JPH08120075A - コポリイミドの製造法 - Google Patents

コポリイミドの製造法

Info

Publication number
JPH08120075A
JPH08120075A JP25647094A JP25647094A JPH08120075A JP H08120075 A JPH08120075 A JP H08120075A JP 25647094 A JP25647094 A JP 25647094A JP 25647094 A JP25647094 A JP 25647094A JP H08120075 A JPH08120075 A JP H08120075A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
formula
group
copolyimide
aminophenoxy
carbon atoms
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP25647094A
Other languages
English (en)
Inventor
Miyoshi Shirasaki
美佳 白崎
Mitsuhiro Shibata
充弘 柴田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Chemical Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Chemical Co Ltd filed Critical Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority to JP25647094A priority Critical patent/JPH08120075A/ja
Publication of JPH08120075A publication Critical patent/JPH08120075A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【目的】溶解性や成形性に優れ、低誘電性をも有する新
規なコポリイミド。 【構成】一般式(1) (式中、Xは炭素数1〜20の炭化水素基または硫黄
原子を表す。Rはハロゲン原子、炭素数1〜6の炭化水
素基または炭素数1〜6の含ハロゲン炭化水素基を表
し、aは0〜4の整数で置換基の数を表す。)で表され
るジアミノ化合物と、一般式(2) (式中、Yはメチレン基、酸素原子、硫黄原子または
スルホニル基を表す。Rはハロゲン原子、炭素数1〜6
の炭化水素基または炭素数1〜6の含ハロゲン炭化水素
基を表し、aは0〜4の整数で置換基の数を表す。nは
0〜2の整数を表す。)で表されるジアミノ化合物との
モル比が99:1〜10:90であるジアミノ化合物の
混合物、および一般式(3) (式中、Zは炭素数2以上の4価の有機基を表す。)
で表されるテトラカルボン酸二無水物を反応させること
を特徴とするコポリイミドの製造法。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、溶解性、成形性および
低誘電性に優れた新規なコポリイミドの製造法に関する
ものであり、そのコポリイミドは、半導体の各種保護膜
や層間絶縁膜、液晶表示素子の配向膜、フレキシブルプ
リント配線板のベースフィルム、TAB用テープのベー
スフィルム、ガス透過膜およびその他各種絶縁膜、電子
部品用樹脂、構造材料用樹脂および耐熱性接着剤等に利
用される。
【0002】
【従来の技術】ポリイミドはその高耐熱性に加え、機械
的強度や電気絶縁性に優れた特性を生かして、電気、電
子分野において多用されている。しかし、従来の芳香族
ポリイミドは溶融温度が高く、また溶剤に不溶なため、
イミドの状態で成形することは困難であった。例えば、
4,4−ジアミノジフェニルエーテルとピロメリット酸
二無水物との縮合で得られる芳香族ポリイミド(Kapto
n、米国DuPont社製品名)は、融点が500℃以上であ
り、かつイミドの溶解性が悪いため、通常は前駆体のポ
リアミド酸の極性溶媒溶液をフィルム状にキャストした
後、300℃以上の高温で加熱してイミド化閉環させる
という方法でフィルムに成形されていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】このように従来の芳香
族ポリイミドは溶解性が悪く成形性に劣るため、フィル
ム等に成形するためには300℃以上の高温で加熱処理
することが必要であり、電子素子や基板および金属配線
などを熱劣化させてしまうなど生産性と信頼性の低下を
招くという問題点があった。そこでポリイミドの溶液で
