JPH08114912A - ペリクル及びその製造方法 - Google Patents

ペリクル及びその製造方法

Info

Publication number
JPH08114912A
JPH08114912A JP10355395A JP10355395A JPH08114912A JP H08114912 A JPH08114912 A JP H08114912A JP 10355395 A JP10355395 A JP 10355395A JP 10355395 A JP10355395 A JP 10355395A JP H08114912 A JPH08114912 A JP H08114912A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pellicle
film
adhesive
heat
frequency heating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10355395A
Other languages
English (en)
Inventor
Yuichi Hamada
裕一 浜田
Shu Kashida
周 樫田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Chemical Co Ltd filed Critical Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority to JP10355395A priority Critical patent/JPH08114912A/ja
Publication of JPH08114912A publication Critical patent/JPH08114912A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【目的】 本発明はペリクル膜と金属製フレームとを接
着させた膜の歪みやシワなどのない、接着強度が強靭な
ペリクルの提供を目的とするものである。 【構成】 本発明のペリクルの製造方法は、加熱接着に
より膜が接着剤で金属製フレームに接着されているペリ
クルにおいて、ペリクル膜を高周波加熱により金属製フ
レームに加熱接着させることを特徴とするものである。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はLSI、超LSIなどの
半導体装置あるいは液晶表示板を製造する際のゴミよけ
として使用される、実質的に 500nm以下の光を用いる露
光方式における帯電防止されたペリクル及びその製造方
法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】LSI、超LSIなどの半導体装置ある
いは液晶表示板などの製造においては、半導体ウェハー
あるいは液晶用原版に光を照射してパターニングを作成
するのであるが、この場合に用いる露光原版にゴミが付
着していると、このゴミが光を吸収したり、光を曲げて
しまうため、転写したパターニングが変形したり、エッ
ジががさついたものとなるほか、白地が黒く汚れたりし
て、寸法、品質、外観などが損なわれ、半導体装置や液
晶表示板などの性能や製造歩留りの低下を来たすという
問題があった。このため、これらの作業は通常クリーン
ルームで行われているが、このクリーンルーム内でも露
光原版を常に清浄に保つことが難しいので、露光原版の
表面にゴミよけのための露光用の光をよく通過させるペ
リクルを貼着する方式が行なわれている。
【0003】この場合、ゴミは電光原版の表面上には直
接付着せず、ペリクル上に付着するため、リソグラフィ
ー時に焦点を露光原版のパターン上に合わせておけば、
ペリクル上のゴミは転写に無関係となるのであるが、こ
のペリクル膜は光を良く通過させるニトロセルロース、
酢酸セルロースなどからなる透明なペリクル膜をアルミ
ニウム、ステンレス、ポリエチレンなどからなるペリク
ル枠の上部にペリクル膜の良溶媒を塗布し、風乾して接
着する(特開昭 58-219023号公報参照)か、アクリル樹
脂やエポキシ樹脂などの接着剤で接着し(米国特許第 4
861402号、特公昭63-27707号公報参照)、さらにはペリ
クル枠の下部には露光原版が装着されるために、ポリブ
テン樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、アクリル樹脂などから
なる粘着層、および粘着層の保護を目的とした離型層
(セパレーター)で構成されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】このペリクル構成物の
中では、ペリクル膜およびペリクル枠に膜を固着させる
接着剤がリソグラフィー時に直接露光光源に曝されるた
めに、これらの耐久性が重要であり、この接着剤につい
ては数ミクロンの超薄膜を枠に常時張った状態で接着さ
せておくことが必要とされることから、ペリクルの性能
に大きな影響を与えるものである。しかし、従来使用さ
れているアクリル系接着剤やエポキシ系接着剤では接着
強度が不充分であり、経時で接着力が低下し、その結
果、ペリクルにシワが発生するなどの問題があるし、さ
らにこれらの接着剤は光の照射による劣化が激しく、あ
る程度使用していると接着剤が劣化、分解してこれがゴ
ミの発生源になるという不利もある。
【0005】また、このペリクルについてはペリクル膜
として非晶質のフッ素系ポリマーを使用することも公知
とされているが、この非晶質のフッ素系ポリマーを用い
ると、このフッ素系ポリマーが離型性の優れたものであ
るために、アクリル系接着剤やエポキシ系接着剤では実
用的な接着力を得ることができないので、本発明者らは
この接着剤としてフッ素系接着剤を用いてこれらの不備
を補う提案をしており(特開平 6-67409号公報参照)、
ペリクル膜と接着剤を同一または類似の構造を有するポ
リマーを用いて、そのガラス転移温度付近またはそれ以
上に加熱すると、ペリクル膜と接着剤が強固に接着する
ということ(以下これを加熱接着方式と呼ぶ)を見出し
たが、この方式で膜とフレームを接着するとき、十分な
接着強度を得るためにこれをそのポリマーのガラス転移
温度以上に加熱すると、膜自体にシワなどが発生しやす
く、一方これらの発生を防止するために加熱温度をその
ガラス転移温度以下とすると接着強度が不十分になる。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような不利
を解決したペリクル及びその製造方法に関するもので、
これは加熱接着により膜が金属製フレームに接着されて
いるペリクルまたはその製造方法において、ペリクル膜
を高周波加熱により金属製フレームに加熱接着させるこ
とを特徴とするものである。
【0007】すなわち、本発明者らはペリクル膜と金属
フレームとの強力な接着方法について種々検討した結
果、この加熱接着方式についてはこれを高周波加熱によ
るものとすると、金属製フレーム自体を発熱させること
ができるために接着部付近の局部加熱が可能となり、膜
