JPH08147687A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH08147687A JPH08147687A JP6293296A JP29329694A JPH08147687A JP H08147687 A JPH08147687 A JP H08147687A JP 6293296 A JP6293296 A JP 6293296A JP 29329694 A JP29329694 A JP 29329694A JP H08147687 A JPH08147687 A JP H08147687A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 非磁性基板上に、少なくとも下地層及び磁性
層を有する磁気記録媒体の製造方法において、非磁性基
板、磁性層又は下地層の表面に、該表面上を相対的に移
動するエネルギー線を照射して、該表面上におけるエネ
ルギー線の該な移動方向に対して垂直な方向における溶
融幅が５μｍ以下になるように該表面を局所的に溶融
し、該表面上に突起を形成した後、必要とする下地層、
磁性層又は保護層を製膜する磁気記録媒体の製造方法。 【効果】 ＣＳＳ時の摩擦が極端に小さくなり、磁気ヘ
ッドの媒体表面へのスティキングも全く発生しなくな
る。磁気ヘッドの安定浮上高さの変動が少なく、ヘッド
クラッシュやヘッドの空間での不安定化が起こらず、極
めて滑らかに行なうことができる。また、磁気ヘッドの
浮上高さを小さくでき、データのエラーも減少する。
層を有する磁気記録媒体の製造方法において、非磁性基
板、磁性層又は下地層の表面に、該表面上を相対的に移
動するエネルギー線を照射して、該表面上におけるエネ
ルギー線の該な移動方向に対して垂直な方向における溶
融幅が５μｍ以下になるように該表面を局所的に溶融
し、該表面上に突起を形成した後、必要とする下地層、
磁性層又は保護層を製膜する磁気記録媒体の製造方法。 【効果】 ＣＳＳ時の摩擦が極端に小さくなり、磁気ヘ
ッドの媒体表面へのスティキングも全く発生しなくな
る。磁気ヘッドの安定浮上高さの変動が少なく、ヘッド
クラッシュやヘッドの空間での不安定化が起こらず、極
めて滑らかに行なうことができる。また、磁気ヘッドの
浮上高さを小さくでき、データのエラーも減少する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録媒体の製造方
法に関し、詳しくは磁気ディスク装置に使用されるハー
ドティスク等の磁気記録媒体の製造方法に関するもので
ある。特に、良好なＣＳＳ（コンタクトスタートアンド
ストップ）特性及びヘッドの媒体表面へのスティッキン
グ特性の向上とヘッドの低浮上化を同時に可能にする薄
膜型の磁気記録媒体の製造方法に関する。
法に関し、詳しくは磁気ディスク装置に使用されるハー
ドティスク等の磁気記録媒体の製造方法に関するもので
ある。特に、良好なＣＳＳ（コンタクトスタートアンド
ストップ）特性及びヘッドの媒体表面へのスティッキン
グ特性の向上とヘッドの低浮上化を同時に可能にする薄
膜型の磁気記録媒体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】通常、ハードディスクへの情報の書き込
み／読み出し等は、磁気ヘッドを介して行っており、そ
の際、ハードディスクは高速で回転して磁気ヘッドを浮
上させている。ハードディスクは、磁気特性の向上のた
めに、ディスクの基板面又は基板面上に設けられたＮｉ
Ｐメッキ等の非磁性体からなる下地層上に、磁気ディス
クの円周方向にほぼ同心円状に機械的研磨を行って加工
痕を残す加工（以下、機械的テキスチャという）が行わ
れている。
み／読み出し等は、磁気ヘッドを介して行っており、そ
の際、ハードディスクは高速で回転して磁気ヘッドを浮
上させている。ハードディスクは、磁気特性の向上のた
めに、ディスクの基板面又は基板面上に設けられたＮｉ
Ｐメッキ等の非磁性体からなる下地層上に、磁気ディス
クの円周方向にほぼ同心円状に機械的研磨を行って加工
痕を残す加工（以下、機械的テキスチャという）が行わ
れている。
【０００３】ハードディスクは、近年の情報量の増大と
装置の小型軽量化の要求により、線記録密度及びトラッ
ク密度が高くなり、１ビット当りの面積が小さくなって
くると、従来のような機械的テキスチャによるスクラッ
チ傷は情報読み出しの際にエラーとなる確率が高くな
る。そのため、磁気ディスク内周部にあるＣＳＳ領域の
みに機械的テキスチャを施し、データ記録領域はそのま
まにする方法が提案されているが、この場合は、データ
記録領域の面がＣＳＳ領域の面の高さよりも高くなって
しまい、磁気ヘッドがデータ記録領域及びＣＳＳ領域の
