｕ
であるとすることが有効である。弾性体としてはシリコ
ンゴム，フッ素ゴム等が用いられる。
【００１３】
【作用】難半田付け性金属と微量元素を添加したＰｂ―
Ｓｎ共晶合金半田との界面には空気層が存在し両者の接
合を阻害するが超音波振動は極めて短時間のうちに効果
的に界面の空気層を除去する。超音波溶接の際の加圧力
と弾性体の弾性により剛性体である基板と可とう性マル
チリード線の反りが吸収され相互の密着性が高まる。
Ｓｎ共晶合金半田との界面には空気層が存在し両者の接
合を阻害するが超音波振動は極めて短時間のうちに効果
的に界面の空気層を除去する。超音波溶接の際の加圧力
と弾性体の弾性により剛性体である基板と可とう性マル
チリード線の反りが吸収され相互の密着性が高まる。
【００１４】酸素親和力の高い元素であるＺｎ，Ｓｂ，
Ａｌ，Ｔｉ，Ｓｉ，ＣｕがＰｂ―Ｓｎ共晶合金半田と半
田濡れ性の悪い金属との結合性を高める。
Ａｌ，Ｔｉ，Ｓｉ，ＣｕがＰｂ―Ｓｎ共晶合金半田と半
田濡れ性の悪い金属との結合性を高める。
【００１５】
【実施例】図３は電場発光素子を示す平面図である。図
４は電場発光素子を示す断面図である。このような電場
発光素子は以下のようにして調製される。電場発光素子
はガラス基板１２，封止ガラス１３，注入口１９そして
注入口封止ガラス１７を有している。封止ガラス周辺部
は２〜４ｍｍ幅でシール材１４によりシールされ、また
ガラス基板１２のＥＬデバイスと封止ガラス１３の間へ
注入口１９より真空中でシリコンオイルが注入され、注
入後に注入口を注入口封止ガラス１７とシール材１８で
シールしている。
４は電場発光素子を示す断面図である。このような電場
発光素子は以下のようにして調製される。電場発光素子
はガラス基板１２，封止ガラス１３，注入口１９そして
注入口封止ガラス１７を有している。封止ガラス周辺部
は２〜４ｍｍ幅でシール材１４によりシールされ、また
ガラス基板１２のＥＬデバイスと封止ガラス１３の間へ
注入口１９より真空中でシリコンオイルが注入され、注
入後に注入口を注入口封止ガラス１７とシール材１８で
シールしている。
【００１６】電場発光素子はノンアルカリのガラス基板
１２上に、下部電極（透明電極）２１をスパッタ法によ
り積層し，フォトプロセスによりマルチ電極にパターン
化される。スパッタ法によりＳｉＯ2 とＳｉ3 Ｎ 4を積
層して第１絶縁層２２を形成し、次いでＥＢ蒸着法によ
りＳｒＳ：ＣｅまたはＺｎＳ：Ｍｎを積層して発光層２
３形成する。発光層の膜の安定性および膜欠陥除去のた
め、５００〜６５０℃の温度で１０〜１８０分間熱処理
を行う。第２絶縁層２４をスパッタ法により第１絶縁層
と同様の方法で調製する。さらに高融点金属であるＷ，
Ｍｏ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｔａ，ＩＴＯ（透明電極）またはそ
れらの合金を用いて背面電極２５を形成しフォトプロセ
スによりマルチ電極にパターン化した。
１２上に、下部電極（透明電極）２１をスパッタ法によ
り積層し，フォトプロセスによりマルチ電極にパターン
化される。スパッタ法によりＳｉＯ2 とＳｉ3 Ｎ 4を積
層して第１絶縁層２２を形成し、次いでＥＢ蒸着法によ
りＳｒＳ：ＣｅまたはＺｎＳ：Ｍｎを積層して発光層２
３形成する。発光層の膜の安定性および膜欠陥除去のた
め、５００〜６５０℃の温度で１０〜１８０分間熱処理
を行う。第２絶縁層２４をスパッタ法により第１絶縁層
と同様の方法で調製する。さらに高融点金属であるＷ，
Ｍｏ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｔａ，ＩＴＯ（透明電極）またはそ
れらの合金を用いて背面電極２５を形成しフォトプロセ
スによりマルチ電極にパターン化した。
【００１７】ガラス基板１２にシール材１４をスクリー
ン印刷またはディスペンサーにより、封止ガラス１３の
周辺部に２〜４ｍｍ幅になるように印刷または塗布し、
乾燥機にて１００〜１８０℃の温度で３０分〜１時間重
合硬化して接着した。シールが完了したパネルを真空容
