JPH08110516A - ガラス基板の欠陥検査装置 - Google Patents
ガラス基板の欠陥検査装置Info
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- JPH08110516A JPH08110516A JP24761894A JP24761894A JPH08110516A JP H08110516 A JPH08110516 A JP H08110516A JP 24761894 A JP24761894 A JP 24761894A JP 24761894 A JP24761894 A JP 24761894A JP H08110516 A JPH08110516 A JP H08110516A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 熟練検査員に依存することなく、あらゆるガ
ラス基板面の欠陥が検出できる装置を実現する。 【構成】 光源１、１４ａ、１４ｂ、１６からの半割円
筒状レーザー光１８を一方の半割集光レンズ１９が半割
円錐面状レーザー光２０としてガラス基板４面に集光
し、マスク２３がその正反射光２１を遮断し散乱光２２
ａ、２２ｂを通過させ、その散乱光２２ａ、２２ｂを他
方の半割集光レンズ２４ａ、２４ｂが集光してフォトセ
ンサー２５に受光させる検査ヘッド２９、および、該検
査ヘッド２９を回転させ、ガラス基板を一定方向に移動
させる回転移動手段を備えたことによって、ガラス基板
４面の全ての点は３６０°の方向から半割円錐面状レー
ザー光２０が照射されるため、ガラス基板４面の全ての
欠陥の検出が可能となり、液晶表示用ガラス基板の検査
の省力化、品質向上が可能となって、液晶表示器の生産
量の増大及びガラス基板の大型化に対応可能となる。
ラス基板面の欠陥が検出できる装置を実現する。 【構成】 光源１、１４ａ、１４ｂ、１６からの半割円
筒状レーザー光１８を一方の半割集光レンズ１９が半割
円錐面状レーザー光２０としてガラス基板４面に集光
し、マスク２３がその正反射光２１を遮断し散乱光２２
ａ、２２ｂを通過させ、その散乱光２２ａ、２２ｂを他
方の半割集光レンズ２４ａ、２４ｂが集光してフォトセ
ンサー２５に受光させる検査ヘッド２９、および、該検
査ヘッド２９を回転させ、ガラス基板を一定方向に移動
させる回転移動手段を備えたことによって、ガラス基板
４面の全ての点は３６０°の方向から半割円錐面状レー
ザー光２０が照射されるため、ガラス基板４面の全ての
欠陥の検出が可能となり、液晶表示用ガラス基板の検査
の省力化、品質向上が可能となって、液晶表示器の生産
量の増大及びガラス基板の大型化に対応可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示用のガラス基
板の欠陥検査装置に関する。
板の欠陥検査装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ガラス基板の欠陥検査は、従来から反射
法と透過法を用いて行われており、スクラッチ傷、ピン
ホール、クラック、汚れ、異物等の欠陥についてのその
有無、存在箇所、及び個数等を検査している。
法と透過法を用いて行われており、スクラッチ傷、ピン
ホール、クラック、汚れ、異物等の欠陥についてのその
有無、存在箇所、及び個数等を検査している。
【０００３】従来の上記欠陥検査に用いる欠陥検査装置
は、図４に示すようにレーザー光源１、光走査素子３、
散乱光センサー５、及び透過光センサー６により構成さ
れていた。
は、図４に示すようにレーザー光源１、光走査素子３、
散乱光センサー５、及び透過光センサー６により構成さ
れていた。
【０００４】上記において、レーザー光源１から出射さ
れたレーザー光２は、光走査素子３により走査されなが
らガラス基板４面に投射される。上記ガラス基板４にス
クラッチ傷、汚れ、異物等の欠陥があると、レーザー光
２の散乱光が散乱光センサー５により受光される。
れたレーザー光２は、光走査素子３により走査されなが
らガラス基板４面に投射される。上記ガラス基板４にス
クラッチ傷、汚れ、異物等の欠陥があると、レーザー光
