JP2002178560A - 光ヘッドおよびそれを用いた画像形成装置 - Google Patents
光ヘッドおよびそれを用いた画像形成装置Info
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- JP2002178560A JP2002178560A JP2000380592A JP2000380592A JP2002178560A JP 2002178560 A JP2002178560 A JP 2002178560A JP 2000380592 A JP2000380592 A JP 2000380592A JP 2000380592 A JP2000380592 A JP 2000380592A JP 2002178560 A JP2002178560 A JP 2002178560A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】印字位置ずれを検出して補正することができ、
低コストで高精度の印字位置ずれの無い高品質画像の画
像形成装置を提供する。 【解決手段】行方向と列方向とに二次元に配置された発
光素子１００と、各列の発光素子１００に対応して配置
される一行の検出素子１０１とを設け、ラインイメージ
センサ機能と露光機能とを一体化した光ヘッド４０とす
る。
低コストで高精度の印字位置ずれの無い高品質画像の画
像形成装置を提供する。 【解決手段】行方向と列方向とに二次元に配置された発
光素子１００と、各列の発光素子１００に対応して配置
される一行の検出素子１０１とを設け、ラインイメージ
センサ機能と露光機能とを一体化した光ヘッド４０とす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ヘッドおよびそ
れを用いた画像形成装置に関し、特に、基板上に有機薄
膜材料で形成されるエレクトロルミネセンス素子、また
は、無機材料で形成される発光ダイオードで発光素子を
形成すると共に、発光素子の形成時に検出素子を同時に
一体化して作り込み、露光機能とラインイメージセンサ
とを一体化した光ヘッドおよびそれを用いた画像形成装
置に関する。
れを用いた画像形成装置に関し、特に、基板上に有機薄
膜材料で形成されるエレクトロルミネセンス素子、また
は、無機材料で形成される発光ダイオードで発光素子を
形成すると共に、発光素子の形成時に検出素子を同時に
一体化して作り込み、露光機能とラインイメージセンサ
とを一体化した光ヘッドおよびそれを用いた画像形成装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の電子写真プロセスを用い
た画像形成装置において、特に、複数色を重ねて画像形
成をおこない高品質画像を得ようとする場合は、各色間
の印字位置ずれを検出する手段と、補正する手段とが必
要とされていた。
た画像形成装置において、特に、複数色を重ねて画像形
成をおこない高品質画像を得ようとする場合は、各色間
の印字位置ずれを検出する手段と、補正する手段とが必
要とされていた。
【０００３】位置ずれを検出するためには、専用の検知
手段を設ける必要があるが、特開平１１−１５７１３４
に開示の印刷装置では、転写材搬送ベルトユニット上に
画像所定のパターンを形成し、パターンを光学的に検出
する専用のセンサを設けて、位置ずれ検出を行い、位置
ずれ検出情報に基付いて位置ずれ補正を行う技術が開示
されている。
手段を設ける必要があるが、特開平１１−１５７１３４
に開示の印刷装置では、転写材搬送ベルトユニット上に
画像所定のパターンを形成し、パターンを光学的に検出
する専用のセンサを設けて、位置ずれ検出を行い、位置
ずれ検出情報に基付いて位置ずれ補正を行う技術が開示
されている。
【０００４】しかしながら、パターンを光学的に検出す
る専用のセンサは、高解像度であることと高精度である
ことが要求されるため、複数の光学系部品から構成され
ることになり、構造の複雑さに加え、高精度な組み立て
を必要とされ、光学系部品コストおよび組み立て工数の
増大により、製造コストが上昇してしまい、結果的に装
置のコストアップを招くという欠点がある。
る専用のセンサは、高解像度であることと高精度である
ことが要求されるため、複数の光学系部品から構成され
ることになり、構造の複雑さに加え、高精度な組み立て
を必要とされ、光学系部品コストおよび組み立て工数の
増大により、製造コストが上昇してしまい、結果的に装
置のコストアップを招くという欠点がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
複数色を重ねて画像形成をおこなう画像形成装置におい
て、高品質画像を得る場合に、各色間の印字位置ずれを
検出する光学的な専用のセンサを設けると、このセンサ
は、高解像度であることと高精度であることが要求さ
れ、センサを構成する光学系が複雑となり、光学系部品
のコスト、および組み立て工数の増大により、製造コス
トが上昇してしまい、結果的に画像形成装置のコストア
ップを招くという課題がある。
複数色を重ねて画像形成をおこなう画像形成装置におい
て、高品質画像を得る場合に、各色間の印字位置ずれを
検出する光学的な専用のセンサを設けると、このセンサ
は、高解像度であることと高精度であることが要求さ
れ、センサを構成する光学系が複雑となり、光学系部品
のコスト、および組み立て工数の増大により、製造コス
トが上昇してしまい、結果的に画像形成装置のコストア
ップを招くという課題がある。
【０００６】本発明の目的は、このような高価な専用の
センサを検出手段として別個に設けることなく、検出機
能を製造工程で簡単に組み込んだ露光機能とラインイメ
ージセンサとを一体化した潜像形成用光ヘッド、および
それを用いた画像形成装置を提供することにある。
センサを検出手段として別個に設けることなく、検出機
能を製造工程で簡単に組み込んだ露光機能とラインイメ
ージセンサとを一体化した潜像形成用光ヘッド、および
それを用いた画像形成装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の光ヘッドは、行
方向と列方向とに二次元に配置された発光素子と、発光
素子の各列に対応して配置される一行の検出素子と、行
出力線を介して信号を出力し発光素子と検出素子とを駆
動する行選択用駆動回路と、列出力線を介して信号を出
力し発光素子と検出素子とを駆動する発光データ書き込
み用駆動回路と、列出力線に対応した列入力線を介して
発光素子と検出素子とに接続され発光素子と検出素子と
の光出力を検出する光検出回路と、行選択用駆動回路と
発光データ書き込み用駆動回路とに信号を供給すると共
に光検出回路からの出力を入力し発光データ書き込み用
駆動回路の制御を行う制御回路とを有することを特徴と
する。
方向と列方向とに二次元に配置された発光素子と、発光
素子の各列に対応して配置される一行の検出素子と、行
出力線を介して信号を出力し発光素子と検出素子とを駆
動する行選択用駆動回路と、列出力線を介して信号を出
力し発光素子と検出素子とを駆動する発光データ書き込
み用駆動回路と、列出力線に対応した列入力線を介して
発光素子と検出素子とに接続され発光素子と検出素子と
の光出力を検出する光検出回路と、行選択用駆動回路と
発光データ書き込み用駆動回路とに信号を供給すると共
に光検出回路からの出力を入力し発光データ書き込み用
駆動回路の制御を行う制御回路とを有することを特徴と
する。
【０００８】発光素子と前記検出素子とは、同一透明基
板上に形成されることを特徴とする。
板上に形成されることを特徴とする。
【０００９】発光素子は、透明基板の上に一体化して形
成される薄膜構成の光検出部と、有機薄膜材料で形成さ
れエレクトロルミネセンス（ＥＬ）素子からなる発光部
と、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）とを有し、光検出部
は、薄膜半導体からなる有感領域と、有感領域の両端に
配置され外部から電圧が印加される薄膜半導体からなる
コンタクト領域とを有し、発光部は、有機ＥＬ層と、有
機ＥＬ層を挟んで形成される不透明電極と透明電極とを
