JPH08108568A - ライン発光デバイス - Google Patents
ライン発光デバイスInfo
- Publication number
- JPH08108568A JPH08108568A JP24516194A JP24516194A JPH08108568A JP H08108568 A JPH08108568 A JP H08108568A JP 24516194 A JP24516194 A JP 24516194A JP 24516194 A JP24516194 A JP 24516194A JP H08108568 A JPH08108568 A JP H08108568A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting device
- thin film
- film
- line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 感光ドラム上に出力光を投射する小型で安価
なライン発光デバイスを提供することを目的とする。 【構成】 駆動回路部２０とビット選択スイッチ３０よ
りなる駆動回路と、該駆動回路により駆動される薄膜発
光素子４０とを基板１上にライン状に複数個形成し、薄
膜発光素子４０の上面に透明薄板１５を接着する。
なライン発光デバイスを提供することを目的とする。 【構成】 駆動回路部２０とビット選択スイッチ３０よ
りなる駆動回路と、該駆動回路により駆動される薄膜発
光素子４０とを基板１上にライン状に複数個形成し、薄
膜発光素子４０の上面に透明薄板１５を接着する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、コピー装置やページプ
リンタ用のライン発光デバイスに関する。
リンタ用のライン発光デバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、コピー装置やページプリンタで
は、用紙に印刷するため、感光ドラム上に一度データを
記録するものである。このため出力するデータに応じて
レーザ光を変調し、この変調したレーザ光を一つ乃至複
数のレンズ系やポリゴンミラー（回転多面鏡）を使用し
て感光ドラム上を走査してデータを焼き付け、感光ドラ
ム上にデータを記録する方式が主流である。
は、用紙に印刷するため、感光ドラム上に一度データを
記録するものである。このため出力するデータに応じて
レーザ光を変調し、この変調したレーザ光を一つ乃至複
数のレンズ系やポリゴンミラー（回転多面鏡）を使用し
て感光ドラム上を走査してデータを焼き付け、感光ドラ
ム上にデータを記録する方式が主流である。
【０００３】また、こうしたレーザを使用する方式で必
要となっている大がかりな光学系がいらない、ＬＥＤア
レイや液晶シャッターを用いた小型ページプリンタが市
場に登場し始めている。これらは光を感光ドラムに照射
するための方法を改善することでレーザプリンタに比べ
て小型化が図られている。
要となっている大がかりな光学系がいらない、ＬＥＤア
レイや液晶シャッターを用いた小型ページプリンタが市
場に登場し始めている。これらは光を感光ドラムに照射
するための方法を改善することでレーザプリンタに比べ
て小型化が図られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな従来のものにおいては、レーザ方式では様々な光学
系部品が必要なため小型化とコストダウンが困難であっ
た。また、ＬＥＤアレイは１本のライン状に並んだ形状
に製造することは製造歩留まりが悪く、また、多数個の
ＬＥＤチップを一列に並べる方法はチップ間の位置合わ
せが困難である。すなわち製造の難しさが製造コストを
高くしていた。一方、液晶シャッターは強い光源が必要
なことや、光源からの熱をさけるために液晶シャッター
と光源との距離をある程度取る必要があることなど、レ
ーザプリンタほどではないにしろ、小型化を難しくして
いた。
うな従来のものにおいては、レーザ方式では様々な光学
系部品が必要なため小型化とコストダウンが困難であっ
た。また、ＬＥＤアレイは１本のライン状に並んだ形状
に製造することは製造歩留まりが悪く、また、多数個の
ＬＥＤチップを一列に並べる方法はチップ間の位置合わ
せが困難である。すなわち製造の難しさが製造コストを
高くしていた。一方、液晶シャッターは強い光源が必要
なことや、光源からの熱をさけるために液晶シャッター
と光源との距離をある程度取る必要があることなど、レ
ーザプリンタほどではないにしろ、小型化を難しくして
いた。
【０００５】また、こうしたＬＥＤアレイや液晶シャッ
ターは寿命がきたり、長時間使用することで感光ドラム
に面している部分がゴミやトナーで汚れても使用者が簡
単に交換することはできず、製造者へ修理依頼する必要
があるなど利便性にも問題があった。
ターは寿命がきたり、長時間使用することで感光ドラム
に面している部分がゴミやトナーで汚れても使用者が簡
単に交換することはできず、製造者へ修理依頼する必要
があるなど利便性にも問題があった。
【０００６】本発明は、複数個の薄膜発光素子をライン
状に配置し、これらの発光素子から出力された光をレン
ズ系を介さず（完全密着型）又はセルフォックレンズア
レイを介して（密着型）感光ドラム上に投射できる小型
で安価なライン発光デバイスを提供することを目的とす
る。
状に配置し、これらの発光素子から出力された光をレン
ズ系を介さず（完全密着型）又はセルフォックレンズア
レイを介して（密着型）感光ドラム上に投射できる小型
で安価なライン発光デバイスを提供することを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明では、図１に示すように、基板１上に駆動回
路部２０とビット（ｂｉｔ）選択スイッチ３０とを薄膜