間をシークする時にクラッシュするという問題があっ
た。
装置の小型軽量化の要求により、線記録密度及びトラッ
ク密度が高くなり、１ビット当りの面積が小さくなって
くると、従来のような機械的テキスチャによるスクラッ
チ傷は情報読み出しの際にエラーとなる確率が高くな
る。そのため、磁気ディスク内周部にあるＣＳＳ領域の
みに機械的テキスチャを施し、データ記録領域はそのま
まにする方法が提案されているが、この場合は、データ
記録領域の面がＣＳＳ領域の面の高さよりも高くなって
しまい、磁気ヘッドがデータ記録領域及びＣＳＳ領域の
間をシークする時にクラッシュするという問題があっ
た。
【０００４】また、こうした機械的テキスチャに代え
て、レーザでテキスチャパターンを作る方法も提案され
ている。レーザによるテキスチャの例は、米国特許第
５，０６２，０２１号、同５，１０８，７８１号に開示
されており、Ｎｄ−ＹＡＧの強パルスレーザ光によりＮ
ｉＰ層を局所的に溶融し、図５に示すように、溶融して
形成された凹状の穴部６とその周囲に溶融したＮｉＰが
表面張力で盛り上がって固化して形成された直径が２．
５〜１００μｍのリム部７からなるクレータ状の凹凸を
多数作り、円環状の凸状リムによってヘッドとのＣＳＳ
特性を改善する試みが提案されている。しかし、この方
法は、レーザ光の照射範囲が広く、かつレーザ出力も
１．５Ｗ等と大出力であるため、ＮｉＰの溶融範囲が広
くなり、溶融した液面の中心部が盛り上がらずにクレー
タ状となってしまうのが特徴であり、この場合、凸部分
先端とヘッド下面との接触面積が飛躍的には下がらず、
磁気ヘッドと磁気ディスク間のスティッキングの問題
は、機械的テキスチャに較べて改善されているとは言い
難い。
て、レーザでテキスチャパターンを作る方法も提案され
ている。レーザによるテキスチャの例は、米国特許第
５，０６２，０２１号、同５，１０８，７８１号に開示
されており、Ｎｄ−ＹＡＧの強パルスレーザ光によりＮ
ｉＰ層を局所的に溶融し、図５に示すように、溶融して
形成された凹状の穴部６とその周囲に溶融したＮｉＰが
表面張力で盛り上がって固化して形成された直径が２．
５〜１００μｍのリム部７からなるクレータ状の凹凸を
多数作り、円環状の凸状リムによってヘッドとのＣＳＳ
特性を改善する試みが提案されている。しかし、この方
法は、レーザ光の照射範囲が広く、かつレーザ出力も
１．５Ｗ等と大出力であるため、ＮｉＰの溶融範囲が広
くなり、溶融した液面の中心部が盛り上がらずにクレー
タ状となってしまうのが特徴であり、この場合、凸部分
先端とヘッド下面との接触面積が飛躍的には下がらず、
磁気ヘッドと磁気ディスク間のスティッキングの問題
は、機械的テキスチャに較べて改善されているとは言い
難い。
【０００５】また、突起をフォトリソグラフィを使って
形成する方法も提案されている。フォトリソグラフィに
よる方法の例は、日本潤滑学会トライボロジー予稿集
（１９９１−５，Ａ−１１），（１９９２−１０，Ｂ−
６）に開示されており、磁気ディスクの全表面に対する
面積比が０．１〜５％の同心円状の突起をフォトリソグ
ラフィによって形成した磁気ディスクのＣＳＳのテスト
結果が開示されている。しかし、この方法では、形成さ
れた突起の頂部が平滑なため、ヘッドの摺動回数と共に
摩擦が増加するという欠点があり、また工業化も容易で
ないという問題があった。
形成する方法も提案されている。フォトリソグラフィに
よる方法の例は、日本潤滑学会トライボロジー予稿集
（１９９１−５，Ａ−１１），（１９９２−１０，Ｂ−
６）に開示されており、磁気ディスクの全表面に対する
面積比が０．１〜５％の同心円状の突起をフォトリソグ
ラフィによって形成した磁気ディスクのＣＳＳのテスト
結果が開示されている。しかし、この方法では、形成さ
れた突起の頂部が平滑なため、ヘッドの摺動回数と共に
摩擦が増加するという欠点があり、また工業化も容易で
ないという問題があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】したがって、ＣＳＳ領
域においては、突起の先端の面積を小さくして磁気ヘッ
ドとのスティッキングをなくし、しかも平均的な面の高
さをデータ記録領域とほぼ同じにすることにより、磁気
ヘッドをデータ記録領域及びＣＳＳ領域の間でシークし
た時に磁気ヘッドの安定浮上高さの変動が少なく、ヘッ
ドクラッシュやヘッドの空間での不安定化が起こらない
磁気記録媒体を製造することが望まれている。
域においては、突起の先端の面積を小さくして磁気ヘッ
ドとのスティッキングをなくし、しかも平均的な面の高
さをデータ記録領域とほぼ同じにすることにより、磁気
ヘッドをデータ記録領域及びＣＳＳ領域の間でシークし
た時に磁気ヘッドの安定浮上高さの変動が少なく、ヘッ
