JPH08148618A - 放熱構造 - Google Patents
放熱構造Info
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- JPH08148618A JPH08148618A JP6287687A JP28768794A JPH08148618A JP H08148618 A JPH08148618 A JP H08148618A JP 6287687 A JP6287687 A JP 6287687A JP 28768794 A JP28768794 A JP 28768794A JP H08148618 A JPH08148618 A JP H08148618A
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- Japan
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- heat
- lsi
- electronic component
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-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F28—HEAT EXCHANGE IN GENERAL
- F28D—HEAT-EXCHANGE APPARATUS, NOT PROVIDED FOR IN ANOTHER SUBCLASS, IN WHICH THE HEAT-EXCHANGE MEDIA DO NOT COME INTO DIRECT CONTACT
- F28D20/00—Heat storage plants or apparatus in general; Regenerative heat-exchange apparatus not covered by groups F28D17/00 or F28D19/00
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F28—HEAT EXCHANGE IN GENERAL
- F28F—DETAILS OF HEAT-EXCHANGE AND HEAT-TRANSFER APPARATUS, OF GENERAL APPLICATION
- F28F3/00—Plate-like or laminated elements; Assemblies of plate-like or laminated elements
- F28F3/02—Elements or assemblies thereof with means for increasing heat-transfer area, e.g. with fins, with recesses, with corrugations
- F28F3/022—Elements or assemblies thereof with means for increasing heat-transfer area, e.g. with fins, with recesses, with corrugations the means being wires or pins
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/14—Thermal energy storage
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Thermal Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 電子部品の動作・非動作時等における急激な
温度変化を抑制し、電子部品と回路基板との接続部等の
実装構造における熱応力を緩和する。 【構成】 ＢＧＡ等の接続部６を介して回路基板４上に
実装されるＬＳＩ３の上面に、中心に貫通孔２ａが穿設
された板状の蓄熱材２を配置し、さらにその上面に、蓄
熱材２の貫通孔２ａと同形状か、あるいはそれより小さ
い突起部分１ａを下面にもつ放熱作用のみの放熱フィン
等からなるヒートシンク１を配置し、蓄熱材２とＬＳＩ
３、および放熱作用のみのヒートシンク１とＬＳＩ３と
