JPH08116129A - 多重量子井戸構造半導体レーザ - Google Patents
多重量子井戸構造半導体レーザInfo
- Publication number
- JPH08116129A JPH08116129A JP25177694A JP25177694A JPH08116129A JP H08116129 A JPH08116129 A JP H08116129A JP 25177694 A JP25177694 A JP 25177694A JP 25177694 A JP25177694 A JP 25177694A JP H08116129 A JPH08116129 A JP H08116129A
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- Japan
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- layers
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ゼロネット歪構造を採用した場合であっても良
好な結晶性を維持することができる新規な多重量子井戸
構造半導体レーザを提供すること。 【構成】障壁層を少なくとも３層に分割し、かつ、積層
方向において段階的に変化する量の歪を各分割層に付与
する。但し、障壁層両端の分割層（量子井戸層に接する
分割層）は、量子井戸層との歪量差を最小にする必要が
あり、かつ、障壁層中間の分割層のうちの少なくとも１
層（例えば障壁層の中央部に位置する分割層）は、量子
井戸層との歪量差を最大にする必要がある。なお、量子
井戸層との歪量差が最大である分割層は、量子井戸層と
逆方向の歪を有するものでなければならないが、その他
の分割層は、必ずしも量子井戸層と逆方向の歪を有する
ことを必要としない。
好な結晶性を維持することができる新規な多重量子井戸
構造半導体レーザを提供すること。 【構成】障壁層を少なくとも３層に分割し、かつ、積層
方向において段階的に変化する量の歪を各分割層に付与
する。但し、障壁層両端の分割層（量子井戸層に接する
分割層）は、量子井戸層との歪量差を最小にする必要が
あり、かつ、障壁層中間の分割層のうちの少なくとも１
層（例えば障壁層の中央部に位置する分割層）は、量子
井戸層との歪量差を最大にする必要がある。なお、量子
井戸層との歪量差が最大である分割層は、量子井戸層と
逆方向の歪を有するものでなければならないが、その他
の分割層は、必ずしも量子井戸層と逆方向の歪を有する
ことを必要としない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、多重量子井戸構造半導
体レーザ、特に特性改善のための歪を活性層（量子井戸
層）に付与した多重量子井戸構造半導体レ−ザに関する
ものである。
体レーザ、特に特性改善のための歪を活性層（量子井戸
層）に付与した多重量子井戸構造半導体レ−ザに関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】多重量子井戸構造半導体レ−ザの特性改
善には、基板とは格子定数（歪量）が異なる材料で量子
井戸層を形成して、そのバンド構造を変えるのが有効で
ある。この方法は、量子井戸層の結晶格子を積層方向に
歪ませることによって生ずる内部応力を利用するもので
あるが、格子不整合による結晶性の劣化（結晶欠陥又は
結晶転移）を伴う点で問題がある。
善には、基板とは格子定数（歪量）が異なる材料で量子
井戸層を形成して、そのバンド構造を変えるのが有効で
ある。この方法は、量子井戸層の結晶格子を積層方向に
歪ませることによって生ずる内部応力を利用するもので
あるが、格子不整合による結晶性の劣化（結晶欠陥又は
結晶転移）を伴う点で問題がある。
【０００３】この種の問題は、いわゆる「ゼロネット歪
構造」を採用することにより、或る程度の軽減を図るこ
とが可能である〔例えば「エレクトロニクス・レター