器中で真空度１０-2Ｔｏｒｒ程度に真空引きして脱ガス
し、その状態で封入剤１５であるシリコンオイルを封止
ガラス１３の注入口１９にオイル液を接触させてから大
気圧で圧入した。圧入したのち、注入口１９に付着した
シリコンオイルの不要部分を溶剤で拭き取り、注入口封
止ガラス１７の周辺部より２〜４ｍｍの幅にシール材１
８を前記したのと同様な方法で印刷または塗布し、封止
ガラス１３の注入口１９を覆うように重ねて、乾燥機に
て１００〜１８０℃の温度で重合硬化し接着封止した。
ン印刷またはディスペンサーにより、封止ガラス１３の
周辺部に２〜４ｍｍ幅になるように印刷または塗布し、
乾燥機にて１００〜１８０℃の温度で３０分〜１時間重
合硬化して接着した。シールが完了したパネルを真空容
器中で真空度１０-2Ｔｏｒｒ程度に真空引きして脱ガス
し、その状態で封入剤１５であるシリコンオイルを封止
ガラス１３の注入口１９にオイル液を接触させてから大
気圧で圧入した。圧入したのち、注入口１９に付着した
シリコンオイルの不要部分を溶剤で拭き取り、注入口封
止ガラス１７の周辺部より２〜４ｍｍの幅にシール材１
８を前記したのと同様な方法で印刷または塗布し、封止
ガラス１３の注入口１９を覆うように重ねて、乾燥機に
て１００〜１８０℃の温度で重合硬化し接着封止した。
【００１８】電場発光素子の端子部２６，２７，２８，
２９にスクリーン印刷やディスペンサーにより特殊半田
１０を印刷または塗布する。または特殊半田を箔の状態
で電場発光素子の前記端子部に載置してもよい。特殊半
田１０は、Ｐｂ−Ｓｎに酸素親和力の高い元素であるＺ
ｎ，Ｓｂ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｃｕを添加してある。図
１はこの発明の実施例に係る半田接続方法を示す要部断
面図である。
２９にスクリーン印刷やディスペンサーにより特殊半田
１０を印刷または塗布する。または特殊半田を箔の状態
で電場発光素子の前記端子部に載置してもよい。特殊半
田１０は、Ｐｂ−Ｓｎに酸素親和力の高い元素であるＺ
ｎ，Ｓｂ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｃｕを添加してある。図
１はこの発明の実施例に係る半田接続方法を示す要部断
面図である。
【００１９】電場発光素子は図示していないが台座に搭
載される。電場発光素子の一辺のマルチ接続端子部と対
応させてＦＰＣである外部引き出し用の可とう性マルチ
リード線７を位置合わせし両者を仮固定する。可とう性
マルチリード線７はフレキシプルフィルム８と導電性マ
ルチリード９からなる。ＦＰＣの上に弾性があり耐熱性
が高いシリコンゴムあるいはフッ素ゴムで硬度７０前後
の弾性体６を重ねる。超音波振動子１とホーン２とチッ
プ３とヒーター５で構成された超音波加熱半田リフロー
装置を用いて、ゴム上を加圧して超音波加熱で半田をリ
フローさせる。超音波周波数は、５６〜６６ｋＨｚで発
振出力は５０Ｗ程度とし、発振器から供給される高周波
電圧によって超音波振動し、同時にヒーターにより溶接
温度が１２３〜２４６℃の範囲で調節される。超音波振
動の「キャビテーション」作用によりフラックスなしで
直接半田付けできる。
載される。電場発光素子の一辺のマルチ接続端子部と対
応させてＦＰＣである外部引き出し用の可とう性マルチ
リード線７を位置合わせし両者を仮固定する。可とう性
マルチリード線７はフレキシプルフィルム８と導電性マ
ルチリード９からなる。ＦＰＣの上に弾性があり耐熱性
が高いシリコンゴムあるいはフッ素ゴムで硬度７０前後
の弾性体６を重ねる。超音波振動子１とホーン２とチッ
プ３とヒーター５で構成された超音波加熱半田リフロー
装置を用いて、ゴム上を加圧して超音波加熱で半田をリ
フローさせる。超音波周波数は、５６〜６６ｋＨｚで発
振出力は５０Ｗ程度とし、発振器から供給される高周波
電圧によって超音波振動し、同時にヒーターにより溶接
温度が１２３〜２４６℃の範囲で調節される。超音波振
動の「キャビテーション」作用によりフラックスなしで