トランジスタ（ＴＦＴ）で形成した駆動回路を複数個形
成し、さらにこの基板１上に前記駆動回路で駆動される
有機エレクトロルミネセンス（以下、ＥＬという）材料
で形成した有機ＥＬ部である薄膜発光素子４０を複数個
ライン状に形成する。そして、この薄膜発光素子４０上
に薄板ガラスである透明薄膜１５を透明の接着剤１９等
で固着する。
め、本発明では、図１に示すように、基板１上に駆動回
路部２０とビット（ｂｉｔ）選択スイッチ３０とを薄膜
トランジスタ（ＴＦＴ）で形成した駆動回路を複数個形
成し、さらにこの基板１上に前記駆動回路で駆動される
有機エレクトロルミネセンス（以下、ＥＬという）材料
で形成した有機ＥＬ部である薄膜発光素子４０を複数個
ライン状に形成する。そして、この薄膜発光素子４０上
に薄板ガラスである透明薄膜１５を透明の接着剤１９等
で固着する。
【０００８】または図６に示すように透明基板１上に駆
動回路部２０とビット（ｂｉｔ）選択スイッチ３０とを
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）で形成した駆動回路を複数
個形成し、さらにこの透明基板１上に前記駆動回路で駆
動される有機ＥＬ材料で形成した有機ＥＬ部である薄膜
発光素子４０を複数個ライン状に形成する。そして、こ
の薄膜発光素子からの発光を透明基板を通して感光ドラ
ムに投影する。
動回路部２０とビット（ｂｉｔ）選択スイッチ３０とを
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）で形成した駆動回路を複数
個形成し、さらにこの透明基板１上に前記駆動回路で駆
動される有機ＥＬ材料で形成した有機ＥＬ部である薄膜
発光素子４０を複数個ライン状に形成する。そして、こ
の薄膜発光素子からの発光を透明基板を通して感光ドラ
ムに投影する。
【０００９】さらにこのようにして製造された安価なラ
イン発光デバイスを感光ドラムカートリッジと一体化す
る。
イン発光デバイスを感光ドラムカートリッジと一体化す
る。
【００１０】
【作用】上記構成に基づく本発明の作用を説明する。印
刷処理部（図示せず）より送られてきた印刷等のデータ
により、図１の駆動回路部２０が駆動されると、ビット
選択スイッチ３０がオンとなり、薄膜発光素子４０の有
機ＥＬ膜１２が発光する。この有機ＥＬ膜１２から出力
された光は、薄板ガラス１５を介して、感光ドラム１６
に入力される。これにより、感光ドラム１６に印刷等の
データが記録される。
刷処理部（図示せず）より送られてきた印刷等のデータ
により、図１の駆動回路部２０が駆動されると、ビット
選択スイッチ３０がオンとなり、薄膜発光素子４０の有
機ＥＬ膜１２が発光する。この有機ＥＬ膜１２から出力
された光は、薄板ガラス１５を介して、感光ドラム１６
に入力される。これにより、感光ドラム１６に印刷等の
データが記録される。
【００１１】また、同様に図６の駆動回路部２０が駆動
されると、ビット選択スイッチ３０がＯＮとなり、薄膜
発光素子４０の有機ＥＬ膜１２が発光する。この有機Ｅ
Ｌ膜１２から出力された光は、透明基板１を介して感光
ドラム１６に入力される。これにより感光ドラム１６に
印刷等のデータが記録される。
されると、ビット選択スイッチ３０がＯＮとなり、薄膜
発光素子４０の有機ＥＬ膜１２が発光する。この有機Ｅ
Ｌ膜１２から出力された光は、透明基板１を介して感光
ドラム１６に入力される。これにより感光ドラム１６に
印刷等のデータが記録される。
【００１２】このように有機ＥＬ素子をＴＦＴで駆動
し、有機ＥＬ素子からの発光を薄板ガラス或いは透明基
板を通して感光ドラムに入力する構造にすることで製造
がきわめて容易になり、安価なライン発光デバイスを得
ることができる。
し、有機ＥＬ素子からの発光を薄板ガラス或いは透明基
板を通して感光ドラムに入力する構造にすることで製造
がきわめて容易になり、安価なライン発光デバイスを得
ることができる。
【００１３】さらにこのライン発光デバイスは安価であ
るがゆえに使い捨てにすることが可能になり、この特徴
を利用して感光ドラムと一体構造にすることでメンテナ
ンス・フリーにすることができる。
るがゆえに使い捨てにすることが可能になり、この特徴
を利用して感光ドラムと一体構造にすることでメンテナ
ンス・フリーにすることができる。
【００１４】
〔第１実施例の説明〕本発明の第１の実施例を図１〜図
５に基づき説明する。図１は本発明の第１実施例構成
図、図２、図３、図４はライン発光デバイスの製造工程
説明図、図５は駆動回路の説明図である。
５に基づき説明する。図１は本発明の第１実施例構成
図、図２、図３、図４はライン発光デバイスの製造工程
説明図、図５は駆動回路の説明図である。
【００１５】図１は、ライン発光デバイスの断面構成で
ある。図１において、基板１上に、駆動回路部２０とビ
ット選択スイッチ３０との駆動回路をＴＦＴで形成し、
さらにこの駆動回路で駆動される薄膜発光素子４０であ
る有機ＥＬ部を同じ基板１上に形成する。そして、この
薄膜発光素子４０上に薄板ガラス１５を接着剤１９等で
固着（接着又はモールド）するものである。
ある。図１において、基板１上に、駆動回路部２０とビ
ット選択スイッチ３０との駆動回路をＴＦＴで形成し、
さらにこの駆動回路で駆動される薄膜発光素子４０であ
る有機ＥＬ部を同じ基板１上に形成する。そして、この
薄膜発光素子４０上に薄板ガラス１５を接着剤１９等で
固着（接着又はモールド）するものである。
【００１６】このライン発光デバイスの動作は、駆動回
路部２０でビット選択スイッチ３０をオンとすることに
より有機ＥＬ部を駆動するものである。これにより有機
ＥＬ膜１２が発光し、この発光した光が感光ドラム１６
に入力されるものである。
路部２０でビット選択スイッチ３０をオンとすることに
より有機ＥＬ部を駆動するものである。これにより有機
