JPH08145613A - ピストン位置検出装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 各しきい値電圧と出力電圧の上限値及び下限
値との電圧差を確保しながら適正な大きさの最適取付範
囲及び危険取付範囲を設定することができるとともに、
各しきい値電圧を容易に設定することができるピストン
位置検出装置を提供する。 【構成】 磁気抵抗検出部６の感磁パターン部４は上下
方向に等しい幅で全体で１７往復のつづら折れ状のパタ
ーンに形成されている。パターン線４ａの幅は２０μｍ
で一定に形成されている。パターン線４ａ間のピッチＷ
は、感磁パターン部４の位置検出方向の中央が３０μｍ
で最も狭く、中央から両端側になるほど３μｍずつ広く
なるように形成されている。最も両端のパターン線４ａ
間のピッチＷは７８μｍである。感磁パターン部４の全
体の長さは約２．５ｍｍである。感磁パターン部４に接
続される温度補償用パターン部５のパターン線５ａの幅
は４μｍに形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はピストン位置検出装置に
係り、詳しくは流体圧シリンダのピストン位置を磁気的
に検出するピストン位置検出装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、このようなピストン位置検出装置
として、例えば、実公昭５７−６９６２号公報にて開示
される位置検出装置がある。この位置検出装置は、図６
に示すように、強磁性体薄膜にて形成される一対の感磁
パターン部３１，３２を有する磁気抵抗検出部３３を備
えている。この各感磁パターン部３１，３２の感磁方向
は互いに直交する方向に配置されている。図７に示すよ
うに、この磁気抵抗検出部３３のピストン位置に対する
出力電圧ＶO は、基準電圧ＶREF から上に凸で全体がな
だらかなカーブを描く左右対称の出力特性になってい
る。ピストン位置の判定は、この出力電圧に対して適当
な高低２つの出力レベルに設定される２つのしきい値電
圧ＶTHL ，ＶTHU に基づいて、ピストン位置に対応する
出力電圧ＶOの２つのしきい値電圧ＶTHL ，ＶTHU に対
する高低を判定することにより行われる。即ち、例え
ば、あるピストン位置に対する出力電圧Ｖ0 が高いしき
い値電圧ＶTHU 以上であるときはピストン位置が最適取
付範囲であると判定される。又、出力電圧ＶO が高いし
きい値電圧ＶTHU 未満であり、且つ、低いしきい値電圧
ＶTHL 以上であるときは、ピストン位置が危険取付範囲
であると判定される。さらに、出力電圧Ｖ0 が低いしき
い値電圧ＶTHL 未満であるときは、ピストン位置が最適
取付範囲及び危険取付範囲の範囲外であると判定され
る。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、図７に示す
通り、ピストン位置検出装置においては、外部磁界等に
よる出力電圧ＶO の変動による誤動作を回避するため、
高いしきい値電圧ＶTHUと最大出力電圧値ＶMAX との電
圧差、及び、低いしきい値電圧ＶTHL と磁界が作用して
いない状態での出力電圧Ｖとの電圧差ΔＶU ，ΔＶL を
それぞれ一定分だけ確保しなければならない。即ち、こ
の各電圧差ΔＶU ，ΔＶL は外部磁界等による出力電圧
ＶO の変動に対するピストン位置検出装置のマージンと
なる。又、ピストン位置の取り付け精度を高くするため
には、最適取付範囲を３ｍｍ程度に設定することが望ま
しい。さらに、最適取付範囲からのずれを検出するため
に危険取付範囲も最適取付範囲と同じ程度の大きさに形
成することが望ましい。

【０００４】ところが、上記の位置検出装置の出力電圧
ＶO の最大出力電圧値の付近の特性は比較的フラットに
なっているため、電圧差ΔＶU を確保するように高いし
きい値電圧を設定すると最適取付範囲が大きくなって危
険取付範囲が小さくなってしまう。即ち、電圧差ΔＶU
を確保するために高いしきい値電圧ＶTHU を比較的低い
レベルに設しなければならないため、形成される最適取
付範囲の大きさが３ｍｍよりもずっと大きくなってい
た。この結果、危険取付範囲と最適取付範囲とからなる
所定の大きさの取付範囲（例えば、１０ｍｍ）を形成す
ると、危険取付範囲が狭くなってしまう問題があった。

