JP2007249015A - 液晶表示装置とその製造方法。 - Google Patents

Abstract

【課題】 対向電極が形成されたガラス基板が該対向電極の電位供給のために、回路基板と導電性接着剤によって接続されるが、対向電極に接続された端子電極上に配向膜が形成されており、この配向膜によって導電性接着剤による電気的接続の信頼性が低下していた。
【解決手段】 複数の画素電極を有する第一電極基板と該第一電極基板に相対する対向電極を有する第二電極基板間に液晶を封入して液晶表示素子を形成するとともに、前記第二電極基板の対向電極に接続された端子電極と、接続基板の配線パッドとを導電性接着剤により電気的に接続する液晶表示装置において、前記第二電極基板の端子電極上に設けられた無機配向膜を部分的に除去し、該除去部に露出した端子電極上に設けられた金属層と、該金属層と前記接続基板上の配線パッドとを電気的に接続する導電性接着剤とよりなる液晶表示装置とする。
【選択図】 図１

Description

本発明は、液晶表示装置とその製造方法に関するものである。

一般的な液晶表示素子は、表面に透明電極が形成された第二電極基板（例えばガラス基板）と、それに相対して表面に画素電極が形成された第一電極基板（例えば透明ガラス基板またはシリコン素子基板）を所定の位置関係で貼り合わせ、前記一対の基板間に液晶を注入した後、封止して形成されている。液晶表示装置は前記液晶表示素子を回路基板に実装し、画素電極と対向電極間に電位差を与えて液晶の配向を制御する事で各種表示をさせるものである。

前記液晶表示装置の画素電極への電位供給は第一電極基板と回路基板上の電極パッドをワイヤボンディングによりワイヤーにて接続させ電気的に導通させることで実現している。一方、第一電極基板に対向する第二電極基板に形成された対向電極は、第二電極基板と回路基板間に導電性接着剤、例えば銀ペーストなどを塗布して前記対向電極に接続された（または、一体に形成された）端子電極と回路基板上の電極パッドを電気的に導通させている。
（例えば特許文献１）

図８は従来技術による液晶表示装置の部分断面図である。図８において５０は液晶表示装置であり、複数の画素を構成する画素電極５１ａと配向膜５１ｂを有する第一電極基板５１と、該第一電極基板５１に相対する対向電極５２ａと配向膜５２ｂを有する第二電極基板間５２とをシール部材５４で接着してセルを形成し、該セル内に液晶５３を封入して液晶表示素子５５を形成する。そして前記第二電極基板５２の対向電極５２ａに接続された端子電極５２ｃと接続基板であるフレキシブルプリントサーキット５７（以下ＦＰＣと略記する）の配線パッド５７ａとを導電性接着剤５８（例えば銀ペースト）により電気的に接続している。
上記構成のごとく前記ＦＰＣ５７によって液晶表示素子５５を、該液晶表示素子５５の駆動回路が実装された回路基板（図示せず）に接続している。

特開昭６０−１０８８２２号公報

図８に示すごとく第二電極基板５２の端子電極５２ｃは、導電性接着剤５８によってＦＰＣ５７の配線パッド５７ａに接続されるため、絶縁性の配向膜５２ｂが除去されて導電接続が可能な状態になっている。
しかし、この配向膜の形成は第二電極基板間５２の全面にポリイミド膜のスピンコートや酸化シリコーンの蒸着膜で形成しているため、通常はこの端子電極５２ｃを含む全面に形成されてしまう。

この配向膜を導電接着が必要な端子電極５２ｃの部分に付かないようにするためには、端子電極５２ｃの部分に一旦形成されてしまった配向膜をエッチングやプラズマ処理等によって除去するか、または端子電極５２ｃの部分に配向膜が付かないようにマスキングを行なった状態で配向膜の形成を行なう必要があった。
このように端子電極５２ｃの部分の配向膜を除去するためにはエッチング装置やプラズマ装置のような大型の装置を必要とするか、またはマスキング処理のような面倒な工程を必要としていた。
さらに、端子電極５２ｃを形成する透明電極であるＩＴＯ膜は、表面状態が平滑面であるため導電性接着剤５８との密着力が弱く、導電性接着剤５８の熱膨張や吸湿などにより、ＩＴＯ膜と導電性接着剤５８の接続抵抗が高くなってしまうという問題がある。