をそれぞれ接触させるようにした放熱構造である。動作
中のＬＳＩ３から放出される熱の一部は蓄熱材２に蓄え
られ、動作停止によってＬＳＩ３の温度が低下すると蓄
熱材２から熱が与えられることによってＬＳＩ３の急激
な温度低下を抑制する。
温度変化を抑制し、電子部品と回路基板との接続部等の
実装構造における熱応力を緩和する。 【構成】 ＢＧＡ等の接続部６を介して回路基板４上に
実装されるＬＳＩ３の上面に、中心に貫通孔２ａが穿設
された板状の蓄熱材２を配置し、さらにその上面に、蓄
熱材２の貫通孔２ａと同形状か、あるいはそれより小さ
い突起部分１ａを下面にもつ放熱作用のみの放熱フィン
等からなるヒートシンク１を配置し、蓄熱材２とＬＳＩ
３、および放熱作用のみのヒートシンク１とＬＳＩ３と
をそれぞれ接触させるようにした放熱構造である。動作
中のＬＳＩ３から放出される熱の一部は蓄熱材２に蓄え
られ、動作停止によってＬＳＩ３の温度が低下すると蓄
熱材２から熱が与えられることによってＬＳＩ３の急激
な温度低下を抑制する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、放熱技術に関し、特
に、回路基板との接続部において、熱応力の影響を受け
やすいＬＳＩなどの発熱が大きい電子部品の冷却に適用
して有効な技術に関する。
に、回路基板との接続部において、熱応力の影響を受け
やすいＬＳＩなどの発熱が大きい電子部品の冷却に適用
して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来では、日経ＢＰ社、１９９３年５月
３１日、発行「実践講座ＶＬＳＩパッケージング技術
（上）」Ｐ１４８、図５．３．４、等の文献にも記載さ
れているように、たとえば、ＬＳＩ等の電子部品に設け
られた放熱構造（ヒートシンク）は、アルミニウムなど
熱伝導度の高い部材で形成し、放熱作用のみに重点をお
いた構造であり、該ヒートシンクとＬＳＩなどの電子部
品とを一体化させ、ＬＳＩから発生した熱を熱伝導によ
り該ヒートシンクに伝え、自然対流または強制空冷など
により放熱することによって、ＬＳＩの温度上昇を抑え
るものであった。
３１日、発行「実践講座ＶＬＳＩパッケージング技術
（上）」Ｐ１４８、図５．３．４、等の文献にも記載さ
れているように、たとえば、ＬＳＩ等の電子部品に設け
られた放熱構造（ヒートシンク）は、アルミニウムなど
熱伝導度の高い部材で形成し、放熱作用のみに重点をお
いた構造であり、該ヒートシンクとＬＳＩなどの電子部
品とを一体化させ、ＬＳＩから発生した熱を熱伝導によ
り該ヒートシンクに伝え、自然対流または強制空冷など
により放熱することによって、ＬＳＩの温度上昇を抑え
るものであった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ＬＳＩなどの電子部品
は、シリコンチップをセラミックあるいは有機材料上に
形成されたタングステン、銅、はんだ等によるパターン
に接続し、さらに有機材料、セラミックス等により封止
されるが、それぞれ異なった熱膨張係数をもっているの
で、寿命を含めた回路基板との接続部の信頼性上の観点
から、一定温度あるいは温度変化が小さい事が望ましい
が、高速・高集積化に伴う電子部品の発熱量の増加によ
り電子部品の温度上昇も増大している。
は、シリコンチップをセラミックあるいは有機材料上に
形成されたタングステン、銅、はんだ等によるパターン
に接続し、さらに有機材料、セラミックス等により封止
されるが、それぞれ異なった熱膨張係数をもっているの
で、寿命を含めた回路基板との接続部の信頼性上の観点
から、一定温度あるいは温度変化が小さい事が望ましい
が、高速・高集積化に伴う電子部品の発熱量の増加によ
り電子部品の温度上昇も増大している。
【０００４】電子部品が動作時の高発熱状態から、動作
停止あるいは待機状態（非動作時の電子部品が消費電力
を抑えている状態）の低発熱状態になった場合、ヒート
シンクを介して電子部品が急激に冷却されてしまい、各
部材間の熱膨張率の差から電子部品と回路基板の接続部
に多大な熱応力がかかり、接続部の信頼性を低下させる
ことが懸念されていた。
停止あるいは待機状態（非動作時の電子部品が消費電力
を抑えている状態）の低発熱状態になった場合、ヒート
シンクを介して電子部品が急激に冷却されてしまい、各