（Electronics Letter)」第２７巻第１４号（１９９１
年７月発行）第１２６８頁〜第１２７０頁参照〕。ゼロ
ネット歪構造は、量子井戸層と逆方向の歪を有する障壁
層を多重量子井戸層の相互間に配置することにより、活
性層全体としての平均歪量を少なくするものであるが、
量子井戸層と障壁層との間の歪量差が一定限度を超えて
大きい場合は、両者の界面に大きな内部応力が集中し、
結晶性の劣化がかえって進行する。
構造」を採用することにより、或る程度の軽減を図るこ
とが可能である〔例えば「エレクトロニクス・レター
（Electronics Letter)」第２７巻第１４号（１９９１
年７月発行）第１２６８頁〜第１２７０頁参照〕。ゼロ
ネット歪構造は、量子井戸層と逆方向の歪を有する障壁
層を多重量子井戸層の相互間に配置することにより、活
性層全体としての平均歪量を少なくするものであるが、
量子井戸層と障壁層との間の歪量差が一定限度を超えて
大きい場合は、両者の界面に大きな内部応力が集中し、
結晶性の劣化がかえって進行する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
技術の前記問題点を解消し、ゼロネット歪構造を採用し
た場合であっても良好な結晶性を維持することができる
新規な多重量子井戸構造半導体レーザを提供することに
ある。
技術の前記問題点を解消し、ゼロネット歪構造を採用し
た場合であっても良好な結晶性を維持することができる
新規な多重量子井戸構造半導体レーザを提供することに
ある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の前記課題は、障
壁層を少なくとも３層に分割し、かつ、積層方向におい
て段階的に変化する量の歪を各分割層に付与することに
よって解決することができる。但し、障壁層両端の分割
層（量子井戸層に接する分割層）は、量子井戸層との歪
量差を最小にする必要があり、かつ、障壁層中間の分割
層（量子井戸層に接しない分割層）のうちの少なくとも
１層（例えば障壁層の中央部に位置する分割層）は、量
子井戸層との歪量差を最大にする必要がある。
壁層を少なくとも３層に分割し、かつ、積層方向におい
て段階的に変化する量の歪を各分割層に付与することに
よって解決することができる。但し、障壁層両端の分割
層（量子井戸層に接する分割層）は、量子井戸層との歪
量差を最小にする必要があり、かつ、障壁層中間の分割
層（量子井戸層に接しない分割層）のうちの少なくとも
１層（例えば障壁層の中央部に位置する分割層）は、量
子井戸層との歪量差を最大にする必要がある。
【０００６】なお、量子井戸層との歪量差が最大である
分割層は、量子井戸層と逆方向の歪を有するものでなけ
ればならないが、その他の分割層（障壁層両端の分割層
を含む）は、必ずしも量子井戸層と逆方向の歪を有する
ことを必要としない。歪量差に基づく内部応力の集中を
避けて結晶性を改善するという本発明の目的を考慮すれ
ば、その他の分割層、特に障壁層両端の分割層は、量子
井戸層と同一方向の歪を有することの方が寧ろ望ましい
からである。
分割層は、量子井戸層と逆方向の歪を有するものでなけ
ればならないが、その他の分割層（障壁層両端の分割層
を含む）は、必ずしも量子井戸層と逆方向の歪を有する
ことを必要としない。歪量差に基づく内部応力の集中を
避けて結晶性を改善するという本発明の目的を考慮すれ
ば、その他の分割層、特に障壁層両端の分割層は、量子
井戸層と同一方向の歪を有することの方が寧ろ望ましい
からである。
【０００７】積層方向における各分割層の歪量又は膜厚
の分布は、必ずしも対称であることを必要としない。ま
た、障壁層の分割数は、３層以上であれば、特に限定さ
れない。従って、例えば障壁層を基板上に気相成長させ
る際、複数の原材料の供給割合を連続的に制御すること
により、歪の量が極めて細かく段階的に変化する障壁
層、換言すれば、無数の分割層からなる障壁層とするこ
とも可能である。本明細書（特許請求の範囲を含む）に