本発明の目的は上記問題に鑑みなされたもので、液晶表示素子の接続部分の配向膜の除去を容易に行なうことができ、またＩＴＯ膜に対する密着性を改善して電気的接続の信頼性を高めた液晶表示装置とその製造方法を提供する事にある。

上記目的を達成するため本発明においては、複数の画素電極を有する第一電極基板と該第一電極基板に相対する対向電極を有する第二電極基板間に液晶を封入して液晶表示素子を形成するとともに、前記第二電極基板の対向電極に接続された（または、一体に形成された）端子電極と、接続基板の配線パッドとを導電性接着剤により電気的に接続する液晶表示装置において、前記第二電極基板の端子電極上に設けられた無機配向膜を部分的に除去し、該除去部に露出した端子電極上に金属層を設け、該金属層と前記接続基板上の配線パッドとを電気的に接続する導電性接着剤とよりなる液晶表示装置とする。

前記無機配向膜は酸化シリコンＳｉＯｘ（Ｘ＝１〜２）の斜方蒸着膜であり、前記無機配向膜の除去部は前記無機配向膜を機械加工によって形成されている液晶表示装置とする。

前記対向電極はＩＴＯ膜であり、前記金属層はインジュウムか錫を含む金属層である液晶表示装置とする。

前記第一電極基板が画素スイッチを形成したシリコン素子基板である液晶表示装置とする。

複数の画素電極を有する第一電極基板と該第一電極基板に相対する対向電極を有する第二電極基板間に液晶を封入して液晶表示素子を形成するとともに、前記第二電極基板の対向電極に接続された端子電極と、接続基板の配線パッドとを導電性接着剤により電気的に接続する液晶表示装置の製造方法において、
前記第二電極基板の端子電極上に設けられた無機配向膜に加熱した超音波半田ゴテによる削り加工を行って無機配向膜を除去する除去部形成工程と、前記除去部に露出した端子電極上に金属層を形成する金属層形成工程と、該金属層と前記接続基板上の配線パッドとを導電性接着剤により電気的に接続する電気的接続工程とを具備する液晶表示装置の製造方法とする。

前記対向電極はＩＴＯ膜であり、前記金属層がインジュウムか錫を含む金属層である液晶表示装置の製造方法とする。

複数の画素電極を有する第一電極基板と該第一電極基板に相対する対向電極を有する第二電極基板間に液晶を封入して液晶表示素子を形成するとともに、前記第二電極基板の対向電極に接続された端子電極と、接続基板の配線パッドとを導電性接着剤により電気的に接続する液晶表示装置の製造方法において、
前記第二電極基板の端子電極上に設けられた無機配向膜に、金属を溶融付着した超音波半田ゴテによる削り加工を行って無機配向膜を除去すると同時に、該除去部に露出した端子電極上に金属層を形成する除去部及び金属層形成工程と、該金属層と前記接続基板上の配線パッドとを導電性接着剤により電気的に接続する電気的接続工程とを具備する液晶表示装置の製造方法とする。

前記対向電極はＩＴＯ膜であり、前記金属層がインジュウムか錫を含む金属層である液晶表示装置の製造方法とする。

本発明においては、第二電極基板の端子電極上に設けられた無機配向膜を機械加工により部分的に除去して形成した除去部と、該除去部に露出した端子電極上にインジュウムか錫を含む特殊金属ハンダの金属層を設けることによって、導電性接着剤による電気的接続の信頼性が向上した液晶表示装置が得られる。

