JPH08125016A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH08125016A JPH08125016A JP25796094A JP25796094A JPH08125016A JP H08125016 A JPH08125016 A JP H08125016A JP 25796094 A JP25796094 A JP 25796094A JP 25796094 A JP25796094 A JP 25796094A JP H08125016 A JPH08125016 A JP H08125016A
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- insulating film
- polymer film
- film
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 隣接配線間容量を低減するとともに、金属配
線間のギャップ処理など加工プロセスを容易にした半導
体装置の製造方法を提供する。 【構成】 基板１０上に形成された金属配線１２…上に
絶縁層１３を形成する工程と、予め用意した耐熱性高分
子フィルム１５の表面に絶縁膜１６を形成する工程と、
絶縁膜１６を形成した耐熱性高分子フィルム１５を、そ
の絶縁膜１６側が基板１０上に形成された絶縁層１３に
密着するようにして基板１０上に当接させ、その状態で
耐熱性高分子フィルム１５を灰化除去する工程とを備え
てなる半導体装置の製造方法。耐熱性高分子フィルム１
５と基板１０とを当接させるに先立ち、耐熱性高分子フ
ィルム１５の絶縁膜１６面および基板１０上の絶縁層１
３面のうちの少なくとも一方をプラズマ処理するか、あ
るいは表面改質剤を吸着させてもよい。。
線間のギャップ処理など加工プロセスを容易にした半導
体装置の製造方法を提供する。 【構成】 基板１０上に形成された金属配線１２…上に
絶縁層１３を形成する工程と、予め用意した耐熱性高分
子フィルム１５の表面に絶縁膜１６を形成する工程と、
絶縁膜１６を形成した耐熱性高分子フィルム１５を、そ
の絶縁膜１６側が基板１０上に形成された絶縁層１３に
密着するようにして基板１０上に当接させ、その状態で
耐熱性高分子フィルム１５を灰化除去する工程とを備え
てなる半導体装置の製造方法。耐熱性高分子フィルム１
５と基板１０とを当接させるに先立ち、耐熱性高分子フ
ィルム１５の絶縁膜１６面および基板１０上の絶縁層１
３面のうちの少なくとも一方をプラズマ処理するか、あ
るいは表面改質剤を吸着させてもよい。。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、特に配線間容量を低減
した半導体装置の製造方法に関する。
した半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近時、半導体装置においてはその小型
化、高集積化が著しく進み、例えば図４（ａ）に示すよ
うにゲート電極幅を０．３５μｍとするいわゆる０．３
５μｍ世代から図４（ｂ）に示すような０．２５μｍ世
代に移行しつつある。ここで、図４（ａ）、（ｂ）は金
属配線部における断面を模式的に示した図であり、いず
れも層間絶縁膜１上にアルミニウム配線２、２が設けら
れ、さらにこれらアルミニウム配線２、２を覆うように
して層間絶縁膜３が設けられたものとなっている。ま
た、図４（ａ）に示した０．３５μｍ世代のものでは、
そのアルミニウム配線２、２間の間隔ｔ1 が０．５μｍ
程度になっているが、図４（ｂ）に示した０．２５μｍ
世代のものでは、アルミニウム配線２、２間の間隔ｔ2
が０．３０〜０．３５μｍ程度に縮められている。
化、高集積化が著しく進み、例えば図４（ａ）に示すよ
うにゲート電極幅を０．３５μｍとするいわゆる０．３
５μｍ世代から図４（ｂ）に示すような０．２５μｍ世
代に移行しつつある。ここで、図４（ａ）、（ｂ）は金
属配線部における断面を模式的に示した図であり、いず
れも層間絶縁膜１上にアルミニウム配線２、２が設けら