おける「分割」又は「分割層」の語は、この種の意味を
包含するものとする。
の分布は、必ずしも対称であることを必要としない。ま
た、障壁層の分割数は、３層以上であれば、特に限定さ
れない。従って、例えば障壁層を基板上に気相成長させ
る際、複数の原材料の供給割合を連続的に制御すること
により、歪の量が極めて細かく段階的に変化する障壁
層、換言すれば、無数の分割層からなる障壁層とするこ
とも可能である。本明細書（特許請求の範囲を含む）に
おける「分割」又は「分割層」の語は、この種の意味を
包含するものとする。
【０００８】
【作用】本発明者は、本発明による結晶性の改善効果を
確認するため、障壁層が単一層である従来素子と障壁層
を３分割した本発明素子について試料を製作し実験を行
なった。実験対象素子は、膜厚６ｎｍの ＩnＧaＡsＰ
（インジウム、ガリウム、砒素、燐）からなる２０個の
量子井戸層(基板に対する圧縮歪量：＋１．４％)の相互
間に膜厚１０ｎｍのＩnＧaＡsＰ からなる障壁層を介在
させることによって一組の活性層を構成した半導体レー
ザ（発光波長１．３μｍ帯）とした。但し、本発明素子
の障壁層は、膜厚２ｎｍの２個の分割層の間に膜厚６ｎ
ｍの１個の分割層を介在させたものを実験対象とした。
実験は、障壁層の歪量（本発明素子の場合は中間分割層
の歪量）を＋０．５％〜−１．０％の範囲（プラスは基
板に対する圧縮歪、マイナスは同じく引張歪）で変化さ
せることによって行なった。
確認するため、障壁層が単一層である従来素子と障壁層
を３分割した本発明素子について試料を製作し実験を行
なった。実験対象素子は、膜厚６ｎｍの ＩnＧaＡsＰ
（インジウム、ガリウム、砒素、燐）からなる２０個の
量子井戸層(基板に対する圧縮歪量：＋１．４％)の相互
間に膜厚１０ｎｍのＩnＧaＡsＰ からなる障壁層を介在
させることによって一組の活性層を構成した半導体レー
ザ（発光波長１．３μｍ帯）とした。但し、本発明素子
の障壁層は、膜厚２ｎｍの２個の分割層の間に膜厚６ｎ
ｍの１個の分割層を介在させたものを実験対象とした。
実験は、障壁層の歪量（本発明素子の場合は中間分割層
の歪量）を＋０．５％〜−１．０％の範囲（プラスは基
板に対する圧縮歪、マイナスは同じく引張歪）で変化さ
せることによって行なった。
【０００９】実験結果を図１に示す。縦軸は、結晶性を
表わすＸ線回折半値幅であって、その値が小さければ小
さいほど結晶性が良好であることを意味する。横軸は、
障壁層（本発明素子の場合は中間分割層）に加えた歪量
を表わす。実験の結果、従来素子及び本発明素子は、基
板に対する歪量が０％（量子井戸層に対する歪量は−
１．４％、このとき両素子とも平均歪量は、ほぼ０．７
％になる。）の場合、いずれも結晶性の劣化が最低とな
るが、それ以外の歪量の場合、特に引張歪量が大きい場
合は、本発明素子の結晶性の劣化が従来素子の結晶性の
劣化に比較して極めて少ないことが判明した。
表わすＸ線回折半値幅であって、その値が小さければ小
さいほど結晶性が良好であることを意味する。横軸は、
障壁層（本発明素子の場合は中間分割層）に加えた歪量
を表わす。実験の結果、従来素子及び本発明素子は、基
板に対する歪量が０％（量子井戸層に対する歪量は−
１．４％、このとき両素子とも平均歪量は、ほぼ０．７
％になる。）の場合、いずれも結晶性の劣化が最低とな
るが、それ以外の歪量の場合、特に引張歪量が大きい場
合は、本発明素子の結晶性の劣化が従来素子の結晶性の
劣化に比較して極めて少ないことが判明した。
【００１０】
〈実施例１〉図１は、本発明の第一の実施例である Ｉn
ＧaＡsＰ系多重量子井戸半導体レーザの摸式構造図であ
る。本実施例の半導体レーザは、公知の有機金属気相成
長法により、ｐ型ＩnＰからなる基板１上に、バッファ
層２（ｐ型ＩnＰ）、第１ガイド層３（ｐ型Ｉn0.86Ｇa
0.16Ａs0.54Ｐ0.65)、活性層４（詳細後記）、第２ガイ
ド層５（ｎ型Ｉn0.86Ｇa0.16Ａs0.54Ｐ0.65)、クラッド
層６（ｎ型ＩnＰ）を順次形成することによって作製し