シリコン素子基板を用いるＬＣＯＳ方式の液晶表示装置の場合、配向膜として耐熱性のあるＳｉＯｘ（Ｘ＝１〜２）の蒸着膜が用いられるため、この除去しにくい配向膜を超音波半田ゴテによる機械加工で容易に除去することで、信頼性が高く製造コストの安い液晶表示装置が得られる。

従来の液晶表示装置の製造方法に、第二電極基板の端子電極上に設けられた無機配向膜を機械加工により部分的に除去する工程と、該除去部に露出した端子電極上に特殊金属ハンダの金属層を設ける工程を追加するだけで、電気的接続の信頼性が向上した液晶表示装置が得られる。

第二電極基板の端子電極上に設けられた無機配向膜を機械加工により部分的に除去する工程と、該除去部に露出した端子電極上に特殊金属ハンダの金属層を設ける工程とを、超音波半田ゴテに特殊金属ハンダを供給しながら行なうことで、超音波振動による配向膜の破壊と、特殊金属ハンダによる金属層の形成を同時に行なうことができ、電気的接続の信頼性が高く製造コスト的に有利な液晶表示装置が得られる。

本発明においては、複数の画素電極を有する第一電極基板と該第一電極基板に相対する対向電極を有する第二電極基板間に液晶を封入して液晶表示素子を形成するとともに、前記第二電極基板の対向電極に接続された端子電極と、接続基板の配線パッドとを導電性接着剤により電気的に接続する液晶表示装置において、前記第二電極基板の端子電極上に設けられた無機配向膜を部分的に除去し、該除去部に露出した端子電極上に設けられた金属層と、該金属層と前記接続基板上の配線パッドとを電気的に接続する導電性接着剤とよりなる液晶表示装置とする。

複数の画素電極を有する第一電極基板と該第一電極基板に相対する対向電極を有する第二電極基板間に液晶を封入して液晶表示素子を形成するとともに、前記第二電極基板の対向電極に接続された端子電極と、接続基板の配線パッドとを導電性接着剤により電気的に接続する液晶表示装置の製造方法において、
前記第二電極基板の端子電極上に設けられた無機配向膜に加熱した超音波半田ゴテによる削り加工を行って無機配向膜を除去する除去部形成工程と、前記除去部に露出した端子電極上に特殊金属ハンダよりなる金属層を形成する金属層形成工程と、該金属層と前記接続基板上の配線パッドとを導電性接着剤により電気的に接続する電気的接続工程とを具備する液晶表示装置の製造方法とする。

以下図面により本発明の実施形態を説明する。図１、図２は本発明による液晶表示装置の第１実施形態を示すもので、図２は平面図、図１は図２のＡ−Ａ断面図であり以下その構成を説明する。

図１、図２において１０は液晶表示装置であり、本実施形態における液晶表示装置１０は第一電極基板としてシリコン素子基板を用いたＬＣＯＳ方式の液晶表示装置である。
図２において液晶表示装置１０は第一電極基板１、第二電極基板２、ＦＰＣ７の３層構成を有する。そしてＦＰＣ７は表示領域７Ａと接続領域７Ｂが設けられておりその表面には後述する液晶表示素子と外部回路を接続する配線パターン７ａが設けられている。また第一電極基板１と第二電極基板２はＦＰＣ７の表示領域７Ａに積層配置されているが、互いに少しずらせて配設されているため、両電極基板が重なる表示領域の外側に、各々の電極基板の端面より外側に張り出した庇部１Ａ、２Ａが形成されている。