部材間の熱膨張率の差から電子部品と回路基板の接続部
に多大な熱応力がかかり、接続部の信頼性を低下させる
ことが懸念されていた。
【０００５】本発明の目的は、電子部品の動作・非動作
時等における急激な温度変化を抑制し、電子部品と回路
基板との接続部等の実装構造における熱応力を緩和する
ことが可能な放熱技術を提供することにある。
時等における急激な温度変化を抑制し、電子部品と回路
基板との接続部等の実装構造における熱応力を緩和する
ことが可能な放熱技術を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の放熱構造は、蓄
熱材を発熱源の電子部品と放熱作用のみの放熱構造（従
来の放熱構造）の間に挟み込むか、あるいは放熱作用の
みの放熱構造自体の中に埋め込むか、あるいは蓄熱材を
放熱作用のみの放熱構造の上面より装着し、さらにそれ
らを発熱源の電子部品と接触するように配置したもので
ある。
熱材を発熱源の電子部品と放熱作用のみの放熱構造（従
来の放熱構造）の間に挟み込むか、あるいは放熱作用の
みの放熱構造自体の中に埋め込むか、あるいは蓄熱材を
放熱作用のみの放熱構造の上面より装着し、さらにそれ
らを発熱源の電子部品と接触するように配置したもので
ある。
【０００７】蓄熱材としては、たとえば、電子部品の温
度変化の範囲内に相変化温度を有し、当該相変化におけ
る潜熱の吸収および放散の大きな物質、あるいは、熱容
量が充分に大きな物質等を利用することができる。
度変化の範囲内に相変化温度を有し、当該相変化におけ
る潜熱の吸収および放散の大きな物質、あるいは、熱容
量が充分に大きな物質等を利用することができる。
【０００８】
【作用】上述のような本発明の放熱構造によれば、蓄熱
材は電子部品が動作中の高発熱状態のうちに熱を吸収
し、発熱源の電子部品が動作停止等の要因で高発熱状態
から急激に低発熱状態になった場合、発熱源の電子部品
が低発熱状態になってからは、蓄熱材の相変化等による
潜熱（凝固熱）が放出され、発熱源の電子部品が当該熱
を吸収することにより、電子部品が急激に冷却されてし
まうことを抑制でき、電子部品と回路基板の接続部等の
実装構造に対する熱応力を緩和することができる。これ
により、動作時・非動作時で温度変化が大きい電子部品
と回路基板との接続部等の実装構造の信頼性を向上させ
ることができる。
材は電子部品が動作中の高発熱状態のうちに熱を吸収
し、発熱源の電子部品が動作停止等の要因で高発熱状態
から急激に低発熱状態になった場合、発熱源の電子部品
が低発熱状態になってからは、蓄熱材の相変化等による
潜熱（凝固熱）が放出され、発熱源の電子部品が当該熱
を吸収することにより、電子部品が急激に冷却されてし
まうことを抑制でき、電子部品と回路基板の接続部等の
実装構造に対する熱応力を緩和することができる。これ
により、動作時・非動作時で温度変化が大きい電子部品
と回路基板との接続部等の実装構造の信頼性を向上させ
ることができる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。
に説明する。
【００１０】（実施例１）図１は本発明の一実施例であ
る放熱構造を備えた電子部品の実装状態の一例を示す略
断面図である。本実施例では、電子部品の一例として、
大規模集積回路（ＬＳＩ）等に適用する場合について説
明する。
る放熱構造を備えた電子部品の実装状態の一例を示す略
断面図である。本実施例では、電子部品の一例として、
大規模集積回路（ＬＳＩ）等に適用する場合について説
明する。
【００１１】本実施例の放熱構造は、ＬＳＩ３の上面
に、中心に貫通孔２ａが穿設された板状の蓄熱材２を配
置し、蓄熱材２はシート５により融解時に形状を保持
し、さらに蓄熱材２の上面に、蓄熱材２の貫通孔２ａと
同形状か、あるいはそれより小さい突起部分１ａを下面
にもつ放熱作用のみの放熱フィン等からなるヒートシン
ク１を配置し、蓄熱材２とＬＳＩ３および放熱作用のみ
のヒートシンク１とＬＳＩ３を相互に接触させた構成と
なっている。ヒートシンク１は、たとえば熱伝導度の高
いアルミニウム等で構成されている。
に、中心に貫通孔２ａが穿設された板状の蓄熱材２を配
置し、蓄熱材２はシート５により融解時に形状を保持
し、さらに蓄熱材２の上面に、蓄熱材２の貫通孔２ａと
同形状か、あるいはそれより小さい突起部分１ａを下面