有し、光検出部と透明基板との間に遮光層を有すること
を特徴とする。
成される薄膜構成の光検出部と、有機薄膜材料で形成さ
れエレクトロルミネセンス（ＥＬ）素子からなる発光部
と、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）とを有し、光検出部
は、薄膜半導体からなる有感領域と、有感領域の両端に
配置され外部から電圧が印加される薄膜半導体からなる
コンタクト領域とを有し、発光部は、有機ＥＬ層と、有
機ＥＬ層を挟んで形成される不透明電極と透明電極とを
有し、光検出部と透明基板との間に遮光層を有すること
を特徴とする。
【００１０】検出素子は、透明基板の上に一体化して形
成される薄膜構成の光検出部と、有機薄膜材料で形成さ
れエレクトロルミネセンス（ＥＬ）素子からなる発光部
と、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）とを有し、光検出部
は、薄膜半導体からなる有感領域と、有感領域の両端に
配置され外部から電圧が印加される薄膜半導体からなる
コンタクト領域とを有し、発光部は、有機ＥＬ層と、有
機ＥＬ層を挟んで形成される不透明電極と透明電極とを
有し、光検出部と発光部との間に遮光層を有することを
特徴とする。
成される薄膜構成の光検出部と、有機薄膜材料で形成さ
れエレクトロルミネセンス（ＥＬ）素子からなる発光部
と、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）とを有し、光検出部
は、薄膜半導体からなる有感領域と、有感領域の両端に
配置され外部から電圧が印加される薄膜半導体からなる
コンタクト領域とを有し、発光部は、有機ＥＬ層と、有
機ＥＬ層を挟んで形成される不透明電極と透明電極とを
有し、光検出部と発光部との間に遮光層を有することを
特徴とする。
【００１１】発光素子は、透明基板の上に形成される薄
膜構成の光検出部と、透明電極と、透明電極上に無機材
料で形成される発光部と、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
とを有し、光検出部は、薄膜半導体からなる有感領域
と、有感領域の両端に配置され外部から電圧が印加され
る薄膜半導体からなるコンタクト領域とを有し、光検出
部と透明基板との間に遮光層を有することを特徴とす
る。
膜構成の光検出部と、透明電極と、透明電極上に無機材
料で形成される発光部と、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
とを有し、光検出部は、薄膜半導体からなる有感領域
と、有感領域の両端に配置され外部から電圧が印加され
る薄膜半導体からなるコンタクト領域とを有し、光検出
部と透明基板との間に遮光層を有することを特徴とす
る。
【００１２】検出素子は、透明基板の上に形成される薄
膜構成の光検出部と、透明電極と、透明電極上に無機材
料で形成される発光部と、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
とを有し、光検出部は、薄膜半導体からなる有感領域
と、有感領域の両端に配置され外部から電圧が印加され
る薄膜半導体からなるコンタクト領域とを有し、光検出
部と発光部との間に遮光層を有することを特徴とする。
膜構成の光検出部と、透明電極と、透明電極上に無機材
料で形成される発光部と、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
とを有し、光検出部は、薄膜半導体からなる有感領域
と、有感領域の両端に配置され外部から電圧が印加され
る薄膜半導体からなるコンタクト領域とを有し、光検出
部と発光部との間に遮光層を有することを特徴とする。
【００１３】発光部は、透明電極上にｎ型ＧａＰ基板を
形成し、ｎ型ＧａＰ基板上にｎ型ＡｌＩｎＰ層、ｐ型Ａ
ｌＧａＩｎＰ層、ｐ型ＡｌＩｎＰ層、ｐ型ＧａＰ層を順
次積層した発光ダイオードからなることを特徴とする。
形成し、ｎ型ＧａＰ基板上にｎ型ＡｌＩｎＰ層、ｐ型Ａ
ｌＧａＩｎＰ層、ｐ型ＡｌＩｎＰ層、ｐ型ＧａＰ層を順
次積層した発光ダイオードからなることを特徴とする。
【００１４】制御回路は、行列状に配置された発光素子
を選択して発光素子内の発光部を発光させ任意の発光パ
ターンを形成する制御を行うことを特徴とする。
を選択して発光素子内の発光部を発光させ任意の発光パ
ターンを形成する制御を行うことを特徴とする。
【００１５】制御回路は、発光素子内の発光部からの光
の一部を光検出部で検出することにより発光部の出力の
制御を行うことを特徴とする。
の一部を光検出部で検出することにより発光部の出力の
制御を行うことを特徴とする。
【００１６】発光素子は、発光部からの光の一部を光検
出部で検出し、発光部からの出力光が透明基板を通過
し、外部からの反射光は遮光層により遮蔽され光検出部
には入射されないことを特徴とする。
出部で検出し、発光部からの出力光が透明基板を通過
し、外部からの反射光は遮光層により遮蔽され光検出部
には入射されないことを特徴とする。
【００１７】検出素子は、発光部からの出力光が透明基
板を通過し、外部からの反射光を光検出部で検出するこ
とを特徴とする。
板を通過し、外部からの反射光を光検出部で検出するこ
とを特徴とする。
【００１８】上記光ヘッドを有する画像形成装置である
ことを特徴とする。
ことを特徴とする。
【００１９】
【発明の実施の形態】次に、本発明の光ヘッドの実施の
形態について、図面を参照して説明する。
形態について、図面を参照して説明する。
【００２０】図１は、本発明の光ヘッドの第一の実施の
形態を示す概略構成ブロック図、図２（ａ）は、図１中
の発光素子１００を示す平面図、図２（ｂ）は、図２
（ａ）のＡＡ断面図、図３（ａ）は、図１中の検出素子
１０１を示す平面図、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＢＢ
断面図、図４は、発光素子１００および検出素子１０１
の回路構成の模式図ある。
形態を示す概略構成ブロック図、図２（ａ）は、図１中
の発光素子１００を示す平面図、図２（ｂ）は、図２
（ａ）のＡＡ断面図、図３（ａ）は、図１中の検出素子
１０１を示す平面図、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＢＢ
断面図、図４は、発光素子１００および検出素子１０１
の回路構成の模式図ある。
【００２１】なお、同一構成要素は、同一符号で表示し
ている。
ている。
【００２２】図１を参照すると、本発明の光ヘッド４０
は、行方向と列方向とに二次元に配置された発光素子１
００と、各列方向の発光素子１００に対応して配置され
る一行の検出素子１０１と、行出力線１１１を介して信
号を出力し発光素子１００と検出素子１０１とを駆動す
る行選択用駆動回路１１０と、列出力線１２１を介して
信号を出力し発光素子１００と検出素子１０１とを駆動
する発光データ書き込み用駆動回路１２０と、列出力線
１２１に対応した列入力線１３１を介して発光素子１０
０と検出素子１０１とに接続され発光素子１００と検出
素子１０１との光出力を検出する光検出回路１３０と、
行選択用駆動回路１１０と発光データ書き込み用駆動回
路１２０とに信号を供給すると共に光検出回路１３０か
らの出力を入力し発光データ書き込み用駆動回路１２０
の制御を行う制御回路１４０とから構成されている。
は、行方向と列方向とに二次元に配置された発光素子１
００と、各列方向の発光素子１００に対応して配置され
る一行の検出素子１０１と、行出力線１１１を介して信
号を出力し発光素子１００と検出素子１０１とを駆動す
る行選択用駆動回路１１０と、列出力線１２１を介して
信号を出力し発光素子１００と検出素子１０１とを駆動
する発光データ書き込み用駆動回路１２０と、列出力線
１２１に対応した列入力線１３１を介して発光素子１０
０と検出素子１０１とに接続され発光素子１００と検出
素子１０１との光出力を検出する光検出回路１３０と、
行選択用駆動回路１１０と発光データ書き込み用駆動回
路１２０とに信号を供給すると共に光検出回路１３０か