【０００５】又、ピストン位置検出装置に各しきい値電
圧ＶTHL ，ＶTHU を設定する際には、前述のように各し
きい値電圧ＶTHL ，ＶTHU と出力電圧ＶO との電圧差Δ
ＶL，ΔＶU を確保しながら、設定する各しきい値電圧
ＶTHL ，ＶTHU にて形成される最適取付範囲及び危険取
付範囲の大きさを決定する。この際、ピストン位置に対
する出力電圧ＶO の関係がリニアではないため、設定す
る両しきい値電圧ＶTHL ，ＶTHU に対して形成される最
適取付範囲及び危険取付範囲の大きさを容易に予測する
ことができなかった。従って、電圧差ΔＶL ，ＶU を把
握しながら各しきい値電圧ＶTHL ，ＶTHU を変化させ
て、形成される最適取付範囲及び危険取付範囲を確認し
なければならないため、各しきい値電圧ＶTHL ，ＶTHU
の設定が容易ではなかった。

【０００６】本発明は上記問題点を解決するためになさ
れたものであって、その目的は各しきい値電圧と出力電
圧の上限値及び下限値との電圧差を確保しながら適正な
大きさの最適取付範囲及び危険取付範囲を設定すること
ができるとともに、各しきい値電圧を容易に設定するこ
とができるピストン位置検出装置を提供することにあ
る。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
め、請求項１に記載の発明は、磁気抵抗検出部が出力す
る出力電圧に対して、出力レベルの異なる２つのしきい
値電圧を設定し、第１のしきい値電圧に基づいて最適取
付範囲を設定し、第１のしきい値電圧と第１のしきい値
電圧よりも低い第２のしきい値電圧に基づいて危険取付
範囲を設定するようにしたピストン位置検出装置におい
て、ピストンとの距離に対応したリニアな出力電圧を出
力する磁気抵抗検出部を備えた。

【０００８】又、請求項２に記載の発明は、請求項１に
記載の発明において、磁気抵抗検出部を、その感磁パタ
ーン部の磁気検出方向のパターン線のピッチを、感磁パ
ターン部の位置検出方向の中央が最も狭く、中央から等
差数列的に大きくなるように設定した。

【０００９】又、請求項３に記載の発明は、請求項１又
は請求項２に記載のピストン位置検出装置において、最
適取付範囲と危険取付範囲とを判別可能に表示する表示
手段を設けた。

【００１０】

【作用】従って、請求項１，２に記載の発明によれば、
ピストン位置に対する出力電圧の特性がほぼリニアにな
る。この結果、出力電圧の上限値及び下限値に対して所
定値以上の電圧差を確保するように各しきい値電圧を設
定すると、適正な大きさの最適取付範囲及び危険取付範
囲が設定される。又、設定する第１及び第２のしきい値
電圧にて形成される最適取付範囲及び危険取付範囲の大
きさをほぼ予測することができる。

【００１１】又、請求項３に記載の発明によれば、請求
項１又は請求項２に記載の発明の作用に加えて、危険取
付範囲と最適取付範囲とがそれぞれ判別可能に表示され
る。

【００１２】

【実施例】以下、本発明を具体化した一実施例を図１〜
図４に従って説明する。本実施例のピストン位置検出装
置は磁気抵抗素子と出力電圧判定回路とから構成されて
いる。尚、ピストン位置検出装置のケース部等の外部の
構成については説明を省略し、内部の構成のみを説明す
る。

【００１３】図４に示すように、図示しないケース部の
内部には回路基板１が設けられ、この回路基板１上には
磁気抵抗素子２が実装されている。又、回路基板１上に
は出力電圧判定回路が構成されている。