と接着剤の界面付近のフレームの加熱が十分となるの
で、膜の歪みやシワなどのない接着強度の強靭なペリク
ルを作ることができることを見出すと共に、この加熱方
法では加熱エリアがフレーム部分のみと小さいので、ク
リーンルームに与える熱負荷が他の加熱方法に比べて小
さく、ルーム内の気流が熱によって乱されることが最小
限に押えられるということを確認して本発明を完成させ
た。以下にこれをさらに詳述する。
【0008】
【作用】本発明によるペリクルの製造方法は、ペリクル
膜を金属製フレームに加熱接着するに当り、この接着を
高周波加熱による加熱処理して膜をフレームに接着させ
るものであるが、この加熱処理を高周波加熱すると金属
製フレーム自体が発熱し、その接着部付近の局部加熱が
可能となり、この加熱範囲が狭く、昇温時間も短いの
で、膜に歪みやシワのない接着強度の強靭なペリクルを
得ることができるという有利性が与えられる。
【0009】本発明におけるペリクル膜の接着は高周波
加熱による加熱処理で行なわれ、この加熱処理はここに
使用される金属フレームの所定の場所に高周波加熱で渦
電流を流し、この部分を局所的に加熱して接着剤と膜を
加熱接着させるのであるが、この加熱処理温度は金属フ
レームの接着剤による接着部分が最高の温度、例えば10
5 〜 108℃のような温度となるように高周波加熱によっ
て行えばよい。
【0010】この場合における高周波加熱の出力周波数
はこれが5KHz 未満では可聴領域となり作業上好ましく
なく、200KHzより大きくすると装置設計上困難となるの
で5〜200KHzの範囲、好ましくは25〜100KHzの範囲とす
ればよいが、この高周波加熱はペリクル膜と金属製フレ
ームとを接着剤で加熱接着させるためのものであること
から、この高周波加熱は接着剤による接着を目的とする
金属製フレームの周辺部分とすればよい。
【0011】なお、この高周波加熱によるペリクル膜と
フレームとの接着はどのようなペリクル膜に対しても行
なうことができるけれども、本発明によるペリクル膜と
しては非晶質なフッ素系樹脂からなるもの、例えばテト
ラフルオロエチレンと環状パーフルオロエーテル基を含
む含フッ素モノマーとの共重合体として得られるテフロ
ンAF(米国デュポン社製商品名)、サイトップCTX
Sタイプ[旭硝子(株)製商品名]などを使用すること
がよく、この接着剤としてはこの非晶質なフッ素系樹脂
をその溶媒としての主成分がパーフルオロ(2−ブチル
テトラヒドロフラン)であるフッ素溶媒・フロリナート
FC−75(米国スリーエム社商品名)、フッ素系溶剤・
CT solv 180[旭硝子(株)製商品名]などに溶解した
ものとすればよいが、このときも高周波加熱によれば接
着強度が十分で歪みやシワのないペリクルを容易に得る
ことができる。
【0012】
【実施例】つぎに本発明の実施例、比較例をあげる。 実施例 パーフルオロ(ブテニルビニルエーテル)重合体、サイ
トップCTXSタイプ、ガラス転移温度 108℃[旭硝子
(株)製商品名]をその溶剤 CT solv 180[旭硝子
(株)製商品名]に溶解し、濃度5%(濃度は重量%を
表す、以下同じ)の溶液を調製した。ついで、この溶液
を直径 200mm、厚さ3mmの表面研磨した石英基板面に、
スピンコーターを用いて膜厚が0.82μmの透明膜を形成
させ、 180℃で15分間乾燥してペリクル膜を形成した。
【0013】他方、ペリクル枠としてのアルマイト処理
をした外径 120mm角、幅2mm、厚さ5.5mmのアルミニウ
ムフレームの上面に、上記した含フッ素モノマー重合
体、サイトップCTXAタイプ、ガラス転移温度 108℃
(前出)をその溶剤 CT solv 180(前出)に溶解した10
%濃度のフッ素ポリマー接着剤を塗布し、 150℃で1時
間乾燥して厚みが 0.2mmの接着剤層を形成させたのち、
これにペリクル膜を貼り合わせ、このアルミニウムフレ
ームを高周波加熱によって加熱した。このときの条件は
加熱を2ステップで行い、1ステップはフレームの誘導
電流 2.8〜 2.9A、誘導電圧79〜80V、処理時間15秒、
2ステップ目としてフレームの誘導電流 1.1〜 1.2A、
誘導電圧37〜38V、処理時間5分とした。この時のフレ
ーム温度は、1ステップの15秒で 108℃に達し、2ステ
ップの5分間は 108℃で一定であったが、この加熱方法
ではフレームのみを加熱できたため、ペリクル膜に歪み
やシワの発生が認められなかった。
【0014】つぎに、このように接着したペリクルから
余分な膜を取り除いたのち、このペリクル膜とアルミニ
ウムフレーム間の接着強度の目安として、膜の中央部を
指でゆっくり押したところ、膜が破壊するまで押しても
ペリクル膜とアルミニウムフレーム間で剥離が起こら
ず、強固に接着していることが確認され、またこのペリ
クル膜は経時変化で膜が剥離したり、シワが発生したり
することもなかった。
【0015】比較例 パーフルオロ(ブテニルビニルエーテル)重合体、サイ
トップCTXSタイプ、ガラス転移温度 108℃(前出)
をその溶媒 CT solv 180(前出)に溶解し、濃度5%の
溶液を調製し、ついで、この溶液を用いて直径 200mm、
厚さ3mmの表面研磨した石英基板面に、スピンコーター
を用いて膜厚が0.82μmの透明膜を形成させ、 180℃で
15分間乾燥してペリクル膜を形成した。
【0016】他方、ペリクル枠としてのアルマイト処理
をした外径 120mm角、幅2mm、厚さ5.5mmのアルミニウ
ムフレームの上面に、上記した含フッ素モノマー重合
体、サイトップCTXAタイプ、ガラス転移温度 108℃
(前出)をその溶剤 CT solv 180(前出)に溶解した10
%濃度のフッ素ポリマー接着剤を塗布し、 150℃で1時
間乾燥して厚みが 0.2mmの接着剤層を形成させたのち、
これにペリクル膜を貼り合わせ、このアルミニウムフレ
ームをホットプレートによって加熱した。しかし、ホッ
トプレートによる加熱ではフレームが 108℃になるまで
に3分かかってしまい、かつ加熱範囲を限定できなかっ
たため周辺部にも加熱範囲が広がってしまい、また、フ
レームを 108℃にするためにはホットプレートの温度は
120℃以上とする必要があったため、ペリクル膜が 108
℃以上の雰囲気下にさらされることとなった。
【0017】つぎに、このように接着したペリクルから
余分な膜を取り除いたのち、このペリクル膜とアルミニ
ウムフレーム間の接着強度の目安として、膜の中央部を
指でゆっくり押したところ、膜が破壊するまで押しても
ペリクル膜とアルミニウムフレーム間で剥離が起こらず
強固に接着していることが確認されたが、熱による影響
でこのペリクル膜にはシワや変色が発生していることが
判明した。
【0018】
【発明の効果】本発明はペリクル及びその製造方法に関
するものであり、これは前記したようにペリクル膜とペ
リクルフレームを加熱接着する際に、高周波加熱によっ
て接着することを特徴とするものであるが、この加熱方
法を用いると局部的に加熱できる為に、膜に熱による悪
影響を与えることなく接着に必要な熱を加えることがで
き、したがって、歪やシワのない外観の優れたかつ接着
強度の十分なペリクル膜を有するペリクルを得ることが
できる。