ドクラッシュやヘッドの空間での不安定化が起こらない
磁気記録媒体を製造することが望まれている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、こうした高密
度記録用の磁気記録媒体の製造方法に対してなされたも
のであり、その第１の要旨は、非磁性基板上に、少なく
とも下地層及び磁性層を有する磁気記録媒体の製造方法
において、非磁性基板、磁性層又は下地層の表面に、該
表面上を相対的に移動するエネルギー線を照射して、該
表面上におけるエネルギー線の該移動方向に対して垂直
な方向における溶融幅が５μｍ以下になるように該表面
を局所的に溶融し、該表面上に突起を形成した後、必要
とする下地層、磁性層又は保護層を製膜することを特徴
とする磁気記録媒体の製造方法、に存する。
度記録用の磁気記録媒体の製造方法に対してなされたも
のであり、その第１の要旨は、非磁性基板上に、少なく
とも下地層及び磁性層を有する磁気記録媒体の製造方法
において、非磁性基板、磁性層又は下地層の表面に、該
表面上を相対的に移動するエネルギー線を照射して、該
表面上におけるエネルギー線の該移動方向に対して垂直
な方向における溶融幅が５μｍ以下になるように該表面
を局所的に溶融し、該表面上に突起を形成した後、必要
とする下地層、磁性層又は保護層を製膜することを特徴
とする磁気記録媒体の製造方法、に存する。
【０００８】また、本発明の第２の要旨は、非磁性基板
上に、少なくとも下地層及び磁性層を有する磁気記録媒
体の製造方法において、非磁性基板、磁性層又は下地層
の表面に対して、レーザパワーが５００ｍＷ以下、１回
当りの照射時間が５μｓｅｃ以下、照射表面におけるス
ポット径が５μｍ以下であるパルスレーザを、相対的な
移動速度１ｍ／ｓｅｃ以上で照射して、該表面に突起を
形成した後、必要とする下地層、磁性層又は保護層を製
膜することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法、に存
する。
上に、少なくとも下地層及び磁性層を有する磁気記録媒
体の製造方法において、非磁性基板、磁性層又は下地層
の表面に対して、レーザパワーが５００ｍＷ以下、１回
当りの照射時間が５μｓｅｃ以下、照射表面におけるス
ポット径が５μｍ以下であるパルスレーザを、相対的な
移動速度１ｍ／ｓｅｃ以上で照射して、該表面に突起を
形成した後、必要とする下地層、磁性層又は保護層を製
膜することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法、に存
する。
【０００９】以下、本発明を詳細に説明する。本発明に
おいて、非磁性基板、磁性層又は下地層の表面に形成す
る突起の高さは、ＪＩＳ表面粗さ（Ｂ０６０１）により
規定される、粗さ曲線の中心線を基準とした場合の突起
の高さを表す。
おいて、非磁性基板、磁性層又は下地層の表面に形成す
る突起の高さは、ＪＩＳ表面粗さ（Ｂ０６０１）により
規定される、粗さ曲線の中心線を基準とした場合の突起
の高さを表す。
【００１０】突起の形成に当っては、非磁性基板、磁性
層又は下地層の表面におけるエネルギー線の相対的な移
動方向に対して直角な方向における溶融幅を５μｍ以
下、好ましくは２．５μｍ以下、更に好ましくは２μｍ
以下とし、溶融時の表面張力を利用して凸状突起を形成
する。該溶融幅が５μｍ以上になると、溶融部分の中心
部分は突起とはならずに逆に凹状にへこみ、液体になっ
た部分の周囲の部分が凸状に盛り上がる。これは、溶融
範囲が広い場合、冷却時に溶融液体中に温度勾配が生
じ、通常、表面張力は温度が低い部分で大きいために周
囲から冷却された外周部分の表面張力が大きくなり、盛
り上がるものと思われる。このようにして形成した凸状
の部分は面積が広く、良好なＣＳＳ特性は示さない。
層又は下地層の表面におけるエネルギー線の相対的な移
動方向に対して直角な方向における溶融幅を５μｍ以
下、好ましくは２．５μｍ以下、更に好ましくは２μｍ
以下とし、溶融時の表面張力を利用して凸状突起を形成
する。該溶融幅が５μｍ以上になると、溶融部分の中心
部分は突起とはならずに逆に凹状にへこみ、液体になっ
た部分の周囲の部分が凸状に盛り上がる。これは、溶融
範囲が広い場合、冷却時に溶融液体中に温度勾配が生
じ、通常、表面張力は温度が低い部分で大きいために周
囲から冷却された外周部分の表面張力が大きくなり、盛
り上がるものと思われる。このようにして形成した凸状
の部分は面積が広く、良好なＣＳＳ特性は示さない。
【００１１】本発明における突起は、基本的には、溶融
液体中で殆んど温度勾配がつかない状態において液体の
表面張力で丸くなり、そのまま急冷固化されるものであ