た。活性層４は、右側の拡大図に示すように、量子井戸
層７の間に３分割の障壁層８〜１０を介在させることに
よって形成した。なお、図１には、複雑化を避けるた
め、量子井戸層７が２層のみであるとして図示されてい
るが、実際には２０層の多重量子井戸層を用いて１組の
活性層を形成した。各量子井戸層７は、膜厚を４ｎｍと
し、ＩnＰ基板に対する歪量が１．４％（圧縮歪）とな
るよう、アンドープＩn0.96Ｇa0.04Ａs0.54Ｐ0.46 をも
って形成した。３分割の障壁層８〜１０は、全体膜厚を
１０ｎｍとし、いずれもアンドープＩnＧaＡsＰ をもっ
て形成した。各分割層の組成、膜厚及び歪量は、次の通
りである。なお、歪量は、すべてＩnＰ基板に対する比
率である。
ＧaＡsＰ系多重量子井戸半導体レーザの摸式構造図であ
る。本実施例の半導体レーザは、公知の有機金属気相成
長法により、ｐ型ＩnＰからなる基板１上に、バッファ
層２（ｐ型ＩnＰ）、第１ガイド層３（ｐ型Ｉn0.86Ｇa
0.16Ａs0.54Ｐ0.65)、活性層４（詳細後記）、第２ガイ
ド層５（ｎ型Ｉn0.86Ｇa0.16Ａs0.54Ｐ0.65)、クラッド
層６（ｎ型ＩnＰ）を順次形成することによって作製し
た。活性層４は、右側の拡大図に示すように、量子井戸
層７の間に３分割の障壁層８〜１０を介在させることに
よって形成した。なお、図１には、複雑化を避けるた
め、量子井戸層７が２層のみであるとして図示されてい
るが、実際には２０層の多重量子井戸層を用いて１組の
活性層を形成した。各量子井戸層７は、膜厚を４ｎｍと
し、ＩnＰ基板に対する歪量が１．４％（圧縮歪）とな
るよう、アンドープＩn0.96Ｇa0.04Ａs0.54Ｐ0.46 をも
って形成した。３分割の障壁層８〜１０は、全体膜厚を
１０ｎｍとし、いずれもアンドープＩnＧaＡsＰ をもっ
て形成した。各分割層の組成、膜厚及び歪量は、次の通
りである。なお、歪量は、すべてＩnＰ基板に対する比
率である。
【００１１】 組 成 膜 厚 歪 量 第１分割層８ Ｉn0.84Ｇa0.16Ａs0.35Ｐ0.65 ２ｎｍ ±０．０％ 第２分割層９ Ｉn0.71Ｇa0.29Ａs0.46Ｐ0.54 ６ｎｍ −０．６％ 第３分割層10 Ｉn0.84Ｇa0.16Ａs0.35Ｐ0.65 ２ｎｍ ±０．０％ 本実施例の構造を採用するによって、平均歪量を０．１
４％に低減することができた。従来のゼロネット歪構造
でも、単一緩衝層に−０．３６％の歪を加えることによ
り、同一の平均歪量を得ることが可能であるが、図３か
ら明らかなように、歪量が＋１．４％である量子井戸層
の場合、単一緩衝層に−０．３６％の歪を加えると、結
晶性が著しく劣化することになる。これに対して、本実
施例の素子は、量子井戸層７と第２分割層９との間に歪
量０の第１分割層及び第２分割層８，１０を介在させて
いるため、良好な結晶性を維持しつつ平均歪量を低減す
ることができた。
４％に低減することができた。従来のゼロネット歪構造
でも、単一緩衝層に−０．３６％の歪を加えることによ
り、同一の平均歪量を得ることが可能であるが、図３か
ら明らかなように、歪量が＋１．４％である量子井戸層
の場合、単一緩衝層に−０．３６％の歪を加えると、結
晶性が著しく劣化することになる。これに対して、本実
施例の素子は、量子井戸層７と第２分割層９との間に歪
量０の第１分割層及び第２分割層８，１０を介在させて
いるため、良好な結晶性を維持しつつ平均歪量を低減す
ることができた。
【００１２】〈実施例２〉障壁層を更に多分割した第２
の実施例を図２に示す。本実施例の半導体レーザは、実
施例１の場合と同様、公知の有機金属気相成長法によ
り、ｐ型ＩnＰからなる基板１上に、バッファ層２（ｐ
型ＩnＰ ）、第１ガイド層３（ｐ型Ｉn0.84Ｇa0.16Ａs
0.54Ｐ0.65）、量子井戸活性層１１（詳細後記）、第２
ガイド層５（ｎ型Ｉn0.84Ｇa0.16Ａs0.54Ｐ0.65 ）、ク
ラッド層６（ｎ型ＩnＰ）を順次形成することによって