【００１４】図１に示すように、磁気抵抗素子２はガラ
ス等で形成された基板３の一面の下側に感磁パターン部
４が形成され、この感磁パターン部４の上側には温度補
償用パターン部５が形成されている。本実施例では、感
磁パターン部４と温度補償用パターン部５にて磁気抵抗
検出部６が構成されている。感磁パターン部４は上下方
向に０．９８ｍｍの幅に形成され、全体で１７往復のつ
づら折れ状のパターンに形成された強磁性体薄膜にて形
成されている。本実施例では感磁パターン部４を形成す
るパターン線４ａの幅は２０μｍで一定に形成されてい
る。又、パターン線４ａ間のピッチＷは感磁パターン部
４の位置検出方向の中央が３０μｍで最も狭く、中央か
ら両端側になるほど３μｍずつ広くなるように形成され
ている。従って、最も両端のパターン線４ａ間のピッチ
Ｗは７８μｍである。又、感磁パターン部４の全体の長
さは約２．５ｍｍである。感磁パターン部４の両端は基
板の下側両端に形成されたランド７，８にそれぞれ接続
されている。

【００１５】温度補償用パターン部５は左右方向に等し
い幅のつづら折れ状のパターンに形成された強磁性体薄
膜にて形成されている。本実施例では、温度補償用パタ
ーン部５を形成するパターン線５ａの幅は４μｍで一定
に形成され、パターン線５ａ間のピッチは一定に形成さ
れている。温度補償用パターン部５は図１において基板
３の上右側に形成されたランド９及びランド８にそれぞ
れ接続されている。温度補償用パターン部５の長さは感
磁パターン部４の左右方向の長さよりも短く形成されて
いる（本実施例ではほぼ半分）。

【００１６】次に、ピストン位置検出装置の電気的構成
について説明する。図２は上記磁気抵抗素子２に接続さ
れた出力電圧判定回路１０を示している。磁気抵抗素子
２はこの出力電圧判定回路１０の電源電圧ＶC が印加さ
れる電源線１１にランド７を介して接続され、同じく接
地線１２にランド９を介して接続されている。そして、
磁気抵抗素子２は感磁パターン部４と温度補償用パター
ン部５との間（即ち、ランド８）からコンパレータ１
３，１４の非反転入力端子に出力電圧ＶO をそれぞれ出
力する。磁気抵抗検出部６は感磁パターン部４に磁界が
作用しない状態では感磁パターン部４と温度補償用パタ
ーン部５との間から電源電圧ＶC を感磁パターン部４の
抵抗値と温度補償用パターン部５の抵抗値とで分圧した
基準電圧ＶREF を出力する。尚、磁界が作用しない状態
での感磁パターン部４と温度補償用パターン部５の各抵
抗値は等しくなっている。従って、基準電圧ＶREF の値
は電源電圧ＶC の２分の１である。

【００１７】電源線１１と接地線１２との間にはしきい
値電圧設定回路１５が接続されている。しきい値電圧設
定回路１５は直列接続された３個の抵抗１６，１７，１
８から構成されている。そして、しきい値電圧設定回路
１５は電源電圧ＶC に基づいて抵抗１７と抵抗１８との
間から第２しきい値電圧ＶTHL をコンパレータ１３の反
転入力端子に出力する。又、しきい値電圧設定回路１５
は抵抗１６と抵抗１７との間から第１しきい値電圧ＶTH
U をコンパレータ１４の反転入力端子に出力する。

【００１８】コンパレータ１３は出力電圧ＶO 及び第２
しきい値電圧ＶTHL に基づく信号ＳG1をエクスクルーシ
ブ・オア回路（以下、Ｅｘ−ＯＲ回路と表記する。）１
９及びアンド回路２０に出力する。又、コンパレータ１
４は出力電圧ＶO 及び第１しきい値電圧ＶTHU に基づく
信号ＳG2をＥｘ−ＯＲ回路１９及びアンド回路２０に出
力する。