２の散乱光が散乱光センサー５により受光される。
【０００５】しかし、上記ガラス基板４に欠陥がない場
合には、正反射光は散乱光センサー５では受光されない
か、受光されても受光パワーレベルが低くなる。これ
は、上記散乱光センサー５の設置角度が所定の角度に設
定されているためである。
合には、正反射光は散乱光センサー５では受光されない
か、受光されても受光パワーレベルが低くなる。これ
は、上記散乱光センサー５の設置角度が所定の角度に設
定されているためである。
【０００６】また、上記ガラス基板４にピンホール、ク
ラック等の欠陥がある場合、ピンホール、クラック等の
欠陥部分を通りガラス基板４を透過するレーザー光２の
パワーレベルが高くなり、透過光センサー６で受光され
るため、上記ピンホール等の欠陥が検出される。
ラック等の欠陥がある場合、ピンホール、クラック等の
欠陥部分を通りガラス基板４を透過するレーザー光２の
パワーレベルが高くなり、透過光センサー６で受光され
るため、上記ピンホール等の欠陥が検出される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来のガラス基板の欠
陥検査装置は、ガラス基板にスクラッチ傷のない場合
は、この面に照射されたレーザー光は正反射光となり、
散乱光センサーには入射しないが、図５に示すようにス
クラッチ傷７があると、レーザー光８の反射方向が変化
し、散乱光１０となって散乱光センサー５で受光される
ため、散乱光センサー５の受光量の変化より欠陥が検出
されていた。即ち、スクラッチ傷の検査原理は、反射方
向の変化を利用したものであった。
陥検査装置は、ガラス基板にスクラッチ傷のない場合
は、この面に照射されたレーザー光は正反射光となり、
散乱光センサーには入射しないが、図５に示すようにス
クラッチ傷７があると、レーザー光８の反射方向が変化
し、散乱光１０となって散乱光センサー５で受光される
ため、散乱光センサー５の受光量の変化より欠陥が検出
されていた。即ち、スクラッチ傷の検査原理は、反射方
向の変化を利用したものであった。
【０００８】しかしながら、従来の装置においては、レ
ーザー光の方向とスクラッチ傷の方向が直交する場合は
感度よく検出されるが、スクラッチ傷の方向が変わる
と、検出感度が低下してしまうという課題があった。
ーザー光の方向とスクラッチ傷の方向が直交する場合は
感度よく検出されるが、スクラッチ傷の方向が変わる
と、検出感度が低下してしまうという課題があった。
【０００９】その詳細を図６（ａ）、（ｂ）により以下
に説明する。図６（ａ）に示すように、スクラッチ傷７
とレーザー光８とが直交する場合、散乱光１０はレーザ
ー光８と正反射光９とで構成される面１１内にあり、散
乱光センサー５の受光パワーが大きくなる。
に説明する。図６（ａ）に示すように、スクラッチ傷７
とレーザー光８とが直交する場合、散乱光１０はレーザ
ー光８と正反射光９とで構成される面１１内にあり、散
乱光センサー５の受光パワーが大きくなる。
【００１０】しかるに、図６（ｂ）に示すようにスクラ
ッチ傷７が上記面１１に平行な場合、散乱光の方向は面
１１から外れ、正反射光９と角度αを有する散乱光１２
となり、センサー５で受光されにくくなる。
ッチ傷７が上記面１１に平行な場合、散乱光の方向は面
１１から外れ、正反射光９と角度αを有する散乱光１２
となり、センサー５で受光されにくくなる。
【００１１】即ち、従来の検査装置は、スクラッチ傷の
検出感度がスクラッチ傷の方向性に大きく依存するもの
であった。その結果、スクラッチ傷を見逃してしまうと
いう課題があった。なお、上記欠陥検査を熟練検査員が
検査する場合には、ガラス基板を手で回しながらスクラ
ッチ傷を多方向からチェックしているため、スクラッチ
傷は確実に検出されていた。
検出感度がスクラッチ傷の方向性に大きく依存するもの
であった。その結果、スクラッチ傷を見逃してしまうと
いう課題があった。なお、上記欠陥検査を熟練検査員が
検査する場合には、ガラス基板を手で回しながらスクラ
ッチ傷を多方向からチェックしているため、スクラッチ
傷は確実に検出されていた。
【００１２】しかしながら、近年、液晶表示器の生産量