にもつ放熱作用のみの放熱フィン等からなるヒートシン
ク１を配置し、蓄熱材２とＬＳＩ３および放熱作用のみ
のヒートシンク１とＬＳＩ３を相互に接触させた構成と
なっている。ヒートシンク１は、たとえば熱伝導度の高
いアルミニウム等で構成されている。
【００１２】ＬＳＩ３は、たとえば、半導体シリコンチ
ップ等で構成され、たとえば多数のはんだボール等で構
成されるＢＧＡ(Ball Grid Array）等からなる接続部６
によって回路基板４に実装されている。
ップ等で構成され、たとえば多数のはんだボール等で構
成されるＢＧＡ(Ball Grid Array）等からなる接続部６
によって回路基板４に実装されている。
【００１３】本実施例では、一例として、蓄熱材２を、
ＬＳＩ３による温度変化の範囲内に相変化点を有し、相
変化に伴う潜熱を利用可能な素材で構成する。一般的に
物質の相変化に伴う潜熱を利用する蓄熱材（潜熱蓄熱
材）には、水、水和塩、パラフィン（Ｃn Ｈ2n+2）など
があるが、たとえば、ＬＳＩ３の温度変化内で固体から
液体に相変化を起こす蓄熱材２を使用した場合、ＬＳＩ
３が動作中の高発熱時に、蓄熱材２はＬＳＩ３より熱を
吸収し、さらに相変化の融解熱により、より多くの熱を
吸収することができる。
ＬＳＩ３による温度変化の範囲内に相変化点を有し、相
変化に伴う潜熱を利用可能な素材で構成する。一般的に
物質の相変化に伴う潜熱を利用する蓄熱材（潜熱蓄熱
材）には、水、水和塩、パラフィン（Ｃn Ｈ2n+2）など
があるが、たとえば、ＬＳＩ３の温度変化内で固体から
液体に相変化を起こす蓄熱材２を使用した場合、ＬＳＩ
３が動作中の高発熱時に、蓄熱材２はＬＳＩ３より熱を
吸収し、さらに相変化の融解熱により、より多くの熱を
吸収することができる。
【００１４】そして、ＬＳＩ３が停止あるいは待機状態
の低発熱状態になり、温度が急激に下がり始めた時、蓄
熱材２は蓄えた熱をＬＳＩ３に放出し、さらに相変化の
凝固熱を放出することにより、ＬＳＩ３の温度変化量を
小さくするか、冷却の温度勾配をゆるやかにできる。そ
れにより、特に、半導体シリコンチップ等からなるＬＳ
Ｉ３とはんだバンプ等のように、熱膨張係数が異なる要
素から構成される接続部６にかかる熱応力を緩和でき、
接続部６の信頼性を向上させることができる。これによ
り、接続構造の簡易化が可能となり、低価格化が図れ
る。
の低発熱状態になり、温度が急激に下がり始めた時、蓄
熱材２は蓄えた熱をＬＳＩ３に放出し、さらに相変化の
凝固熱を放出することにより、ＬＳＩ３の温度変化量を
小さくするか、冷却の温度勾配をゆるやかにできる。そ
れにより、特に、半導体シリコンチップ等からなるＬＳ
Ｉ３とはんだバンプ等のように、熱膨張係数が異なる要
素から構成される接続部６にかかる熱応力を緩和でき、
接続部６の信頼性を向上させることができる。これによ
り、接続構造の簡易化が可能となり、低価格化が図れ
る。
【００１５】（実施例２）図２は、本発明の他の実施例
である放熱構造を備えた電子部品の実装状態の一例を示
す略断面図である。
である放熱構造を備えた電子部品の実装状態の一例を示
す略断面図である。
【００１６】本実施例の場合には、蓄熱材２Ａを、たと
えば、熱伝導度の高い素材からなる放熱フィン等からな
るヒートシンク７の中に埋め込むことにより、一体化し
た構成となっている。これにより、本実施例の場合に
も、図１で説明した実施例１の場合と同様な効果を得る
ことができる。また、図１では放熱作用のみのヒートシ
ンク１と蓄熱材２がそれぞれ別構造になっているが、こ
のようにして、放熱作用のみのヒートシンク７と蓄熱材
２を一体化させることにより、取扱が容易となる。
えば、熱伝導度の高い素材からなる放熱フィン等からな
るヒートシンク７の中に埋め込むことにより、一体化し
た構成となっている。これにより、本実施例の場合に
も、図１で説明した実施例１の場合と同様な効果を得る
ことができる。また、図１では放熱作用のみのヒートシ
ンク１と蓄熱材２がそれぞれ別構造になっているが、こ
のようにして、放熱作用のみのヒートシンク７と蓄熱材
２を一体化させることにより、取扱が容易となる。
【００１７】（実施例３）図３は、本発明のさらに他の
実施例である放熱構造を備えた電子部品の実装状態の一
例を示す斜視図である。この実施例３の放熱構造の場合