り、こうした条件にするためには該溶融幅を５μｍ以下
という極めて狭い範囲とすることが必要である。また、
非磁性基板、磁性層又は下地層の表面にエネルギー線を
照射して突起を良好に形成する方法としては、レーザパ
ワーが５００ｍＷ以下、１回当りの照射時間が５μｓｅ
ｃ以下、照射表面におけるスポット径が５μｍ以下であ
るパルスレーザを、相対的な移動速度１ｍ／ｓｅｃ以上
で照射するのが好ましい。
液体中で殆んど温度勾配がつかない状態において液体の
表面張力で丸くなり、そのまま急冷固化されるものであ
り、こうした条件にするためには該溶融幅を５μｍ以下
という極めて狭い範囲とすることが必要である。また、
非磁性基板、磁性層又は下地層の表面にエネルギー線を
照射して突起を良好に形成する方法としては、レーザパ
ワーが５００ｍＷ以下、１回当りの照射時間が５μｓｅ
ｃ以下、照射表面におけるスポット径が５μｍ以下であ
るパルスレーザを、相対的な移動速度１ｍ／ｓｅｃ以上
で照射するのが好ましい。
【００１２】本発明において、エネルギー線の相対的な
移動方向とは、静止した磁気記録媒体上においてエネル
ギー線が移動する方向のみならず、エネルギー線は静止
させておき、磁気記録媒体を回転又は移動させた状態で
照射する場合の磁気記録媒体の回転又は移動方向をも示
すものである。
移動方向とは、静止した磁気記録媒体上においてエネル
ギー線が移動する方向のみならず、エネルギー線は静止
させておき、磁気記録媒体を回転又は移動させた状態で
照射する場合の磁気記録媒体の回転又は移動方向をも示
すものである。
【００１３】突起高さはエネルギー線の強度とその平均
照射時間、ディスクの線速度等を調節することによって
自由に制御することができ、突起の密度は、例えば、パ
ルスレーザの場合は、形成する突起の個数、パルスレー
ザの半径方向の照射間隔、上記の突起の高さを制御する
条件等を調節することにより自由に制御することができ
る。通常、パルスレーザの強度は２０〜５００ｍＷ、平
均照射時間は０．０５〜５μｓｅｃ、パルスレーザのス
ポット径は０．２〜４μｍ、磁気記録媒体等を回転させ
る場合の線速度は１〜１５ｍ／ｓｅｃが好ましい。ここ
で、平均照射時間とは、１つの突起を形成させるのにパ
ルスレーザ等のエネルギー線を非磁性基板、磁性層又は
下地層表面に照射した時間を示す。
照射時間、ディスクの線速度等を調節することによって
自由に制御することができ、突起の密度は、例えば、パ
ルスレーザの場合は、形成する突起の個数、パルスレー
ザの半径方向の照射間隔、上記の突起の高さを制御する
条件等を調節することにより自由に制御することができ
る。通常、パルスレーザの強度は２０〜５００ｍＷ、平
均照射時間は０．０５〜５μｓｅｃ、パルスレーザのス
ポット径は０．２〜４μｍ、磁気記録媒体等を回転させ
る場合の線速度は１〜１５ｍ／ｓｅｃが好ましい。ここ
で、平均照射時間とは、１つの突起を形成させるのにパ
ルスレーザ等のエネルギー線を非磁性基板、磁性層又は
下地層表面に照射した時間を示す。
【００１４】エネルギー線の照射面積を変えるには、通
常、対物レンズの開口率を変えればよく、開口率が０．
１〜０．９５の対物レンズを用いることにより、エネル
ギー線の照射径は０．７〜６μｍ程度まで制御すること
ができる。本発明において、非磁性基板としては、通
常、アルミニウム合金基板又はガラス基板が用いられる
が、銅、チタン等の金属基板、セラミック基板、樹脂基
板又はシリコン基板等を用いることもできる。非磁性体
からなる下地層は、好ましくはＮｉＰ合金層であり、通
常、無電解メッキ法又はスパッタ法により形成される。
また下地層の熱伝導率、層の厚みはレーザ照射による熱
の冷却の関係から重要であり、熱伝導率は、好ましくは
２５０Ｗａｔｔ／ｍＫ以下、また、層厚さは、好ましく
は５０〜３０，０００ｎｍ、特に好ましくは１００〜１
５，０００ｎｍである。
常、対物レンズの開口率を変えればよく、開口率が０．
１〜０．９５の対物レンズを用いることにより、エネル
ギー線の照射径は０．７〜６μｍ程度まで制御すること
ができる。本発明において、非磁性基板としては、通
常、アルミニウム合金基板又はガラス基板が用いられる
が、銅、チタン等の金属基板、セラミック基板、樹脂基
板又はシリコン基板等を用いることもできる。非磁性体
からなる下地層は、好ましくはＮｉＰ合金層であり、通
常、無電解メッキ法又はスパッタ法により形成される。
また下地層の熱伝導率、層の厚みはレーザ照射による熱
の冷却の関係から重要であり、熱伝導率は、好ましくは
２５０Ｗａｔｔ／ｍＫ以下、また、層厚さは、好ましく
は５０〜３０，０００ｎｍ、特に好ましくは１００〜１
５，０００ｎｍである。
【００１５】エネルギー線照射により非磁性基板、磁性
層又は下地層表面に突起を生成した媒体は、通常、この