次に図１の断面図により液晶表示装置１０の詳しい構成を説明する。
前記第一電極基板１は複数の画素スイッチを構成するシリコン素子基板であり、この画素スイッチ上にアルミニウム膜等の反射性金属よりなる反射電極１ａと酸化シリコンＳｉＯｘ（Ｘ＝１〜２）を斜蒸着した無機配向膜１ｂを備えている。そして第一電極基板１の庇部１Ａには画素スイッチに接続された端子電極１ｃが外部接続端子として設けられている。
また第二電極基板２はガラス基板であり、透明電極膜である対向電極２ａと酸化シリコンＳｉＯｘ（Ｘ＝１〜２）を斜方蒸着した無機配向膜２ｂを備えている。
そして第二電極基板２の庇部２Ａには対向電極２ａに接続された端子電極２ｃが外部接続端子として設けられている。
さらにＦＰＣ７には前記配線パターン７ａに接続された配線パッド７ｃ，７ｂが前記第一電極基板１及び第二電極基板２との接続端子として設けられている。

前記第一電極基板１と第二電極基板２とをシール部材４で接着してセルを形成し、該セル内に液晶３を封入して液晶表示素子５を形成する。そしてこの液晶表示素子５を前記接続基板であるＦＰＣ７の上面に第一電極基板１の裏面を接着して一体化した後、前記第二電極基板２の端子電極２ｃの上に形成された金属層１２とＦＰＣ７の配線パッド７ｂとの間を導電性接着剤８により電気的に接続し、さらに導電性接着剤８の周囲を保護樹脂９でコートしている。

また第一電極基板１の端子電極１ｃとＦＰＣ７の配線パッド７ｃとの間は金線またはアルミニウム線等のワイヤー１１によってワイヤーボンディングされており、さらにワイヤー１１の周囲を保護樹脂９としてのシリコーン樹脂によりコートしている。このシリコーン樹脂は、可視光を吸収する顔料を混ぜ、光が配線パッド部に照射するのを防止するための遮光体を兼用している。例えば、黒色シリコーン樹脂によってコートしている。また導電性接着剤８及びワイヤー１１をコートしている保護樹脂９は、それぞれ第一電極基板１及び第二電極基板２の端部との間に隙間を設けることによって、保護樹脂９の熱収縮による影響が液晶表示素子５におよばないようにしている。

図３は図１に示す液晶表示装置１０の接続部を拡大した部分断面図であり、図３において図１と同一要素には同一番号を付し、重複する説明を省略する。
第二電極基板２に形成された無機配向膜２ｂにおける前記端子電極２ｃに対応する位置には後述する機械的加工によって溝形状の除去部２ｄが設けられており、該除去部２ｄに露出した端子電極２ｃ上にはインジュウムか錫を含む特殊金属ハンダによる金属層１２が設けられている。そしてこの金属層１２と配線パッド７ｂとの間が導電性接着剤８によって電気的に接続されている。
この金属層１２は特殊金属ハンダを後述する超音波半田ゴテによって端子電極２ｃを構成するＩＴＯ膜上に膜形成されているため、ＩＴＯ膜と金属層１２との密着性及び金属層１２と導電性接着剤８の密着性、さらに導電性接着剤８と配線パッド７ｂとの密着性がすべて良好であるため、前記液晶表示素子５とＦＰＣ７との電気的接続の信頼性が向上する。（ＩＴＯはインジュウムと錫を含むため、インジュウムか錫を含む特殊金属ハンダとなじむ）

前述の如く導電性接着剤８及びワイヤー１１の周囲を保護樹脂９によってコートしており、この保護樹脂９の外周と第一電極基板１及び第二電極基板２の端面との間に所定の間隙が設けられている。前記導電性接着剤８は銀粒子を接着剤となるエポキシ系樹脂に混合したものであり、また保護樹脂９は熱硬化型または紫外線硬化型のエポキシ樹脂、あるいは、シリコーン樹脂等が用いられる。その中でも基板等への応力が比較的低く、液晶の厚みを安定に保つことができるシリコーン樹脂を用いると良い。シリコーン樹脂は、表面活性剤として機能するシリコンカップリング剤を混入することにより接触物に対する濡れ性、浸透性が改善され、保護樹脂には最適である。
上記構成によれば保護樹脂９は導電性接着剤８及びワイヤー１１の周囲は確り保護するが、第一電極基板１及び、第二電極基板２の側面には接触していないので、保護樹脂９が周囲の温度及び湿度によって伸縮しても第一電極基板１及び、第二電極基板２にストレスを与えることがなく表示の高い精度が保たれる。