ＥＬ膜１２が発光し、この発光した光が感光ドラム１６
に入力されるものである。
【００１７】以下、図２〜図４に基づいて、ライン発光
デバイスの製造工程を説明する。 （１）基板１上に活性層２として２００ｎｍの膜厚の非
晶質（アモルファス）シリコンをプラズマＣＶＤ（気相
成長）法により成膜する。このとき成膜条件は反応ガス
としてシランを用い、反応温度２００℃、ガス圧力５．
３Ｐａ、ＲＦ（高周波）電力３５Ｗで被着速度６ｎｍ／
ｍｉｎで行う。さらに６００℃で２０時間加熱すること
で非晶質シリコンは固相成長し、結晶性を有するように
なる（図２（ａ）参照）。
デバイスの製造工程を説明する。 （１）基板１上に活性層２として２００ｎｍの膜厚の非
晶質（アモルファス）シリコンをプラズマＣＶＤ（気相
成長）法により成膜する。このとき成膜条件は反応ガス
としてシランを用い、反応温度２００℃、ガス圧力５．
３Ｐａ、ＲＦ（高周波）電力３５Ｗで被着速度６ｎｍ／
ｍｉｎで行う。さらに６００℃で２０時間加熱すること
で非晶質シリコンは固相成長し、結晶性を有するように
なる（図２（ａ）参照）。
【００１８】なお、このプラズマＣＶＤ法のかわりにＬ
Ｐ（減圧）ＣＶＤ法を用いることもできる。また、基板
１は、ガラス、石英、セラミック（Ａｌ2 Ｏ3 ）、シリ
コン（単結晶又は多結晶）、ＳｉＯ2 （Ｓｉ基板を用い
た時は熱酸化膜を使用できる）等を用いることができ
る。
Ｐ（減圧）ＣＶＤ法を用いることもできる。また、基板
１は、ガラス、石英、セラミック（Ａｌ2 Ｏ3 ）、シリ
コン（単結晶又は多結晶）、ＳｉＯ2 （Ｓｉ基板を用い
た時は熱酸化膜を使用できる）等を用いることができ
る。
【００１９】（２）このようにして得られた多結晶シリ
コンの活性層２を島状にパターニングする（図２（ｂ）
参照）。 （３）引き続きゲート酸化シリコン膜３が例えば１００
ｎｍになるように多結晶シリコン活性層２の熱酸化を行
う（図２（ｃ）参照）。
コンの活性層２を島状にパターニングする（図２（ｂ）
参照）。 （３）引き続きゲート酸化シリコン膜３が例えば１００
ｎｍになるように多結晶シリコン活性層２の熱酸化を行
う（図２（ｃ）参照）。
【００２０】（４）この酸化シリコン膜３の形成後、速
やかにＬＰＣＶＤ法により、ゲート電極４としてリン
（Ｐ）を１×１０20ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 程度以上ドーピ
ングしたｎ+ ポリシリコン（ｐｏｌｙ−Ｓｉ）を約２０
０ｎｍ成膜する（図２（ｄ参照）。
やかにＬＰＣＶＤ法により、ゲート電極４としてリン
（Ｐ）を１×１０20ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 程度以上ドーピ
ングしたｎ+ ポリシリコン（ｐｏｌｙ−Ｓｉ）を約２０
０ｎｍ成膜する（図２（ｄ参照）。
【００２１】（５）次に、ドライエッチング法によりゲ
ート電極４をパターニングする（図２（ｅ）参照）。 （６）イオン注入あるいはイオンドーピング法による不
純物の導入のため、まず、リン（Ｐ）を６０ＫＶの加速
電圧で１×１０15ａｔｏｍｓ／ｃｍ2 打込みＮ型を形成
する（図２（ｆ）参照）。
ート電極４をパターニングする（図２（ｅ）参照）。 （６）イオン注入あるいはイオンドーピング法による不
純物の導入のため、まず、リン（Ｐ）を６０ＫＶの加速
電圧で１×１０15ａｔｏｍｓ／ｃｍ2 打込みＮ型を形成
する（図２（ｆ）参照）。
【００２２】（７）次に、不純物の導入を行いたくない
部分をフォトレジスト５で被覆して、ボロン（Ｂ）を４
０ＫＶの加速電圧５×１０15ａｔｏｍｓ／ｃｍ2 のドー
ズ量を打込んでＰ型を形成する。この後、これら導入し
た不純物を活性化するため窒素雰囲気中において６００
℃のアニール温度で１２時間の熱処理を行う（図２
（ｇ）参照）。
部分をフォトレジスト５で被覆して、ボロン（Ｂ）を４
０ＫＶの加速電圧５×１０15ａｔｏｍｓ／ｃｍ2 のドー
ズ量を打込んでＰ型を形成する。この後、これら導入し
た不純物を活性化するため窒素雰囲気中において６００
℃のアニール温度で１２時間の熱処理を行う（図２
（ｇ）参照）。
【００２３】（８）次に、層間絶縁膜６として常圧ＣＶ
Ｄ法により酸化シリコン膜或いはＰＳＧ（Ｐｈｏｓｐｈ
ｏ Ｓｉｌｉｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ）膜を約８００ｎｍ
成膜する（図２（ｈ）参照）。
Ｄ法により酸化シリコン膜或いはＰＳＧ（Ｐｈｏｓｐｈ
ｏ Ｓｉｌｉｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ）膜を約８００ｎｍ
成膜する（図２（ｈ）参照）。
【００２４】（９）その後、層間絶縁膜６にコンタクト
ホールを開孔する（図３（ａ）参照）。 （１０）次に、高融点金属等のバリアメタル７を成膜し
（図３（ｂ）参照）、このバリアメタル７の膜をパター
ニングする（図３（ｃ）参照）。
ホールを開孔する（図３（ａ）参照）。 （１０）次に、高融点金属等のバリアメタル７を成膜し
（図３（ｂ）参照）、このバリアメタル７の膜をパター
ニングする（図３（ｃ）参照）。
【００２５】（１１）さらに、配線電極８となるアルミ
ニウム（Ａｌ）をスパッタ法で成膜し（図３（ｄ）参
照）、このＡｌ膜をパターニングし配線電極８を形成す
る（図３（ｅ）参照）。
ニウム（Ａｌ）をスパッタ法で成膜し（図３（ｄ）参
照）、このＡｌ膜をパターニングし配線電極８を形成す
る（図３（ｅ）参照）。
【００２６】（１２）次に、第２層間絶縁膜９として常
圧ＣＶＤ法により酸化シリコン膜或いはＰＳＧ膜を成膜
し（図３（ｆ）参照）、その後、バリアメタル７上の第
２層間絶縁膜９に開孔を設ける（図３（ｇ）参照）。
圧ＣＶＤ法により酸化シリコン膜或いはＰＳＧ膜を成膜