成形後溶媒を揮発させる方法やプレス成形など、予めイ
ミド化された状態から直接比較的低温で成形できるポリ
イミドの開発が要望されている。また最近、コンピュー
ター等の信号の高速電送化の要求から、従来ポリイミド
が有していた優れた絶縁性に加えて低誘電率化が要望さ
れている。
【0004】そこで、可溶性でありかつ低誘電性を有す
るポリイミドに関して、例えば、フッ素を導入したポリ
イミドが開発されているが(例えば、特開平4−239
037)、価格が非常に高価であり、工業的レベルでの
生産は困難である。また、テフロン樹脂に代表されるよ
うに、フッ素を多量に含有すると接着性が低下する等の
多くの問題点があった。
【0005】本発明の目的は、ポリイミドが本来有する
優れた特性に加えて、溶解性や成形性に優れ、なおかつ
低誘電性をも有する新規なコポリイミドの製造法を提供
することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記目的を
果たすため鋭意検討した結果、特定な構造を有するコポ
リイミドが、ポリイミド固有の諸物性を損なうことな
く、溶解性や成形性に優れ、なおかつ低誘電性をも有す
ることを見いだし、本発明を完成した。すなわち、本発
明は一般式(1)
【0007】
【化7】 (式中、Xは炭素数1〜20の炭化水素基または硫黄原
子を表す。Rはハロゲン原子、炭素数1〜6の炭化水素
基または炭素数1〜6の含ハロゲン炭化水素基を表し、
aは0〜4の整数で置換基の数を表す。但し、複数のR
およびaはそれぞれ独立に異なった置換基および値をと
りうる。)で表されるジアミノ化合物と、一般式(2)
【0008】
【化8】 (式中、Yはメチレン基、酸素原子、硫黄原子またはス
ルホニル基を表す。Rはハロゲン原子、炭素数1〜6の
炭化水素基または炭素数1〜6の含ハロゲン炭化水素基
を表し、aは0〜4の整数で置換基の数を表す。但し、
複数のRおよびaはそれぞれ独立に異なった置換基およ
び値をとりうる。またnは0〜2の整数を表す。)で表
されるジアミノ化合物とのモル比が99:1〜10:9
0であるジアミノ化合物の混合物、および一般式(3)
【0009】
【化9】 (式中、Zは炭素数2以上の4価の有機基を表す。)で
表されるテトラカルボン酸二無水物を反応させることを
特徴とするコポリイミドの製造法に関するものである。
【0010】一般式(1)において、Rとして使用され
るハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素およびヨ
ウ素が挙げられ、炭素数1〜6の炭化水素基および炭素
数1〜6の含ハロゲン化炭化水素基としては、メチル、
エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシルの直鎖
または分鎖状のアルキル基、シクロヘキシル基、フェニ
ル基等の炭化水素基およびこれらの炭化水素基の水素原
子の一つ以上をハロゲン原子で置換した基が挙げられ
る。
【0011】一般式(1)において、Xとして使用され
る炭素数1〜20の炭化水素基としては、炭素数1〜6
のアルキレン基、炭素数2〜14のアルキリデン基、炭
素数7〜20のフェニルアルキリデン基または脂環構造
を含む炭素数5〜20の炭化水素基が挙げられる。炭素
数1〜6のアルキレン基の代表例としては、メチレン
基、エチレン基等、炭素数2〜14のアルキリデン基の
代表例としては、エチリデン基、プロピリデン基、ブチ
リデン基、ペンチリデン基、ヘキシリデン基、ヘプチリ
デン基等の直鎖または分鎖状のアルキリデン基、炭素数
7〜20のフェニルアルキリデン基の代表例としては、
フェニルメチリデン基、フェニルエチリデン基、フェニ
ルプロピリデン基等の直鎖または分鎖状のフェニルアル
キリデン基を挙げることができる。また、脂環構造を含
む炭素数5〜20の炭化水素基の代表例としては、式
(b)、(c)、(d)、(i)、(j)または(k)
【0012】
【化10】 等で表される基およびこれらの脂環中の水素原子の1つ
以上をメチル基、エチル基等のアルキル基で置換した基
が挙げられる。この中でも式(b)、(c)および
(d)で表される基が好ましい。一般式(1)で表され
るジアミノ化合物のうち、式(a)
【0013】
【化11】 (式中、Xはブチリデン基もしくは硫黄原子を表す。)
で表されるものも好ましい化合物の一群である。
【0014】一般式(1)で表されるジアミノ化合物類
の代表例を示すと次の通りである。ビス〔4−(4−ア
ミノフェノキシ)−3−t−ブチル−6−メチルフェニ
ル〕スルフィド、ビス〔3−(4−アミノフェノキシ)
−3−t−ブチル−6−メチルフェニル〕スルフィド、