れ、さらにこれらアルミニウム配線２、２を覆うように
して層間絶縁膜３が設けられたものとなっている。ま
た、図４（ａ）に示した０．３５μｍ世代のものでは、
そのアルミニウム配線２、２間の間隔ｔ1 が０．５μｍ
程度になっているが、図４（ｂ）に示した０．２５μｍ
世代のものでは、アルミニウム配線２、２間の間隔ｔ2
が０．３０〜０．３５μｍ程度に縮められている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図４
（ａ）、（ｂ）に示したように０．２５μｍ世代になっ
ても、エレクトロ・マイグレーション耐性（ＥＭ耐
性）、抵抗の点から金属配線２、２の厚さについてはこ
れを縮めることができず、その幅、および前述したごと
くその間隔、すなわち隣接配線間の間隔のみが縮められ
たものとなっている。しかしながら、このように隣接配
線間の間隔が狭められると、隣接配線間容量が著しく増
大してしまい、クロストークや配線遅延の度合いが大き
くなり、また金属配線スペース部におけるアスペクト比
が大きくなるため、金属配線間のギャップ（溝）を埋め
込み平坦化するのが困難になってしまう。
（ａ）、（ｂ）に示したように０．２５μｍ世代になっ
ても、エレクトロ・マイグレーション耐性（ＥＭ耐
性）、抵抗の点から金属配線２、２の厚さについてはこ
れを縮めることができず、その幅、および前述したごと
くその間隔、すなわち隣接配線間の間隔のみが縮められ
たものとなっている。しかしながら、このように隣接配
線間の間隔が狭められると、隣接配線間容量が著しく増
大してしまい、クロストークや配線遅延の度合いが大き
くなり、また金属配線スペース部におけるアスペクト比
が大きくなるため、金属配線間のギャップ（溝）を埋め
込み平坦化するのが困難になってしまう。
【０００４】本発明は前記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、隣接配線間容量を低減す
るとともに、金属配線間のギャップ処理など加工プロセ
スを容易にした半導体装置の製造方法を提供することに
ある。
で、その目的とするところは、隣接配線間容量を低減す
るとともに、金属配線間のギャップ処理など加工プロセ
スを容易にした半導体装置の製造方法を提供することに
ある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法では、基板上に形成された金属配線上に絶縁層を
形成する工程と、予め用意した耐熱性高分子フィルムの
表面に絶縁膜を形成する工程と、該絶縁膜を形成した耐
熱性高分子フィルムを、その絶縁膜側が前記基板上に形
成された絶縁層に密着するようにして該基板上に当接さ
せ、その状態で前記耐熱性高分子フィルムを灰化除去す
る工程とを備えてなることを前記課題の解決手段とし
た。
造方法では、基板上に形成された金属配線上に絶縁層を
形成する工程と、予め用意した耐熱性高分子フィルムの
表面に絶縁膜を形成する工程と、該絶縁膜を形成した耐
熱性高分子フィルムを、その絶縁膜側が前記基板上に形
成された絶縁層に密着するようにして該基板上に当接さ
せ、その状態で前記耐熱性高分子フィルムを灰化除去す
る工程とを備えてなることを前記課題の解決手段とし
た。
【０００６】また、耐熱性高分子フィルムと基板とを当
接させるに先立ち、該耐熱性高分子フィルムの絶縁膜面
および基板上の絶縁層面のうちの少なくとも一方をプラ
ズマ処理してもよく、あるいは、該耐熱性高分子フィル
ムの絶縁膜面および基板上の絶縁層面のうちの少なくと
も一方に該面の密着性を向上させるための表面改質剤を
吸着させてもよい。
接させるに先立ち、該耐熱性高分子フィルムの絶縁膜面
および基板上の絶縁層面のうちの少なくとも一方をプラ
ズマ処理してもよく、あるいは、該耐熱性高分子フィル
ムの絶縁膜面および基板上の絶縁層面のうちの少なくと
も一方に該面の密着性を向上させるための表面改質剤を
吸着させてもよい。
【０００７】
【作用】本発明の半導体装置の製造方法によれば、絶縁
膜を形成した耐熱性高分子フィルムを、その絶縁膜側が