後工程で、必要とする下地層、磁性層又は保護層が設け
られるが、保護層としては蒸着、スパッタ、プラズマＣ
ＶＤ、イオンプレーティング、湿式法等の方法により、
炭素膜、水素化カーボン膜、ＴｉＣ、ＳｉＣ等の炭化物
膜、ＳｉＮ、ＴｉＮ等の窒化膜等、ＳｉＯ、ＡｌＯ、Ｚ
ｒＯ等の酸化物膜等が成膜される。これらのうち、特に
好ましくは、炭素膜、水素化カーボン膜が挙げられる。
また、保護層上には、通常、潤滑剤層が設けられる。た
だし、スライダー面にダイヤモンド状カーボンの層を有
する磁気ヘッドを使う場合は、磁気記録媒体とのトライ
ボロジ的な性質が改善されるので、必ずしも保護層を設
ける必要はない。
層又は下地層表面に突起を生成した媒体は、通常、この
後工程で、必要とする下地層、磁性層又は保護層が設け
られるが、保護層としては蒸着、スパッタ、プラズマＣ
ＶＤ、イオンプレーティング、湿式法等の方法により、
炭素膜、水素化カーボン膜、ＴｉＣ、ＳｉＣ等の炭化物
膜、ＳｉＮ、ＴｉＮ等の窒化膜等、ＳｉＯ、ＡｌＯ、Ｚ
ｒＯ等の酸化物膜等が成膜される。これらのうち、特に
好ましくは、炭素膜、水素化カーボン膜が挙げられる。
また、保護層上には、通常、潤滑剤層が設けられる。た
だし、スライダー面にダイヤモンド状カーボンの層を有
する磁気ヘッドを使う場合は、磁気記録媒体とのトライ
ボロジ的な性質が改善されるので、必ずしも保護層を設
ける必要はない。
【００１６】
【実施例】次に、実施例により本発明を更に具体的に説
明するが、本発明はその要旨を超えない限り以下の実施
例によって限定されるものではない。 実施例１〜２、比較例１ 直径９５ｍｍのディスク状ガラス基板上に、膜厚１００
〜１５０ｎｍのＮｉＰスパッタを施した後、表面粗さＲ
ａが２ｎｍ以下になるように表面研磨を行ってＮｉＰ下
地層を有する基板を得た。次に、レーザの強度５０〜５
００ｍＷ、平均照射時間０．０５〜５μｓｅｃ、レーザ
の集光に用いた対物レンズの開口率ＮＡとして、エネル
ギーの８４％が集中するスポット径（１．２２×λ／Ｎ
Ａ）が０．５〜３μｍ、回転させた基板の線速度１〜７
ｍ／ｓｅｃの範囲内で条件を変え、Ａｒレーザを照射し
てＮｉＰ層表面に突起を形成した。なお、Ａｒレーザの
波長は４８８μｍであった。
明するが、本発明はその要旨を超えない限り以下の実施
例によって限定されるものではない。 実施例１〜２、比較例１ 直径９５ｍｍのディスク状ガラス基板上に、膜厚１００
〜１５０ｎｍのＮｉＰスパッタを施した後、表面粗さＲ
ａが２ｎｍ以下になるように表面研磨を行ってＮｉＰ下
地層を有する基板を得た。次に、レーザの強度５０〜５
００ｍＷ、平均照射時間０．０５〜５μｓｅｃ、レーザ
の集光に用いた対物レンズの開口率ＮＡとして、エネル
ギーの８４％が集中するスポット径（１．２２×λ／Ｎ
Ａ）が０．５〜３μｍ、回転させた基板の線速度１〜７
ｍ／ｓｅｃの範囲内で条件を変え、Ａｒレーザを照射し
てＮｉＰ層表面に突起を形成した。なお、Ａｒレーザの
波長は４８８μｍであった。
【００１７】突起周囲の凹部は、熱収縮によってできた
ものと考えられ、この部分は溶融はしていないと思われ
る。図１の（ａ）及び図２の（ａ）は、ＮｉＰ層の表面
形状をレーザ干渉による表面形状測定装置（米国ザイゴ
社製「ＺＹＧＯ」）で観察した結果を表す図であり、突
起生成の条件としては後記表−１の実施例１、２に対応
している。図１の（ｂ）及び図２の（ｂ）は、突起形成
時のレーザビーム走査方向に対して直角方向の突起の頂
部を通る断面図である。また、図３の（ａ）、（ｂ）
は、表−１の比較例１に示す条件で形成した突起の形状
を示すものである。
ものと考えられ、この部分は溶融はしていないと思われ
る。図１の（ａ）及び図２の（ａ）は、ＮｉＰ層の表面
形状をレーザ干渉による表面形状測定装置（米国ザイゴ
社製「ＺＹＧＯ」）で観察した結果を表す図であり、突
起生成の条件としては後記表−１の実施例１、２に対応
している。図１の（ｂ）及び図２の（ｂ）は、突起形成
時のレーザビーム走査方向に対して直角方向の突起の頂
部を通る断面図である。また、図３の（ａ）、（ｂ）
は、表−１の比較例１に示す条件で形成した突起の形状
を示すものである。
【００１８】図４は、条件を種々変えて形成した各種突
起について、突起高さと突起形成時のレーザビーム走査
方向に対して直角方向におけるＮｉＰ層の溶融範囲の最
大幅との関係を示したものである。該溶融幅は、ＮｉＰ
層表面の平均粗さの中心線と突起の交線間の距離として
求めた。本発明による突起は、図１及び図２に示すよう
な形状を示し、その頂部は滑らかな曲面をもち、平坦で
はなく、適度な曲率を有している。図３に示したよう
な、溶融範囲が大きく、凸部分の形状がクレータのリム
状の形をしたものは本発明には含まれない。