1,1−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)−3−t
−ブチル−6−メチルフェニル〕ブタン、1,1−ビス
〔3−(4−アミノフェノキシ)−3−t−ブチル−6
−メチルフェニル〕ブタン、1,1−ビス〔4−(4−
アミノフェノキシ)−3−t−ブチル−6−メチルフェ
ニル〕ペンタン、1,1−ビス〔3−(4−アミノフェ
ノキシ)−3−t−ブチル−6−メチルフェニル〕ペン
タン、1,1−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)−
3−t−ブチル−6−メチルフェニル〕ヘキサン、1,
1−ビス〔3−(4−アミノフェノキシ)−3−t−ブ
チル−6−メチルフェニル〕ヘキサン、1,1−ビス
〔4−(4−アミノフェノキシ)−3−t−ブチル−6
−メチルフェニル〕ヘプタン、1,1−ビス〔3−(4
−アミノフェノキシ)−3−t−ブチル−6−メチルフ
ェニル〕ヘプタン、ビス〔4−(4−アミノフェノキ
シ)フェニル〕メンタン、ビス〔2−(4−アミノフェ
ノキシ)フェニル〕メンタン、1−〔2−(4−アミノ
フェノキシ)フェニル〕−8−〔4−(4−アミノフェ
ノキシ)フェニル〕メンタン、ビス〔4−(3−アミノ
フェノキシ)フェニル〕メンタン、ビス〔2−(3−ア
ミノフェノキシ)フェニル〕メンタン、1−〔2−(3
−アミノフェノキシ)フェニル〕−8−〔4−(3−ア
ミノフェノキシ)フェニル〕メンタン、ビス〔4−(4
−アミノフェノキシ)−3−メチルフェニル〕メンタ
ン、ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)−3,5−ジ
メチルフェニル〕メンタン、ビス〔4−(4−アミノフ
ェノキシ)−3−ブチル−6−メチルフェニル〕メンタ
ン、ビス〔4−(4−アミノ−5−メチルフェノキシ)
−3−メチルフェニル〕メンタン、ビス〔4−(4−ア
ミノ−5−メチルフェノキシ)−3,5−ジメチルフェ
ニル〕メンタン、ビス〔4−(4−アミノ−5−メチル
フェノキシ)−3−ブチル−6−メチルフェニル〕メン
タン、ビス〔2−(4−アミノフェノキシ)−3−メチ
ルフェニル〕メンタン、1−〔2−(4−アミノフェノ
キシ)−3−メチルフェニル〕−8−〔4−(4−アミ
ノフェノキシ)−3−メチルフェニル〕メンタン、ビス
〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕トリシクロ
[5,2,1,02,6 ]デカン、ビス〔2−(4−アミ
ノフェノキシ)フェニル〕トリシクロ[5,2,1,0
2,6 ]デカン、〔2−(4−アミノフェノキシ)フェニ
ル〕−〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕トリ
シクロ[5,2,1,02,6 ]デカン、ビス〔4−(3
−アミノフェノキシ)フェニル〕トリシクロ[5,2,
1,02,6 ]デカン、ビス〔2−(3−アミノフェノキ
シ)フェニル〕トリシクロ[5,2,1,02,6 ]デカ
ン、〔2−(3−アミノフェノキシ)フェニル〕−〔4
−(3−アミノフェノキシ)フェニル〕トリシクロ
[5,2,1,02,6 ]デカン、ビス〔4−(4−アミ
ノフェノキシ)−3−メチルフェニル〕トリシクロ
[5,2,1,02,6 ]デカン、ビス〔4−(4−アミ
ノフェノキシ)−3,5−ジメチルフェニル〕トリシク
ロ[5,2,1,02,6 ]デカン、ビス〔4−(4−ア
ミノフェノキシ)−3−ブチル−6−メチルフェニル〕
トリシクロ[5,2,1,02,6 ]デカン、ビス〔4−
(4−アミノ−5−メチルフェノキシ)−3−メチルフ
ェニル〕トリシクロ[5,2,1,02,6 ]デカン、ビ
ス〔4−(4−アミノ−5−メチルフェノキシ)−3,
5−ジメチルフェニル〕トリシクロ[5,2,1,0
2,6 ]デカン、ビス〔4−(4−アミノ−5−メチルフ
ェノキシ)−3−ブチル−6−メチルフェニル〕トリシ
クロ[5,2,1,02,6 ]デカン、ビス〔2−(4−
アミノフェノキシ)−3−メチルフェニル〕トリシクロ
[5,2,1,02,6 ]デカン、〔2−(4−アミノフ
ェノキシ)−3−メチルフェニル〕−〔4−(4−アミ
ノフェノキシ)−3−メチルフェニル〕トリシクロ
[5,2,1,02,6 ]デカン等が例示される。これら
の中でも、1,1−ビス〔4−(4−アミノフェノキ
シ)−3−t−ブチル−6−メチルフェニル〕ブタン、
ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕メンタ
ンおよびビス〔4−(4−アミノフェノキシ)−3,5
−ジメチルフェニル〕トリシクロ[5,2,1,
2,6 ]デカンが好ましい。一般式(2)で表わされる
