JP2006237521A - 半導体装置の製造方法及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
信頼性の高い半導体装置を製造し得る半導体装置の製造方法及び信頼性の高い電子機器を提案する。
【解決手段】
半導体装置の製造方法において、転写フィルムの一面上に撥液性を有する薄膜を形成する第1の工程と、転写フィルム上に形成した薄膜を所定パターンでパターニングすることにより隔壁を形成する第2の工程と、転写フィルムの一面側から隔壁にエネルギー線を照射する第3の工程と、隔壁を半導体基板の電極形成面上に張り合わせる第4の工程と、隔壁から転写フィルムを剥離する第5の工程とを設けるようにした。
【選択図】 図2
Description
図1は、本実施の形態による薄膜トランジスタ1を示すものである。この薄膜トランジスタ1は、少なくとも一面が絶縁性を有する基板(例えばガラス基板)2の当該一面上に形成されるものであり、ソース電極3、ドレイン電極4、絶縁膜5、半導体膜6、ゲート絶縁膜7、ゲート電極8及び層間絶縁膜9を含んで構成される。
次に、このような構成を有する薄膜トランジスタ1の製造手順について説明する。図2は、本実施の形態による薄膜トランジスタ1の製造手順を示すものである。本実施の形態では、撥液性材料を用いて転写フィルム上に絶縁膜を形成し、この絶縁膜を、エネルギー線を照射するようにして親液処理した後に別プロセスで形成した薄膜トランジスタ基板と張り合わせ、その後絶縁膜から転写フィルムを剥離することによって、薄膜トランジスタ基板上に液滴吐出法によるゲート電極形成時の隔壁としても用いる層間絶縁膜を形成することを特徴とする。
なお上述の実施の形態においては、隔壁兼用層間絶縁膜の材料として、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素系樹脂又はシリコン系樹脂などを用い、これをフォトリソグラフィ法を用いてパターニングするようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、例えば隔壁兼用層間絶縁膜の材料として感光性樹脂材を用い、これを露光及び現像するようにしてパターニングするようにしても良い。このようにすることによって、絶縁膜11(図2(A))をパターニングの際のフォトリソグラフィ処理を簡略化することが可能となり、薄膜トランジスタ1の製造工程を全体として簡易化させることができる。
Claims (6)
- 基板の電極形成面上に隔壁を形成し、前記隔壁を介して露出する前記基板の前記電極形成面上に液体導電材料を付与して電極を形成する半導体装置の製造方法であって、
転写フィルムの一面上に撥液性を有する薄膜を形成する第1の工程と、
前記転写フィルム上に形成した前記薄膜を所定パターンでパターニングすることにより前記隔壁を形成する第2の工程と、
前記転写フィルムの前記一面側から前記隔壁にエネルギー線を照射する第3の工程と、
前記隔壁を前記基板の前記電極形成面上に張り合わせる第4の工程と、
前記隔壁から前記転写フィルムを剥離する第5の工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1の工程において、前記薄膜を絶縁材料を用いて形成し、
前記隔壁が半導体装置の層間絶縁膜を兼ねるようにした、
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1の工程では、
感光性材料を用いて前記薄膜を形成し、
前記第2の工程では、
前記薄膜を前記所定パターンで露光及び現像することにより前記隔壁を形成する、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1の工程では、
前記転写フィルム及び前記薄膜間に、前記転写フィルム及び前記薄膜間を分離可能とする剥離層を形成する、
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 更に、
前記隔壁の前記開口を介して露出する前記半導体基板の前記電極形成面上に液体導電材料を付与して前記電極を形成する第6の工程と、
前記隔壁の前記開口内に絶縁材料を付与して形成された前記電極を絶縁する第7の工程と、
を備えることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記請求項1乃至5のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法により製造された半導体装置を備える電子機器。
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