らの出力を入力し発光データ書き込み用駆動回路１２０
の制御を行う制御回路１４０とから構成されている。
【００２３】図２（ａ）〜（ｂ）を参照すると、発光素
子１００は、透明基板１０の上に一体化して形成される
薄膜構成の光検出部２と、有機薄膜材料で形成されエレ
クトロルミネセンス（ＥＬ）素子からなる発光部１と、
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）３とで構成され、光検出部
２は、ポリシリコンの薄膜半導体層１４からなる光検出
が行われる有感領域１４ａと、有感領域１４ａの両端に
配置され外部から電圧が印加されるリン（Ｐ）の元素を
高濃度で含んだコンタクト領域１４ｂとからなり、発光
部１は、有機ＥＬ層２１と、有機ＥＬ層２１を挟んで形
成される不透明電極２２と、透明電極２０とからなり、
光検出部２と透明基板１０との間に外部からの反射光が
遮蔽され光検出部２には入射されないよう遮光層１１が
設けられ、透明電極２０は、薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）３のソース・ドレイン電極１８と接続される構成と
なっている。
子１００は、透明基板１０の上に一体化して形成される
薄膜構成の光検出部２と、有機薄膜材料で形成されエレ
クトロルミネセンス（ＥＬ）素子からなる発光部１と、
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）３とで構成され、光検出部
２は、ポリシリコンの薄膜半導体層１４からなる光検出
が行われる有感領域１４ａと、有感領域１４ａの両端に
配置され外部から電圧が印加されるリン（Ｐ）の元素を
高濃度で含んだコンタクト領域１４ｂとからなり、発光
部１は、有機ＥＬ層２１と、有機ＥＬ層２１を挟んで形
成される不透明電極２２と、透明電極２０とからなり、
光検出部２と透明基板１０との間に外部からの反射光が
遮蔽され光検出部２には入射されないよう遮光層１１が
設けられ、透明電極２０は、薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）３のソース・ドレイン電極１８と接続される構成と
なっている。
【００２４】図３（ａ）〜（ｂ）を参照すると、検出素
子１０１は、透明基板１０の上に一体化して形成される
薄膜構成の光検出部２と、有機薄膜材料で形成されエレ
クトロルミネセンス（ＥＬ）素子からなる発光部１と、
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）３とで構成され、光検出部
２は、ポリシリコンの薄膜半導体層１４からなる光検出
が行われる有感領域１４ａと、有感領域１４ａの両端に
配置され外部から電圧が印加されるリン（Ｐ）の元素を
高濃度で含んだコンタクト領域１４ｂとからなり、発光
部１は、有機ＥＬ層２１と、有機ＥＬ層２１を挟んで形
成される不透明電極２２と、透明電極２０とからなり、
光検出部２と発光部１との間には発光部１からの出射光
が光検出部２へ入射されるのを遮蔽する遮光層１１ｂが
設けられ、透明電極２０は、薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）３のソース・ドレイン電極１８と接続される構成と
なっている。
子１０１は、透明基板１０の上に一体化して形成される
薄膜構成の光検出部２と、有機薄膜材料で形成されエレ
クトロルミネセンス（ＥＬ）素子からなる発光部１と、
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）３とで構成され、光検出部
２は、ポリシリコンの薄膜半導体層１４からなる光検出
が行われる有感領域１４ａと、有感領域１４ａの両端に
配置され外部から電圧が印加されるリン（Ｐ）の元素を
高濃度で含んだコンタクト領域１４ｂとからなり、発光
部１は、有機ＥＬ層２１と、有機ＥＬ層２１を挟んで形
成される不透明電極２２と、透明電極２０とからなり、
光検出部２と発光部１との間には発光部１からの出射光
が光検出部２へ入射されるのを遮蔽する遮光層１１ｂが
設けられ、透明電極２０は、薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）３のソース・ドレイン電極１８と接続される構成と
なっている。
【００２５】また、上述の発光素子１００および検出素
子１０１は、共に、透明基板１０上に遮光層１１を形成
後に形成されるバリア層１２と、バリア層１２上に薄膜
半導体層１４と分離して形成される薄膜半導体層１３の
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）３のソース・ドレイン領域
１３ｂとチャンネル領域１３ａと、薄膜半導体層１３上
に形成されるゲート絶縁膜１５とゲート電極１６と、層
間絶縁膜１７と、透明絶縁材料で形成される平坦化膜１
９と、封止層２３とを有する構成となっている。
子１０１は、共に、透明基板１０上に遮光層１１を形成
後に形成されるバリア層１２と、バリア層１２上に薄膜
半導体層１４と分離して形成される薄膜半導体層１３の
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）３のソース・ドレイン領域
１３ｂとチャンネル領域１３ａと、薄膜半導体層１３上
に形成されるゲート絶縁膜１５とゲート電極１６と、層
間絶縁膜１７と、透明絶縁材料で形成される平坦化膜１
９と、封止層２３とを有する構成となっている。
【００２６】図４を参照すると、発光部１と光検出部２
とは、共に２端子素子（ダイオード）とみなすことがで
き、それぞれＬＤ、ＰＤの記号を付してある。また、こ
れらＬＤ、ＰＤの一端に接続された薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）３には、それぞれＴｒ１、Ｔｒ３の記号を付
している。更に、Ｔｒ１のゲートをある一定の電位に保
持するための静電容量Ｃｈ、および、この静電容量Ｃｈ
を所望のレベルまで充電するための薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）３からなるＴｒ２がＴｒ１に接続されてお
り、Ｔｒ１、Ｔｒ３のソース・ドレイン電極１８は、一
般には異なる電圧が印加される電源線Ｖｄｄ１、Ｖｄｄ
２に接続される。
とは、共に２端子素子（ダイオード）とみなすことがで
き、それぞれＬＤ、ＰＤの記号を付してある。また、こ
れらＬＤ、ＰＤの一端に接続された薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）３には、それぞれＴｒ１、Ｔｒ３の記号を付
している。更に、Ｔｒ１のゲートをある一定の電位に保
持するための静電容量Ｃｈ、および、この静電容量Ｃｈ
を所望のレベルまで充電するための薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）３からなるＴｒ２がＴｒ１に接続されてお
り、Ｔｒ１、Ｔｒ３のソース・ドレイン電極１８は、一
般には異なる電圧が印加される電源線Ｖｄｄ１、Ｖｄｄ
２に接続される。
【００２７】また、ＰＤには静電容量Ｃｓが並列に接続
されている。そして、Ｔｒ２、Ｔｒ３のゲートは、行選
択用駆動回路１１０の行出力線１１１に接続され、Ｔｒ
２のソース・ドレイン電極１８とＰＤのカソードは、そ
れぞれ発光データ書き込み用の駆動回路１２０の列出力
線１２１と、光検出回路１３０の列入力線１３１に接続
される。
されている。そして、Ｔｒ２、Ｔｒ３のゲートは、行選
択用駆動回路１１０の行出力線１１１に接続され、Ｔｒ
２のソース・ドレイン電極１８とＰＤのカソードは、そ
れぞれ発光データ書き込み用の駆動回路１２０の列出力
線１２１と、光検出回路１３０の列入力線１３１に接続
される。
【００２８】発光素子１００および検出素子１０１の違
いは、発光素子１００が発光のみをおこない内部のＰＤ
を発光強度制御に用いるのに対し、検出素子１０１は出
力光の反射光をＰＤで受けるセンサとして動作するとこ
ろにある。
いは、発光素子１００が発光のみをおこない内部のＰＤ