化合物のうち、式(e)、(f)、(g)または(h)
【0015】
【化12】 (式中、Rおよびaは一般式(2)のものと同じ意味を
もつ。)で表わされるものも好ましい化合物の一群であ
る。一般式(2)で表されるジアミノ化合物の代表例と
しては、以下のものが挙げられる。 m―フェニレンジ
アミン、p―フェニレンジアミン、2,4―ジアミノト
ルエン、2,6―ジアミノトルエン、3,3’―ジアミ
ノジフェニルエーテル、3,4’―ジアミノジフェニル
エーテル、4,4’―ジアミノジフェニルエーテル、
3,3’―ジアミノジフェニルメタン、3,4’―ジア
ミノジフェニルメタン、4,4’―ジアミノジフェニル
メタン、3,3’,5,5’―テトラブロモ―4,4’
―ジアミノジフェニルメタン、3,3’―ジアミノジフ
ェニルスルフィド、3,4’―ジアミノジフェニルスル
フィド、4,4’―ジアミノジフェニルスルフィド、
3,3’―ジアミノジフェニルスルホン、3,4’―ジ
アミノジフェニルスルホン、4,4’―ジアミノジフェ
ニルスルホン、1,3―ビス(4−アミノフェノキシ)
ベンゼン、1,4―ビス(4−アミノフェノキシ)ベン
ゼン等が例示される。これらジアミノ化合物は、単独あ
るいは2種以上混合して使用される。
【0016】一般式(1)で表されるジアミノ化合物と
一般式(2)で表されるジアミノ化合物の仕込割合を変
えることによって、得られるコポリイミドの物性を変え
ることができる。良好な溶解性や成形性および低誘電性
を得るためには、ジアミノ化合物全量の内一般式(1)
で表されるジアミノ化合物が30%以上占めることが望
ましい。
【0017】一般式(3)で表されるテトラカルボン酸
二無水物は上記のジアミノ化合物と縮合反応しうるもの
であれば如何なるものも適用可能であるが、代表例とし
ては、以下のものが挙げられる。エチレンテトラカルボ
ン酸二無水物、シクロペンタンカルボン酸二無水物、ピ
ロメリット酸二無水物、3,3’,4,4’−ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸二無水物、2,2’,3,3’
−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、3,
3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物、2,2’,3,3’−ビフェニルテトラカルボン酸
二無水物、3,3’,4,4’−ジフェニルスルホンテ
トラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ジフェ
ニルヘキサフルオロイソプロピリデンテトラカルボン酸
二無水物、4,4’−オキシジフタル酸二無水物、2,
3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、
1,4,5,8−ナフタレンテトラカルボン酸二無水
物、1,2,5,6−ナフタレンテトラカルボン酸二無
水物、2,3,6,7−アントラセンテトラカルボン酸
二無水物、1,2,7,8−フェナントラセンテトラカ
ルボン酸二無水物、4−(1,2−ジカルボキシルエチ
ル)−4−メチル−1,2,3,4−テトラヒドロ−
1,2−ナフタレンジカルボン酸二無水物、2,2−ビ
ス〔4−(3,4−ジカルボキシフェノキシ)フェニ
ル〕プロパン二無水物、5−(1,2−ジカルボキシル
エチル)−3−メチル−1,2,5,6−テトラハイド
ロフタル酸二無水物、6−メチル−トリシクロ[6,
2,2,02,7 ]−ドデカ−6,11−ジエン−3,
4,9,10−テトラカルボン酸二無水物等が例示され
る。これらテトラカルボン酸二無水物は、単独あるいは
2種以上混合して使用される。
【0018】本発明のコポリイミドの製造方法として
は、コポリイミドを製造可能な方法ならいかなる方法で
も適用可能であるが、中でも、ジアミノ化合物とテトラ
カルボン酸二無水物を適当な溶媒中反応させてコポリイ
ミド前駆体であるコポリアミド酸溶液を得た後、溶液
中、もしくは適当な基板上に溶液をキャストした後、熱
的あるいは化学的に閉環させる方法が好ましい。ジアミ
ノ化合物とテトラカルボン酸二無水物のモル比は1/
0.5から1/2の範囲から選ばれ、高分子量体を得た
い場合には1/1に近いモル比で反応が行われる。また
分子量を制御するために、芳香族モノアミンや芳香族ジ
カルボン酸無水物を添加して、末端を非反応性にする方
法も用いることができる。
【0019】コポリアミド酸およびコポリイミドの合成
に使用される溶媒は、上記のジアミノ化合物およびテト
ラカルボン酸二無水物を溶解させることのできるもので
あれば如何なるものも適用可能であるが、代表例として
は、以下のものが挙げられる。N−メチル−2−ピロリ