は急増し、しかも、ガラス基板が大型化しており、これ
に伴って、ガラス基板の欠陥検査は目視検査では対応で
きなくなってきているため、ピンホール、異物、汚れ、
クラック、スクラッチ傷等を目視によらずに検出するこ
とができる検査装置が望まれるようになっている。本発
明は上記の課題を解決しようとするものである。
は急増し、しかも、ガラス基板が大型化しており、これ
に伴って、ガラス基板の欠陥検査は目視検査では対応で
きなくなってきているため、ピンホール、異物、汚れ、
クラック、スクラッチ傷等を目視によらずに検出するこ
とができる検査装置が望まれるようになっている。本発
明は上記の課題を解決しようとするものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明のガラス基板の欠
陥検査装置は、光源が放射する半割円筒状レーザー光を
半割円錐面状レーザー光としてガラス基板面上に集光す
る一方の半割集光レンズと、該半割円錐面状レーザー光
のガラス基板面による正反射光は遮断し散乱光は通過さ
せるマスクと、該マスクを通過した散乱光を入射して集
光する他方の半割集光レンズと、該レンズが集光した散
乱光を受光するフォトセンサーとにより形成された検査
ヘッド、および、該検査ヘッドが搭載され、該検査ヘッ
ドにより照射される半割円錐面状レーザー光が上記ガラ
ス基板面で円を描くように該検査ヘッドを回転させなが
ら、上記ガラス基板を一定方向に移動させる回転移動手
段を備えたことを特徴としている。
陥検査装置は、光源が放射する半割円筒状レーザー光を
半割円錐面状レーザー光としてガラス基板面上に集光す
る一方の半割集光レンズと、該半割円錐面状レーザー光
のガラス基板面による正反射光は遮断し散乱光は通過さ
せるマスクと、該マスクを通過した散乱光を入射して集
光する他方の半割集光レンズと、該レンズが集光した散
乱光を受光するフォトセンサーとにより形成された検査
ヘッド、および、該検査ヘッドが搭載され、該検査ヘッ
ドにより照射される半割円錐面状レーザー光が上記ガラ
ス基板面で円を描くように該検査ヘッドを回転させなが
ら、上記ガラス基板を一定方向に移動させる回転移動手
段を備えたことを特徴としている。
【００１４】
【作用】上記において、光源が放射した半割円筒状レー
ザー光は、一方の半割集光レンズにより半割円錐面状レ
ーザー光となり、ガラス基板面に集光される。該ガラス
基板面に集光された半割円錐面状レーザー光は、該ガラ
ス基板面で反射されるが、この反射光は、該ガラス基板
面に欠陥がない場合は一定の角度で反射する正反射光で
あり、欠陥がある場合には散乱光である。
ザー光は、一方の半割集光レンズにより半割円錐面状レ
ーザー光となり、ガラス基板面に集光される。該ガラス
基板面に集光された半割円錐面状レーザー光は、該ガラ
ス基板面で反射されるが、この反射光は、該ガラス基板
面に欠陥がない場合は一定の角度で反射する正反射光で
あり、欠陥がある場合には散乱光である。
【００１５】上記ガラス基板により反射された正反射光
と散乱光はマスクに入射され、該マスクは反射光を遮断
し、散乱光のみを通過させ、該マスクを通過した散乱光
は他方の半割集光レンズにより集光されてフォトセンサ
ーに受光される。そのため、上記半割円錐面状レーザー
光が集光されたガラス基板面に散乱光を生じる欠陥があ
ると、上記フォトセンサーにより検出される。
と散乱光はマスクに入射され、該マスクは反射光を遮断
し、散乱光のみを通過させ、該マスクを通過した散乱光
は他方の半割集光レンズにより集光されてフォトセンサ
ーに受光される。そのため、上記半割円錐面状レーザー
光が集光されたガラス基板面に散乱光を生じる欠陥があ
ると、上記フォトセンサーにより検出される。
【００１６】上記欠陥については、レーザー光が照射さ
れる方向によって散乱光を生じない場合があるが、本発
明においては、上記フォトセンサー等が設けられた検査
ヘッドが回転移動手段に搭載され、回転しながら上記ガ
ラス基板面に半割円錐面状レーザー光を照射し、また、
該ガラス基板が回転移動手段により一定方向に移動する
ため、該ガラス基板面の全ての点は３６０°の方向から
半割円錐面状レーザー光が照射され全ての欠陥が検出さ
れる。