を発光強度制御に用いるのに対し、検出素子１０１は出
力光の反射光をＰＤで受けるセンサとして動作するとこ
ろにある。
【００２９】図１、図４を参照すると、ある横方向一行
の全ての発光素子１００および検出素子１０１におい
て、トランジスタＴｒ２、トランジスタＴｒ３のゲート
電極１６は、行選択用の駆動回路１１０の対応した行出
力線１１１に接続され、ある縦方向一列の全ての発光素
子１００および検出素子１０１において、トランジスタ
Ｔｒ２のソース・ドレイン電極１８は、発光データ書き
込み用駆動回路１２０の対応した列出力線１２１に接続
され、また、ＰＤ（光検出部２）のカソードは、光検出
回路１３０の対応した列入力線１３１に、それぞれ接続
される。
の全ての発光素子１００および検出素子１０１におい
て、トランジスタＴｒ２、トランジスタＴｒ３のゲート
電極１６は、行選択用の駆動回路１１０の対応した行出
力線１１１に接続され、ある縦方向一列の全ての発光素
子１００および検出素子１０１において、トランジスタ
Ｔｒ２のソース・ドレイン電極１８は、発光データ書き
込み用駆動回路１２０の対応した列出力線１２１に接続
され、また、ＰＤ（光検出部２）のカソードは、光検出
回路１３０の対応した列入力線１３１に、それぞれ接続
される。
【００３０】次に、上述のように構成された光ヘッド４
０の動作について、図面を参照して説明する。
０の動作について、図面を参照して説明する。
【００３１】図１、および図４を参照すると、先ず、全
ての発光素子１００の静電容量Ｃｈに、それぞれ所望の
電圧データを設定する。
ての発光素子１００の静電容量Ｃｈに、それぞれ所望の
電圧データを設定する。
【００３２】これは、行選択用駆動回路１１０により行
出力線１１１に信号を出し、一行毎に各発光素子１００
のＴｒ２を導通状態にして、発光データ書き込み用駆動
回路１２０に所望の電圧値を設定し、対応するＣｈを充
放電することにより実現される。
出力線１１１に信号を出し、一行毎に各発光素子１００
のＴｒ２を導通状態にして、発光データ書き込み用駆動
回路１２０に所望の電圧値を設定し、対応するＣｈを充
放電することにより実現される。
【００３３】また、このとき同時に、各発光素子の静電
容量Ｃｓに、Ｔｒ３を通して電源線Ｖｄｄ２から一定の
初期電圧が書き込まれる。
容量Ｃｓに、Ｔｒ３を通して電源線Ｖｄｄ２から一定の
初期電圧が書き込まれる。
【００３４】各発光素子１００の静電容量Ｃｈに所望の
電圧が書き込まれると、Ｔｒ１が導通され、各発光素子
１００のＬＤ（発光部１）にそれぞれに所望の電流が供
給され、図２に矢印で示すように、有機ＥＬ層２１から
透明基板１０の方向へ光が発せられ、発せられた光の一
部は透明基板１０を透過して出射される。
電圧が書き込まれると、Ｔｒ１が導通され、各発光素子
１００のＬＤ（発光部１）にそれぞれに所望の電流が供
給され、図２に矢印で示すように、有機ＥＬ層２１から
透明基板１０の方向へ光が発せられ、発せられた光の一
部は透明基板１０を透過して出射される。
【００３５】このようにして行、列の各発光素子１００
を選択的に発光させることで、任意の発光パターンを得
ることができ、画像形成装置５０の光ヘッド４０として
機能する。
を選択的に発光させることで、任意の発光パターンを得
ることができ、画像形成装置５０の光ヘッド４０として
機能する。
【００３６】そして、有機ＥＬ層２１から発せられた一
部の光は、ＰＤ（光検出部２）の有感領域１４ａにも入
射し、この有感領域１４ａにおいては入射された光によ
って電子−正孔ペアが生成され、これによりこの領域の
電気伝導度が変化し、その変化に応じて静電容量Ｃｓに
蓄えられた電荷がＰＤ（光検出部２）を通して放電す
る。
部の光は、ＰＤ（光検出部２）の有感領域１４ａにも入
射し、この有感領域１４ａにおいては入射された光によ
って電子−正孔ペアが生成され、これによりこの領域の
電気伝導度が変化し、その変化に応じて静電容量Ｃｓに
蓄えられた電荷がＰＤ（光検出部２）を通して放電す
る。
【００３７】従って、次にこの発光素子１００のＣｓを
充電するときに、外部から流れ込む電流を検出回路１３
０により検出することにより、ＬＤ（発光部１）の発光
量を知ることができ、各発光素子１００のＰＤ（光検出
部２）の出力に応じて、各発光素子１００の静電容量Ｃ
ｈに書き込む電圧を補正することにより、各発光素子１
００のＬＤ（発光部１）の出力を制御できる。
充電するときに、外部から流れ込む電流を検出回路１３
０により検出することにより、ＬＤ（発光部１）の発光
量を知ることができ、各発光素子１００のＰＤ（光検出
部２）の出力に応じて、各発光素子１００の静電容量Ｃ
ｈに書き込む電圧を補正することにより、各発光素子１
００のＬＤ（発光部１）の出力を制御できる。
【００３８】また、検出素子１０１も発光素子１００と
同様に任意の発光パターンを得ることができ、全ての検
出素子１０１のＬＤ（発光部１）を発光させると、その
検出素子１０１から外部に出力した光のうち反射して戻
ってきた光をＰＤ（光検出部２）で検知することで、ラ
インイメージセンサとして機能する。
同様に任意の発光パターンを得ることができ、全ての検
出素子１０１のＬＤ（発光部１）を発光させると、その
検出素子１０１から外部に出力した光のうち反射して戻
ってきた光をＰＤ（光検出部２）で検知することで、ラ
インイメージセンサとして機能する。
【００３９】上述の発光素子１００と検出素子１０１と
に結像光学系（図示せず）を組み合わせて、ラインイメ
ージセンサ機能を備えた光ヘッド４０として動作させる
ことができる。
に結像光学系（図示せず）を組み合わせて、ラインイメ
ージセンサ機能を備えた光ヘッド４０として動作させる
ことができる。
【００４０】次に、本発明の光ヘッドの第二の実施の形
態について、図面を参照して説明する。
態について、図面を参照して説明する。
【００４１】図５、図６は、各々、本発明の光ヘッドの
発光素子、検出素子の第二の実施の形態を示す断面図で
ある。
発光素子、検出素子の第二の実施の形態を示す断面図で
ある。
【００４２】なお、図２、図３に示す発光素子１００と
検出素子１０１の同一構成要素に関しては、同一符号で
表示している。
検出素子１０１の同一構成要素に関しては、同一符号で
表示している。
【００４３】第一の実施の形態では、光ヘッド４０の発
光素子１００および検出素子１０１の発光部１は、有機
薄膜材料で形成されるエレクトロルミネセンス（ＥＬ）
素子で形成されているのに対し、第二の実施の形態で
は、発光部４を無機材料で形成される発光ダイオードと
している点が異なるのみであり、発光素子１０３と検出
素子１０４について重点的に説明する。
光素子１００および検出素子１０１の発光部１は、有機
薄膜材料で形成されるエレクトロルミネセンス（ＥＬ）
素子で形成されているのに対し、第二の実施の形態で
は、発光部４を無機材料で形成される発光ダイオードと
している点が異なるのみであり、発光素子１０３と検出
素子１０４について重点的に説明する。
【００４４】図５を参照すると、発光素子１０３は、透
明基板１０の上に一体化して形成される薄膜構成の光検
出部２と、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）３と、無機材料
で形成される発光ダイオードからなる発光部４とで構成
され、光検出部２は、ポリシリコンの薄膜半導体層１４
からなる光検出が行われる有感領域１４ａと、有感領域
１４ａの両端に配置され外部から電圧が印加されるリン
（Ｐ）の元素を高濃度で含んだコンタクト領域１４ｂと
からなり、発光部４は、透明電極（陰極）２０上にｎ型
ＧａＰ基板８１を形成し、ｎ型ＧａＰ基板８１上にｎ型
ＡｌＩｎＰ層８２、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層８３、ｐ型Ａ
ｌＩｎＰ層８４、ｐ型ＧａＰ層８５を順次積層した発光
ダイオードと、発光ダイオード上面に接続されるボンデ
ィングワイヤ（陽極）８６とで構成され、光検出部２と
透明基板１０との間に外部からの反射光が遮蔽され光検
出部２には入射されないよう遮光層１１が設けられ、透
明電極２０は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）３のソース