起について、突起高さと突起形成時のレーザビーム走査
方向に対して直角方向におけるＮｉＰ層の溶融範囲の最
大幅との関係を示したものである。該溶融幅は、ＮｉＰ
層表面の平均粗さの中心線と突起の交線間の距離として
求めた。本発明による突起は、図１及び図２に示すよう
な形状を示し、その頂部は滑らかな曲面をもち、平坦で
はなく、適度な曲率を有している。図３に示したよう
な、溶融範囲が大きく、凸部分の形状がクレータのリム
状の形をしたものは本発明には含まれない。
【００１９】次いで，スパッタ法により，上記ＮｉＰ層
上に、順次、Ｃｒ中間層（膜厚１００ｎｍ）、Ｃｏ−Ｃ
ｒ−Ｔａ合金磁性膜（膜厚５０ｎｍ）を製膜した。次い
で、カーボン保護膜を（２０ｎｍ）を形成し、その後、
浸漬法によりフッ素系液体潤滑剤（モンテエジソン社製
「ＤＯＬ−２０００」）を２ｎｍ塗布して、磁気記録媒
体を作製した。
上に、順次、Ｃｒ中間層（膜厚１００ｎｍ）、Ｃｏ−Ｃ
ｒ−Ｔａ合金磁性膜（膜厚５０ｎｍ）を製膜した。次い
で、カーボン保護膜を（２０ｎｍ）を形成し、その後、
浸漬法によりフッ素系液体潤滑剤（モンテエジソン社製
「ＤＯＬ−２０００」）を２ｎｍ塗布して、磁気記録媒
体を作製した。
【００２０】表−１に実施例１〜２、比較例１におい
て、突起を形成したときの条件（基板の線速度、レーザ
の強度、レーザの平均照射時間、平均突起密度（レーザ
照射のインターバルに相当）、平均突起高さ、等高線面
積及び、レーザの集光に用いた対物レンズの開口率Ｎ
Ａ）を示す。レーザエネルギーの８４％が集中するスポ
ット径はレーザの波長をλとすると、１．２２×λ／Ｎ
Ａで表される。
て、突起を形成したときの条件（基板の線速度、レーザ
の強度、レーザの平均照射時間、平均突起密度（レーザ
照射のインターバルに相当）、平均突起高さ、等高線面
積及び、レーザの集光に用いた対物レンズの開口率Ｎ
Ａ）を示す。レーザエネルギーの８４％が集中するスポ
ット径はレーザの波長をλとすると、１．２２×λ／Ｎ
Ａで表される。
【００２１】
【表１】 表−１ −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 基板 レーザ 平均 平均 平均 溶融 対物 線速度 強度 照射時間 突起密度 突起高さ 距離 レンズ (mm/sec) (mW) (μsec) (個／mm2) (nm) (μｍ) 開口率 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 実施例１ 1714 110 1.25 9260 19 2.5 0.3 実施例２ 1714 163 1.25 9260 34 2.3 0.6 比較例１ 571 512 12.50 9260 48 7.0 0.2 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−
【００２２】表−２に、これらのディスクのＣＳＳテス
ト前の静止摩擦係数（初期スティクション）及びＣＳＳ
２万回後の摩擦力を示した。ＣＳＳテストはヘッド浮上
量１．６μインチ、ロードグラム６ｇｆの薄膜ヘッド
（スライダ材質Ａｌ2Ｏ3ＴｉＣ）を用いた。ＣＳＳ領域
の安定浮上高さは実施例１では１．２μインチ、実施例
２では１．５μインチ、比較例１では２．１μインチで
あった。
ト前の静止摩擦係数（初期スティクション）及びＣＳＳ
２万回後の摩擦力を示した。ＣＳＳテストはヘッド浮上
量１．６μインチ、ロードグラム６ｇｆの薄膜ヘッド
（スライダ材質Ａｌ2Ｏ3ＴｉＣ）を用いた。ＣＳＳ領域
の安定浮上高さは実施例１では１．２μインチ、実施例
２では１．５μインチ、比較例１では２．１μインチで
あった。
【００２３】
【表２】 表−２ −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 初期スティクション ＣＳＳ２万回後の （摩擦係数） 摩擦力 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 実施例１ ０．２６ １０ｇｆ 実施例２ ０．１９ ８ｇｆ 比較例１ １．１６ ヘッドクラッシュ（１５０回） −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、非磁性基板、磁性層又
は下地層表面に、先端形状及び高さが制御され、また、
それらの存在領域と密度が制御された突起を容易に形成
することができるので、磁気ヘッド下面と磁気記録媒体
表面との接触面積が少なく、ＣＳＳ時の摩擦が極端に小
さくなり、磁気ヘッドの媒体表面へのスティキングも全
く発生しなくなる。
は下地層表面に、先端形状及び高さが制御され、また、
それらの存在領域と密度が制御された突起を容易に形成