次に図４により液晶表示装置１０の製造方法を説明する。
図４は液晶表示装置１０の製造方法を示す工程図であり、液晶表示装置１０の接続部分を拡大した部分断面を示す。図４（Ａ）は除去部形成工程図、図４（Ｂ）は金属層形成工程図、図４（Ｃ）電気的接続工程図である。

図４（Ａ）は除去部形成工程を示すものであり、超音波半田ゴテ１３（超音波振動と加熱を同時に行う半田ゴテ）を第二電極基板２に形成された無機配向膜２ｂの端子電極２ｃに対応する位置に当て、機械加工を行う（軽くこする）と、超音波半田ゴテ１３の高温と超音波振動によって無機配向膜２ｂが破壊され除去部（開口）２ｄが形成される。この超音波半田ゴテ１３の無機配向膜２ｂの破壊に用いる条件としては、超音波振動を発生させる駆動周波数は、２５ＫＨｚ〜１５０ＫＨｚが利用可能だが、無機配向膜２ｂの破壊には２５ＫＨｚ〜５０ＫＨｚが好ましく、また超音波発振出力としては３〜１５Ｗが使用可能だが７〜１３Ｗが好ましく、さらに半田ゴテ温度は使用する特殊金属ハンダの溶融温度の＋２０℃〜＋５０℃が望ましい。

図４（Ｂ）は金属層形成工程を示すものであり、除去部２ｄによって露出した端子電極２ｃに超音波半田ゴテ１３に特殊金属ハンダ１２ａ、例えばセラソルザ（黒田テクノ株式会社の商標）を溶かしながら接触させる事によって金属層１２が形成される。
これは単なる加熱用の半田ゴテの場合とは異なり、超音波半田ゴテ１３が高温と超音波振動を加えることで平滑面の端子電極２ｃに対して、インジュウムか錫を含む特殊金属ハンダ１２ａが強力な密着力で膜形成される。なお、供給される特殊金属ハンダ１２ａを点線で示す。この時の超音波半田ゴテ１３の条件としては、前記セラソルザの溶融温度が１５５℃なので、１７０℃〜１８０℃が最適温度であった。この温度が低すぎるとセルソラザが溶融せず、また高すぎるとセルソラザが気化したり、周辺に飛散する問題が発生する。

図４（Ｃ）は電気的接続工程を示すものであり、金属層形成工程まで行って完成した液晶表示素子５の第一電極基板１の裏面側を、接着剤または粘着剤によりＦＰＣ７の上面に接着して一体化した後、前記第二電極基板２に形成された金属層１２とＦＰＣ７の配線パッド７ｂとの間を導電性接着剤８により電気的に接続している。なお、供給される導電性接着剤８ａを点線でしめす。

図５は液晶表示装置１０の製造方法の第２の実施形態を示すものであり、図４と同一要素には同一番号を付し、重複する説明を省略する。
図５は図４（Ａ）の除去部形成工程と図４（Ｂ）の金属層形成工程を同時に行う、除去部形成、金属膜形成工程図であり、超音波半田ゴテ１３に特殊金属ハンダ１２ａを溶かしながら機械加工を行うことによって除去部２ｄの形成と金属層１２の形成とを同時に１工程で完成させたものである。

すなわち、超音波半田ゴテ１３の条件として、駆動周波数を２５ＫＨｚ〜５０ＫＨｚ、超音波発振出力を７〜１３Ｗ、さらに半田ゴテ温度を１７０℃〜１８０℃に設定した状態で、この超音波半田ゴテ１３の先端に特殊金属であるセルソラザを溶解させながら図５に示すごとく端子電極２ｃに対応する無機配向膜２ｂの部分に軽く当接させて、こすることにより除去部２ｄが形成されるとともに金属層１２が形成される。