基板上に形成された絶縁層に密着するようにして該基板
上に当接させ、その状態で前記耐熱性高分子フィルムを
灰化除去するので、基板上に形成した金属配線間の間隔
が狭い場合にも、その上の絶縁層上に絶縁膜を平坦に設
けることが可能となる。また、絶縁膜を単に絶縁層に密
着させるだけであるので、該絶縁膜が、隣接する金属配
線間における基板側にまでは入り込まず、したがって該
金属配線間の配線間容量が、配線間に絶縁体が連続して
介装されている場合に比べ低いものとなる。そして、こ
のように金属配線間に絶縁体を連続して介装させること
なく、絶縁膜を金属配線上の絶縁層上に直接設けるだけ
であるので、金属配線間の間隔の狭小化に伴う加工性の
困難化に影響されないものとなる。
膜を形成した耐熱性高分子フィルムを、その絶縁膜側が
基板上に形成された絶縁層に密着するようにして該基板
上に当接させ、その状態で前記耐熱性高分子フィルムを
灰化除去するので、基板上に形成した金属配線間の間隔
が狭い場合にも、その上の絶縁層上に絶縁膜を平坦に設
けることが可能となる。また、絶縁膜を単に絶縁層に密
着させるだけであるので、該絶縁膜が、隣接する金属配
線間における基板側にまでは入り込まず、したがって該
金属配線間の配線間容量が、配線間に絶縁体が連続して
介装されている場合に比べ低いものとなる。そして、こ
のように金属配線間に絶縁体を連続して介装させること
なく、絶縁膜を金属配線上の絶縁層上に直接設けるだけ
であるので、金属配線間の間隔の狭小化に伴う加工性の
困難化に影響されないものとなる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の半導体装置の製造方法を図面
を参照して詳しく説明する。図１および図２は本発明の
一実施例を説明するための図である。まず、図１（ａ）
に示すようにシリコン基板１０上に、半導体素子の各構
成要素（図示略）を周知の手段によって形成するととも
に、その上にリンシリケートガラス（ＰＳＧ）やホウ素
リンシリケートガラス（ＢＰＳＧ）、ノンドープトシリ
ケートガラス（ＮＳＧ）等の層間絶縁膜１１を形成し、
さらにリフロー処理を施すことなどによってこれの表面
を平坦化する。次に、この層間絶縁膜１１の上にＴｉ、
ＴｉＮ、ＡｌＣｕ等の積層構造で構成して第１層金属配
線層を形成し、さらにこれをパターニングして第１層金
属配線１２…を形成する。なお、基板１０上において、
例えばスクライブラインなどのようにその表層部が広い
面積で第１層金属配線１２…の高さに比べ低くなってい
る部位には、ダミーを形成して他の部位に高さを合わせ
ておく。次いで、これら層間絶縁膜１１および第１層金
属配線１２…の上に、ＣＶＤ法やプラズマＣＶＤ法等に
よって図１（ｂ）に示すようにＳｉＯ2 からなる絶縁層
１３を形成する。
を参照して詳しく説明する。図１および図２は本発明の
一実施例を説明するための図である。まず、図１（ａ）
に示すようにシリコン基板１０上に、半導体素子の各構
成要素（図示略）を周知の手段によって形成するととも
に、その上にリンシリケートガラス（ＰＳＧ）やホウ素
リンシリケートガラス（ＢＰＳＧ）、ノンドープトシリ
ケートガラス（ＮＳＧ）等の層間絶縁膜１１を形成し、
さらにリフロー処理を施すことなどによってこれの表面
を平坦化する。次に、この層間絶縁膜１１の上にＴｉ、
ＴｉＮ、ＡｌＣｕ等の積層構造で構成して第１層金属配
線層を形成し、さらにこれをパターニングして第１層金
属配線１２…を形成する。なお、基板１０上において、
例えばスクライブラインなどのようにその表層部が広い
面積で第１層金属配線１２…の高さに比べ低くなってい
る部位には、ダミーを形成して他の部位に高さを合わせ
ておく。次いで、これら層間絶縁膜１１および第１層金
属配線１２…の上に、ＣＶＤ法やプラズマＣＶＤ法等に
よって図１（ｂ）に示すようにＳｉＯ2 からなる絶縁層
１３を形成する。
【０００９】また、前記工程とは別に、例えば図２に示
すようにシリコンウエハー１４とほぼ同形の耐熱性高分
子フィルム１５を予め用意しておき、これの一方の面上