・ドレイン電極１８と接続される構成となっている。
明基板１０の上に一体化して形成される薄膜構成の光検
出部２と、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）３と、無機材料
で形成される発光ダイオードからなる発光部４とで構成
され、光検出部２は、ポリシリコンの薄膜半導体層１４
からなる光検出が行われる有感領域１４ａと、有感領域
１４ａの両端に配置され外部から電圧が印加されるリン
（Ｐ）の元素を高濃度で含んだコンタクト領域１４ｂと
からなり、発光部４は、透明電極（陰極）２０上にｎ型
ＧａＰ基板８１を形成し、ｎ型ＧａＰ基板８１上にｎ型
ＡｌＩｎＰ層８２、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層８３、ｐ型Ａ
ｌＩｎＰ層８４、ｐ型ＧａＰ層８５を順次積層した発光
ダイオードと、発光ダイオード上面に接続されるボンデ
ィングワイヤ（陽極）８６とで構成され、光検出部２と
透明基板１０との間に外部からの反射光が遮蔽され光検
出部２には入射されないよう遮光層１１が設けられ、透
明電極２０は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）３のソース
・ドレイン電極１８と接続される構成となっている。
【００４５】図６を参照すると、検出素子１０４は、透
明基板１０の上に一体化して形成される薄膜構成の光検
出部２と、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）３と、無機材料
で形成される発光ダイオードからなる発光部４とで構成
され、光検出部２は、ポリシリコンの薄膜半導体層１４
からなる光検出が行われる有感領域１４ａと、有感領域
１４ａの両端に配置され外部から電圧が印加されるリン
（Ｐ）の元素を高濃度で含んだコンタクト領域１４ｂと
からなり、発光部４は、透明電極（陰極）２０上にｎ型
ＧａＰ基板８１を形成し、ｎ型ＧａＰ基板８１上にｎ型
ＡｌＩｎＰ層８２、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層８３、ｐ型Ａ
ｌＩｎＰ層８４、ｐ型ＧａＰ層８５を順次積層した発光
ダイオードと、発光ダイオード上面に接続されるボンデ
ィングワイヤ（陽極）８６とで構成され、光検出部２と
発光部４との間には発光部４からの出射光が光検出部２
へ直接入射されるのを遮蔽する遮光層１１ｂが設けら
れ、透明電極２０は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）３の
ソース・ドレイン電極１８と接続される構成となってい
る。
明基板１０の上に一体化して形成される薄膜構成の光検
出部２と、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）３と、無機材料
で形成される発光ダイオードからなる発光部４とで構成
され、光検出部２は、ポリシリコンの薄膜半導体層１４
からなる光検出が行われる有感領域１４ａと、有感領域
１４ａの両端に配置され外部から電圧が印加されるリン
（Ｐ）の元素を高濃度で含んだコンタクト領域１４ｂと
からなり、発光部４は、透明電極（陰極）２０上にｎ型
ＧａＰ基板８１を形成し、ｎ型ＧａＰ基板８１上にｎ型
ＡｌＩｎＰ層８２、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層８３、ｐ型Ａ
ｌＩｎＰ層８４、ｐ型ＧａＰ層８５を順次積層した発光
ダイオードと、発光ダイオード上面に接続されるボンデ
ィングワイヤ（陽極）８６とで構成され、光検出部２と
発光部４との間には発光部４からの出射光が光検出部２
へ直接入射されるのを遮蔽する遮光層１１ｂが設けら
れ、透明電極２０は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）３の
ソース・ドレイン電極１８と接続される構成となってい
る。
【００４６】上述の発光素子１０３、検出素子１０４を
用いた第二の実施の形態の光ヘッドの動作については、
第一の実施の形態の光ヘッド４０の動作と同一故、説明
を省略する。
用いた第二の実施の形態の光ヘッドの動作については、
第一の実施の形態の光ヘッド４０の動作と同一故、説明
を省略する。
【００４７】次に、本発明の光ヘッドの第三の実施の形
態について、図面を参照して説明する。
態について、図面を参照して説明する。
【００４８】図７は、本発明の光ヘッドの第三の実施の
形態を示す概略構成ブロック図、図８は、発光素子１０
６および検出素子１０７の回路構成の模式図ある。
形態を示す概略構成ブロック図、図８は、発光素子１０
６および検出素子１０７の回路構成の模式図ある。
【００４９】なお、図１、図４に示す第一の実施の形態
の光ヘッド４０と同一構成要素に関しては、同一符号で
表示している。
の光ヘッド４０と同一構成要素に関しては、同一符号で
表示している。
【００５０】図７、および図８を参照すると、第三の実
施の形態の光ヘッド４１は、行方向と列方向とに二次元
に配置された画素内の発光素子１０６と、各画素列の発
光素子１０６に対応して配置される一行の検出素子１０
７を配置している構成は、第一の実施の形態と同じであ
るが、第一の実施の形態の光ヘッド４０の発光素子１０
０から光検出部２を削除し、且つ、検出素子１０１から
発光部１を削除して各々形成された発光素子１０６、検
出素子１０７の構成となっている点が異なっている。
施の形態の光ヘッド４１は、行方向と列方向とに二次元
に配置された画素内の発光素子１０６と、各画素列の発
光素子１０６に対応して配置される一行の検出素子１０
７を配置している構成は、第一の実施の形態と同じであ
るが、第一の実施の形態の光ヘッド４０の発光素子１０
０から光検出部２を削除し、且つ、検出素子１０１から
発光部１を削除して各々形成された発光素子１０６、検
出素子１０７の構成となっている点が異なっている。
【００５１】これは、発光素子１０６、検出素子１０７
の製造工程上での制限などにより、光検出部２と発光部
１とを近接して構成できない場合の有効な手段となる。
の製造工程上での制限などにより、光検出部２と発光部
１とを近接して構成できない場合の有効な手段となる。
【００５２】なお、第三の実施の形態の光ヘッド４１の
詳細な説明は、ここでは省略する。
詳細な説明は、ここでは省略する。
【００５３】次に、本発明の光ヘッド４０を用いた画像
形成装置の第一の実施の形態について、図面を参照して
説明する。
形成装置の第一の実施の形態について、図面を参照して
説明する。
【００５４】図９は、本発明の画像形成装置５０の第一
の実施の形態を示す概略構成図である。
の実施の形態を示す概略構成図である。
【００５５】図９を参照すると、本発明の画像形成装置
５０は、画像が書き込まれる感光体ベルト６０と、感光
体ベルト６０の表面を一様に帯電する帯電器６２と、感
光体ベルト６０の表面を露光して各色の静電潜像を書き
込む第一光ヘッド４０ー１、第二光ヘッド４０ー２、第
三光ヘッド４０ー３、第四光ヘッド４０ー４と、書き込
まれた各色の静電潜像を現像して感光体ベルト６０の表
面にトナー像を形成する第一現像器７４ー１、第二現像
器７４ー２、第三現像器７４ー３、第四現像器７４ー４
と、現像された画像を用紙６５に転写して定着する転写
定着部６３と、感光体ベルト６０表面に残留する電荷を
除去する除電器６１と、用紙６５が蓄えられる給紙ユニ
ット６６と、給紙ユニット６６より用紙６５をピックす
るピックローラ６７と、ピックした用紙６５を搬送する
搬送ローラ６８とから構成されている。
５０は、画像が書き込まれる感光体ベルト６０と、感光
体ベルト６０の表面を一様に帯電する帯電器６２と、感
光体ベルト６０の表面を露光して各色の静電潜像を書き
込む第一光ヘッド４０ー１、第二光ヘッド４０ー２、第
三光ヘッド４０ー３、第四光ヘッド４０ー４と、書き込
まれた各色の静電潜像を現像して感光体ベルト６０の表
面にトナー像を形成する第一現像器７４ー１、第二現像
器７４ー２、第三現像器７４ー３、第四現像器７４ー４