し（図３（ｆ）参照）、その後、バリアメタル７上の第
２層間絶縁膜９に開孔を設ける（図３（ｇ）参照）。
【００２７】（１３）さらに、マスク１０を設けて、薄
膜発光素子４０の電極１１としてＭｇＡｇ（マグネシウ
ム銀合金）膜を蒸着し、その上に有機ＥＬ膜１２として
有機ＥＬ材料を蒸着する（図４（ａ）参照）。
膜発光素子４０の電極１１としてＭｇＡｇ（マグネシウ
ム銀合金）膜を蒸着し、その上に有機ＥＬ膜１２として
有機ＥＬ材料を蒸着する（図４（ａ）参照）。
【００２８】なお、有機ＥＬ膜１２は、例えば電子輸送
層、発光層、正孔輸送層の３層構造とすることができ
る。 （１４）その後、有機ＥＬ膜１２上にマスク１０′を用
いて透明電極１３となるＩＴＯ（インジウムすず酸化
物）を蒸着して成膜する（図４（ｂ）参照）。次に、図
１に示すように５０〜２００μｍの薄板ガラスである透
明基板１５を、例えばエポキシ系接着剤、紫外線硬化型
の接着剤等の透明の接着剤１９で薄膜発光素子４０上に
接着してライン発光デバイスを製造する。
層、発光層、正孔輸送層の３層構造とすることができ
る。 （１４）その後、有機ＥＬ膜１２上にマスク１０′を用
いて透明電極１３となるＩＴＯ（インジウムすず酸化
物）を蒸着して成膜する（図４（ｂ）参照）。次に、図
１に示すように５０〜２００μｍの薄板ガラスである透
明基板１５を、例えばエポキシ系接着剤、紫外線硬化型
の接着剤等の透明の接着剤１９で薄膜発光素子４０上に
接着してライン発光デバイスを製造する。
【００２９】この透明基板１５の厚さは、２００μｍよ
り厚くなると、隣の薄膜発光素子４０の光と混った光が
感光ドラム１６に到達するようになり、分解能が悪くな
り、また５０μｍより薄くなると透明薄板として強度が
保持できなくなる。
り厚くなると、隣の薄膜発光素子４０の光と混った光が
感光ドラム１６に到達するようになり、分解能が悪くな
り、また５０μｍより薄くなると透明薄板として強度が
保持できなくなる。
【００３０】このようにして、薄膜化した、小型、軽
量、安価な完全密着型のライン発光デバイスが得られ
る。図５は、薄膜発光素子４０の駆動回路の説明図であ
る。図５において、シフトレジスタ２２の複数の出力
は、それぞれ、インバータ２１を介して薄膜トランジス
タであるビット選択スイッチ３０に入力され、このビッ
ト選択スイッチ３０の出力の一方は薄膜発光素子４０を
介して電源ＶＬに接続され、他方は共通電位ＣＯＭに接
続されている。
量、安価な完全密着型のライン発光デバイスが得られ
る。図５は、薄膜発光素子４０の駆動回路の説明図であ
る。図５において、シフトレジスタ２２の複数の出力
は、それぞれ、インバータ２１を介して薄膜トランジス
タであるビット選択スイッチ３０に入力され、このビッ
ト選択スイッチ３０の出力の一方は薄膜発光素子４０を
介して電源ＶＬに接続され、他方は共通電位ＣＯＭに接
続されている。
【００３１】このため、シフトレジスタ２２から出力が
でると、この出力はインバータで反転されビット選択ス
イッチ３０に入力される。これにより、ビット選択スイ
ッチ３０がオンとなり、薄膜発光素子４０に電流が流
れ、薄膜発光素子４０が発光する。なお、図５の左端の
インバータ２１はダミービットである。このようにし
て、シフトレジスタ２２の出力に対応した薄膜発光素子
４０のみが発光することになる。
でると、この出力はインバータで反転されビット選択ス
イッチ３０に入力される。これにより、ビット選択スイ
ッチ３０がオンとなり、薄膜発光素子４０に電流が流
れ、薄膜発光素子４０が発光する。なお、図５の左端の
インバータ２１はダミービットである。このようにし
て、シフトレジスタ２２の出力に対応した薄膜発光素子
４０のみが発光することになる。
【００３２】〔第２実施例の説明〕第２実施例を図６〜
図９に基づき説明する。図６はライン発光デバイスの構
成図、図７〜図９はライン発光デバイスの製造工程説明
図である。 図６において、透明基板１上に、駆動回路
部２０とビット選択スイッチ３０の駆動回路をＴＦＴで
形成し、さらにこの駆動回路で駆動される薄膜発光素子
４０である有機ＥＬ部を同じ透明基板１上に形成する。
そして、感光ドラム１６側にセルフォックレンズアレイ
１８を設けるものである。
図９に基づき説明する。図６はライン発光デバイスの構
成図、図７〜図９はライン発光デバイスの製造工程説明
図である。 図６において、透明基板１上に、駆動回路
部２０とビット選択スイッチ３０の駆動回路をＴＦＴで
形成し、さらにこの駆動回路で駆動される薄膜発光素子
４０である有機ＥＬ部を同じ透明基板１上に形成する。
そして、感光ドラム１６側にセルフォックレンズアレイ
１８を設けるものである。
【００３３】このライン発光デバイスの動作は、駆動回
路部２０でビット選択スイッチ３０をオンとすることに
より有機ＥＬ部を駆動する。これにより、有機ＥＬ膜１
２が発光し、この発光した光が、透明基板１及びセルフ
ォックレンズアレイ１８を通して感光ドラム１６に入力
する。
路部２０でビット選択スイッチ３０をオンとすることに
より有機ＥＬ部を駆動する。これにより、有機ＥＬ膜１
２が発光し、この発光した光が、透明基板１及びセルフ
ォックレンズアレイ１８を通して感光ドラム１６に入力
する。
【００３４】以下、図７〜図９に基づき、ライン発光デ
バイスの製造工程を説明する。 （１）透明基板１上に活性層２として２００ｎｍの膜厚
の非晶質（アモルファス）シリコンをプラズマＣＶＤ
（気相成長）法により成膜する。このとき成膜条件は反
応ガスとしてシランを用い、反応温度２００℃、ガス圧
力５．３Ｐａ、ＲＦ（高周波）電力３５Ｗで被着速度６
ｎｍ／ｍｉｎで行う。さらに６００℃で２０時間加熱す
ることで非晶質シリコンは固相成長し、結晶性を有する
ようになる。（図７（ａ）参照）。
バイスの製造工程を説明する。 （１）透明基板１上に活性層２として２００ｎｍの膜厚