にスパッタ法やＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等によって
ＳｉＯ2 からなる絶縁膜１６を形成する。耐熱性高分子
フィルム１５としては、ポリイミド樹脂やポリカーボネ
イト樹脂からなり、厚さ数μｍから数百μｍ程度に調整
されたフィルムが好適に用いられる。また、絶縁膜１６
については、厚さ数百ｎｍ程度に堆積せしめられて形成
される。なお、耐熱性高分子フィルム１５上に絶縁膜１
６を堆積するに際しては、適宜なサセプタ（図示略）を
用意してこれの上に耐熱性高分子フィルム１５を載置し
あるいは固定するのが、耐熱性高分子フィルム１５を保
護するうえで好ましい。また、耐熱性高分子フィルムと
して例えば図２に示した形状のものでなく連続的なフィ
ルムを用意し、これを連続的に堆積処理してその上に絶
縁膜１６を形成し、その後図２に示したような適宜形状
に切り出してもよい。
すようにシリコンウエハー１４とほぼ同形の耐熱性高分
子フィルム１５を予め用意しておき、これの一方の面上
にスパッタ法やＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等によって
ＳｉＯ2 からなる絶縁膜１６を形成する。耐熱性高分子
フィルム１５としては、ポリイミド樹脂やポリカーボネ
イト樹脂からなり、厚さ数μｍから数百μｍ程度に調整
されたフィルムが好適に用いられる。また、絶縁膜１６
については、厚さ数百ｎｍ程度に堆積せしめられて形成
される。なお、耐熱性高分子フィルム１５上に絶縁膜１
６を堆積するに際しては、適宜なサセプタ（図示略）を
用意してこれの上に耐熱性高分子フィルム１５を載置し
あるいは固定するのが、耐熱性高分子フィルム１５を保
護するうえで好ましい。また、耐熱性高分子フィルムと
して例えば図２に示した形状のものでなく連続的なフィ
ルムを用意し、これを連続的に堆積処理してその上に絶
縁膜１６を形成し、その後図２に示したような適宜形状
に切り出してもよい。
【００１０】次いで、前記第１層金属配線１２…上に形
成した絶縁層１３の表面、および耐熱性高分子フィルム
１５上の絶縁膜１６の表面を、それぞれ窒素やアルゴン
等の不活性ガス雰囲気にてプラズメ処理し、絶縁層１
３、絶縁膜１６表面のＳｉ−Ｈ結合やＳｉ−Ｏ結合、Ｓ
ｉ−ＯＨ結合を切断し、これにより後述する絶縁層１３
と絶縁膜１６との接着性を高めておく。なお、このプラ
ズマ処理については、絶縁層１３と絶縁膜１６とを両方
行うことなく、いずれか一方のみを行うようにしてもよ
い。
成した絶縁層１３の表面、および耐熱性高分子フィルム
１５上の絶縁膜１６の表面を、それぞれ窒素やアルゴン
等の不活性ガス雰囲気にてプラズメ処理し、絶縁層１
３、絶縁膜１６表面のＳｉ−Ｈ結合やＳｉ−Ｏ結合、Ｓ
ｉ−ＯＨ結合を切断し、これにより後述する絶縁層１３
と絶縁膜１６との接着性を高めておく。なお、このプラ
ズマ処理については、絶縁層１３と絶縁膜１６とを両方
行うことなく、いずれか一方のみを行うようにしてもよ
い。
【００１１】次いで、絶縁膜１６を形成した耐熱性高分
子フィルム１５を、その絶縁膜１６が前記第１層金属配
線１２…の上の絶縁層１３上に密着するようにして基板
１０上に当接させ、例えば大気圧を越える加圧下にて３
００℃以上で熱処理し、図１（ｂ）に示すように絶縁層
１３と絶縁膜１６とを接着する。このようにして絶縁層
１３と絶縁膜１６とを接着すると、各第１層金属配線１
２、１２間の溝部１７には絶縁膜１６が入り込むことな
く、該溝部１７には前記接着処理時の処理雰囲気中のガ
スが入り込むだけとなり、したがって該金属配線１２、
１２間の配線間容量が、配線１２、１２間に絶縁体が連
続して介装されている場合に比べ低いものとなる。
子フィルム１５を、その絶縁膜１６が前記第１層金属配
線１２…の上の絶縁層１３上に密着するようにして基板
１０上に当接させ、例えば大気圧を越える加圧下にて３
００℃以上で熱処理し、図１（ｂ）に示すように絶縁層
１３と絶縁膜１６とを接着する。このようにして絶縁層
１３と絶縁膜１６とを接着すると、各第１層金属配線１