れる方向によって散乱光を生じない場合があるが、本発
明においては、上記フォトセンサー等が設けられた検査
ヘッドが回転移動手段に搭載され、回転しながら上記ガ
ラス基板面に半割円錐面状レーザー光を照射し、また、
該ガラス基板が回転移動手段により一定方向に移動する
ため、該ガラス基板面の全ての点は３６０°の方向から
半割円錐面状レーザー光が照射され全ての欠陥が検出さ
れる。
【００１７】
【実施例】本発明の一実施例を図１乃至図３により説明
する。図１乃至図３に示す装置は、図３に示すように、
複数の上部検査ヘッド２９が設けられた上部回転ヘッド
３１と、複数の下部検査ヘッド３０がもうけられた下部
回転ヘッド３２と、これらを回転させる図示しない回転
駆動装置と、ガラス基板４を一定方向に移動する図示し
ない駆動装置が設けられ、ガラス基板４と検査ヘッド２
９，３０を相対的に移動させる回転移動手段が形成され
たものである。
する。図１乃至図３に示す装置は、図３に示すように、
複数の上部検査ヘッド２９が設けられた上部回転ヘッド
３１と、複数の下部検査ヘッド３０がもうけられた下部
回転ヘッド３２と、これらを回転させる図示しない回転
駆動装置と、ガラス基板４を一定方向に移動する図示し
ない駆動装置が設けられ、ガラス基板４と検査ヘッド２
９，３０を相対的に移動させる回転移動手段が形成され
たものである。
【００１８】上記上部検査ヘッド２９は、図１に示すよ
うにレーザー光１３を放射する半導体レーザー光源１、
同光源１からのレーザー光１３を入射してコリメート光
１５を出射するコリメータレンズ１４ａ，１４ｂ、同レ
ンズ１４ａ，１４ｂからのコリメート光１５を入射して
半割円筒状レーザー光１８を出射するマスク１６、同マ
スク１６からの半割円筒状レーザー光１８を入射して半
割円錐面状レーザー光２０を出射する半割集光レンズ１
９、同レンズ１９からの半割円錐面状レーザー光２０を
ガラス基板４が反射させることにより生じた正反射光２
１を遮断し散乱光２２ａ，２２ｂを通過させるマスク２
３、同マスク２３を通過した散乱光２２ａ，２２ｂを入
射して集光する半割集光レンズ２４ａ，２４ｂ、およ
び、同レンズ２４ａ，２４ｂが集光した散乱光２２ａ，
２２ｂを入射するフォトセンサー２５により形成されて
いる。
うにレーザー光１３を放射する半導体レーザー光源１、
同光源１からのレーザー光１３を入射してコリメート光
１５を出射するコリメータレンズ１４ａ，１４ｂ、同レ
ンズ１４ａ，１４ｂからのコリメート光１５を入射して
半割円筒状レーザー光１８を出射するマスク１６、同マ
スク１６からの半割円筒状レーザー光１８を入射して半
割円錐面状レーザー光２０を出射する半割集光レンズ１
９、同レンズ１９からの半割円錐面状レーザー光２０を
ガラス基板４が反射させることにより生じた正反射光２
１を遮断し散乱光２２ａ，２２ｂを通過させるマスク２
３、同マスク２３を通過した散乱光２２ａ，２２ｂを入
射して集光する半割集光レンズ２４ａ，２４ｂ、およ
び、同レンズ２４ａ，２４ｂが集光した散乱光２２ａ，
２２ｂを入射するフォトセンサー２５により形成されて
いる。
【００１９】また、上記下部検査ヘッド３０は、上記半
割集光レンズ１９が出射した半割円錐面状レーザー光２
０のうちのガラス基板４を透過した透過光２６を入射す
るレンズ２７、および、同レンズ２７から出射された透
過光２６を受光するフォトセンサー２８により形成され
ている。
割集光レンズ１９が出射した半割円錐面状レーザー光２
０のうちのガラス基板４を透過した透過光２６を入射す
るレンズ２７、および、同レンズ２７から出射された透
過光２６を受光するフォトセンサー２８により形成され
ている。
【００２０】次に、図１に示す上記検査ヘッド２９と下
部検査ヘッド３０の作用について説明する。図１におい
て、半導体レーザー光源１から出射されたレーザー光１
３は、コリメータレンズ１４ａ，１４ｂによりコリメー
ト光１５となる。このコリメート光１５は、マスク１６
の開口部１７を通過して、半割円筒状レーザー光１８と
なり、更に、半割集光レンズ１９により半割円錐面状レ
ーザー光２０となってガラス基板４の面上の点Ｐに集光
される。
部検査ヘッド３０の作用について説明する。図１におい
て、半導体レーザー光源１から出射されたレーザー光１
３は、コリメータレンズ１４ａ，１４ｂによりコリメー
ト光１５となる。このコリメート光１５は、マスク１６
の開口部１７を通過して、半割円筒状レーザー光１８と
なり、更に、半割集光レンズ１９により半割円錐面状レ
ーザー光２０となってガラス基板４の面上の点Ｐに集光
される。
【００２１】この点Ｐにおいて、ガラス基板４に欠陥の
ない場合には、レーザー光２０はガラス基板４面で反射
し、円錐面状の正反射光２１となる。しかし、点Ｐにお
いて、スクラッチ傷、異物、汚れ等の欠陥があると、レ
ーザー光２０はこの欠陥により乱反射し、円錐面を形成
する散乱光２２ａまたは２２ｂとなり、マスク２３に至
る。
ない場合には、レーザー光２０はガラス基板４面で反射
し、円錐面状の正反射光２１となる。しかし、点Ｐにお
いて、スクラッチ傷、異物、汚れ等の欠陥があると、レ
ーザー光２０はこの欠陥により乱反射し、円錐面を形成
する散乱光２２ａまたは２２ｂとなり、マスク２３に至
る。
【００２２】このマスク２３には、図２（ｂ）に示すよ
うに半円状の開口部２３ａ，２３ｂが設けられているた
め、正反射光２１は遮断するが、散乱光２２ａ，２２ｂ
は通過させる。上記マスク２３を通過した散乱光２２
ａ，２２ｂは、半割集光レンズ２４ａ，２４ｂによりフ
ォトセンサー２５の受光面に集光され、検出される。
うに半円状の開口部２３ａ，２３ｂが設けられているた
め、正反射光２１は遮断するが、散乱光２２ａ，２２ｂ
は通過させる。上記マスク２３を通過した散乱光２２
ａ，２２ｂは、半割集光レンズ２４ａ，２４ｂによりフ
ォトセンサー２５の受光面に集光され、検出される。
【００２３】上記点Ｐにおいてピンホールやクラック等
の欠陥がある場合には、上記のように散乱光２２ａ，２
２ｂが生じるが、これとともにガラス基板４を透過する
透過光２６のパワーレベルが上がるため、この透過光２
６がレンズ２７により集光されてフォトセンサー２８で
検出される。
の欠陥がある場合には、上記のように散乱光２２ａ，２
２ｂが生じるが、これとともにガラス基板４を透過する
透過光２６のパワーレベルが上がるため、この透過光２
６がレンズ２７により集光されてフォトセンサー２８で
検出される。
【００２４】上記のように、ガラス基板面４に欠陥があ
る場合には散乱光２２ａ，２２ｂをフォトセンサー２５
が検出し、透過光２６をフォトセンサー２８が検出する
ため、これらのフォトセンサー２５，２８の出力信号を
解析することにより、欠陥の有無を検出することができ
る。
る場合には散乱光２２ａ，２２ｂをフォトセンサー２５
が検出し、透過光２６をフォトセンサー２８が検出する
ため、これらのフォトセンサー２５，２８の出力信号を
解析することにより、欠陥の有無を検出することができ
る。
【００２５】上記上部検査ヘッド２９と下部検査ヘッド
３０は、前記のように、それぞれ回転移動手段に配設さ
れるものであり、以下その詳細を図３により説明する。
図３（ａ）において、上部回転ヘッド３１には、複数の
上部検査ヘッド２９が円周方向に等間隔に配設されてお
り、また、下部回転ヘッド３２には、複数の下部検査ヘ
ッド３０が上部検査ヘッド２９と同数・同位相で配設さ
れている。
３０は、前記のように、それぞれ回転移動手段に配設さ
れるものであり、以下その詳細を図３により説明する。
図３（ａ）において、上部回転ヘッド３１には、複数の
上部検査ヘッド２９が円周方向に等間隔に配設されてお
り、また、下部回転ヘッド３２には、複数の下部検査ヘ
ッド３０が上部検査ヘッド２９と同数・同位相で配設さ
れている。
【００２６】それぞれの回転ヘッド３１，３２は、図示
しない回転駆動装置により駆動されるものであり、それ
ぞれ図３（ａ）中に示す矢印ｆ，ｇの方向に回動する。
また、フォトセンサー２５，２８が出力する信号の取出
しや半導体レーザー光源１への電力の供給は、それぞれ
図示しない水銀式スリップリングを介して行われる。
しない回転駆動装置により駆動されるものであり、それ
ぞれ図３（ａ）中に示す矢印ｆ，ｇの方向に回動する。
また、フォトセンサー２５，２８が出力する信号の取出
しや半導体レーザー光源１への電力の供給は、それぞれ