作製した。量子井戸活性層１１は、右側の拡大図に示す
ように、量子井戸層７の間に５分割障壁層１２〜１６を
介在させることによって形成した。量子井戸層７の膜厚
は４ｎｍとし、ＩnＰ基板に対する圧縮歪量が１．４％
となるよう、アンドープＩn0.96Ｇa0.04Ａs0.54Ｐ0.46
をもって形成した。５分割障壁層１２〜１６は、全体膜
厚を１０ｎｍとし、いずれもアンドープＩnＧaＡsＰ を
もって形成した。各分割層の組成、膜厚及び歪量は、次
の通りである。
の実施例を図２に示す。本実施例の半導体レーザは、実
施例１の場合と同様、公知の有機金属気相成長法によ
り、ｐ型ＩnＰからなる基板１上に、バッファ層２（ｐ
型ＩnＰ ）、第１ガイド層３（ｐ型Ｉn0.84Ｇa0.16Ａs
0.54Ｐ0.65）、量子井戸活性層１１（詳細後記）、第２
ガイド層５（ｎ型Ｉn0.84Ｇa0.16Ａs0.54Ｐ0.65 ）、ク
ラッド層６（ｎ型ＩnＰ）を順次形成することによって
作製した。量子井戸活性層１１は、右側の拡大図に示す
ように、量子井戸層７の間に５分割障壁層１２〜１６を
介在させることによって形成した。量子井戸層７の膜厚
は４ｎｍとし、ＩnＰ基板に対する圧縮歪量が１．４％
となるよう、アンドープＩn0.96Ｇa0.04Ａs0.54Ｐ0.46
をもって形成した。５分割障壁層１２〜１６は、全体膜
厚を１０ｎｍとし、いずれもアンドープＩnＧaＡsＰ を
もって形成した。各分割層の組成、膜厚及び歪量は、次
の通りである。
【００１３】 組 成 膜 厚 歪 量 第１分割層１２ Ｉn0.93Ｇa0.07Ａs0.29Ｐ0.71 １ｎｍ ＋０．４％ 第２分割層１３ Ｉn0.76Ｇa0.24Ａs0.42Ｐ0.58 ２ｎｍ −０．４％ 第３分割層１４ Ｉn0.56Ｇa0.44Ａs0.61Ｐ0.39 ４ｎｍ −１．２％ 第４分割層１５ Ｉn0.76Ｇa0.24Ａs0.42Ｐ0.58 ２ｎｍ −０．４％ 第５分割層１６ Ｉn0.93Ｇa0.07Ａs0.29Ｐ0.71 １ｎｍ ＋０．４％ 本実施例の場合は、障壁層を５分割し、最も外側の障壁
層（第１障壁層１２及び第５障壁層１６）に＋０．４％
の歪を加えたため、量子井戸層７と第１障壁層１２又は
第５障壁層１６との間の歪量差が実施例１の場合の１．
４％から１．０％に低減することが可能となり、平均歪
量を実質的に解消することができた。
層（第１障壁層１２及び第５障壁層１６）に＋０．４％
の歪を加えたため、量子井戸層７と第１障壁層１２又は
第５障壁層１６との間の歪量差が実施例１の場合の１．
４％から１．０％に低減することが可能となり、平均歪
量を実質的に解消することができた。
【００１４】
【発明の効果】本発明によれば、障壁層を多層に分割し
て各層に段階的に歪を付与する構造を採用することによ
って、良好な結晶性を維持しつつゼロネット歪構造の平
均歪量を低減することができる。また、障壁層を多層に
分割することにより、障壁層に関する設計の自由度を拡
大することができる。
て各層に段階的に歪を付与する構造を採用することによ
って、良好な結晶性を維持しつつゼロネット歪構造の平
均歪量を低減することができる。また、障壁層を多層に
分割することにより、障壁層に関する設計の自由度を拡
大することができる。
【００１５】なお、前記実施例では、ＩnＧaＡsＰ系材
料の半導体レーザへの適用について説明したが、その他
の材料系、例えばＩnＧaＡlＡs系（Ａl；アルミニウ
ム）、ＡlＧaＩnＰ系、ＩnＧaＰ系、ＧaＮＡs系（Ｎ；
窒素）、II−VI化合物系等の多重量子井戸構造半導体レ
ーザに対しても適用することが可能である。
料の半導体レーザへの適用について説明したが、その他
の材料系、例えばＩnＧaＡlＡs系（Ａl；アルミニウ
ム）、ＡlＧaＩnＰ系、ＩnＧaＰ系、ＧaＮＡs系（Ｎ；
窒素）、II−VI化合物系等の多重量子井戸構造半導体レ
ーザに対しても適用することが可能である。
【図１】従来の問題点及び本発明の効果に関する実験結
果を説明するための曲線図。
果を説明するための曲線図。
【図２】本発明に係わる多重量子井戸構造半導体レーザ
の第１の実施例を説明するための構造図。
の第１の実施例を説明するための構造図。
【図３】本発明の第２の実施例を説明するための構造
図。
図。
１・・・ｐ−ＩnＰ基板 ２・・・ｐ−ＩnＰバッファ層 ３，５・・・ｐ−ＩnＧaＡsＰガイド層 ４，１１・・・多重量子井戸活性層 ６・・・ｎ−ＩnＰクラッド層 ７・・・量子井戸層 ８〜１０，１２〜１６・・・分割した障壁層
Claims (4)
- 【請求項１】基板と異なる歪量を有する複数の量子井戸
層と、これらの量子井戸層の相互間にそれぞれ介在し、
量子井戸層と逆方向の歪を有する複数の障壁層からなる
多重量子井戸構造の活性層を備えた半導体レーザにおい
て、前記障壁層は、積層方向において段階的に変化する
量の歪をそれぞれ有する少なくとも３層の分割層からな
り、かつ、これらの分割層のうち、障壁層両端の分割層
は、量子井戸層との歪量差が最小となるように設定され
たものであり、更に、障壁層中間の分割層のうちの少な
くとも１層は、量子井戸層との歪量差が最大となるよう
に設定されたものであることを特徴とする半導体レー
ザ。 - 【請求項２】量子井戸層との歪量差が最大である前記分
割層は、障壁層の中央部に配置されていることを特徴と
する請求項１に記載の半導体レーザ。 - 【請求項３】前記分割層のうち、少なくとも量子井戸層
との歪量差が最大である前記分割層は、量子井戸層と逆
方向の歪を有するものであることを特徴とする請求項１
又は請求項２に記載の半導体レーザ。 - 【請求項４】前記分割層のうち、少なくとも障壁層両端
の分割層は、量子井戸層と同一方向の歪を有するもので
あることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか一
に記載の半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25177694A JPH08116129A (ja) | 1994-10-18 | 1994-10-18 | 多重量子井戸構造半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25177694A JPH08116129A (ja) | 1994-10-18 | 1994-10-18 | 多重量子井戸構造半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08116129A true JPH08116129A (ja) | 1996-05-07 |
Family
ID=17227758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25177694A Pending JPH08116129A (ja) | 1994-10-18 | 1994-10-18 | 多重量子井戸構造半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08116129A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112072467A (zh) * | 2019-06-11 | 2020-12-11 | 全新光电科技股份有限公司 | 半导体雷射二极管 |
-
1994
- 1994-10-18 JP JP25177694A patent/JPH08116129A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112072467A (zh) * | 2019-06-11 | 2020-12-11 | 全新光电科技股份有限公司 | 半导体雷射二极管 |
| CN112072467B (zh) * | 2019-06-11 | 2023-07-14 | 全新光电科技股份有限公司 | 半导体雷射二极管 |
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