の非晶質（アモルファス）シリコンをプラズマＣＶＤ
（気相成長）法により成膜する。このとき成膜条件は反
応ガスとしてシランを用い、反応温度２００℃、ガス圧
力５．３Ｐａ、ＲＦ（高周波）電力３５Ｗで被着速度６
ｎｍ／ｍｉｎで行う。さらに６００℃で２０時間加熱す
ることで非晶質シリコンは固相成長し、結晶性を有する
ようになる。（図７（ａ）参照）。
【００３５】なお、このプラズマＣＶＤ法のかわりにＬ
Ｐ（減圧）ＣＶＤ法を用いることもできる。また、透明
基板１は、ガラス基板を用いる。 （２）このようにして得られた多結晶シリコンの活性層
２を島状にパターニングする（図７（ｂ）参照）。
Ｐ（減圧）ＣＶＤ法を用いることもできる。また、透明
基板１は、ガラス基板を用いる。 （２）このようにして得られた多結晶シリコンの活性層
２を島状にパターニングする（図７（ｂ）参照）。
【００３６】（３）引き続きゲート酸化シリコン膜３が
例えば１００ｎｍになるように多結晶シリコン活性層２
の熱酸化を行う（図７（ｃ）参照）。 （４）この酸化シリコン膜３の形成後、速やかにＬＰＣ
ＶＤ法により、ゲート電極４としてリン（Ｐ）を１×１
０20ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 程度以上ドーピングしたｎ+ ｐ
ｏｌｙ−Ｓｉを約２００ｎｍ成膜する（図７（ｄ）参
照）。
例えば１００ｎｍになるように多結晶シリコン活性層２
の熱酸化を行う（図７（ｃ）参照）。 （４）この酸化シリコン膜３の形成後、速やかにＬＰＣ
ＶＤ法により、ゲート電極４としてリン（Ｐ）を１×１
０20ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 程度以上ドーピングしたｎ+ ｐ
ｏｌｙ−Ｓｉを約２００ｎｍ成膜する（図７（ｄ）参
照）。
【００３７】（５）次に、ドライエッチング法によりゲ
ート電極４をパターニングする（図７（ｅ）参照）。 （６）イオン注入あるいはイオンドーピング法による不
純物の導入のため、まず、リン（Ｐ）を６０ＫＶの加速
電圧で１×１０15ａｔｏｍｓ／ｃｍ2 打込みＮ型を形成
する（図７（ｆ）参照）。
ート電極４をパターニングする（図７（ｅ）参照）。 （６）イオン注入あるいはイオンドーピング法による不
純物の導入のため、まず、リン（Ｐ）を６０ＫＶの加速
電圧で１×１０15ａｔｏｍｓ／ｃｍ2 打込みＮ型を形成
する（図７（ｆ）参照）。
【００３８】（７）次に、不純物の導入を行ないたくな
い部分をフォトレジスト５で被覆して、ボロン（Ｂ）を
４０ＫＶの加速電圧で５×１０15ａｔｏｍｓ／ｃｍ2 の
ドーズ量を打込んでＰ型を形成する。この後、これら導
入した不純物を活性化するため窒素雰囲気中において６
００℃のアニール温度で１２時間の熱処理を行う（図７
（ｇ）参照）。
い部分をフォトレジスト５で被覆して、ボロン（Ｂ）を
４０ＫＶの加速電圧で５×１０15ａｔｏｍｓ／ｃｍ2 の
ドーズ量を打込んでＰ型を形成する。この後、これら導
入した不純物を活性化するため窒素雰囲気中において６
００℃のアニール温度で１２時間の熱処理を行う（図７
（ｇ）参照）。
【００３９】（８）次に、層間絶縁膜６として常圧ＣＶ
Ｄ法により酸化シリコン膜あるいはＰＳＧ膜を約８００
ｎｍ成膜する（図７（ｈ）参照）。 （９）その後、層間絶縁膜６にコンタクトホールを開孔
する（図８（ａ）参照）。
Ｄ法により酸化シリコン膜あるいはＰＳＧ膜を約８００
ｎｍ成膜する（図７（ｈ）参照）。 （９）その後、層間絶縁膜６にコンタクトホールを開孔
する（図８（ａ）参照）。
【００４０】（１０）次に、透明電極１３となるＩＴＯ
を蒸着して成膜する（図８（ｂ）参照）。その後、この
ＩＴＯ膜をパターニングして透明電極１３を形成する
（図８（ｃ）参照）。
を蒸着して成膜する（図８（ｂ）参照）。その後、この
ＩＴＯ膜をパターニングして透明電極１３を形成する
（図８（ｃ）参照）。
【００４１】（１１）さらに、高融点金属等のバリアメ
タル７を成膜し（図８（ｄ）参照）、このバリアメタル
７の膜をパターニングする（図８（ｅ）参照）。 （１２）次に、配線電極８となるＡｌをスパッタ法で成
膜し（図８（ｆ）参照）、このＡｌ膜をパターニングし
配線電極８を形成する（図８（ｇ）参照）。さらに、透
明電極１３上のバリアメタル７を除去する（図８（ｈ）
参照）。
タル７を成膜し（図８（ｄ）参照）、このバリアメタル
７の膜をパターニングする（図８（ｅ）参照）。 （１２）次に、配線電極８となるＡｌをスパッタ法で成
膜し（図８（ｆ）参照）、このＡｌ膜をパターニングし
配線電極８を形成する（図８（ｇ）参照）。さらに、透
明電極１３上のバリアメタル７を除去する（図８（ｈ）
参照）。
【００４２】（１３）その後、第２層間絶縁膜９として
常圧ＣＶＤ法による酸化シリコン膜あるいはＰＳＧ膜を
成膜後（図９（ａ）参照）、透明電極１３上の第２層間
絶縁膜９に開孔を設ける（図９（ｂ）参照）。
常圧ＣＶＤ法による酸化シリコン膜あるいはＰＳＧ膜を
成膜後（図９（ａ）参照）、透明電極１３上の第２層間
絶縁膜９に開孔を設ける（図９（ｂ）参照）。
【００４３】（１４）次に、マスク１０を使用して、有
機ＥＬ膜１２として有機ＥＬ材料を蒸着し、その上に電
極１１の電極材料としてＭｇＡｇ膜を蒸着する（図９
（ｃ）参照）。
機ＥＬ膜１２として有機ＥＬ材料を蒸着し、その上に電
極１１の電極材料としてＭｇＡｇ膜を蒸着する（図９
（ｃ）参照）。
【００４４】（１５）その後、ＭｇＡｇの電極１１上に
マスク１０′を用いて、Ａｌ電極１４をスパッタ法で成
膜する（図９（ｄ）参照）。これにより、薄膜発光素子
４０である有機ＥＬ部を形成する。
マスク１０′を用いて、Ａｌ電極１４をスパッタ法で成
膜する（図９（ｄ）参照）。これにより、薄膜発光素子
４０である有機ＥＬ部を形成する。
【００４５】次に、図６のように、薄膜発光素子４０が