ドン(以下、NMPと略す)、N,N−ジメチルアセト
アミド(以下、DMAcと略す)、N,N−ジエチルア
セトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド(以下、D
MFと略す)、ジメチルスルホキシド、N−メチル−ε
−カプロラクタム、γ−ブチロラクトン、1,3−ジメ
チル−2−イミダゾリジノン、テトラメチル尿素、ヘキ
サメチルホスホルアミド、m−クレゾール、p−クレゾ
ール、o−クレゾール、キシレノール、ピリジン、1,
2−ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン(以下、T
HFと略す)、1,4−ジオキサン、ジグライム等が例
示される。これらの溶媒は、単独あるいは2種以上混合
して使用しても良い。濃度は、ジアミノ化合物とテトラ
カルボン酸二無水物の重量の和で1〜50重量%、好ま
しくは5〜20重量%程度となるように調製する。ま
た、イミド化時の共沸脱水溶媒として、シクロヘキサ
ン、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、クロ
ロベンゼン、N−シクロヘキシル−2−ピロリドン等を
添加することも可能である。
【0020】コポリイミドの製造に先だって原料や反応
溶媒中の水分を公知の方法で十分に除去しておき、反応
中は乾燥窒素気流下で行うことが好ましい。コポリアミ
ド酸合成の反応温度は通常250℃以下、好ましくは6
0℃以下である。反応圧力は特に限定されず、常圧で十
分実施できる。反応時間は用いるジアミンおよび酸二無
水物の種類、溶媒、反応温度により異なるが、通常10
分〜24時間である。得られたコポリアミド酸をさらに
100〜400℃に加熱してイミド化するか、または触
媒の存在下無水酢酸等の脱水剤を用いて化学的に閉環す
ることにより、コポリイミドが得られる。
【0021】コポリイミドは、溶液中で得た場合、溶液
を濃縮するか、あるいは貧溶媒に注いで沈澱させて粉末
として得ることができる。また、基板上に溶液をキャス
トした場合には、フィルムの形状で得られる。
【0022】
【実施例】以下、本発明を実施例及び比較例により具体
的に説明するが、本発明はこれらの実施例に制限される
ものではない。尚、本実施例および比較例にて用いた測
定方法および装置は次の通りである。 固有粘度ηinh.:0.5g/dlのNMP溶液を調製
し、ウベローデ粘度計を使用して30℃の恒温槽中で落
下時間を測定し、次式により算出した。 ηinh.=〔ln(t/t0 )〕/0.5 〔dl/
g〕 ただし、t:粘度計で測定される溶液の落下時間(秒) t0 :同様に測定される溶媒の落下時間(秒) 赤外吸収スペクトル:日本分光工業社製 IR−700
装置を使用して、粉末はKBr法、フィルムはそのまま
で測定した。 溶解性:各溶媒に対し10%の樹脂の溶解性を室温時お
よび加熱時(150℃)について測定した。 熱分析:セイコー電子工業社製 SSC−5200Hシ
ステムを用いた。熱天秤(TG/DTA220装置)を
用い、10℃/min. 、30〜600℃、N2 雰囲気
下熱分解温度(Td)を測定した。示差走査熱量計(D
SC220C装置)を用い、10℃/min. 、30〜
400℃、N2雰囲気下ガラス転移温度(Tg)を測定
した。 誘電率、誘電正接:横河ヒューレットパッカード社製
LCRメーター4275A装置を用い、金電極をサンプ
ル両面に蒸着し、1MHzにて測定した。
【0023】実施例1 窒素ガス導入管、温度計、撹拌装置を備えた100ml
4つ口フラスコに、1,1−ビス〔4−(4−アミノフ
ェノキシ)−3−t−ブチル−6−メチルフェニル〕ブ
タン2.82g(5mmol)、3,4’−ジアミノジ
フェニルエーテル1.00g(5mmol)およびNM
P41.9gを仕込み溶解させたところへ、3,3’,
4,4’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水
物3.58g(10mmol)を仕込み、窒素気流下室
温で一晩撹拌してコポリアミド酸溶液を得た。得られた
コポリアミド酸の固有粘度は1.14dl/gであっ
た。次にコポリアミド酸溶液を190℃まで昇温し、窒
素気流下5時間撹拌した(生成した水は窒素と共に系外
へ除かれる)。反応溶液を激しく撹拌しているメタノー
ル中に注ぎ入れ樹脂を析出させて濾取し、これを減圧下
150℃で一晩乾燥させて、コポリイミド粉末を得た。
得られたコポリイミドの固有粘度は0.70dl/gで
あった。
【0024】実施例2 窒素ガス導入管、温度計、撹拌装置を備えた100ml
4つ口フラスコに、1,1−ビス〔4−(4−アミノフ
ェノキシ)−3−t−ブチル−6−メチルフェニル〕ブ