には、図３のように、ＬＳＩ３に、多数の放熱ピン８ａ
が突設されたヒートシンク８を装着し、そのヒートシン
ク８の上面より当該ヒートシンク８の多数の放熱ピン８
ａと同形状、あるいはそれより大きい形状の貫通孔２ｂ
がくりぬかれた板状の蓄熱材２Ｂを装着し、ヒートシン
ク８の放熱ピン８ａが蓄熱材２の上面から突き出るよう
に嵌合させたものである。なお、図３では、ヒートシン
ク８と蓄熱材２Ｂとが分解された状態を示している。
実施例である放熱構造を備えた電子部品の実装状態の一
例を示す斜視図である。この実施例３の放熱構造の場合
には、図３のように、ＬＳＩ３に、多数の放熱ピン８ａ
が突設されたヒートシンク８を装着し、そのヒートシン
ク８の上面より当該ヒートシンク８の多数の放熱ピン８
ａと同形状、あるいはそれより大きい形状の貫通孔２ｂ
がくりぬかれた板状の蓄熱材２Ｂを装着し、ヒートシン
ク８の放熱ピン８ａが蓄熱材２の上面から突き出るよう
に嵌合させたものである。なお、図３では、ヒートシン
ク８と蓄熱材２Ｂとが分解された状態を示している。
【００１８】これにより、たとえば、既存の放熱作用の
みのヒートシンク８をなんら改造することなくそのまま
利用することができる。また、既に放熱作用のみのヒー
トシンク８とＬＳＩ３が一体化され、回路基板４上に実
装されてしまっているものに対しても蓄熱材２Ｂを容易
に装着させることにより、ＬＳＩ３の急激な温度変化を
抑制して接続部６にかかる熱応力を緩和できる、という
効果を得ることができる。
みのヒートシンク８をなんら改造することなくそのまま
利用することができる。また、既に放熱作用のみのヒー
トシンク８とＬＳＩ３が一体化され、回路基板４上に実
装されてしまっているものに対しても蓄熱材２Ｂを容易
に装着させることにより、ＬＳＩ３の急激な温度変化を
抑制して接続部６にかかる熱応力を緩和できる、という
効果を得ることができる。
【００１９】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。
例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。
【００２０】たとえば、図３の場合には、蓄熱材２Ｂに
円形の貫通孔２ｂを穿設した場合を示したが、矩形の貫
通孔や溝等を形成して、たとえば図１や図２に例示され
た矩形の放熱フィンに嵌合するような構成とすることも
本発明に含まれる。
円形の貫通孔２ｂを穿設した場合を示したが、矩形の貫
通孔や溝等を形成して、たとえば図１や図２に例示され
た矩形の放熱フィンに嵌合するような構成とすることも
本発明に含まれる。
【００２１】また、ヒートシンクを構成する高熱伝導度
の素材の内部に熱容量の大きな素材を分散させて放熱構
造とすることも本発明に含まれる。
の素材の内部に熱容量の大きな素材を分散させて放熱構
造とすることも本発明に含まれる。
【００２２】
【発明の効果】本発明の放熱構造によれば、電子部品の
動作・非動作時等における急激な温度変化を抑制し、電
子部品と回路基板との接続部等のような実装構造におけ
る熱応力を緩和することができる、という効果が得られ
る。これにより、接続構造の簡易化が可能となり、低価
格化が図れる。
動作・非動作時等における急激な温度変化を抑制し、電
子部品と回路基板との接続部等のような実装構造におけ
る熱応力を緩和することができる、という効果が得られ
る。これにより、接続構造の簡易化が可能となり、低価
格化が図れる。
【図１】本発明の一実施例である放熱構造を備えた電子
部品の実装状態の一例を示す略断面図である。
部品の実装状態の一例を示す略断面図である。
【図２】本発明の他の実施例である放熱構造を備えた電
子部品の実装状態の一例を示す略断面図である。
子部品の実装状態の一例を示す略断面図である。
【図３】本発明のさらに他の実施例である放熱構造を備
えた電子部品の実装状態の一例を示す斜視図である。
えた電子部品の実装状態の一例を示す斜視図である。
１ ヒートシンク（第１の材料） １ａ 突起部分 ２ 蓄熱材（第２の材料） ２ａ 貫通孔 ２ｂ 貫通孔 ２Ａ 蓄熱材（第２の材料） ２Ｂ 蓄熱材（第２の材料） ４ 回路基板 ５ シート ６ 接続部 ７ ヒートシンク（第１の材料） ８ ヒートシンク（第１の材料） ８ａ 放熱ピン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 坂上 雅一 神奈川県海老名市下今泉810番地 株式会 社日立製作所オフィスシステム事業部内 (72)発明者 上村 康浩 神奈川県秦野市堀山下１番地 株式会社日 立コンピュータエレクトロニクス内