形成されている透明基板１の反対面の感光ドラム１６側
にセルフォックレンズアレイ１８を設け、ライン発光デ
バイスを構成する。
形成されている透明基板１の反対面の感光ドラム１６側
にセルフォックレンズアレイ１８を設け、ライン発光デ
バイスを構成する。
【００４６】このライン発光デバイスは、セルフォック
レンズアレイを使用するため、焦点深度を深くすること
ができる。このため、透明基板１は薄板ガラスを使用す
る必要はなく安価な、２００μｍ以上の厚さの普通のガ
ラスを使用することが可能である。
レンズアレイを使用するため、焦点深度を深くすること
ができる。このため、透明基板１は薄板ガラスを使用す
る必要はなく安価な、２００μｍ以上の厚さの普通のガ
ラスを使用することが可能である。
【００４７】なお、前記ライン発光デバイスは、複数個
の薄膜発光素子４０を１ライン設ける説明をしたが２ラ
イン以上設けることもできる。また、駆動回路と薄膜発
光素子を同時にＴＦＴ製造プロセスで形成できるため小
型、軽量で安価となるため、感光ドラムと一体型とし、
感光ドラムと同時に使い捨てとすることができる。
の薄膜発光素子４０を１ライン設ける説明をしたが２ラ
イン以上設けることもできる。また、駆動回路と薄膜発
光素子を同時にＴＦＴ製造プロセスで形成できるため小
型、軽量で安価となるため、感光ドラムと一体型とし、
感光ドラムと同時に使い捨てとすることができる。
【００４８】更に、前記説明では、有機ＥＬ膜１２を電
子輸送層、正孔輸送層、発光層の３層構成のものについ
て行ったが、本発明は勿論これに限定されるものではな
く、例えば電子輸送層（発光層）、正孔輸送層又は電子
輸送層と正孔輸送層（発光層）の如き２層構成のものを
使用してもよい。
子輸送層、正孔輸送層、発光層の３層構成のものについ
て行ったが、本発明は勿論これに限定されるものではな
く、例えば電子輸送層（発光層）、正孔輸送層又は電子
輸送層と正孔輸送層（発光層）の如き２層構成のものを
使用してもよい。
【００４９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば次
のような効果がある。 （１）１つの基板上に薄膜発光素子とその駆動回路を薄
膜状に形成するため、小型、軽量で安価となり、コピー
装置やページプリンタ等のスペースユーティリティの向
上を図ることができる。
のような効果がある。 （１）１つの基板上に薄膜発光素子とその駆動回路を薄
膜状に形成するため、小型、軽量で安価となり、コピー
装置やページプリンタ等のスペースユーティリティの向
上を図ることができる。
【００５０】上記効果の外、各請求項に対して次のよう
な効果がある。 （２）請求項１に記載された発明によれば、薄膜発光素
子の発光出力を、レンズ系を介さず直接感光ドラムに出
力することができる。
な効果がある。 （２）請求項１に記載された発明によれば、薄膜発光素
子の発光出力を、レンズ系を介さず直接感光ドラムに出
力することができる。
【００５１】（３）請求項２に記載された発明によれ
ば、透明基板１は、薄板ガラスを使用する必要がなく、
安価な透明基板を使用することができる。 （４）請求項３に記載された発明によれば、ＴＦＴ駆動
回路と有機ＥＬ素子を使用して、より小型で安価なライ
ン発光デバイスを提供することができる。
ば、透明基板１は、薄板ガラスを使用する必要がなく、
安価な透明基板を使用することができる。 （４）請求項３に記載された発明によれば、ＴＦＴ駆動
回路と有機ＥＬ素子を使用して、より小型で安価なライ
ン発光デバイスを提供することができる。
【００５２】（５）請求項４に記載された発明によれ
ば、ライン発光デバイスと感光ドラムユニットを一体構
造にすることによりメンテナンス・フリーなページプリ
ンタ、コピー機を提供することが可能になる。
ば、ライン発光デバイスと感光ドラムユニットを一体構
造にすることによりメンテナンス・フリーなページプリ
ンタ、コピー機を提供することが可能になる。
【図１】本発明の第１実施例構成図である。
【図２】第１実施例におけるライン発光デバイスの製造
工程説明図（１）である。
工程説明図（１）である。
【図３】第１実施例におけるライン発光デバイスの製造
工程説明図（２）である。
工程説明図（２）である。
【図４】第１実施例におけるライン発光デバイスの製造
工程説明図（３）である。
工程説明図（３）である。
【図５】第１実施例における駆動回路の説明図である。
【図６】第２実施例におけるライン発光デバイスの構成
図である。
図である。
【図７】第２実施例におけるライン発光デバイスの製造
工程説明図（１）である。
工程説明図（１）である。
【図８】第２実施例におけるライン発光デバイスの製造
工程説明図（２）である。
工程説明図（２）である。
【図９】第２実施例におけるライン発光デバイスの製造
工程説明図（３）である。
工程説明図（３）である。
１ 基板 １２ 有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ）膜 １５ 透明薄板（薄板ガラス） １６ 感光ドラム １９ 透明の接着剤 ２０ 駆動回路部 ３０ ビット選択スイッチ ４０ 薄膜発光素子（有機ＥＬ部）
Claims (4)
- 【請求項１】 駆動回路と、 該駆動回路により駆動される薄膜発光素子とを基板上に
ライン状に複数個形成し、 前記薄膜発光素子の上面に透明薄板を固着することを特
徴としたライン発光デバイス。 - 【請求項２】 駆動回路と、 該駆動回路により駆動される薄膜発光素子とを透明基板
上にライン状に複数個形成し、 前記透明基板の薄膜発光素子の形成されている面と反対
面から、薄膜発光素子の発光出力を得るようにすること
を特徴としたライン発光デバイス。 - 【請求項３】 前記駆動回路に薄膜トランジスタを使用
し、 前記薄膜発光素子として有機エレクトロルミネセンス素
子を使用することを特徴とした請求項１又は２記載のラ