直接半田付けできる。
【００２０】電場発光素子の接続端子部は４辺に分割さ
れている。生産性向上の目的から１辺毎に超音波加熱リ
フロー装置を設置する。図２はこの発明の異なる実施例
に係る半田接続方法を示す要部断面図である。外部引き
出し用の可とう性マルチリード線７Ａはポリイミドフィ
ルムを使用しているがドライバＩＣ１６が搭載されてい
る点が図１に示す半田接続方法と異なる。
れている。生産性向上の目的から１辺毎に超音波加熱リ
フロー装置を設置する。図２はこの発明の異なる実施例
に係る半田接続方法を示す要部断面図である。外部引き
出し用の可とう性マルチリード線７Ａはポリイミドフィ
ルムを使用しているがドライバＩＣ１６が搭載されてい
る点が図１に示す半田接続方法と異なる。
【００２１】
【発明の効果】この発明によれば端子電極に難半田付け
性金属と外部引き出し用の可とう性マルチリード線を、
酸素親和性の高い元素を微量添加したＰｂ―Ｓｎ共晶合
金半田を用いて接合するに際し、弾性体を介して超音波
溶接するので超音波溶接の際の加圧力と弾性体の弾性に
より剛性体である基板と可とう性マルチリード線の反り
が吸収され相互の密着性が高まり剛性体である基板と可
とう性マルチリード線が均一に接合した電場発光素子が
得られる。
性金属と外部引き出し用の可とう性マルチリード線を、
酸素親和性の高い元素を微量添加したＰｂ―Ｓｎ共晶合
金半田を用いて接合するに際し、弾性体を介して超音波
溶接するので超音波溶接の際の加圧力と弾性体の弾性に
より剛性体である基板と可とう性マルチリード線の反り
が吸収され相互の密着性が高まり剛性体である基板と可
とう性マルチリード線が均一に接合した電場発光素子が
得られる。
【００２２】上述の発明で難半田付け性金属がＩＴＯ，
Ｗ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｓｉ，Ｃｒ等の高融点金属また
は合金であるので電場発光素子の高温での熱処理が可能
となる。また酸素親和力の高い微量元素がＺｎ，Ｓｂ，
Ａｌ，Ｔｉ，ＳｉもしくはＣｕであるのでＰｂ―Ｓｎ共
晶合金半田が難半田付け性金属とよく接合する。
Ｗ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｓｉ，Ｃｒ等の高融点金属また
は合金であるので電場発光素子の高温での熱処理が可能
となる。また酸素親和力の高い微量元素がＺｎ，Ｓｂ，
Ａｌ，Ｔｉ，ＳｉもしくはＣｕであるのでＰｂ―Ｓｎ共
晶合金半田が難半田付け性金属とよく接合する。
【図１】この発明の実施例に係る半田接続方法を示す要
部断面図
部断面図
【図２】この発明の異なる実施例に係る半田接続方法を
示す要部断面図
示す要部断面図
【図３】電場発光素子を示す平面図
【図４】電場発光素子を示す断面図
【図５】従来の超音波加熱半田リフロー接続方法を示す
断面図
断面図
【図６】従来の超音波加熱半田リフロー接続方法を示す
断面図
断面図
１ 超音波振動子 ２ ホーン ３ チップ ４ チップ加熱用ヒーター ５ ヒータ用リード線 ６ 弾性体 ７ 外部引き出し用の可とう性マルチリード線 ７Ａ 外部引き出し用の可とう性マルチリード線 ８ フレキシブルフィルム ９ 導電性マルチリード １０ 特殊半田 １１ 難半田付け性マルチ接続端子部 １２ ガラス電極 １３ 封止ガラス １４ シール材 １５ 封入材 １６ ドライバＩＣ １７ 注入口封止ガラス １８ シール材 １９ 注入口 ２０ 空間部 ２１ 下部電極 ２２ 第１絶縁層 ２３ 発光層 ２４ 第２絶縁層 ２５ 背面電極 ２６ 接続端子部（走査信号入力偶数端子部） ２７ 接続端子部（走査信号入力奇数端子部） ２８ 接続端子部（データ信号入力偶数端子部） ２９ 接続端子部（データ信号入力奇数端子部） ３３ リード線 ３４ 基板 ３５ 難半田付け性金属 ３５Ａ 金属酸化物
Claims (3)
- 【請求項１】電場発光素子の剛性基板上に形成した接続
端子部を外部引き出し用の可とう性マルチリード線と半
田を介して接続する半田接続方法において、難半田付け
性金属からなる接続端子部に、酸素親和性の高い元素を
微量添加したＰｂ―Ｓｎ共晶合金からなる特殊半田を載
置し、外部引き出し用の可とう性マルチリード線を前記
接続端子部と重合し、さらに弾性体を積層して所定の温
度に加熱しながら超音波溶接を行うことを特徴とする表
示パネル接続端子部の半田接続方法。 - 【請求項２】請求項１に記載の半田接続方法において、
難半田付け性金属がＩＴＯ，Ｗ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｓ
ｉ，Ｃｒ等の高融点金属または合金であることを特徴と
する表示パネル接続端子部の半田接続方法。 - 【請求項３】請求項１に記載の半田接続方法において、
微量元素がＺｎ，Ｓｂ，Ａｌ，Ｔｉ，ＳｉまたはＣｕで
あることを特徴とする表示パネル接続端子部の半田接続
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6300468A JPH08162271A (ja) | 1994-12-05 | 1994-12-05 | 表示パネル接続端子部の半田接続方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6300468A JPH08162271A (ja) | 1994-12-05 | 1994-12-05 | 表示パネル接続端子部の半田接続方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08162271A true JPH08162271A (ja) | 1996-06-21 |
Family
ID=17885165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6300468A Pending JPH08162271A (ja) | 1994-12-05 | 1994-12-05 | 表示パネル接続端子部の半田接続方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08162271A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010150351A1 (ja) * | 2009-06-23 | 2010-12-29 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 電極基体 |
| JP2011018464A (ja) * | 2009-07-07 | 2011-01-27 | Toyota Central R&D Labs Inc | 電極材料、電極及び素子 |
| WO2020116051A1 (ja) * | 2018-12-04 | 2020-06-11 | アートビーム有限会社 | 放電電極板 |
-
1994
- 1994-12-05 JP JP6300468A patent/JPH08162271A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010150351A1 (ja) * | 2009-06-23 | 2010-12-29 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 電極基体 |
| JP2011018464A (ja) * | 2009-07-07 | 2011-01-27 | Toyota Central R&D Labs Inc | 電極材料、電極及び素子 |
| WO2020116051A1 (ja) * | 2018-12-04 | 2020-06-11 | アートビーム有限会社 | 放電電極板 |
| JPWO2020116051A1 (ja) * | 2018-12-04 | 2021-10-07 | アートビーム有限会社 | 放電電極板 |
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