図示しない水銀式スリップリングを介して行われる。
【００２７】更に、ガラス基板４は、図示しない駆動装
置により、矢印ｈ方向に移動する。その結果、図３
（ｂ）に示すように、ガラス基板４面の集光点Ｐは、ガ
ラス基板４面をスキャニング線３３に沿って移動する。
置により、矢印ｈ方向に移動する。その結果、図３
（ｂ）に示すように、ガラス基板４面の集光点Ｐは、ガ
ラス基板４面をスキャニング線３３に沿って移動する。
【００２８】すなわち、それぞれの回転ヘッド３１，３
２を高速回転させ、ガラス基板４を矢印ｈの方向に移動
させることによってスキャニングピッチの細かい、例え
ば１０μｍピッチのスキャニング線３３がガラス基板４
面に複数形成され、ガラス基板４の欠陥検査を高能率で
行なうことができる。
２を高速回転させ、ガラス基板４を矢印ｈの方向に移動
させることによってスキャニングピッチの細かい、例え
ば１０μｍピッチのスキャニング線３３がガラス基板４
面に複数形成され、ガラス基板４の欠陥検査を高能率で
行なうことができる。
【００２９】なお、本実施例においては、レーザー光１
３を半割円錐面状レーザー光２０としてガラス基板４面
に照射しているが、複数本のレーザビームを円錐面に沿
って形成して照射することも可能である。
３を半割円錐面状レーザー光２０としてガラス基板４面
に照射しているが、複数本のレーザビームを円錐面に沿
って形成して照射することも可能である。
【００３０】
【発明の効果】本発明のガラス基板の欠陥検査装置は、
光源からの半割円筒状レーザー光を一方の半割集光レン
ズが半割円錐面状レーザー光としてガラス基板面に集光
し、マスクがその正反射光を遮断し散乱光を通過させ、
その散乱光を他方の半割集光レンズが集光してフォトセ
ンサーに受光させる検査ヘッド、および、該検査ヘッド
を回転させ、ガラス基板を一定方向に移動させる回転移
動手段を備えたことによって、ガラス基板面の全ての点
は３６０°の方向から半割円錐面状レーザー光が照射さ
れるため、ガラス基板面の全ての欠陥の検出が可能とな
り、液晶表示用ガラス基板の検査の省力化、品質向上が
可能となって、液晶表示器の生産量の増大、及びガラス
基板の大型化に対応可能となる。
光源からの半割円筒状レーザー光を一方の半割集光レン
ズが半割円錐面状レーザー光としてガラス基板面に集光
し、マスクがその正反射光を遮断し散乱光を通過させ、
その散乱光を他方の半割集光レンズが集光してフォトセ
ンサーに受光させる検査ヘッド、および、該検査ヘッド
を回転させ、ガラス基板を一定方向に移動させる回転移
動手段を備えたことによって、ガラス基板面の全ての点
は３６０°の方向から半割円錐面状レーザー光が照射さ
れるため、ガラス基板面の全ての欠陥の検出が可能とな
り、液晶表示用ガラス基板の検査の省力化、品質向上が
可能となって、液晶表示器の生産量の増大、及びガラス
基板の大型化に対応可能となる。
【図１】本発明の一実施例に係る検査ヘッドの説明図で
ある。
ある。
【図２】上記一実施例に係るマスクの説明図で、（ａ）
はコリメート光が通過するマスク、（ｂ）は散乱光が通
過するマスクの説明図である。
はコリメート光が通過するマスク、（ｂ）は散乱光が通
過するマスクの説明図である。
【図３】上記一実施例に係る回転ヘッドの説明図で、
（ａ）はその構成、（ｂ）はその作用の説明図である。
（ａ）はその構成、（ｂ）はその作用の説明図である。
【図４】従来の装置の説明図である。
【図５】上記従来の装置に係る説明図で、（ａ）はこれ
により検出されるスクラッチ傷、（ｂ）は傷検出の作用
説明図である。
により検出されるスクラッチ傷、（ｂ）は傷検出の作用
説明図である。
【図６】上記従来の装置に係る作用説明図で、（ａ）は
スクラッチ傷と散乱光が直交する場合、（ｂ）は平行の
場合の説明図である。
スクラッチ傷と散乱光が直交する場合、（ｂ）は平行の
場合の説明図である。
４ ガラス基板 １８ 半割円筒状レーザー光 １９ 半割集光レンズ ２０ 半割円錐面状レーザー光 ２１ 正反射光 ２２ａ，２２ｂ 散乱光 ２３ マスク ２４ａ，２４ｂ 半割集光レンズ ２５ フォトセンサー
Claims (1)
- 【請求項１】 光源が放射する半割円筒状レーザー光を