タン2.82g(5mmol)、p−フェニレンジアミ
ン0.54g(5mmol)およびNMP39.3gを
仕込み溶解させたところへ、3,3’,4,4’−ジフ
ェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物3.58g
(10mmol)を仕込み、窒素気流下室温で一晩撹拌
してコポリアミド酸溶液を得た。得られたコポリアミド
酸の固有粘度は1.09dl/gであった。次にコポリ
アミド酸溶液を190℃まで昇温し、窒素気流下5時間
撹拌した(生成した水は窒素と共に系外へ除かれる)。
反応溶液を激しく撹拌しているメタノール中に注ぎ入れ
樹脂を析出させて濾取し、これを減圧下150℃で一晩
乾燥させて、コポリイミド粉末を得た。得られたコポリ
イミドの固有粘度は0.75dl/gであった。
【0025】比較例1 実施例1と同様にして、3、4’−ジアミノジフェニル
エーテル2.00g(10mmol)とNMP31.6
gを仕込み溶解させたところへ、3,3’,4,4’−
ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物3.58
g(10mol)を仕込み、窒素気流下室温で一晩撹拌
してポリアミド酸溶液を得た。得られたポリアミド酸の
固有粘度は1.05dl/gであった。次にポリアミド
酸溶液を窒素気流下190℃で5時間撹拌し、得られた
ポリイミド溶液を激しく撹拌しているメタノール中に注
ぎ入れ樹脂を析出させて濾取し、これを減圧下150℃
で一晩乾燥させて、ポリイミド粉末を得た。得られたポ
リイミドの固有粘度は0.70dl/gであった。
【0026】比較例2 実施例1と同様にして、p―フェニレンジアミン1.0
8g(10mmol)とNMP26.4gを仕込み溶解
させたところへ、3,3’,4,4’−ジフェニルスル
ホンテトラカルボン酸二無水物3.58g(10mo
l)を仕込み、窒素気流下室温で一晩撹拌してポリアミ
ド酸溶液を得た。得られたポリアミド酸の固有粘度は
1.21dl/gであった。次にポリアミド酸溶液を窒
素気流下190℃で5時間撹拌したところ樹脂が析出し
たのでこれを濾取し、減圧下150℃で一晩乾燥させ
て、ポリイミド粉末を得た。
【0027】上記の実施例1、2および比較例1、2に
て得られたポリイミド粉末およびフィルムの赤外吸収ス
ペクトルの測定結果を図1〜4に示す。それぞれ、5員
環イミド基の特性吸収帯である1720cm-1および1
780cm-1付近の吸収が認められた。表1に実施例
1、2および比較例1、2のポリイミドの各種溶媒に対
する溶解性の測定結果を示す。
【0028】
【表1】 ++:室温で溶解 +:加熱溶解(150℃) ±
一部溶解(150℃) ―:不溶(150℃)
【0029】実施例1、2および比較例1にて得られた
ポリイミド粉末について、300℃、50kg/cm2の条件
にて直径約1.8cm、厚さ約1mmのペレットを圧縮成形
した。一方、比較例2にて得られたポリイミド粉末は上
記条件では圧縮成形できず、温度を350℃としても成
形できなかった。実施例1、2および比較例1の成形さ
れたペレットを用いて熱的特性および電気的特性を測定
した結果を表2に示す。
【0030】
【表2】
【0031】
【発明の効果】本発明方法によって得られるコポリイミ
ドは各種溶媒に対する優れた溶解性と成形性および低誘
電性とを兼ね備えている。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例1のコポリイミドの赤外吸収ス
ペクトル図である。
【図2】本発明の実施例2のコポリイミドの赤外吸収ス
ペクトル図である。
【図3】本発明の比較例1のポリイミドの赤外吸収スペ
クトル図である。
【図4】本発明の比較例2のポリイミドの赤外吸収スペ
クトル図である。

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】一般式(1) 【化1】 (式中、Xは炭素数1〜20の炭化水素基または硫黄原
    子を表す。Rはハロゲン原子、炭素数1〜6の炭化水素
    基または炭素数1〜6の含ハロゲン炭化水素基を表し、
    aは0〜4の整数で置換基の数を表す。但し、複数のR
    およびaはそれぞれ独立に異なった置換基および値をと
    りうる。)で表されるジアミノ化合物と、一般式(2) 【化2】 (式中、Yはメチレン基、酸素原子、硫黄原子またはス
    ルホニル基を表す。Rはハロゲン原子、炭素数1〜6の
    炭化水素基または炭素数1〜6の含ハロゲン炭化水素基
    を表し、aは0〜4の整数で置換基の数を表す。但し、
    複数のRおよびaはそれぞれ独立に異なった置換基およ