と、現像された画像を用紙６５に転写して定着する転写
定着部６３と、感光体ベルト６０表面に残留する電荷を
除去する除電器６１と、用紙６５が蓄えられる給紙ユニ
ット６６と、給紙ユニット６６より用紙６５をピックす
るピックローラ６７と、ピックした用紙６５を搬送する
搬送ローラ６８とから構成されている。
【００５６】このように構成された画像形成装置５０の
動作について、図９を参照して以下に説明する。
動作について、図９を参照して以下に説明する。
【００５７】上位装置（図示せず）から画像形成装置５
０内の装置制御部（図示せず）に対して、印字要求が送
られたとき、装置制御部は、各色の第一光ヘッド４０ー
１、第二光ヘッド４０ー２、第三光ヘッド４０ー３、第
四光ヘッド４０ー４を起動し感光体ベルト６０を回転さ
せ、帯電器６２と除電器６１とを動作オン状態にする。
０内の装置制御部（図示せず）に対して、印字要求が送
られたとき、装置制御部は、各色の第一光ヘッド４０ー
１、第二光ヘッド４０ー２、第三光ヘッド４０ー３、第
四光ヘッド４０ー４を起動し感光体ベルト６０を回転さ
せ、帯電器６２と除電器６１とを動作オン状態にする。
【００５８】光ヘッド４０の起動が完了し印字可能状態
になったとき、上位装置は、各色の画像データを流し、
光ヘッド４０により感光体ベルト６０に静電潜像の書き
込みを開始する。
になったとき、上位装置は、各色の画像データを流し、
光ヘッド４０により感光体ベルト６０に静電潜像の書き
込みを開始する。
【００５９】第一光ヘッド４０ー１、第二光ヘッド４０
ー２、第三光ヘッド４０ー３、第四光ヘッド４０ー４に
より書き込まれた静電潜像は、各々、第一現像器７４ー
１、第二現像器７４ー２、第三現像器７４ー３、第四現
像器７４ー４により現像され、更に、搬送ローラ６８に
より給紙ユニット６６から搬送されてきた用紙６５に転
写定着部６３で転写定着が行われる。
ー２、第三光ヘッド４０ー３、第四光ヘッド４０ー４に
より書き込まれた静電潜像は、各々、第一現像器７４ー
１、第二現像器７４ー２、第三現像器７４ー３、第四現
像器７４ー４により現像され、更に、搬送ローラ６８に
より給紙ユニット６６から搬送されてきた用紙６５に転
写定着部６３で転写定着が行われる。
【００６０】次に、画像形成装置５０の印字位置ずれが
検出されたときの動作について、図９、および図１を参
照して説明する。
検出されたときの動作について、図９、および図１を参
照して説明する。
【００６１】第一光ヘッド４０ー１により所定のパター
ンを感光体６０上に露光し静電潜像形成の後、第一現像
器７４−１で現像する。
ンを感光体６０上に露光し静電潜像形成の後、第一現像
器７４−１で現像する。
【００６２】その所定のパターンを第二光ヘッド４０ー
２、第三光ヘッド４０ー３、第四光ヘッド４０ー４内部
の検出素子１０１で順次検出する。
２、第三光ヘッド４０ー３、第四光ヘッド４０ー４内部
の検出素子１０１で順次検出する。
【００６３】この際、第二現像器７４ー２、第三現像器
７４ー３、第四現像器７４ー４による現像はおこなわな
い。
７４ー３、第四現像器７４ー４による現像はおこなわな
い。
【００６４】第二光ヘッド４０ー２、第三光ヘッド４０
ー３、第四光ヘッド４０ー４の各々の検出素子１０１の
光検出部２で検出したパターンの位置および検出タイミ
ングから、第一光ヘッド４０ー１の発光素子１００の位
置に対する第二光ヘッド４０ー２、第三光ヘッド４０ー
３、第四光ヘッド４０ー４の発光素子１００のの相対的
位置を制御回路１４０内の演算回路（図示せず）で算出
し、設計値からのずれを求め、このずれ量を制御回路１
４０により補正制御を行い、通常印字を行う。
ー３、第四光ヘッド４０ー４の各々の検出素子１０１の
光検出部２で検出したパターンの位置および検出タイミ
ングから、第一光ヘッド４０ー１の発光素子１００の位
置に対する第二光ヘッド４０ー２、第三光ヘッド４０ー
３、第四光ヘッド４０ー４の発光素子１００のの相対的
位置を制御回路１４０内の演算回路（図示せず）で算出
し、設計値からのずれを求め、このずれ量を制御回路１
４０により補正制御を行い、通常印字を行う。
【００６５】例えば、発光データ書き込み用駆動回路１
２０に書き込む発光データをずれ量を相殺するような順
序に制御回路１４０から設定し、これにより印字位置ず
れの無い高品質画像を得ることができるが、上述のずれ
量と補正制御との具体例について、以下に説明する。
２０に書き込む発光データをずれ量を相殺するような順
序に制御回路１４０から設定し、これにより印字位置ず
れの無い高品質画像を得ることができるが、上述のずれ
量と補正制御との具体例について、以下に説明する。
【００６６】図１の光ヘッド４０を構成する発光素子１
００、検出素子１０１の図９の画像形成装置５０内での
位置関係は、感光体ベルト６０の走行方向を行方向、走
行方向に直行する方向を列方向とし、発光素子１００
は、ｎ行ｍ列に配列され、また検出素子１０１は、発光
素子１００の第ｎ行に隣接して１行ｍ列に配列される構
成とする（但し、ｎ、ｍは正の整数）。
００、検出素子１０１の図９の画像形成装置５０内での
位置関係は、感光体ベルト６０の走行方向を行方向、走
行方向に直行する方向を列方向とし、発光素子１００
は、ｎ行ｍ列に配列され、また検出素子１０１は、発光
素子１００の第ｎ行に隣接して１行ｍ列に配列される構
成とする（但し、ｎ、ｍは正の整数）。
【００６７】これらの素子のうち、任意の発光素子１０
０を第ｉ行ｊ列発光素子１００と記述し、第ｉ行ｊ列発
光素子１００と同列に位置する検出素子１０１を第ｊ列
検出素子１０１と記述する。
０を第ｉ行ｊ列発光素子１００と記述し、第ｉ行ｊ列発
光素子１００と同列に位置する検出素子１０１を第ｊ列
検出素子１０１と記述する。
【００６８】まず、印字位置ずれを計測する手順は、所
定の時刻を基準とし、第一光ヘッド４０ー１で、印字位
置ずれを計測するための所定のパターンに応じて発光素
子１００を点灯させ、感光体ベルト６０上に潜像を形成
し第一現像器７４ー１で現像した後、第二光ヘッド４０
ー２〜第四光ヘッド４０ー４の検出素子１０１で検知す
る。
定の時刻を基準とし、第一光ヘッド４０ー１で、印字位
置ずれを計測するための所定のパターンに応じて発光素
子１００を点灯させ、感光体ベルト６０上に潜像を形成
し第一現像器７４ー１で現像した後、第二光ヘッド４０
ー２〜第四光ヘッド４０ー４の検出素子１０１で検知す
る。
【００６９】このとき、例えば期待値として第二光ヘッ
ド４０ー２で所定のパターンの特定の画素を検知するの
が、第ｊ２列検出素子１０１で検出時刻が基準時刻から
ｔ２後である場合、実際の検知が第ｊ２＋ｊ２’列検出
素子１０１で検出時刻がｔ２＋ｔ２’後であったとす
る。
ド４０ー２で所定のパターンの特定の画素を検知するの
が、第ｊ２列検出素子１０１で検出時刻が基準時刻から
ｔ２後である場合、実際の検知が第ｊ２＋ｊ２’列検出
素子１０１で検出時刻がｔ２＋ｔ２’後であったとす
る。
【００７０】同様に、第三光ヘッド４０ー３では、期待
値として第ｊ３列検出素子１０１で基準時刻からｔ３後
であるのに対し、実際の検知は第ｊ３＋ｊ３’列検出素
子１０１でｔ３＋ｔ３後、第四光ヘッド４０ー４では、
期待値が第ｊ４列検出素子１０１でｔ４後に対し、実際
は第ｊ４＋ｊ４’列検出素子１０１でｔ４＋ｔ４’後で
あったとする。
値として第ｊ３列検出素子１０１で基準時刻からｔ３後
であるのに対し、実際の検知は第ｊ３＋ｊ３’列検出素
子１０１でｔ３＋ｔ３後、第四光ヘッド４０ー４では、
期待値が第ｊ４列検出素子１０１でｔ４後に対し、実際
は第ｊ４＋ｊ４’列検出素子１０１でｔ４＋ｔ４’後で
あったとする。
【００７１】すると、第二光ヘッド４０ー２のずれ量
は、感光体ベルト６０走行方向に直交する方向に対して
は、画素にしてｊ２’画素であり、感光体ベルト６０走
行方向に対しては、時間にしてｔ２’である。
は、感光体ベルト６０走行方向に直交する方向に対して
は、画素にしてｊ２’画素であり、感光体ベルト６０走
行方向に対しては、時間にしてｔ２’である。
【００７２】同様に、第三光ヘッド４０ー３は、ｊ３’
画素およびｔ３’時間、第四光ヘッド４０ー４は、ｊ
４’画素およびｔ４’時間だけ各々ずれていることにな