図６は本発明における第２の実施形態を示す液晶表示装置の部分断面図であり、図３に示す液晶表示装置１０と同一要素には同一番号を付し、重複する説明を省略する。図６に示す液晶表示装置２０において、図３に示す液晶表示装置１０と異なる所は、第二電極基板２に形成された無機配向膜２ｂに設ける除去部２ｄを第二電極基板２の端部まで延ばして形成した事であり、この構成によって導電性接着剤８の供給が第二電極基板２の端面側から容易に行うことができる効果がある。

なお、本実施形態による液晶表示装置１０、２０の液晶表示素子５に用いた各膜厚は以下の通りである。対向電極２ａ（例えばＩＴＯ）は５０〜３００Å、配向膜２ｂ（例えばＳｉＯｘ）１００〜１０００Å、金属層１２（例えば、インジュームハンダ、セラソルザ）５０〜２００μｍ程度であり、導電性接着剤８は例えば銀ペーストである。

図７は前記第二電極基板２の端子電極２ｃに特殊金属ハンダ膜を形成した状態と、形成しない状態との比較のための信頼性試験による抵抗値変化を示す表とグラフである。信頼試験条件としては、特殊金属ハンダ膜としては前述のセラソルザを使用し、温度６０℃、湿度９０％である。上記信頼性試験の結果特殊金属ハンダの有無で比較すると、特殊金属ハンダ膜を設けた方が抵抗値が低く変化も少ないことがわかる。また特殊金属ハンダ膜としては端子電極２ｃの組成物と同じ金属を含有しているものが良く、本実施例ではインジウムか錫を含有している特殊金属ハンダ膜が望ましいことがわかった。
（貴社出願Ｐ０９０３の図５の表とグラフを本願の図７として使用して下さい）

上記のごとく本発明によれば、超音波半田ゴテ用いて液晶表示素子基板の無機配向膜に除去部を設けるとともに、その除去部に特殊金属ハンダによる金属層を設けることで液晶表示装置と外部回路基板との電気的接続の信頼性を向上させることができるため、表示信頼性の高い液晶表示装置を安価に提供することができる。

以上、本実施形態においては液晶プロジェクターやプリンターに用いられるＬＣＯＳ方式の液晶表示装置について説明したが、これに限定されるものではなく、ガラス基板方式の液晶表示装置にも応用可能であり、また高温対策用として無機配向の液晶表示素子を説明したが、有機配向膜を有する液晶表示素子に対しても応用可能であることは当然である。

本発明の第１の実施形態を示す液晶表示装置の断面図である。 本発明の第１の実施形態を示す液晶表示装置の平面図である。 本発明の第１の実施形態を示す液晶表示装置の部分断面図である。 本発明の液晶表示装置の製造方法を示す工程図である。 本発明の液晶表示装置の他の製造方法を示す工程図である。 本発明の第２の実施形態を示す液晶表示装置の部分断面図である。 金属層の有無による信頼性試験の抵抗値変化を示す表とグラフである。 従来技術による液晶表示装置の部分断面図である。

符号の説明

１ 第一電極基板
１Ａ 庇部
１ａ 反射電極
１ｂ 無機配向膜
１ｃ 端子電極
２ 第二電極基板
２Ａ 庇部
２ａ 対向電極
２ｂ 無機配向膜
２ｃ 端子電極
２ｄ 除去部
３ 液晶
４ シール部材
５ 液晶表示素子
７ ＦＰＣ
７Ａ 表示領域
７Ｂ 接続領域
７ａ 配線パターン
７ｂ 配線パッド
７ｃ 配線パッド
８ 導電性接着剤
８ａ 導電性接着剤
９ 保護樹脂
１０ 液晶表示装置
１１ ワイヤー
１２ 金属層
１２ａ 特殊金属ハンダ
１３ 超音波半田ゴテ
２０ 液晶表示装置
５０ 液晶表示装置
５１ 第一電極基板
５１ａ 画素電極
５１ｂ 配向膜
５２ 第二電極基板
５２ａ 対向電極
５２ｂ 配向膜
５２ｃ 端子電極
５３ 液晶
５４ シール部材
５５ 液晶表示素子
５７ ＦＰＣ
５７ａ 配線パッド
５８ 導電性接着剤