    び値をとりうる。またnは0〜2の整数を表す。)で表
    されるジアミノ化合物とのモル比が99:1〜10:9
    0であるジアミノ化合物の混合物、および一般式(3) 【化3】 (式中、Zは炭素数2以上の4価の有機基を表す。)で
    表されるテトラカルボン酸二無水物を反応させることを
    特徴とするコポリイミドの製造法。
  2. 【請求項2】一般式(1)のジアミノ化合物が式(a) 【化4】 (式中、Xはブチリデン基または硫黄原子を表す。)で
    表されるものである請求項1記載のコポリイミドの製造
    法。
  3. 【請求項3】一般式(1)において、Xが式(b)、
    (c)または(d) 【化5】 で表されるものである請求項1記載のコポリイミドの製
    造法。
  4. 【請求項4】一般式(2)で表されるジアミノ化合物が
    式(e)、(f)、(g)または(h) 【化6】 (式中、Rおよびaは一般式(2)のものと同じ意味を
    もつ。)で表されるものである請求項1記載のコポリイ
    ミドの製造法。
  5. 【請求項5】一般式(1)中のエーテル酸素原子の置換
    位置に対するアミノ基のそれがパラ位である請求項4記
    載のコポリイミドの製造法。
  6. 【請求項6】ジアミノ化合物の混合物とテトラカルボン
    酸二無水物とを、有機溶媒中で反応させた後、得られる
    コポリアミド酸を熱的または化学的にイミド化すること
    を特徴とする請求項1、2、3、4または5記載のコポ
    リイミドの製造法。
JP25647094A 1994-10-21 1994-10-21 コポリイミドの製造法 Pending JPH08120075A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25647094A JPH08120075A (ja) 1994-10-21 1994-10-21 コポリイミドの製造法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25647094A JPH08120075A (ja) 1994-10-21 1994-10-21 コポリイミドの製造法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH08120075A true JPH08120075A (ja) 1996-05-14

Family

ID=17293089

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP25647094A Pending JPH08120075A (ja) 1994-10-21 1994-10-21 コポリイミドの製造法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH08120075A (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006035495A1 (ja) * 2004-09-28 2006-04-06 Hitachi Chemical Co., Ltd. 耐熱性樹脂ペースト及びその製造方法
JP4891411B2 (ja) * 2006-12-15 2012-03-07 コーロン インダストリーズ インク ポリイミド樹脂とこれを用いた液晶配向膜およびポリイミドフィルム
JP2013154637A (ja) * 2012-01-06 2013-08-15 Nippon Shokubai Co Ltd 樹脂製ナノ構造体の製造方法
CN103571501A (zh) * 2012-08-03 2014-02-12 Jsr株式会社 液晶配向剂、液晶配向膜、液晶显示元件以及液晶配向膜的制造方法
JP2016160436A (ja) * 2015-03-03 2016-09-05 株式会社リコー 固形フリーフォーム製造方法
US10675808B2 (en) 2015-03-03 2020-06-09 Ricoh Company, Ltd. Method for solid freeform fabrication
US10688770B2 (en) 2015-03-03 2020-06-23 Ricoh Co., Ltd. Methods for solid freeform fabrication

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006035495A1 (ja) * 2004-09-28 2006-04-06 Hitachi Chemical Co., Ltd. 耐熱性樹脂ペースト及びその製造方法