イン発光デバイス。 - 【請求項４】 前記ライン発光デバイスを用いたライン
発光デバイス感光ドラム一体型カートリッジであって、
ライン発光デバイスが感光ドラムカートリッジ交換時に
感光ドラムカートリッジと同時に交換されることを特徴
とする請求項１〜３のいずれかに記載のライン発光デバ
イス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24516194A JP3628730B2 (ja) | 1994-10-11 | 1994-10-11 | ライン発光デバイス感光ドラム一体型カートリッジ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24516194A JP3628730B2 (ja) | 1994-10-11 | 1994-10-11 | ライン発光デバイス感光ドラム一体型カートリッジ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08108568A true JPH08108568A (ja) | 1996-04-30 |
| JP3628730B2 JP3628730B2 (ja) | 2005-03-16 |
Family
ID=17129524
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24516194A Expired - Fee Related JP3628730B2 (ja) | 1994-10-11 | 1994-10-11 | ライン発光デバイス感光ドラム一体型カートリッジ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3628730B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1035004A (ja) * | 1996-03-01 | 1998-02-10 | Fuji Electric Co Ltd | 光学プリンターヘッド |
| JP2002178560A (ja) * | 2000-12-14 | 2002-06-26 | Nec Corp | 光ヘッドおよびそれを用いた画像形成装置 |
| JP2002289356A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-10-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及びその作製方法 |
| US6642950B2 (en) | 2000-04-19 | 2003-11-04 | Nec Corporation | Optical printer head and driving method thereof |
| US6750895B1 (en) | 1999-09-29 | 2004-06-15 | Nec Corporation | Optical printer head with integrated drive circuitry |
| WO2006129552A1 (ja) * | 2005-05-30 | 2006-12-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 画像形成装置および露光装置 |
| JP2008030481A (ja) * | 2000-12-27 | 2008-02-14 | Senshin Capital Llc | 統合型有機発光ダイオードプリントヘッド |
| JP2008068628A (ja) * | 2007-09-18 | 2008-03-27 | Seiko Epson Corp | 電子プリンタ及び電子プリンタ用光源 |
| US8004174B2 (en) | 2007-11-30 | 2011-08-23 | Seiko Epson Corporation | Light-emitting device and electronic apparatus |
-
1994
- 1994-10-11 JP JP24516194A patent/JP3628730B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1035004A (ja) * | 1996-03-01 | 1998-02-10 | Fuji Electric Co Ltd | 光学プリンターヘッド |
| US6750895B1 (en) | 1999-09-29 | 2004-06-15 | Nec Corporation | Optical printer head with integrated drive circuitry |
| US6642950B2 (en) | 2000-04-19 | 2003-11-04 | Nec Corporation | Optical printer head and driving method thereof |
| JP2002178560A (ja) * | 2000-12-14 | 2002-06-26 | Nec Corp | 光ヘッドおよびそれを用いた画像形成装置 |
| JP2008030481A (ja) * | 2000-12-27 | 2008-02-14 | Senshin Capital Llc | 統合型有機発光ダイオードプリントヘッド |
| JP2002289356A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-10-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及びその作製方法 |