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 加熱接着により膜が接着剤で金属製フレ
    ームに接着されているペリクルにおいて、ペリクル膜を
    高周波加熱により金属製フレームに加熱接着させてなる
    ことを特徴とするペリクル。
  2. 【請求項2】 加熱処理が該フレームの周辺内で接着剤
    処理部分の温度が最高となるように高周波加熱により加
    熱処理される請求項1に記載したペリクル。
  3. 【請求項3】 高周波加熱の出力周波数が5KHz 〜200K
    Hzである請求項1に記載したペリクル。
  4. 【請求項4】 膜と接着剤が共に非晶質なフッ素樹脂か
    らなるものとされる請求項1に記載したペリクル。
  5. 【請求項5】 加熱接着により膜が接着剤で金属製フレ
    ームに接着させてなるペリクルの製造方法において、ペ
    リクル膜を高周波加熱により金属製フレームに加熱接着
    させることを特徴とするペリクルの製造方法。
  6. 【請求項6】 加熱処理が該フレームの周辺内で接着剤
    処理部分の温度が最高となるように高周波加熱により加
    熱処理される請求項5に記載したペリクルの製造方法。
  7. 【請求項7】 高周波加熱の出力周波数が5KHz 〜200K
    Hzである請求項6に記載したペリクルの製造方法。
  8. 【請求項8】 膜と接着剤が共に非晶質なフッ素樹脂か
    らなるものとされる請求項5に記載したペリクルの製造
    方法。
JP10355395A 1994-08-26 1995-04-27 ペリクル及びその製造方法 Pending JPH08114912A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10355395A JPH08114912A (ja) 1994-08-26 1995-04-27 ペリクル及びその製造方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20169994 1994-08-26
JP6-201699 1994-08-26
JP10355395A JPH08114912A (ja) 1994-08-26 1995-04-27 ペリクル及びその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH08114912A true JPH08114912A (ja) 1996-05-07

Family

ID=26444190

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10355395A Pending JPH08114912A (ja) 1994-08-26 1995-04-27 ペリクル及びその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH08114912A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980070713A (ko) * 1997-02-10 1998-10-26 옌융-차이 광학 펠리클 장착 시스템
JP2005165141A (ja) * 2003-12-04 2005-06-23 Semiconductor Leading Edge Technologies Inc ペリクルの製造方法
KR100529696B1 (ko) * 1997-02-10 2006-03-16 마이크로 리쏘그래피 인코포레이티드 광학펠리클접착시스템

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980070713A (ko) * 1997-02-10 1998-10-26 옌융-차이 광학 펠리클 장착 시스템
KR100529696B1 (ko) * 1997-02-10 2006-03-16 마이크로 리쏘그래피 인코포레이티드 광학펠리클접착시스템
JP2005165141A (ja) * 2003-12-04 2005-06-23 Semiconductor Leading Edge Technologies Inc ペリクルの製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3089153B2 (ja) リソグラフィー用ペリクル
JP5189614B2 (ja) ペリクル及びその取り付け方法、並びにペリクル付マスク及びマスク
TWI554409B (zh) 防塵薄膜組件的貼附方法以及使用於該方法的貼附裝置
TWI739691B (zh) 防塵薄膜組件、附有防塵薄膜組件的曝光原版、半導體裝置的製造方法、液晶顯示板的製造方法、曝光原版的再生方法及剝離殘渣降低方法
TWI409581B (zh) 防塵薄膜組件之製造方法、微影用防塵薄膜組件框架及微影用防塵薄膜組件
JP2023160866A (ja) ペリクルフレーム、ペリクル、ペリクル付フォトマスク、露光方法、半導体の製造方法及び液晶ディスプレイの製造方法
JPH0667409A (ja) リソグラフィー用ペリクル
JP2011095556A (ja) リソグラフィ用ペリクルフレーム及びリソグラフィ用ペリクル
JP2009151335A (ja) リソグラフィ用ペリクル
JP2005070120A (ja) リソグラフィ用ペリクル
JP2009301022A (ja) ペリクルの剥離方法及びこの方法に用いる剥離装置
JPH08114912A (ja) ペリクル及びその製造方法
JP2001092113A (ja) 半導体リソグラフィ用ペリクル
JP3265137B2 (ja) ペリクルおよびその接着方法
JPH1165092A (ja) ペリクルおよびペリクルの製造方法
JP4185232B2 (ja) リソグラフィー用ペリクル
WO1998035270A1 (fr) Procede permettant de coller une pellicule de protection sur un article, articles ainsi obtenus, pellicule destinee a des rayons ultraviolets et emballage destine a ces pellicules
JP3429897B2 (ja) ペリクルの製造方法
JP3429898B2 (ja) ペリクルの製造方法
JP4100813B2 (ja) ペリクルフレームおよびこれを用いたリソグラフィー用ペリクル
JP2000305252A (ja) ペリクルの剥離方法
JP3206417B2 (ja) ペリクル
JP2001249442A (ja) 半導体リソグラフィ用ペリクル
JP4319757B2 (ja) ペリクルの製造方法
CN215416267U (zh) 防护薄膜框架及其组件、曝光原版、曝光系统及制造系统