半割円錐面状レーザー光としてガラス基板面上に集光す
る一方の半割集光レンズと、該半割円錐面状レーザー光
のガラス基板面による正反射光は遮断し散乱光は通過さ
せるマスクと、該マスクを通過した散乱光を入射して集
光する他方の半割集光レンズと、該レンズが集光した散
乱光を受光するフォトセンサーとにより形成された検査
ヘッド、および、該検査ヘッドが搭載され、該検査ヘッ
ドにより照射される半割円錐面状レーザー光が上記ガラ
ス基板面で円を描くように該検査ヘッドを回転させなが
ら、上記ガラス基板を一定方向に移動させる回転移動手
段を備えたことを特徴とするガラス基板の欠陥検査装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24761894A JPH08110516A (ja) | 1994-10-13 | 1994-10-13 | ガラス基板の欠陥検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24761894A JPH08110516A (ja) | 1994-10-13 | 1994-10-13 | ガラス基板の欠陥検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08110516A true JPH08110516A (ja) | 1996-04-30 |
Family
ID=17166194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24761894A Withdrawn JPH08110516A (ja) | 1994-10-13 | 1994-10-13 | ガラス基板の欠陥検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08110516A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003036274A1 (en) * | 2001-10-25 | 2003-05-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal process defect inspection apparatus and inspection method |
| KR100588941B1 (ko) * | 2004-08-03 | 2006-06-09 | 주식회사 대우일렉트로닉스 | 실린드리컬 방식의 홀로그래픽 데이터 기록 장치 및 그제어 방법 |
| CN109490279A (zh) * | 2018-09-10 | 2019-03-19 | 桂林电子科技大学 | D形微柱镜旋转式spr传感芯片 |
-
1994
- 1994-10-13 JP JP24761894A patent/JPH08110516A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003036274A1 (en) * | 2001-10-25 | 2003-05-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal process defect inspection apparatus and inspection method |
| KR100767378B1 (ko) * | 2001-10-25 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | 액정공정불량 검사장치 및 검사방법 |
| KR100588941B1 (ko) * | 2004-08-03 | 2006-06-09 | 주식회사 대우일렉트로닉스 | 실린드리컬 방식의 홀로그래픽 데이터 기록 장치 및 그제어 방법 |
| CN109490279A (zh) * | 2018-09-10 | 2019-03-19 | 桂林电子科技大学 | D形微柱镜旋转式spr传感芯片 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020115 |