JPWO2006035495A1 (ja) * 2004-09-28 2008-05-15 日立化成工業株式会社 耐熱性樹脂ペースト及びその製造方法
JP4710831B2 (ja) * 2004-09-28 2011-06-29 日立化成工業株式会社 耐熱性樹脂ペースト及びその製造方法
US8765867B2 (en) 2004-09-28 2014-07-01 Hitachi Chemical Company, Ltd. Heat-resistant resin paste and method for producing same
JP4891411B2 (ja) * 2006-12-15 2012-03-07 コーロン インダストリーズ インク ポリイミド樹脂とこれを用いた液晶配向膜およびポリイミドフィルム
JP2013154637A (ja) * 2012-01-06 2013-08-15 Nippon Shokubai Co Ltd 樹脂製ナノ構造体の製造方法
CN103571501A (zh) * 2012-08-03 2014-02-12 Jsr株式会社 液晶配向剂、液晶配向膜、液晶显示元件以及液晶配向膜的制造方法
CN103571501B (zh) * 2012-08-03 2017-05-24 Jsr株式会社 液晶配向剂、液晶配向膜、液晶显示元件以及液晶配向膜的制造方法
JP2016160436A (ja) * 2015-03-03 2016-09-05 株式会社リコー 固形フリーフォーム製造方法
US10675808B2 (en) 2015-03-03 2020-06-09 Ricoh Company, Ltd. Method for solid freeform fabrication
US10683393B2 (en) 2015-03-03 2020-06-16 Ricoh Co., Ltd. Methods of solid freeform fabrication
US10688770B2 (en) 2015-03-03 2020-06-23 Ricoh Co., Ltd. Methods for solid freeform fabrication

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3934335B2 (ja) ポリイミドおよびその製造方法
Zhou et al. Soluble fluorinated polyimides derived from 1, 4‐(4′‐aminophenoxy)‐2‐(3′‐trifluoromethylphenyl) benzene and aromatic dianhydrides
WO2006104038A1 (ja) ポリアミック酸、ポリイミド及びその製造方法
WO2005066242A1 (ja) 芳香族ポリアミド酸及びポリイミド
JP2923007B2 (ja) 溶媒可溶性ポリイミド、その製造法及びカラーフィルター用材料
JPH08120075A (ja) コポリイミドの製造法
TWI602853B (zh) Polyadimide containing adamantane imine preparation
EP0092846B1 (en) Process for producing a polyimide solution
JPH0967438A (ja) 新規なポリイミド及びその製造方法
US5286840A (en) Thermally stable polyimide and preparation process of polyimide
JP3988007B2 (ja) 可溶性ポリイミドおよびその製造方法
JP3177286B2 (ja) ポリイミドおよびその製造方法
US5489669A (en) Polyimide and process for producing the same
JPH0562893B2 (ja)
JPH0413724A (ja) 可溶性ポリイミド、その製造法及び液晶配向膜用塗布液
JP2001181390A (ja) ポリアミック酸、ポリイミドおよび絶縁膜形成用材料
JPH09132710A (ja) ポリイミド樹脂組成物およびその用途
JP2724622B2 (ja) 熱可塑性芳香族ポリイミド組成物
JPS62185715A (ja) 無色ポリイミドフイルム
JPH07292104A (ja) シロキサン変性ポリイミドとその製造方法
JPH0726017A (ja) ポリイミドおよびその製法
JPS63243132A (ja) ポリイミド
JPH0726016A (ja) ポリイミドおよびその製造法
JP3646947B2 (ja) ポリイミド樹脂
JPH11228693A (ja) ポリイミド樹脂溶液とその製造方法