る。
画素およびｔ３’時間、第四光ヘッド４０ー４は、ｊ
４’画素およびｔ４’時間だけ各々ずれていることにな
る。
【００７３】従って、通常の印字時には、このずれ量を
補正するために第二光ヘッド４０ー２〜第四光ヘッド４
０ー４では、露光開始時刻を各々ｔ２’、ｔ３’、 ｔ
４’だけ遅くし、列方向に各々ｊ２’、ｊ３’、ｊ４’
だけシフトした発光素子１００で露光する。
補正するために第二光ヘッド４０ー２〜第四光ヘッド４
０ー４では、露光開始時刻を各々ｔ２’、ｔ３’、 ｔ
４’だけ遅くし、列方向に各々ｊ２’、ｊ３’、ｊ４’
だけシフトした発光素子１００で露光する。
【００７４】次に、本発明の光ヘッドの第三の実施の形
態の光ヘッド４１を用いた画像形成装置の第二の実施の
形態について、図面を参照して説明する。
態の光ヘッド４１を用いた画像形成装置の第二の実施の
形態について、図面を参照して説明する。
【００７５】図１０は、第二の実施の形態の画像形成装
置５１を示す概略構成図である。
置５１を示す概略構成図である。
【００７６】なお、図９に示す第一の実施の形態の画像
形成装置５０と同一構成要素は同一符号で表示してい
る。
形成装置５０と同一構成要素は同一符号で表示してい
る。
【００７７】第二の実施の形態の画像形成装置５１は、
第一の実施の形態の光ヘッド４０の発光素子１００から
光検出部２を削除し、且つ、検出素子１０１から発光部
１を削除して各々形成された発光素子１０６、検出素子
１０７の構成とした既述の第三の実施の形態の光ヘッド
４１を使用し、第一光ヘッド４１ー１を除く第二光ヘッ
ド４１ー２、第三光ヘッド４１ー３、第四光ヘッド４１
ー４に各々第二光源５５ー２、第三光源５５ー３、第四
光源５５ー４を設けている点のみが、第一の実施の形態
の画像形成装置５１と異なっている。
第一の実施の形態の光ヘッド４０の発光素子１００から
光検出部２を削除し、且つ、検出素子１０１から発光部
１を削除して各々形成された発光素子１０６、検出素子
１０７の構成とした既述の第三の実施の形態の光ヘッド
４１を使用し、第一光ヘッド４１ー１を除く第二光ヘッ
ド４１ー２、第三光ヘッド４１ー３、第四光ヘッド４１
ー４に各々第二光源５５ー２、第三光源５５ー３、第四
光源５５ー４を設けている点のみが、第一の実施の形態
の画像形成装置５１と異なっている。
【００７８】画像形成装置５１は、光ヘッド４１の検出
素子１０７に発光部１が無いため、印字位置ずれ検出時
にのみ、発光部１の代わりに第二光源５５ー２、第三光
源５５ー３、第四光源５５ー４を点灯させ、制御回路１
４０により印字位置ずれの補正を行うものであり、他の
動作は、画像形成装置５０と同じであり、詳細な説明を
省略する。
素子１０７に発光部１が無いため、印字位置ずれ検出時
にのみ、発光部１の代わりに第二光源５５ー２、第三光
源５５ー３、第四光源５５ー４を点灯させ、制御回路１
４０により印字位置ずれの補正を行うものであり、他の
動作は、画像形成装置５０と同じであり、詳細な説明を
省略する。
【００７９】
【発明の効果】以上説明したように、ラインイメージセ
ンサ機能と露光機能とを一体化した光ヘッドとすること
で、印字位置ずれを検出して補正することができ、低コ
ストで高精度の印字位置ずれの無い高品質画像の画像形
成装置を提供することができるという効果がある。
ンサ機能と露光機能とを一体化した光ヘッドとすること
で、印字位置ずれを検出して補正することができ、低コ
ストで高精度の印字位置ずれの無い高品質画像の画像形
成装置を提供することができるという効果がある。
【図１】本発明の光ヘッドの第一の実施の形態を示す概
略構成ブロック図である。
略構成ブロック図である。
【図２】図２（ａ）は、図１中の発光素子を示す平面
図、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡＡ断面図である。
図、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡＡ断面図である。
【図３】図３（ａ）は、図１中の検出素子を示す平面
図、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＢＢ断面図である。
図、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＢＢ断面図である。
【図４】本発明の光ヘッドの第一の実施の形態の発光素
子および検出素子の回路構成の模式図ある。
子および検出素子の回路構成の模式図ある。
【図５】本発明の光ヘッドの第二の実施の形態を示す発
光素子の断面図である。
光素子の断面図である。
【図６】本発明の光ヘッドの第二の実施の形態を示す検
出素子の断面図である。
出素子の断面図である。
【図７】本発明の光ヘッドの第三の実施の形態を示す概
略構成ブロック図である。
略構成ブロック図である。
【図８】本発明の光ヘッドの第三の実施の形態の発光素
子および検出素子の回路構成の模式図ある。
子および検出素子の回路構成の模式図ある。
【図９】本発明の画像形成装置の第一の実施の形態を示
す概略構成図である。
す概略構成図である。
【図１０】本発明の画像形成装置の第二の実施の形態を
示す概略構成図である。
示す概略構成図である。
１、４ 発光部 ２ 光検出部 ３ 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ） １０ 透明基板 １１、１１ｂ 遮光層 １２ バリア層 １３、１４ 薄膜半導体層 １３ａ チャンネル領域 １３ｂ ソース・ドレイン領域 １４ａ 有感領域 １４ｂ コンタクト領域 １５ ゲート絶縁膜 １６ ゲート電極 １７ 層間絶縁膜 １８ ソース・ドレイン電極 １９ 平坦化膜 ２０ 透明電極 ２１ 有機ＥＬ層 ２２ 不透明電極 ２３ 封止層 ４０、４１ 光ヘッド ４０ー１、４１ー１ 第一光ヘッド ４０ー２、４１ー２ 第二光ヘッド ４０ー３、４１ー３ 第三光ヘッド ４０ー４、４１ー４ 第四光ヘッド ５０、５１ 画像形成装置 ５５ー２ 第二光源 ５５ー３ 第三光源 ５５ー４ 第四光源 ６０ 感光体ベルト ６１ 除電器 ６２ 帯電器 ６３ 転写定着部 ６５ 用紙 ６６ 給紙ユニット ６７ ピックローラ ６８ 搬送ローラ ７４ー１ 第一現像器 ７４ー２ 第二現像器 ７４ー３ 第三現像器 ７４ー４ 第四現像器 ８１ ｎ型ＧａＰ基板 ８２ ｎ型ＡｌＩｎＰ層 ８３ ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層 ８４ ｐ型ＡｌＩｎＰ層 ８５ ｐ型ＧａＰ層 ８６ ボンディングワイヤ（陽極） １００、１０３ 発光素子 １０１、１０４ 検出素子 １０６ 発光素子 １０７ 検出素子 １１０ 行選択用駆動回路 １１１ 行出力線 １２０ 発光データ書き込み用駆動回路 １２１ 列出力線 １３０ 光検出回路 １３１ 列入力線 １４０ 制御回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０４Ｎ 1/036
Claims (12)
- 【請求項１】 行方向と列方向とに二次元に配置された
発光素子と、前記発光素子の各列に対応して配置される
一行の検出素子と、行出力線を介して信号を出力し前記
発光素子と前記検出素子とを駆動する行選択用駆動回路
と、列出力線を介して信号を出力し前記発光素子と前記
検出素子とを駆動する発光データ書き込み用駆動回路
と、前記列出力線に対応した列入力線を介して前記発光
素子と前記検出素子とに接続され前記発光素子と前記検
出素子との光出力を検出する光検出回路と、前記行選択
用駆動回路と前記発光データ書き込み用駆動回路とに信
号を供給すると共に前記光検出回路からの出力を入力し
前記発光データ書き込み用駆動回路の制御を行う制御回
路とを有することを特徴とする光ヘッド。 - 【請求項２】 前記発光素子と前記検出素子とは、同一
透明基板上に形成されることを特徴とする請求項１記載
の光ヘッド。 - 【請求項３】 前記発光素子は、前記透明基板の上に一
体化して形成される薄膜構成の光検出部と、有機薄膜材
料で形成されエレクトロルミネセンス（ＥＬ）素子から