することができるので、磁気ヘッド下面と磁気記録媒体
表面との接触面積が少なく、ＣＳＳ時の摩擦が極端に小
さくなり、磁気ヘッドの媒体表面へのスティキングも全
く発生しなくなる。
【００２５】また、ＣＳＳ領域のみにこうした突起を作
った場合でも、平均的なＣＳＳ領域の面の高さは、ほと
んど変わらないため、磁気ヘッドをデータ記録領域とＣ
ＳＳ領域との間でシークした時にも、ヘッドの安定浮上
高さの変動が少なく、ヘッドクラッシュやヘッドの空間
での不安定化が起こらない。更に、この突起の高さや密
度をデータ記録領域に近付くにしたがって制御すること
もできるため、ヘッドのデータ記録領域、ＣＳＳ領域間
でのシークは極めて滑らかに行なうことができる。
った場合でも、平均的なＣＳＳ領域の面の高さは、ほと
んど変わらないため、磁気ヘッドをデータ記録領域とＣ
ＳＳ領域との間でシークした時にも、ヘッドの安定浮上
高さの変動が少なく、ヘッドクラッシュやヘッドの空間
での不安定化が起こらない。更に、この突起の高さや密
度をデータ記録領域に近付くにしたがって制御すること
もできるため、ヘッドのデータ記録領域、ＣＳＳ領域間
でのシークは極めて滑らかに行なうことができる。
【００２６】また、データ記録領域においては、円周方
向に軽く機械的なテキスチャを施すことも可能であり、
従来のようなＣＳＳ改善目的の機械的なクロステキスチ
ャによる表面の深い傷を作る必要がないので、磁気ヘッ
ドの浮上高さを小さくでき、また、前記傷によるデータ
のエラーも減少する。以上のように本発明によれば、高
密度の磁気記録媒体の製造が可能となるため、工業的に
極めて大きい意義を有する。
向に軽く機械的なテキスチャを施すことも可能であり、
従来のようなＣＳＳ改善目的の機械的なクロステキスチ
ャによる表面の深い傷を作る必要がないので、磁気ヘッ
ドの浮上高さを小さくでき、また、前記傷によるデータ
のエラーも減少する。以上のように本発明によれば、高
密度の磁気記録媒体の製造が可能となるため、工業的に
極めて大きい意義を有する。
【図１】実施例１で形成した突起の、突起形成時のレー
ザビーム走査方向に平行な突起の頂部を通る断面図
（ａ）及び該走査方向に対して直角方向の突起の頂部を
通る断面図（ｂ）である。
ザビーム走査方向に平行な突起の頂部を通る断面図
（ａ）及び該走査方向に対して直角方向の突起の頂部を
通る断面図（ｂ）である。
【図２】実施例２で形成した突起の、突起形成時のレー
ザビーム走査方向に平行な突起の頂部を通る断面図
（ａ）及び該走査方向に対して直角方向の突起の頂部を
通る断面図（ｂ）である。
ザビーム走査方向に平行な突起の頂部を通る断面図
（ａ）及び該走査方向に対して直角方向の突起の頂部を
通る断面図（ｂ）である。
【図３】比較例１で形成した突起の、突起形成時のレー
ザビーム走査方向に平行な突起の頂部を通る断面図
（ａ）及び該走査方向に対して直角方向の突起の頂部を
通る断面図（ｂ）である。
ザビーム走査方向に平行な突起の頂部を通る断面図
（ａ）及び該走査方向に対して直角方向の突起の頂部を
通る断面図（ｂ）である。
【図４】突起高さと突起形成時のレーザビーム走査方向
に対して直角方向におけるＮｉＰ層の溶融範囲の最大幅
との関係を示した図である。
に対して直角方向におけるＮｉＰ層の溶融範囲の最大幅
との関係を示した図である。
【図５】従来の方法により突起を形成した媒体表面の形
状を示す斜視図である。
状を示す斜視図である。
６ 凹状の穴部 ７ リム部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 神津 順一 神奈川県横浜市青葉区鴨志田町1000番地 三菱化学株式会社横浜総合研究所内
Claims (6)
- 【請求項１】 非磁性基板上に、少なくとも下地層及び
磁性層を有する磁気記録媒体の製造方法において、非磁
性基板、磁性層又は下地層の表面に、該表面上を相対的
に移動するエネルギー線を照射して、該表面上における
エネルギー線の該移動方向に対して垂直な方向における
溶融幅が５μｍ以下になるように該表面を局所的に溶融
し、該表面上に突起を形成した後、必要とする下地層、
磁性層又は保護層を製膜することを特徴とする磁気記録
媒体の製造方法。 - 【請求項２】 エネルギー線が、連続的又はパルス状の
レーザである請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方
法。 - 【請求項３】 非磁性基板上に、少なくとも下地層及び
磁性層を有する磁気記録媒体の製造方法において、非磁
性基板、磁性層又は下地層の表面に対して、レーザパワ
ーが５００ｍＷ以下、１回当りの照射時間が５μｓｅｃ
以下、照射表面におけるスポット径が５μｍ以下である
パルスレーザを、相対的な移動速度１ｍ／ｓｅｃ以上で