２、１２間の溝部１７には絶縁膜１６が入り込むことな
く、該溝部１７には前記接着処理時の処理雰囲気中のガ
スが入り込むだけとなり、したがって該金属配線１２、
１２間の配線間容量が、配線１２、１２間に絶縁体が連
続して介装されている場合に比べ低いものとなる。
【００１２】なお、このような処理によって第１層金属
配線１２、１２間の溝部１７に封入されたガスは、３０
０℃以上の高温雰囲気にあるガスであったことから、後
工程で熱処理が施されても膨張し絶縁膜１６を破壊して
外に抜けるといったことはなく、また常温に戻され収縮
しても、溝部１７の容積が微小であることから、絶縁膜
１６を引っ張り込むまでの力を発揮するまでには至るこ
とがない。また、このような当接・接着処理について
は、基板１０を下側に、耐熱性高分子フィルム１５を上
側にして行ってもよく、その逆にして行ってもよい。
配線１２、１２間の溝部１７に封入されたガスは、３０
０℃以上の高温雰囲気にあるガスであったことから、後
工程で熱処理が施されても膨張し絶縁膜１６を破壊して
外に抜けるといったことはなく、また常温に戻され収縮
しても、溝部１７の容積が微小であることから、絶縁膜
１６を引っ張り込むまでの力を発揮するまでには至るこ
とがない。また、このような当接・接着処理について
は、基板１０を下側に、耐熱性高分子フィルム１５を上
側にして行ってもよく、その逆にして行ってもよい。
【００１３】その後、この耐熱性高分子フィルム１５、
絶縁膜１６を接着した基板１０を酸素、あるいはオゾン
の雰囲気下でプラズマ処理し、高分子フィルム１５を灰
化除去する。なお、このプラズマ処理によって高分子フ
ィルム１５が灰化し、基板１０上には絶縁膜１６のみが
残るが、灰化されない異物等が残る恐れがある場合に
は、このプラズマ処理とともに、硫酸と過酸化水素水と
を用いたウエットエッチング処理を行ってもよい。
絶縁膜１６を接着した基板１０を酸素、あるいはオゾン
の雰囲気下でプラズマ処理し、高分子フィルム１５を灰
化除去する。なお、このプラズマ処理によって高分子フ
ィルム１５が灰化し、基板１０上には絶縁膜１６のみが
残るが、灰化されない異物等が残る恐れがある場合に
は、このプラズマ処理とともに、硫酸と過酸化水素水と
を用いたウエットエッチング処理を行ってもよい。
【００１４】このようにして絶縁膜１６を絶縁層１３上
に設け、これにより第１層金属配線１２、１２間の溝部
１７をガス層としたら、図１（ｃ）に示すように絶縁膜
１６の所定位置を穿孔してコンタクトホール１８を形成
し、該コンタクトホール１８内にＷプラグ１９を埋め込
み、さらに絶縁膜１６の上にＷプラグ１９に接続するよ
うにして第２層金属配線２０…をパターニングする。そ
して、このような処理を必要に応じて順次繰り返し、半
導体装置を得る。
に設け、これにより第１層金属配線１２、１２間の溝部
１７をガス層としたら、図１（ｃ）に示すように絶縁膜
１６の所定位置を穿孔してコンタクトホール１８を形成
し、該コンタクトホール１８内にＷプラグ１９を埋め込
み、さらに絶縁膜１６の上にＷプラグ１９に接続するよ
うにして第２層金属配線２０…をパターニングする。そ
して、このような処理を必要に応じて順次繰り返し、半
導体装置を得る。
【００１５】このような半導体装置の製造方法にあって
は、前述した簡略な処理によって該第１層金属配線１
２、１２上の絶縁層１３の上に絶縁膜１６を接着するの
で、該金属配線１２、１２間の間隔が狭い場合にもその
上の絶縁層１３上に絶縁膜１６を平坦に設けることがで
き、したがって加工性に優れ、かつ金属配線１２…上の
絶縁層（絶縁膜１６）の平坦化も容易に行うことができ
るものとなる。また、このようにして絶縁層１３と絶縁
膜１６とを接着すると、各第１層金属配線１２、１２間
の溝部１７には前記接着処理時の処理雰囲気中のガスが
入り込むだけとなり、これによって第１層金属配線１
２、１２間の配線間容量が十分に低くなるので、クロス
トークや配線遅延を抑制することができる。
は、前述した簡略な処理によって該第１層金属配線１
２、１２上の絶縁層１３の上に絶縁膜１６を接着するの
で、該金属配線１２、１２間の間隔が狭い場合にもその
上の絶縁層１３上に絶縁膜１６を平坦に設けることがで
き、したがって加工性に優れ、かつ金属配線１２…上の
絶縁層（絶縁膜１６）の平坦化も容易に行うことができ
るものとなる。また、このようにして絶縁層１３と絶縁
膜１６とを接着すると、各第１層金属配線１２、１２間
の溝部１７には前記接着処理時の処理雰囲気中のガスが
入り込むだけとなり、これによって第１層金属配線１
２、１２間の配線間容量が十分に低くなるので、クロス
トークや配線遅延を抑制することができる。
【００１６】また、このような本発明の製造方法では、
例えば図３（ａ）に示すような構造の半導体装置の製造
にも適用することができ、その場合に前述した優れた効
果を発揮するものとなる。すなわち、図３（ａ）に示し
た半導体装置を製造するのに、従来では図３（ｂ）に示
すようにアルミニウム配線３０…上に第１の絶縁層３１
を形成した状態から、該絶縁層３１上に第２の絶縁層を
形成し、さらにこの第２の絶縁層をレジスト技術と反応
性イオンエッチングによりエッチバックして各アルミニ
ウム配線３０、３０間に絶縁体３２を埋め込む。そし
て、この上に第３の絶縁層を形成し、さらにその上に例
えばスピンオングラス（ＳＯＧ）を堆積し、その状態か
ら再度エッチバックして第３の絶縁層３３を平坦化す
る。そして、このうえに第４の絶縁層３４を形成するこ
とにより、アルミニウム配線３０…上に平坦な絶縁層を
形成するのである。
例えば図３（ａ）に示すような構造の半導体装置の製造
にも適用することができ、その場合に前述した優れた効
果を発揮するものとなる。すなわち、図３（ａ）に示し
た半導体装置を製造するのに、従来では図３（ｂ）に示
すようにアルミニウム配線３０…上に第１の絶縁層３１
を形成した状態から、該絶縁層３１上に第２の絶縁層を
形成し、さらにこの第２の絶縁層をレジスト技術と反応
性イオンエッチングによりエッチバックして各アルミニ
ウム配線３０、３０間に絶縁体３２を埋め込む。そし
て、この上に第３の絶縁層を形成し、さらにその上に例
えばスピンオングラス（ＳＯＧ）を堆積し、その状態か
ら再度エッチバックして第３の絶縁層３３を平坦化す
る。そして、このうえに第４の絶縁層３４を形成するこ
とにより、アルミニウム配線３０…上に平坦な絶縁層を
形成するのである。
【００１７】一方、本発明によれば、図３（ｂ）に示し
た状態から、図３（ｃ）に示すように予め用意した耐熱
性高分子フィルム１５の、絶縁膜１６を形成した面を第
１の絶縁層３１…に密着させ、前述した処理により該第
１の絶縁層３１…と絶縁膜１６とを接着させ、さらに耐
熱性高分子フィルム１５を灰化除去することにより、図
３（ｄ）に示すようにアルミニウム配線３０、３０間を
中空とした半導体装置を得ることができるのである。
た状態から、図３（ｃ）に示すように予め用意した耐熱
性高分子フィルム１５の、絶縁膜１６を形成した面を第
１の絶縁層３１…に密着させ、前述した処理により該第
１の絶縁層３１…と絶縁膜１６とを接着させ、さらに耐
熱性高分子フィルム１５を灰化除去することにより、図
３（ｄ）に示すようにアルミニウム配線３０、３０間を
中空とした半導体装置を得ることができるのである。
【００１８】なお、前記実施例では絶縁層１３と絶縁膜
１６との接着性を高めるためその表面部をプラズマ処理
したが、他に例えば、これら表面の両方あるいはいずれ
か一方にヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）等の界面
活性剤を塗布し、その表面を改質して接着性を高めても
よく、また、これら処理を行うことなく、単に熱処理等
によって絶縁層１３と絶縁膜１６とを接着するようにし
てもよい。また、前記実施例では耐熱性高分子フィルム
１５上に絶縁膜１６を一層のみ設けたが、例えば該フィ
ルム１５上に絶縁膜、低誘電率フィルム、絶縁膜の順に
積層したものを用い、絶縁膜、低誘電率フィルム、絶縁
膜からなる積層部分を基板上に設けるようにしてもよ
く、その場合には低誘電率フィルムが絶縁膜間に設けら
れていることから、半導体装置の厚み方向の配線間容量
をも低くすることができる。
１６との接着性を高めるためその表面部をプラズマ処理
したが、他に例えば、これら表面の両方あるいはいずれ
か一方にヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）等の界面
活性剤を塗布し、その表面を改質して接着性を高めても
よく、また、これら処理を行うことなく、単に熱処理等
によって絶縁層１３と絶縁膜１６とを接着するようにし
てもよい。また、前記実施例では耐熱性高分子フィルム
１５上に絶縁膜１６を一層のみ設けたが、例えば該フィ
ルム１５上に絶縁膜、低誘電率フィルム、絶縁膜の順に
積層したものを用い、絶縁膜、低誘電率フィルム、絶縁
膜からなる積層部分を基板上に設けるようにしてもよ
く、その場合には低誘電率フィルムが絶縁膜間に設けら
れていることから、半導体装置の厚み方向の配線間容量
をも低くすることができる。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように本発明の半導体装置
の製造方法は、絶縁膜を形成した耐熱性高分子フィルム
を、その絶縁膜側が基板上に形成された絶縁層に密着す
るようにして該基板上に当接させ、その状態で前記耐熱
性高分子フィルムを灰化除去する方法であるから、基板
上に形成した金属配線間の間隔が狭い場合にも、その上
の絶縁層上に絶縁膜を平坦に設けることができ、したが
って加工性に優れたものとなり、金属配線上の絶縁層の
平坦化をも容易に行うことができ、これにより製造コス
トの低減化を図ることができる。また、絶縁膜を単に絶
縁層に密着させるだけであるので、該絶縁膜が、隣接す
る金属配線間における基板側にまでは入り込まず、した
がって該金属配線間の配線間容量が、配線間に絶縁体が
連続して介装されている場合に比べ低いものとなり、こ
れによりクロストークや配線遅延を抑制してデバイス動
作の高速化を達成することができる。
の製造方法は、絶縁膜を形成した耐熱性高分子フィルム
を、その絶縁膜側が基板上に形成された絶縁層に密着す
るようにして該基板上に当接させ、その状態で前記耐熱
性高分子フィルムを灰化除去する方法であるから、基板
上に形成した金属配線間の間隔が狭い場合にも、その上
の絶縁層上に絶縁膜を平坦に設けることができ、したが
って加工性に優れたものとなり、金属配線上の絶縁層の
平坦化をも容易に行うことができ、これにより製造コス
トの低減化を図ることができる。また、絶縁膜を単に絶
縁層に密着させるだけであるので、該絶縁膜が、隣接す
る金属配線間における基板側にまでは入り込まず、した
がって該金属配線間の配線間容量が、配線間に絶縁体が
連続して介装されている場合に比べ低いものとなり、こ
れによりクロストークや配線遅延を抑制してデバイス動
作の高速化を達成することができる。
【図１】（ａ）〜（ｃ）は本発明の半導体装置の製造方
法を工程順に説明するための要部側断面図である。
法を工程順に説明するための要部側断面図である。
【図２】耐熱性高分子フィルムの平面図である。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は本発明の製造方法と従来の製
造方法とを対比して説明するための説明図である。
造方法とを対比して説明するための説明図である。
【図４】（ａ）、（ｂ）は従来の半導体装置の要部側断
面図である。
面図である。
１０ 基板 １２ 第１層金属配線 １３ 絶縁層 １５ 耐熱性高分子フィルム １６ 絶縁膜
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に形成された金属配線上に絶縁層
を形成する工程と、 予め用意した耐熱性高分子フィルムの表面に絶縁膜を形
成する工程と、 該絶縁膜を形成した耐熱性高分子フィルムを、その絶縁
膜側が前記基板上に形成された絶縁層に密着するように
して該基板上に当接させ、その状態で前記耐熱性高分子
フィルムを灰化除去する工程とを備えてなることを特徴
とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置の製造方法に
おいて、耐熱性高分子フィルムと基板とを当接させるに
先立ち、該耐熱性高分子フィルムの絶縁膜面および基板
上の絶縁層面のうちの少なくとも一方をプラズマ処理す
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の半導体装置の製造方法に
おいて、耐熱性高分子フィルムと基板とを圧着させるに
先立ち、該耐熱性高分子フィルムの絶縁膜面および基板
上の絶縁層面のうちの少なくとも一方に該面の密着性を
向上させるための表面改質剤を吸着させることを特徴と
する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25796094A JPH08125016A (ja) | 1994-10-24 | 1994-10-24 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25796094A JPH08125016A (ja) | 1994-10-24 | 1994-10-24 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08125016A true JPH08125016A (ja) | 1996-05-17 |
Family
ID=17313607
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25796094A Pending JPH08125016A (ja) | 1994-10-24 | 1994-10-24 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08125016A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003519924A (ja) * | 2000-01-05 | 2003-06-24 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | 信号処理時間が減じられた半導体装置およびその製造方法 |
| JP2006237521A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-07 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法及び電子機器 |
| JP2007208128A (ja) * | 2006-02-03 | 2007-08-16 | Oki Electric Ind Co Ltd | 絶縁膜の形成方法 |
| JP2019201044A (ja) * | 2018-05-14 | 2019-11-21 | 大日本印刷株式会社 | 配線基板および配線基板の製造方法 |
| WO2020004065A1 (ja) * | 2018-06-27 | 2020-01-02 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
-
1994
- 1994-10-24 JP JP25796094A patent/JPH08125016A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US11515351B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-29 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device |
| US11901392B2 (en) | 2018-06-27 | 2024-02-13 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device |
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