なる発光部と、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）とを有し、
前記光検出部は、薄膜半導体からなる有感領域と、前記
有感領域の両端に配置され外部から電圧が印加される薄
膜半導体からなるコンタクト領域とを有し、前記発光部
は、有機ＥＬ層と、前記有機ＥＬ層を挟んで形成される
不透明電極と透明電極とを有し、前記光検出部と前記透
明基板との間に遮光層を有することを特徴とする請求項
１記載の光ヘッド。 - 【請求項４】 前記検出素子は、前記透明基板の上に一
体化して形成される薄膜構成の光検出部と、有機薄膜材
料で形成されエレクトロルミネセンス（ＥＬ）素子から
なる発光部と、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）とを有し、
前記光検出部は、薄膜半導体からなる有感領域と、前記
有感領域の両端に配置され外部から電圧が印加される薄
膜半導体からなるコンタクト領域とを有し、前記発光部
は、有機ＥＬ層と、前記有機ＥＬ層を挟んで形成される
不透明電極と透明電極とを有し、前記光検出部と前記発
光部との間に遮光層を有することを特徴とする請求項１
記載の光ヘッド。 - 【請求項５】 前記発光素子は、前記透明基板の上に形
成される薄膜構成の光検出部と、透明電極と、前記透明
電極上に無機材料で形成される発光部と、薄膜トランジ
スタ（ＴＦＴ）とを有し、前記光検出部は、薄膜半導体
からなる有感領域と、前記有感領域の両端に配置され外
部から電圧が印加される薄膜半導体からなるコンタクト
領域とを有し、前記光検出部と前記透明基板との間に遮
光層を有することを特徴とする請求項１記載の光ヘッ
ド。 - 【請求項６】 前記検出素子は、前記透明基板の上に形
成される薄膜構成の光検出部と、透明電極と、前記透明
電極上に無機材料で形成される発光部と、薄膜トランジ
スタ（ＴＦＴ）とを有し、前記光検出部は、薄膜半導体
からなる有感領域と、前記有感領域の両端に配置され外
部から電圧が印加される薄膜半導体からなるコンタクト
領域とを有し、前記光検出部と前記発光部との間に遮光
層を有することを特徴とする請求項１記載の光ヘッド。 - 【請求項７】 前記発光部は、前記透明電極上にｎ型Ｇ
ａＰ基板を形成し、前記ｎ型ＧａＰ基板上にｎ型ＡｌＩ
ｎＰ層、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層、ｐ型ＡｌＩｎＰ層、ｐ
型ＧａＰ層を順次積層した発光ダイオードからなること
を特徴とする請求項５または６記載の記載の光ヘッド。 - 【請求項８】 前記制御回路は、行列状に配置された前
記発光素子を選択して前記発光素子内の前記発光部を発
光させ任意の発光パターンを形成する制御を行うことを
特徴とする請求項１記載の光ヘッド。 - 【請求項９】 前記制御回路は、前記発光素子内の前記
発光部からの光の一部を前記光検出部で検出することに
より前記発光部の出力の制御を行うことを特徴とする請
求項１記載の光ヘッド。 - 【請求項１０】 前記発光素子は、前記発光部からの光
の一部を前記光検出部で検出し、前記発光部からの出力
光が前記透明基板を通過し、外部からの反射光は前記遮
光層により遮蔽され前記光検出部には入射されないこと
を特徴とする請求項１、３、５の何れか１項記載の光ヘ
ッド。 - 【請求項１１】 前記検出素子は、前記発光部からの出
力光が前記透明基板を通過し、外部からの反射光を前記
光検出部で検出することを特徴とする請求項１、４、６
の何れか１項記載の光ヘッド。 - 【請求項１２】 請求項１乃至１１の何れか１項記載の
光ヘッドを有する画像形成装置。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000380592A JP3501121B2 (ja) | 2000-12-14 | 2000-12-14 | 光ヘッドおよびそれを用いた画像形成装置 |
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| JP2000380592A JP3501121B2 (ja) | 2000-12-14 | 2000-12-14 | 光ヘッドおよびそれを用いた画像形成装置 |
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|---|---|
| JP2002178560A true JP2002178560A (ja) | 2002-06-26 |
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003207965A (ja) * | 2002-01-16 | 2003-07-25 | Seiko Epson Corp | 画像形成装置 |
| WO2004008736A1 (en) * | 2002-07-10 | 2004-01-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display apparatus and image reading/displaying system incorporating the same |
| JP2006227420A (ja) * | 2005-02-18 | 2006-08-31 | Fuji Xerox Co Ltd | 画像形成装置 |
| US7504616B2 (en) | 2006-04-10 | 2009-03-17 | Panasonic Corporation | Exposure device and image forming apparatus using the same |
| US7902559B2 (en) | 2007-12-03 | 2011-03-08 | Seiko Epson Corporation | Light emitting device and electronic apparatus |
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| EP2505600B1 (en) | 2009-11-26 | 2018-08-22 | Dainichiseika Color & Chemicals Mfg. Co., Ltd. | Polysiloxane-modified polyhydroxy polyurethane resin, method for producing same, heat-sensitive recording material using the resin, imitation leather, thermoplastic polyolefin resin skin material, material for weather strip, and weather strip |
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| JPH0426159A (ja) * | 1990-05-22 | 1992-01-29 | Ricoh Co Ltd | 半導体光集積装置 |
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-
2000
- 2000-12-14 JP JP2000380592A patent/JP3501121B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| US7504616B2 (en) | 2006-04-10 | 2009-03-17 | Panasonic Corporation | Exposure device and image forming apparatus using the same |
| US7902559B2 (en) | 2007-12-03 | 2011-03-08 | Seiko Epson Corporation | Light emitting device and electronic apparatus |
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