【００１９】Ｅｘ−ＯＲ回路１９は信号ＳG1及び信号Ｓ
G2に基づく信号ＳG3を抵抗２１を介して赤色に発光する
発光ダイオード（以下、ＬＥＤと表記する。）２２のア
ノードに出力する。又、アンド回路２０は信号ＳG1及び
信号ＳG2に基づく信号ＳG4を抵抗２３を介して緑色に発
光するＬＥＤ２４のアノードに出力する。ＬＥＤ２２，
２４の各カソードは出力回路２５に接続されている。出
力回路２５は信号ＳG3，ＳG4に基づく信号ＳG5を出力端
子２６に出力する。本実施例では、ＬＥＤ２２，２４に
て表示手段が構成されている。

【００２０】次に、以上のように構成されたピストン位
置検出装置の作用について説明する。図４（ａ），
（ｂ）に示すように、本実施例のピストン位置検出装置
は、例えば、ピストンＰの外周部に円筒状の磁石Ｍが取
り付けられた空圧シリンダＳのシリンダチューブＴ外周
面に固定して使用される。本実施例では磁石Ｍの厚さは
１ｍｍである。尚、図４はピストン位置検出装置の取り
付け状態を示す模式図であり、その寸法関係は実際と大
きく異なる。ピストン位置検出装置は磁気抵抗素子２の
感磁パターン部４がシリンダチューブＴの軸線を含む平
面内に配置されるように取り付けられる。磁石Ｍと感磁
パターン部４の下端との距離は、例えば５ｍｍに設定さ
れる。そして、この磁石Ｍにより感磁パターン部６に作
用する磁界の強さは最大で２００〔Ｇａｕｓｓ〕であ
る。

【００２１】このようにピストン位置検出装置が取り付
けられた空圧シリンダＳにおいて、ピストンＰがピスト
ン位置検出装置に対して接近した後、反対方向に遠ざか
るとする。ピストンＰがピストン位置検出装置の最適取
付範囲及び危険取付範囲の両範囲外であるときは磁気抵
抗素子２に磁界が作用しないため、感磁パターン部４と
温度補償用パターン部５との間からは基準電圧ＶREF が
出力される。磁気抵抗素子２の感磁パターン部４に作用
する磁界の強さは、磁石が感磁パターン部４の中央に相
対する位置までは次第に増大して最大となった後、磁石
が中央から遠ざかるにつれて次第に減少する。又、磁気
抵抗素子２が出力する出力電ＶO の大きさは感磁パター
ン部４の磁界が作用する領域のパターン線４ａ間のピッ
チＷに対して負の相関関係にある。従って、図３に示す
ように、磁気抵抗検出部からはピストン位置に対応して
基準電圧ＶREF から上に、ほぼ二等辺三角形状の出力特
性の出力電圧ＶO が出力される。即ち、この出力電圧Ｖ
O はピストン位置に対してほぼリニアな出力特性にな
る。尚、本実施例では温度補償用パターン部５のパター
ン線５ａの幅が４μｍに形成されているため、位置検出
方向の磁界による抵抗値の変化が極めて小さくなってい
る。従って、出力電圧ＶO の出力特性はほぼ感磁パター
ン部４のパターン線４ａのピッチＷの変化により生じた
ものである。

【００２２】この出力電圧ＶO に対して、第２しきい値
電圧ＶTHL 及び第１しきい値電圧ＶTHU がそれぞれ適当
な出力レベルに設定される。この際、出力電圧ＶO のピ
ストン位置に対する出力特性がほぼリニアであるため、
しきい値電圧ＶTHL ，ＶTHUを設定する際、そのしきい
値電圧ＶTHL ，ＶTHU にて形成される最適取付範囲及び
危険取付範囲をほぼ予測することができる。従って、し
きい値電圧ＶTHU と最大出力電圧値との電圧差、又は、
しきい値電圧ＶTHL と基準電圧ＶREF との電圧差を確保
しながらしきい値電圧ＶTHL ，ＶTHU を調整して最適な
危険取付範囲及び最適取付範囲の大きさを容易に設定す
ることができる。

【００２３】又、ピストン位置に対する出力電圧ＶO の
特性がリニアであるため、第２のしきい値電圧ＶTHL と
基準電圧ＶREF の電圧差、第１のしきい値電圧と最大出
力電圧値と電圧差を所定値以上確保するように設定して
も、最適取付範囲及び危険取付範囲が適正な大きさに形
成される。

【００２４】磁気抵抗素子２が出力する出力電圧ＶO は
コンパレータ１３にて第２しきい値電圧ＶTHL と比較さ
れ、出力電圧ＶO が第２しきい値電圧ＶTHL 未満である
場合はコンパレータ１３からはＬレベルの信号ＳG1が出
力される。又、出力電圧ＶOはコンパレータ１４にて第
２のしきい値電圧ＶTHU と比較され、出力電圧ＶO が第
２のしきい値電圧ＶTHU 以上である場合はＨレベルとな
る信号ＳG2が出力される。

【００２５】従って、ピストン位置が最適取付範囲及び
危険取付範囲の両範囲外であるときは信号ＳG1，ＳG2が
共にＬレベルとなるため、信号ＳG3，ＳG4は共にＬレベ
ルとなる。従って、ＬＥＤ２２，２４は共に点灯しな
い。又、ピストン位置が危険取付範囲であるときは信号
ＳG1がＨレベルとなり信号ＳG2がＬレベルとなるため、
信号ＳG3はＨレベルとなり信号ＳG4はＬレベルとなる。
従って、ＬＥＤ２２のみが赤色に点灯する。さらに、ピ
ストン位置が最適取付範囲であるときは信号ＳG1がＨレ
ベルとなり信号ＳG2もＨレベルとなるため、信号ＳG3は
Ｌレベルとなり信号ＳG4はＨレベルとなる。従って、Ｌ
ＥＤ２４のみが緑色に点灯する。従って、作業者はピス
トン位置がいずれの範囲にあるかを容易に視認判別する
ことができる。

【００２６】尚、ピストン位置が最適取付範囲又は危険
取付範囲の何れかにあるときは出力回路２５からＨレベ
ルＳG5の信号が出力される。従って、この信号ＳG5をシ
ーケンス制御に使用することができる。

【００２７】以上詳述したように、本実施例のピストン
位置検出装置によれば、第１しきい値電圧ＶTHU と出力
電圧ＶO の最大出力電圧値との電圧差、第２しきい値電
圧ＶTHL と基準電圧ＶREF との電圧差を所定値以上に確
保しながら、適正な大きさの最適取付範囲及び危険取付
範囲を設定することができる。

【００２８】又、本実施例では、ピストン位置に対して
出力電圧ＶO がリニアな関係であるため、設定するしき
い値電圧ＶTHL ，ＶTHU にて形成される最適取付範囲及
び危険取付範囲の大きさを予測することができる。従っ
て、しきい値電圧ＶTHL ，ＶTHU の設定を容易に行うこ
とができる。

【００２９】さらに、本実施例では、感磁パターン部４
の磁界による抵抗値の変化が温度補償されるため、温度
変動に対する検出精度の安定性を向上することができ
る。尚、本発明は上記実施例に限定されるものではな
く、以下のように構成することもできる。

【００３０】（１） 磁気抵抗素子２を２組の磁気抵抗
検出部６Ａ，６Ｂにて構成し、各磁気抵抗検出部６の出
力電圧Ｖ1 ，Ｖ2 の差分からなる出力電圧ＶDEF （＝Ｖ
1 −Ｖ2 ）を合成する。この合成された出力電圧ＶDEF
に対して２つのしきい値電圧ＶTHL ，ＶTHU を設定して
危険取付範囲及び最適取付範囲を形成するように構成し
てもよい。即ち、図５に示すように、一方の磁気抵抗検
出部６Ａからは感磁パターン部４と組み合わされた温度
補償用パターン部５の降下電圧（即ち、Ｖ1 ）を差分回
路２７に出力し、他方の磁気抵抗検出部６Ｂからは温度
補償用パターン部５と接続された感磁パターン部４の降
下電圧（即ち、Ｖ2 ）を差分回路２７に出力する。差分
回路２７は両出力電圧Ｖ1 ，Ｖ2 の差分電圧ＶDEF をコ
ンパレータ１３，１４に出力するように構成する。この
場合、磁気抵抗検出部６が１つである場合よりも最大出
力電圧値を大きくすることができるとともに、全体の出
力特性を急峻にすることができるため、外部磁界等によ
る出力変動による検出ピストン位置の変動を少なくする
ことができる。

【００３１】又、この場合、２つの磁気抵抗検出部６
Ａ，６Ｂを基板３の上下の位置に配置してもよく、又、
基板３の相対する位置に多層状に形成するようにしても
よい。さらに、基板３の相対する表裏に設けるようにし
てもよい。あるいは、異なる基板３上に形成したそれぞ
れの磁気抵抗検出部６Ａ，６Ｂを、基板３を張り合わせ
ることにより一体化するように構成してもよい。

【００３２】（２） 感磁パターン部４のパターン線４
ａ間の幅は２０μｍ以外であってもよい。又、温度補償
用パターン部５のパターン線５ａの幅は４μｍに限ら
ず、５μｍ以下の任意の値としてもよい。

【００３３】（３） 感磁パターン部４のパターン線４
ａ間のピッチＷを一定にするとともに、パターン線４ａ
の幅を感磁パターン部４の位置検出方向の中央が最も広
く、中央から両端にいくにつれて狭くなるように構成し
てもよい。この構成でも、ほぼリニアに出力電圧を得る
ことができる。

【００３４】又、感磁パターン部４を狭い線幅のパター
ン線４ａと広い線幅のパターン線４ａにて形成し、各パ
ターン線４ａ間のピッチＷを一定にするとともに、広い
線幅のパターン線４ａの密度を両端よりも中央が高くな
るように構成してもよい。

【００３５】さらに、感磁パターン部４のパターン線４
ａを中央から両端にいくにつれて線幅を狭く、且つ、ピ
ッチＷを広く構成するようにしてもよい。 （４） 感磁パターン部４のパターン線４ａの線幅、パ
ターン線４ａ間のピッチＷ、ピッチＷの増加幅、感磁パ
ターン部４の幅・長さ、磁石Ｍの厚さ、最大エネルギー
積、保持力及び感磁パターン部４と磁石Ｍとの距離等の
条件は適宜変更してもよい。

【００３６】（５） 磁気抵抗検出部６を、感磁パター
ン部４のみにて構成してもよい。 （６） 温度補償用パターン部５を設ける位置は、感磁
パターン部４の上側中央に限らず、例えば上側端部、下
側中央、下側端部等の位置としてもよい。

【００３７】（７） ピストン位置をＬＥＤ２２，２４
にて表示せず、最適取付範囲及び危険取付範囲に対応す
る出力信号としてプログラマブル・コントローラ等に出
力するように構成してもよい。

【００３８】（８） ＬＥＤ２２，２４の各色を、赤色
と緑色の組み合わせ以外の色としてもよい。又、ＬＥＤ
２２，２４の色を同色として、危険取付範囲では一方の
ＬＥＤ２２（２４）のみを点灯し、最適取付範囲では両
方のＬＥＤ２２，２４を点灯するようにしてもよい。

【００３９】さらに、ＬＥＤ２２（２４）を１個とし
て、危険取付範囲では点滅し最適取付範囲では点灯する
ようにしてもよい。 （９） 出力電圧判定回路１０の各コンパレータ１３，
１４に正帰還をかけるように構成してもよい。即ち、図
２に二点鎖線で示すように、各コンパレータ１３，１４
の非反転入力端子と出力端子とをそれぞれ抵抗２８を介
して接続する。この場合、危険取付範囲から最適取付範
囲、又は、最適取付範囲から危険取付範囲への切り換え
を安定して行うことができる。

【００４０】（１０） ピストンＰに取り付ける磁石Ｍ
はリング状に限らず、例えば、円柱状、半円柱状、四角
柱状等であってもよい。 （１１） ピストン位置検出装置の磁気抵抗検出部６を
シリンダチューブＴの軸線を含む平面内に配置した状態
で使用するようにしたが、その平面から少しずらした状
態で使用するように構成してもよい。

【００４１】以下、特許請求の範囲に記載された技術的
思想の外に前述した各実施例で把握される技術的思想を
その効果とともに記載する。 （１） 請求項１から請求項３の何れかに記載のピスト
ン位置検出装置において、温度補償用パターン部５のパ
ターン線５ａの幅を５μｍ以下とした。このような構成
によれば、温度補償用パターン部５の抵抗値が磁界によ
り低下する度合いを極めて低くすることができるため、
温度補償用パターン部５の影響の少ない出力電圧ＶO を
得ることができる。

【００４２】

【発明の効果】以上詳述したように、請求項１，２に記
載の発明によれば、各しきい値電圧と出力電圧の上限値
及び下限値との電圧差を確保しながら適正な大きさの最
適取付範囲及び危険取付範囲を設定することができる。
又、両しきい値電圧の設定により形成される危険取付範
囲及び最適取付範囲の大きさを容易に予測することがで
きるため、各しきい値電圧の設定を容易に行うことがで
きる。

【００４３】又、請求項３に記載の発明によれば、請求
項１又は請求項２に記載の発明の効果に加えて、ピスト
ン位置が最適取付範囲又は危険取付範囲にある状態を視
認可能に表示することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 磁気抵抗素子の概略正面図。

【図２】 ピストン位置検出装置の電気回路図。

【図３】 磁気抵抗検出部の出力電圧と各処理信号の動
作チャート。

【図４】 （ａ）シリンダに装着したピストン位置検出
装置を示す概略正面図、（ｂ）同じく概略側面図。

【図５】 別例の磁気抵抗素子と出力電圧判定回路を示
す電気回路図。

【図６】 従来例のピストン位置検出装置の電気回路
図。

【図７】 磁気抵抗検出部の出力電圧としきい値電圧を
示すグラフ。

【符号の説明】

４…感磁パターン部、４ａ…パターン線、６…磁気抵抗
検出部、２２，２４…表示手段としてのＬＥＤ、ＶO …
出力電圧、ＶTHL …第２のしきい値電圧、ＶTHU …第１
のしきい値電圧、Ｗ…ピッチＷ。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 磁気抵抗検出部が出力する出力電圧に対
   して、出力レベルの異なる２つのしきい値電圧（ＶTHL,
   ＶTHU ）を設定し、第１のしきい値電圧（ＶTHU ）に基
   づいて最適取付範囲を設定し、第１のしきい値電圧（Ｖ
   THU ）と第１のしきい値電圧（ＶTHU ）よりも低い第２
   のしきい値電圧（ＶTHL ）に基づいて危険取付範囲を設
   定するようにしたピストン位置検出装置において、 ピストンとの距離に対応したリニアな出力電圧（Ｖ0 ）
   を出力する磁気抵抗検出部（６）を備えたピストン位置
   検出装置。
2. 【請求項２】 磁気抵抗検出部（６）は、その感磁パタ
   ーン部（４）の磁気検出方向のパターン線（４ａ）のピ
   ッチ（Ｗ）を、感磁パターン部（４）の位置検出方向の
   中央が最も狭く、中央から等差数列的に大きくなるよう
   に設定した請求項１に記載のピストン位置検出装置。
3. 【請求項３】 請求項１又は請求項２に記載のピストン
   位置検出装置において、最適取付範囲と危険取付範囲と
   を判別可能に表示する表示手段（２２，２４）を設けた
   ピストン位置検出装置。