照射して、該表面に突起を形成した後、必要とする下地
層、磁性層又は保護層を製膜することを特徴とする磁気
記録媒体の製造方法。 - 【請求項４】 非磁性基板又は下地層の熱伝導率が２５
０Ｗａｔｔ／ｍＫ以下である請求項１ないし３のいずれ
か１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項５】 磁気ヘッドがＣＳＳ（コンタクトスター
トアンドストップ）を行なう領域のみに突起の形成を行
う請求項１ないし４のいずれか１項に記載の磁気記録媒
体の製造方法。 - 【請求項６】 レーザパワーをデータ記録領域に向かっ
て漸減させて照射する請求項１ないし５のいずれか１項
に記載の磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6293296A JPH08147687A (ja) | 1994-11-28 | 1994-11-28 | 磁気記録媒体の製造方法 |
| KR1019950019855A KR960005459A (ko) | 1994-07-04 | 1995-07-03 | 자기기록매체, 그의 제조방법 및 기록 및 판독방법 |
| DE19524220A DE19524220A1 (de) | 1994-07-04 | 1995-07-03 | Magnetisches Aufzeichnungsmedium, Verfahren zu dessen Herstellung, und Aufnahme- und Wiedergabeverfahren |
| US08/937,045 US5928759A (en) | 1994-07-04 | 1997-09-24 | Magnetic recording medium, method of producing the same, and recording and reading-out method |
| US09/306,909 US6217970B1 (en) | 1994-07-04 | 1999-05-07 | Magnetic recording medium, method of producing the same, and recording and reading-out method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6293296A JPH08147687A (ja) | 1994-11-28 | 1994-11-28 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08147687A true JPH08147687A (ja) | 1996-06-07 |
Family
ID=17793000
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6293296A Pending JPH08147687A (ja) | 1994-07-04 | 1994-11-28 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08147687A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5902665A (en) * | 1996-08-30 | 1999-05-11 | Onda Techno | Glass substrate for magnetic disks |
| US7615195B2 (en) | 2003-06-13 | 2009-11-10 | Reiken Inc. | Photocatalyst water treating apparatus |
-
1994
- 1994-11-28 JP JP6293296A patent/JPH08147687A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5902665A (en) * | 1996-08-30 | 1999-05-11 | Onda Techno | Glass substrate for magnetic disks |
| US7615195B2 (en) | 2003-06-13 | 2009-11-10 | Reiken Inc. | Photocatalyst water treating apparatus |
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Legal Events
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