| WO2006129552A1 (ja) * | 2005-05-30 | 2006-12-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 画像形成装置および露光装置 |
| JP2008068628A (ja) * | 2007-09-18 | 2008-03-27 | Seiko Epson Corp | 電子プリンタ及び電子プリンタ用光源 |
| JP4548620B2 (ja) * | 2007-09-18 | 2010-09-22 | セイコーエプソン株式会社 | デジタルプリンタ |
| US8004174B2 (en) | 2007-11-30 | 2011-08-23 | Seiko Epson Corporation | Light-emitting device and electronic apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3628730B2 (ja) | 2005-03-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4690187B2 (ja) | 有機電界発光表示素子及びその製造方法 | |
| JP4074099B2 (ja) | 平面表示装置およびその製造方法 | |
| JP4542659B2 (ja) | アクティブ駆動型有機ｅｌ表示装置およびその製造方法 | |
| US6521525B2 (en) | Electro-optic device, drive substrate for electro-optic device and method of manufacturing the same | |
| US6372558B1 (en) | Electrooptic device, driving substrate for electrooptic device, and method of manufacturing the device and substrate | |
| US6599783B2 (en) | Method of fabricating a thin film including a protective layer as a mask | |
| US7416924B2 (en) | Organic light emitting display with single crystalline silicon TFT and method of fabricating the same | |
| US7095082B2 (en) | Electrooptical device, substrate for driving electrooptical device and methods for making the same | |
| JP2003168569A (ja) | フルカラー有機電界発光表示素子及びその製造方法 | |
| JP2005340822A (ja) | 薄膜トランジスタ基板、薄膜トランジスタ基板の製造方法、および平板表示装置 | |
| JP3628730B2 (ja) | ライン発光デバイス感光ドラム一体型カートリッジ | |
| JP3561302B2 (ja) | 光源一体型固体撮像装置 | |
| KR100634543B1 (ko) | 단결정 실리콘 ｔｆｔ 유기발광 디스플레이 및 그 제조방법 | |
| US20040130005A1 (en) | Underlayer for polysilicon TFT | |
| JP2006330719A (ja) | 有機発光ディスプレイ及びその製造方法 | |
| JP3981055B2 (ja) | 光源付きイメージセンサ | |
| JP2698182B2 (ja) | 薄膜トランジスタ | |
| JP4364739B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP3501379B2 (ja) | 光源付きイメージセンサ | |
| KR101343501B1 (ko) | 폴리실리콘막 형성방법, 이를 이용한 박막 트랜지스터의형성방법 및 유기전계 발광소자 형성방법 | |
| JPH08111742A (ja) | 光源一体型固体撮像装置 | |
| JP2000340358A (ja) | 有機ｅｌ素子の駆動装置および有機ｅｌ表示装置 | |
| KR100627333B1 (ko) | 유기 이엘 발광셀 및 그 제조 방법 | |
| JP2805830B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH11284191A (ja) | 縦型薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040323 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20041207 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20041209 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081217 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081217 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091217 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101217 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |