JPH0814522B2 - 光ファイバ障害点探索方法および装置 - Google Patents
光ファイバ障害点探索方法および装置Info
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- JPH0814522B2 JPH0814522B2 JP1046156A JP4615689A JPH0814522B2 JP H0814522 B2 JPH0814522 B2 JP H0814522B2 JP 1046156 A JP1046156 A JP 1046156A JP 4615689 A JP4615689 A JP 4615689A JP H0814522 B2 JPH0814522 B2 JP H0814522B2
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- optical fiber
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光ファイバの障害点を光学的に探索する光フ
ァイバ障害点探索方法と、これを用いた装置（OTDR:Opt
ical Time Domain Reflectometer）に関する。
ァイバ障害点探索方法と、これを用いた装置（OTDR:Opt
ical Time Domain Reflectometer）に関する。
光ファイバアナライザと呼ばれる光ファイバ障害点探
索装置は、被測定光ファイバに測定用のパルス光を入射
し、レーリー散乱光（後方散乱光）あるいはフレネル反
射光等に起因する戻り光強度の時間的変化を検出し、こ
れによって障害点を検出するようになっている。このよ
うなOTDRの時間分解能は測定パルス光の時間幅（パルス
幅）、光検出器の応答速度、検出したアナログ信号をデ
ィジタル信号に変換するA/D変換器のサンプリング時間
等により制限されるが、これらの中で最も重要なものは
光検出器の応答速度である。そこで、従来から光検出器
として、応答速度の速いアバランシェフォトダイオード
（APD）等が用いられている。
索装置は、被測定光ファイバに測定用のパルス光を入射
し、レーリー散乱光（後方散乱光）あるいはフレネル反
射光等に起因する戻り光強度の時間的変化を検出し、こ
れによって障害点を検出するようになっている。このよ
うなOTDRの時間分解能は測定パルス光の時間幅（パルス
幅）、光検出器の応答速度、検出したアナログ信号をデ
ィジタル信号に変換するA/D変換器のサンプリング時間
等により制限されるが、これらの中で最も重要なものは
光検出器の応答速度である。そこで、従来から光検出器
として、応答速度の速いアバランシェフォトダイオード
（APD）等が用いられている。
一方、被測定光ファイバに障害があると障害点で強い
フレネル反射光を生じ、これが戻り光として光検出器に
入射されることになる。このため、光検出器や後段の増
幅器の応答波形にいわゆる「すそひき」が生じ、障害点
のより後方域（特に直後）の光ファイバ部分で観測不能
域が現れていた。そこで、この欠点を除去するため、従
来から光偏向器を用いたマスク機能を付加することがな
されている。
フレネル反射光を生じ、これが戻り光として光検出器に
入射されることになる。このため、光検出器や後段の増
幅器の応答波形にいわゆる「すそひき」が生じ、障害点
のより後方域（特に直後）の光ファイバ部分で観測不能
域が現れていた。そこで、この欠点を除去するため、従
来から光偏向器を用いたマスク機能を付加することがな
されている。
しかしながら、従来のようなAPDを光検出器に用いる
ものでは、APDの応答速度は最高で100psec程度であるた
め、時間分解能はこれ以上にすることができず、従って
被測定光ファイバにおける距離分解能も、5cm程度より
高くすることができなかった。また、光偏向器で「すそ
ひき」の除去を行なおうとしても、光偏向器自体の応答
速度やドライブ回路の帯域などの制限のため、上記の観
測不能域は30cm程度以下とすることができなかった。
ものでは、APDの応答速度は最高で100psec程度であるた
め、時間分解能はこれ以上にすることができず、従って
被測定光ファイバにおける距離分解能も、5cm程度より
高くすることができなかった。また、光偏向器で「すそ
ひき」の除去を行なおうとしても、光偏向器自体の応答
速度やドライブ回路の帯域などの制限のため、上記の観
測不能域は30cm程度以下とすることができなかった。
そこで本発明は、戻り光強度の時間分解能を向上させ
ることにより障害点の距離分解能を改善することがで
き、しかも障害点直後の観測不能域を生じなくすること
が可能な光ファイバ障害点探索方法と、これを用いた装
置を提供することを目的とする。
ることにより障害点の距離分解能を改善することがで
き、しかも障害点直後の観測不能域を生じなくすること
が可能な光ファイバ障害点探索方法と、これを用いた装
置を提供することを目的とする。
本発明に係る光ファイバ障害点探索方法および装置
は、被測定光ファイバに測定パルス光を入射したときの
戻り光の強度の時間的変化から、被測定光ファイバの障
害点を探索するものに適用され、被測定光ファイバから
の戻り光を、ポンプ光としてのサンプリングパルス光と
の間で和または差周波混合させることにより、サンプリ
ングして観測波形を求めることを特徴とする。
は、被測定光ファイバに測定パルス光を入射したときの
戻り光の強度の時間的変化から、被測定光ファイバの障
害点を探索するものに適用され、被測定光ファイバから
の戻り光を、ポンプ光としてのサンプリングパルス光と
の間で和または差周波混合させることにより、サンプリ
ングして観測波形を求めることを特徴とする。
すなわち、本発明の方法は、測定パルス光を被測定光
ファイバに所定時間間隔のタイミングで繰り返し入射さ
せるとともに、戻り光の強度の時間的変化に比べて十分
に時間幅（パルス）が短くかつ測定パルス光とは異なる
波長であって、半導体レーザからの出射タイミングが測
定パルス光の入射タイミングに対して順次にシフトした
サンプリングパルス光（ポンプ光）を比測定光ファイバ
に入射させ、サンプリングパルス光と戻り光とが結合し
た光を導波路構造の非線形光学素子に入射させて和また
は差周波混合によって和または差周波光を生成すること
により、戻り光の強度の時間的変化に相似の観測波形を
得ることを特徴とする。
ファイバに所定時間間隔のタイミングで繰り返し入射さ
せるとともに、戻り光の強度の時間的変化に比べて十分
に時間幅（パルス）が短くかつ測定パルス光とは異なる
波長であって、半導体レーザからの出射タイミングが測
定パルス光の入射タイミングに対して順次にシフトした
サンプリングパルス光（ポンプ光）を比測定光ファイバ
に入射させ、サンプリングパルス光と戻り光とが結合し
た光を導波路構造の非線形光学素子に入射させて和また
は差周波混合によって和または差周波光を生成すること
により、戻り光の強度の時間的変化に相似の観測波形を
得ることを特徴とする。
また、本発明の装置は、戻り光の強度の時間的変化に
比べて十分に時間幅が短くかつ測定パルス光とは波長が
異なるサンプリングパルス光を出射する半導体レーザか
ら構成されたサンプリングパルス光源と、戻り光とサン
プリングパルス光を結合させる光結合手段と、光結合手
段からの光を入射して和または差周波混合による和また
は差周波光を生成する導波路構造の非線形光学素子と、
和または差周波光の強度を検出する光検出手段と、測定
パルス光が所定の時間間隔で出射され、かつサンプリン
グパルス光が測定パルス光の出射の繰り返しごとに順次
にタイミングをシフトして出射されるように測定パルス
光源およびサンプリングパルス光源を制御する光源制御
手段と、サンプリングパルス光の出射タイミングごとに
光検出手段の検出出力をサンプリングすることにより、
戻り光の強度の時間的変化に相似の観測波形を求める解
析手段とを備えることを特徴とする。
比べて十分に時間幅が短くかつ測定パルス光とは波長が
異なるサンプリングパルス光を出射する半導体レーザか
ら構成されたサンプリングパルス光源と、戻り光とサン
プリングパルス光を結合させる光結合手段と、光結合手
段からの光を入射して和または差周波混合による和また
は差周波光を生成する導波路構造の非線形光学素子と、
和または差周波光の強度を検出する光検出手段と、測定
パルス光が所定の時間間隔で出射され、かつサンプリン
グパルス光が測定パルス光の出射の繰り返しごとに順次
にタイミングをシフトして出射されるように測定パルス
光源およびサンプリングパルス光源を制御する光源制御
手段と、サンプリングパルス光の出射タイミングごとに
光検出手段の検出出力をサンプリングすることにより、
戻り光の強度の時間的変化に相似の観測波形を求める解
析手段とを備えることを特徴とする。
ここで、解析手段により求めた観測波形を表示する表
示手段を更に備えるようにしてもよい。
示手段を更に備えるようにしてもよい。
本発明の光ファイバ障害点探索方法によれば、戻り光
が周波数の異なるサンプリングパルス光との間で和また
は差周波混合されることにより、サンプリングパルス光
の時間幅およびタイミングでサンプリングされる。従っ
て、サンプリングパルス光のタイミングをシフトさせな
がら和または差周波光成分を抽出し、これを合成するこ
とにより、戻り強度の時間的変化に相似の観測波形を得
ることができる。
が周波数の異なるサンプリングパルス光との間で和また
は差周波混合されることにより、サンプリングパルス光
の時間幅およびタイミングでサンプリングされる。従っ
て、サンプリングパルス光のタイミングをシフトさせな
がら和または差周波光成分を抽出し、これを合成するこ
とにより、戻り強度の時間的変化に相似の観測波形を得
ることができる。
また、本発明の装置によれば、超短光パルスを出力す
るサンプリングパルス光源や、非線形光学素子や、ある
いは従来のOTDRで用いられている光検出手段などを組み
合せるだけで、上記の観測波形を得ることができる。更
に、CRTなどの表示手段を設ければ、観測波形を画像上
で表示することもできる。
るサンプリングパルス光源や、非線形光学素子や、ある
いは従来のOTDRで用いられている光検出手段などを組み
合せるだけで、上記の観測波形を得ることができる。更
に、CRTなどの表示手段を設ければ、観測波形を画像上
で表示することもできる。
以下、添付図面を参照して本発明の実施例を説明す
る。
る。
第１図は本発明の実施例に係る光ファイバ障害点探索
方法を適用した装置の構成図であり、第２図は１回の測
定パルス光の出射についてのタイミング図であり、第３
図は複数回の測定パルス光を出射してサンプリングする
様子を示すタイミング図である。第１図に示す如く、例
えば半導体レーザで構成される測定パルス光源１からの
測定パルス光PIN（波長λ１）は、第１図の光結合器２
を介して被測定光ファイバ３に入射される。測定パルス
光PINは被測定光ファイバ３を伝播する過程でレーリー
散乱やフレネル反射により減衰し、図中に実線のパルス
波形で示すようになる。一方、戻り光POUTは点線のパル
ス波形で示すようになる。従って、第２図のタイミング
チャートのように、同図（ａ）の如き測定パルス光PIN
が被測定光ファイバ３に入射されたときは、戻り光POUT
の強度Ｉλ１の時間的変化は同図（ｂ）のようになる。
ここで、戻り光POUTの強度が急激に変化する点は、被測
定光ファイバ３の障害点や光コネクタ等による接続点を
示し、ゆるやかな変化はファイバ中のレーリー散乱等を
示している。
方法を適用した装置の構成図であり、第２図は１回の測
定パルス光の出射についてのタイミング図であり、第３
図は複数回の測定パルス光を出射してサンプリングする
様子を示すタイミング図である。第１図に示す如く、例
えば半導体レーザで構成される測定パルス光源１からの
測定パルス光PIN（波長λ１）は、第１図の光結合器２
を介して被測定光ファイバ３に入射される。測定パルス
光PINは被測定光ファイバ３を伝播する過程でレーリー
散乱やフレネル反射により減衰し、図中に実線のパルス
波形で示すようになる。一方、戻り光POUTは点線のパル
ス波形で示すようになる。従って、第２図のタイミング
チャートのように、同図（ａ）の如き測定パルス光PIN
が被測定光ファイバ３に入射されたときは、戻り光POUT
の強度Ｉλ１の時間的変化は同図（ｂ）のようになる。
ここで、戻り光POUTの強度が急激に変化する点は、被測
定光ファイバ３の障害点や光コネクタ等による接続点を
示し、ゆるやかな変化はファイバ中のレーリー散乱等を
示している。
戻り光POUTは第１の光結合器２を介して第２の光結合
器４に入射され、ここでサンプリングパルス光源５から
出射されたポンプ光としてのサンプリングパルス光と合
成（光結合）される。ここで、サンプリングパルス光源
５は例えば半導体レーザで構成されるが、出力されるサ
ンプリングパルス光の波長λ２は戻り光POUTの波長λ１
と異なるものでなければならず、かつこの時間幅（パル
ス幅）は第２図（ｃ）に示す如く、戻り光POUTの時間的
変化に比べて十分に短いものでなければならない。
器４に入射され、ここでサンプリングパルス光源５から
出射されたポンプ光としてのサンプリングパルス光と合
成（光結合）される。ここで、サンプリングパルス光源
５は例えば半導体レーザで構成されるが、出力されるサ
ンプリングパルス光の波長λ２は戻り光POUTの波長λ１
と異なるものでなければならず、かつこの時間幅（パル
ス幅）は第２図（ｃ）に示す如く、戻り光POUTの時間的
変化に比べて十分に短いものでなければならない。
このような戻り光POUTとサンプリングパルス光が第２
の光結合器４で合成されて非線形光学素子６に入射され
ると、和または差周波混合によって波長がλ３の和また
は差周波光が生成される。ここで、非線形光学素子６は
例えばLiNbO3などの異方性結晶で形成されるが、この非
線形光学素子６による和または差周波混合で生成される
光は、和周波混合光（強度:Iλ３、振動数：ω１＝２π
・c/λ３）について例示すれば、入射光の強度をＩλ1,
Iλ２とし、振動数をω１＝２π・c/λ1,ω２＝２π・c
/λとすると（ｃは光速）、 Ｉλ３∝Ｉλ１・Ｉλ２ ω３＝ω１＋ω２ となる。
の光結合器４で合成されて非線形光学素子６に入射され
ると、和または差周波混合によって波長がλ３の和また
は差周波光が生成される。ここで、非線形光学素子６は
例えばLiNbO3などの異方性結晶で形成されるが、この非
線形光学素子６による和または差周波混合で生成される
光は、和周波混合光（強度:Iλ３、振動数：ω１＝２π
・c/λ３）について例示すれば、入射光の強度をＩλ1,
Iλ２とし、振動数をω１＝２π・c/λ1,ω２＝２π・c
/λとすると（ｃは光速）、 Ｉλ３∝Ｉλ１・Ｉλ２ ω３＝ω１＋ω２ となる。
従って、非線形光学素子６から出射された光を分光手
段７に入射して波長λ３の和または差周波光のみを抽出
すると、光検出器８では第２図（ｄ）にハッチングで示
すような光強度が検出される。この場合、光検出器８と
してはAPDなどを用いることができるが、光が微弱なと
きは光電子増倍管（PMT）を用いればよい。光検出器８
の出力は増幅器９で増幅され、信号処理回路10に送られ
る。
段７に入射して波長λ３の和または差周波光のみを抽出
すると、光検出器８では第２図（ｄ）にハッチングで示
すような光強度が検出される。この場合、光検出器８と
してはAPDなどを用いることができるが、光が微弱なと
きは光電子増倍管（PMT）を用いればよい。光検出器８
の出力は増幅器９で増幅され、信号処理回路10に送られ
る。
信号処理回路10は一定時間間隔で測定パルス光PINが
出力されるように測定パルス光源１を制御しながら、測
定パルス光PINの出力の繰り返しごとに、順次にタイミ
ングをシフトしてサンプリングパルス光が出力されるよ
うにサンプリングパルス光源５を制御する。第３図を参
照してこれを説明すると、同図（ａ）のように測定パル
ス光PINは一定時間間隔Ｔの時点t1,t2,……,t7,……で
測定パルス光源１から出射されるので、戻り光POUTの時
間的変化は同図（ｂ）のように繰り返される。これに対
し、サンプリングパルス光は同図（ｃ）のように、時点
t1＋Δt1,t2＋Δt2,……,t7＋Δt7,……で繰り返して出
射される。
出力されるように測定パルス光源１を制御しながら、測
定パルス光PINの出力の繰り返しごとに、順次にタイミ
ングをシフトしてサンプリングパルス光が出力されるよ
うにサンプリングパルス光源５を制御する。第３図を参
照してこれを説明すると、同図（ａ）のように測定パル
ス光PINは一定時間間隔Ｔの時点t1,t2,……,t7,……で
測定パルス光源１から出射されるので、戻り光POUTの時
間的変化は同図（ｂ）のように繰り返される。これに対
し、サンプリングパルス光は同図（ｃ）のように、時点
t1＋Δt1,t2＋Δt2,……,t7＋Δt7,……で繰り返して出
射される。
ここで、Δt2−Δt1＝Δt3−Δt2＝……＝Δt7−Δt6
＝……であるので、サンプリングパルス光は順次に一定
時間だけタイミングをシフトして出射されていることが
わかる。すると、非線形光学素子６において時点t1＋Δ
t2,……,t7＋Δt7,……で和または差周波混合が生じ、
第３図（ｄ）にハッチングで示すような和または差周波
光が得られる。従って、同図（ｄ）中に一点鎖線で示す
ように、戻り光POUTの時間変化に相似の観測波形が得ら
れる。この処理結果については記録や平均化処理がなさ
れ、信号処理回路10から表示装置11に送られ、画面上で
観測波形が表示される。
＝……であるので、サンプリングパルス光は順次に一定
時間だけタイミングをシフトして出射されていることが
わかる。すると、非線形光学素子６において時点t1＋Δ
t2,……,t7＋Δt7,……で和または差周波混合が生じ、
第３図（ｄ）にハッチングで示すような和または差周波
光が得られる。従って、同図（ｄ）中に一点鎖線で示す
ように、戻り光POUTの時間変化に相似の観測波形が得ら
れる。この処理結果については記録や平均化処理がなさ
れ、信号処理回路10から表示装置11に送られ、画面上で
観測波形が表示される。
この観測波形の時間分解能はサンプリングパルス光の
パルス幅を短くすることで向上でき、しかもこのような
超短光パルスを得ることはAPDなどの応答速度を向上さ
せることに比べて容易なので、距離分解能を大幅に改善
することが可能である。また、サンプリング法を採用し
ているので、強い戻り光があったときの「すそひき」に
よる観測不能域が、観測波形上で生じないようにするこ
とができる。
パルス幅を短くすることで向上でき、しかもこのような
超短光パルスを得ることはAPDなどの応答速度を向上さ
せることに比べて容易なので、距離分解能を大幅に改善
することが可能である。また、サンプリング法を採用し
ているので、強い戻り光があったときの「すそひき」に
よる観測不能域が、観測波形上で生じないようにするこ
とができる。
次に、上記の実施例を数値によって、より具体的に説
明する。
明する。
まず、測定パルス光源１としては、通常の光通信に用
いられている波長（λ１＝1.3μm,1.55μｍ）の半導体
レーザを用いることができる。測定パルス光PINのパル
ス幅は通常は数10nsec〜数μsec程度であるが、距離分
解能を上げるためには、パルス幅が30psec程度の超短パ
ルス光とすることが望ましい。かかる超短パルス光は、
半導体レーザをパルス幅100psec程度の駆動パルス電流
で発光させ、緩和振動の第１パルスを利用することによ
り容易に得られる。
いられている波長（λ１＝1.3μm,1.55μｍ）の半導体
レーザを用いることができる。測定パルス光PINのパル
ス幅は通常は数10nsec〜数μsec程度であるが、距離分
解能を上げるためには、パルス幅が30psec程度の超短パ
ルス光とすることが望ましい。かかる超短パルス光は、
半導体レーザをパルス幅100psec程度の駆動パルス電流
で発光させ、緩和振動の第１パルスを利用することによ
り容易に得られる。
ポンプ光としてのサンプリングパルス光を出力するサ
ンプリングパルス光源５についても、半導体レーザを用
いることができるが、距離分解能を上げるためにはパル
ス幅が30psec程度の超短パルス光を、測定パルス光PIN
と同様の手法により出力するのが望ましい。ここで、サ
ンプリングパルス光の波長λ２は測定パルス光PINの波
長λ１と異なることが必要であり、例えばλ２＝850nm
に設定される。従って、測定パルス光PINの波長λ１を
1.55μｍとすると、和周波光の波長λ３は549nm程度
（可視光）となる。
ンプリングパルス光源５についても、半導体レーザを用
いることができるが、距離分解能を上げるためにはパル
ス幅が30psec程度の超短パルス光を、測定パルス光PIN
と同様の手法により出力するのが望ましい。ここで、サ
ンプリングパルス光の波長λ２は測定パルス光PINの波
長λ１と異なることが必要であり、例えばλ２＝850nm
に設定される。従って、測定パルス光PINの波長λ１を
1.55μｍとすると、和周波光の波長λ３は549nm程度
（可視光）となる。
第１の光結合器２および第２の光結合器４としては光
方向性結合器などを用いることができ、分光手段７とし
ては狭帯域の光学フィルタや分光器を用いることができ
る。なお、本発明はポンプ光としてのサンプリングパル
ス光で戻り光POUTの時間的変化をサンプリングするもの
なので、光検出器８、増幅器９、信号処理回路10中のA/
D変換器等には特に高速応答性は必要としない。非線形
光学素子６において高い変換効率を得たいときは、導波
路構造のものを用いてもよく、このような導波路構造は
LiNbO3、MBANP（２−（α−メチルベンジルアミノ）−
５−ニトロピリジン）、AlGaAsなどにより形成できる。
また、LiTaO3の非線形光学素子を用いることもできる。
方向性結合器などを用いることができ、分光手段７とし
ては狭帯域の光学フィルタや分光器を用いることができ
る。なお、本発明はポンプ光としてのサンプリングパル
ス光で戻り光POUTの時間的変化をサンプリングするもの
なので、光検出器８、増幅器９、信号処理回路10中のA/
D変換器等には特に高速応答性は必要としない。非線形
光学素子６において高い変換効率を得たいときは、導波
路構造のものを用いてもよく、このような導波路構造は
LiNbO3、MBANP（２−（α−メチルベンジルアミノ）−
５−ニトロピリジン）、AlGaAsなどにより形成できる。
また、LiTaO3の非線形光学素子を用いることもできる。
以上、詳細に説明した通り本発明の光ファイバ障害点
探索方法によれば、戻り光強度が周波数の異なるサンプ
リングパルス光との間で和または差周波混合されること
により、サンプリングパルス光の時間幅およびタイミン
グでサンプリングされる。従って、サンプリングパルス
光のタイミングをシフトさせながら和または差周波光を
抽出し、これを合成することにより、戻り強度の時間的
変化に相似の観測波形を得ることができる。
探索方法によれば、戻り光強度が周波数の異なるサンプ
リングパルス光との間で和または差周波混合されること
により、サンプリングパルス光の時間幅およびタイミン
グでサンプリングされる。従って、サンプリングパルス
光のタイミングをシフトさせながら和または差周波光を
抽出し、これを合成することにより、戻り強度の時間的
変化に相似の観測波形を得ることができる。
また、本発明の装置によれば、超短光パルスを出力す
るサンプリングパルス光源や、非線形光学素子や、通常
の高速光検出器などを組み合せるだけで、上記の観測波
形を得ることができる。更に、CRTなどの表示手段を設
ければ、観測波形を画像上で表示することもできる。
るサンプリングパルス光源や、非線形光学素子や、通常
の高速光検出器などを組み合せるだけで、上記の観測波
形を得ることができる。更に、CRTなどの表示手段を設
ければ、観測波形を画像上で表示することもできる。
本発明は、サンプリング法を採用することにより、戻
り光強度の時間分解能を向上させて障害点の距離分解能
を大幅に改善し、しかも障害点直後の観測不能域を実質
的に生じなくしているので、精度の高い障害点探索を実
現することができる。
り光強度の時間分解能を向上させて障害点の距離分解能
を大幅に改善し、しかも障害点直後の観測不能域を実質
的に生じなくしているので、精度の高い障害点探索を実
現することができる。
第１図は本発明の実施例に係る光ファイバ障害点探索方
法を適用した装置の構成図、第２図は実施例の作用を１
回の戻り光について示すタイミング図、第３図は実施例
における戻り光のサンプリングを示すタイミング図であ
る。 １……測定パルス光源、２……第１の光結合器、３……
被測定光ファイバ、４……第２の光結合器、５……サン
プリングパルス光源、６……非線形光学素子、７……分
光手段、８……光検出器、９……増幅器、10……信号処
理回路、11……表示装置、PIN……測定パルス光、POUT
……戻り光Ｐ。
法を適用した装置の構成図、第２図は実施例の作用を１
回の戻り光について示すタイミング図、第３図は実施例
における戻り光のサンプリングを示すタイミング図であ
る。 １……測定パルス光源、２……第１の光結合器、３……
被測定光ファイバ、４……第２の光結合器、５……サン
プリングパルス光源、６……非線形光学素子、７……分
光手段、８……光検出器、９……増幅器、10……信号処
理回路、11……表示装置、PIN……測定パルス光、POUT
……戻り光Ｐ。
Claims (8)
- 【請求項１】被測定光ファイバに測定パルス光を入射し
たときの戻り光の強度の時間的変化から、前記被測定光
ファイバの障害点を探索する光ファイバ障害点探索方法
において、 前記測定パルス光を前記被測定光ファイバに所定時間間
隔のタイミングで繰り返し入射させるとともに、前記戻
り光の強度の時間的変化に比べて十分に時間幅が短くか
つ前記測定パルス光とは異なる波長であって、半導体レ
ーザからの出射タイミングが前記測定パルス光の入射タ
イミングに対して順次にシフトしたサンプリングパルス
光を前記被測定光ファイバに入射させ、前記サンプリン
グパルス光と前記戻り光とが結合した光を導波路構造の
非線形光学素子に入射させて和または差周波混合によっ
て和または差周波光を生成することにより、前記戻り光
の強度の時間的変化に相似の観測波形を得ることを特徴
とする光ファイバ障害点探索方法。 - 【請求項２】被測定光ファイバに測定パルス光源からの
測定パルス光を入射したときの戻り光の強度の時間的変
化から、前記被測定光ファイバの障害点を探索する光フ
ァイバ障害点探索装置において、 前記戻り光の強度の時間的変化に比べて十分に時間幅が
短くかつ前記測定パルス光とは波長が異なるサンプリン
グパルス光を出射する半導体レーザから構成されたサン
プリングパルス光源と、 前記戻り光と前記サンプリングパルス光を結合させる光
結合手段と、 前記光結合手段からの光を入射して和または差周波混合
による和または差周波光を生成する導波路構造の非線形
光学素子と、 前記和または差周波光の強度を検出する光検出手段と、 前記測定パルス光が所定の時間間隔で出射され、かつサ
ンプリングパルス光が前記測定パルス光の出射の繰り返
しごとに順次にタイミングをシフトして出射されるよう
に前記測定パルス光源およびサンプリングパルス光源を
制御する光源制御手段と、 前記サンプリングパルス光の出射タイミングごとに前記
光検出手段の検出出力をサンプリングすることにより、
前記戻り光の強度の時間的変化に相似の観測波形を求め
る解析手段と を備えることを特徴とする光ファイバ障害点探索装置。 - 【請求項３】前記解析手段により求めた前記観測波形を
表示する表示手段を更に備える請求項２記載の光ファイ
バ障害点探索装置。 - 【請求項４】前記非線形光学素子と前記光検出手段の間
に和または差周波光を抽出する分光手段を更に備える請
求項２または３記載の光ファイバ障害点探索装置。 - 【請求項５】前記非線形光学素子は導波路構造のLiNbO3
から形成されている請求項２記載の光ファイバ障害点探
索装置。 - 【請求項６】前記非線形光学素子は導波路構造のMBANP
から形成されている請求項２記載の光ファイバ障害点探
索装置。 - 【請求項７】前記非線形光学素子は導波路構造のAlGaAs
から形成されている請求項２記載の光ファイバ障害点探
索装置。 - 【請求項８】前記非線形光学素子は導波路構造のLiTaO3
から形成されている請求項２記載の光ファイバ障害点探
索装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1046156A JPH0814522B2 (ja) | 1989-02-27 | 1989-02-27 | 光ファイバ障害点探索方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1046156A JPH0814522B2 (ja) | 1989-02-27 | 1989-02-27 | 光ファイバ障害点探索方法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02226035A JPH02226035A (ja) | 1990-09-07 |
| JPH0814522B2 true JPH0814522B2 (ja) | 1996-02-14 |
Family
ID=12739134
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1046156A Expired - Fee Related JPH0814522B2 (ja) | 1989-02-27 | 1989-02-27 | 光ファイバ障害点探索方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0814522B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| DE102017213729B4 (de) * | 2017-08-08 | 2020-12-24 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Bereitstellung eines Detektionssignals für zu detektierende Objekte |
| CN112816179A (zh) * | 2019-11-18 | 2021-05-18 | 中国石油天然气集团有限公司 | 定位光缆故障点的装置及方法 |
Family Cites Families (3)
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|---|---|---|---|---|
| JPS56100324A (en) * | 1980-01-14 | 1981-08-12 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | Measuring device for light dispersion |
| JPS6218900A (ja) * | 1985-07-18 | 1987-01-27 | Mitsubishi Electric Corp | スピ−カ用振動板とボイスコイルの結合方法 |
| JPS62285034A (ja) * | 1986-06-03 | 1987-12-10 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 光フアイバ障害位置試験器のタイミング発生回路 |
-
1989
- 1989-02-27 JP JP1046156A patent/JPH0814522B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02226035A (ja) | 1990-09-07 |
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