Claims (10)

1. 複数の画素電極を有する第一電極基板と該第一電極基板に相対する対向電極を有する第二電極基板間に液晶を封入して液晶表示素子を形成するとともに、前記第二電極基板の対向電極に接続された端子電極と、接続基板の配線パッドとを導電性接着剤により電気的に接続する液晶表示装置において、前記第二電極基板の端子電極上に設けられた無機配向膜を部分的に除去し、該除去部に露出した端子電極上に金属層を設け、該金属層と前記接続基板上の配線パッドとを電気的に接続する導電性接着剤とよりなることを特徴とする液晶表示装置。
2. 前記無機配向膜は酸化シリコンＳｉＯｘ（Ｘ＝１〜２）の斜方蒸着膜であり、前記無機配向膜の除去部は前記無機配向膜を機械加工によって形成されている請求項１記載の液晶表示装置。
3. 前記対向電極はＩＴＯ膜であり、前記金属層はインジュウムか錫を含む金属層である請求項１又は２記載の液晶表示装置。
4. 前記第一電極基板が画素スイッチを形成したシリコン素子基板である請求項１乃至３項の何れか１項記載の液晶表示装置。
5. 複数の画素電極を有する第一電極基板と該第一電極基板に相対する対向電極を有する第二電極基板間に液晶を封入して液晶表示素子を形成するとともに、前記第二電極基板の対向電極に接続された端子電極と、接続基板の配線パッドとを導電性接着剤により電気的に接続する液晶表示装置の製造方法において、
   前記第二電極基板の端子電極上に設けられた無機配向膜に加熱した超音波半田ゴテによる削り加工を行って無機配向膜を除去する除去部形成工程と、前記除去部に露出した端子電極上に金属層を形成する金属層形成工程と、該金属層と前記接続基板上の配線パッドとを導電性接着剤により電気的に接続する電気的接続工程とを有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
6. 前記対向電極はＩＴＯ膜であり、前記金属層がインジュウムか錫を含む金属層である請求項５記載の液晶表示装置の製造方法。
7. 前記超音波半田ゴテの無機配向膜の破壊及び金属層形成に用いる条件は、駆動周波数が２５ＫＨｚ〜５０ＫＨｚ、超音波発振出力が７〜１３Ｗ、半田ゴテ温度が１７０度〜１８０℃である請求項６記載の液晶表示装置の製造方法。
8. 複数の画素電極を有する第一電極基板と該第一電極基板に相対する対向電極を有する第二電極基板間に液晶を封入して液晶表示素子を形成するとともに、前記第二電極基板の対向電極に接続された端子電極と、接続基板の配線パッドとを導電性接着剤により電気的に接続する液晶表示装置の製造方法において、
   前記第二電極基板の端子電極上に設けられた無機配向膜に、金属を溶融付着した超音波半田ゴテによる削り加工を行って無機配向膜を除去すると同時に、除去部に露出した端子電極上に金属層を形成する除去部及び金属層形成工程と、該金属層と前記接続基板上の配線パッドとを導電性接着剤により電気的に接続する電気的接続工程とを有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
9. 前記対向電極はＩＴＯ膜であり、前記金属層がインジュウムか錫を含む金属層である請求項８記載の液晶表示装置の製造方法。
10. 前記超音波半田ゴテの無機配向膜の破壊及び金属層形成に用いる条件は、駆動周波数が２５ＫＨｚ〜５０ＫＨｚ、超音波発振出力が７〜１３Ｗ、半田ゴテ温度が１７０度〜１８０℃である請求項９記載の液晶表示装置の製造方法。

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