Claims (1)
- 【請求項１】 高熱伝導度の第１の材料と、蓄熱機能が
高い第２の材料とを組合せてなることを特徴とする放熱
構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6287687A JPH08148618A (ja) | 1994-11-22 | 1994-11-22 | 放熱構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6287687A JPH08148618A (ja) | 1994-11-22 | 1994-11-22 | 放熱構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08148618A true JPH08148618A (ja) | 1996-06-07 |
Family
ID=17720437
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6287687A Pending JPH08148618A (ja) | 1994-11-22 | 1994-11-22 | 放熱構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08148618A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008193017A (ja) * | 2007-02-08 | 2008-08-21 | Toyota Motor Corp | 半導体素子の冷却構造 |
| DE102008015013A1 (de) * | 2008-03-19 | 2009-09-24 | GFE - Gesellschaft für Fertigungstechnik und Entwicklung Schmalkalden e.V. | Haftfestes Schichtsystem auf CBN-Substraten |
| WO2012157521A1 (ja) * | 2011-05-17 | 2012-11-22 | シャープ株式会社 | 伝熱装置 |
| JP2015192057A (ja) * | 2014-03-28 | 2015-11-02 | 富士通株式会社 | 電子機器及びその冷却方法 |
| WO2020100769A1 (ja) * | 2018-11-14 | 2020-05-22 | 日立化成株式会社 | 電子装置 |
| JP2020194863A (ja) * | 2019-05-28 | 2020-12-03 | 矢崎総業株式会社 | 放熱構造 |
-
1994
- 1994-11-22 JP JP6287687A patent/JPH08148618A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US8919424B2 (en) | 2007-02-08 | 2014-12-30 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Semiconductor element cooling structure |
| DE102008015013A1 (de) * | 2008-03-19 | 2009-09-24 | GFE - Gesellschaft für Fertigungstechnik und Entwicklung Schmalkalden e.V. | Haftfestes Schichtsystem auf CBN-Substraten |
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| JP2020194863A (ja) * | 2019-05-28 | 2020-12-03 | 矢崎総業株式会社 | 放熱構造 |
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