JPH08107076A

JPH08107076A - バッチ式減圧ｃｖｄ装置

Info

Publication number: JPH08107076A
Application number: JP24264194A
Authority: JP
Inventors: Keiji Obara; 啓志小原
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1994-10-06
Filing date: 1994-10-06
Publication date: 1996-04-23

Abstract

(57)【要約】【目的】半導体ウエハの搬送トラブルがなく、また、
搬送用ロボットの搬送からむパーティクルの発生を防止
できるバッチ式減圧ＣＶＤ装置を得ることを目的とす
る。【構成】この発明のバッチ式減圧ＣＶＤ装置１Ａは、
プロセスチャンバ３０内に設置されているサセプタ６０
が六角柱のターレット３４の各側面に回動自在に支持さ
れ、成膜中は半導体ウエハＳの載置面６２を垂直状態に
保持されるが、サセプタ６０がプロセスチャンバ３０の
開口３２に来た時には、その載置面６２を水平状態に回
動され、ロードロックチャンバ２０内の搬送用ロボット
２３Ａのワンハンドアーム２２Ａで半導体ウエハＳを、
キャリアＣからその載置面６２に、或いはその逆に、常
時、水平状態で搬送、移載できるように構成されてい
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、半導体ウエハの表面
に、例えば、タングステンシリサイドの電極、タングス
テンプラグを成膜するために用いられるバッチ式減圧Ｃ
ＶＤ装置、特にそのプロセスチャンバ及びロードロック
チャンバ内における半導体ウエハの搬送系の改良に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】先ず、従来技術のバッチ式減圧ＣＶＤ装
置を図を用いて説明する。図４は従来技術のバッチ式減
圧ＣＶＤ装置を模式的に示した側面図であり、図５は図
４に示したバッチ式減圧ＣＶＤ装置の一部平面図であ
り、そして図６は従来技術のバッチ式減圧ＣＶＤ装置に
用いられているサセプタを模式的に示していて、同図Ａ
はその平面図、同図Ｂはその側面図である。

【０００３】図４及び図５において、符号１は全体とし
て従来技術のバッチ式減圧ＣＶＤ装置（以下、単に「Ｃ
ＶＤ装置」と略記する）を指す。このＣＶＤ装置１は、
図において右側から、カセットチャンバ１０とロードロ
ックチャンバ２０とプロセスチャンバ３０との３チャン
バから構成されている。前記カセットチャンバ１０は、
図においてその右端に、半導体ウエハ収納用キャリア
（以下、単に「キャリア」と略記する）Ｃを搬入、搬出
できる開口１１が形成されており、そしてこの開口１１
を開閉するカセットチャンバシールドア１２（以下、単
に「シールドア１２」と略記する）が取り付けられてい
る。

【０００４】このカセットチャンバ１０の左隣にはロー
ドロックチャンバ２０が形成されており、前記カセット
チャンバ１０との間はロードロックチャンバシールドア
２１（以下、単に「シールドア２１」と略記する）で仕
切られている。そしてこのロードロックチャンバ２０に
は後記する半導体ウエハＳを移載するアーム２２を備え
た搬送用ロボット２３が配設されている。

【０００５】前記ロードロックチャンバ２０の左側には
前記プロセスチャンバ３０が存在し、このプロセスチャ
ンバ３０は円筒形のウォール３１で構成されており、前
記ロードロックチャンバ２０との間に、半導体ウエハＳ
が搬送できる開口３２が形成されていて、この開口３２
にはこの開口３２を開閉できるプロセスチャンバシール
ドア３３（以下、単に「シールドア３３」と略記する）
が取り付けられている。このプロセスチャンバ３０内の
中心部には六角柱のターレット３４が配設されており、
その回転軸３５が図示していないモータに結合されてい
て、矢印Ｒａの方向に６０°づつ回動する。このターレ
ット３４の六側面のそれぞれにはサセプタ４０が設置、
固定されている。また、これらの各サセプタ４０に対向
して、前記円筒状のウォール３１に、そのプロセスチャ
ンバ３０内に噴射口５１が臨むように反応ガス噴射ノズ
ル（以下、単に「噴射ノズル」と略記する）５０が固定
して取り付けられている。

【０００６】前記各サセプタ４０は、図６に示したよう
に、半球状の形状をしており、その表面４１は平面であ
って、この表面４１がこのＣＶＤ装置１のベース面Ｂに
対して垂直に近い角度を以て前記各六角柱面に取り付け
られている。各表面４１の中央部には点線で示した範囲
内に半導体ウエハを載置する載置面４２が定められてい
る。そのため、各載置面４２の下方外周部に沿い、所定
の間隔を開けて、前記表面４１に垂直な２本のウエハチ
ャックピン４３が植設されていて、前記搬送用ロボット
２３で搬送された半導体ウエハＳがこれらウエハチャッ
クピン４３の上に載せられ、前記表面４１に心持ちもた
れ掛かるようにして移載される。なお、各サセプタ４０
の内部には前記載置面４２を所定の温度に加熱するサセ
プタ加熱装置が内蔵されている。

【０００７】カセットチャンバ１０、ロードロックチャ
ンバ２０及びプロセスチャンバ３０の各天井にはそれぞ
れ逆止弁１３、２４、３６を備えた真空排気管１４、２
５、３７が配管されており、真空排気管１４及び２５は
共通の真空排気管１５を通じて、そして前記真空排気管
３６も図示していない共通の、或いは個別の真空ポンプ
に接続されている。

【０００８】次に、以上のような構成、構造のＣＶＤ装
置１の動作、機能を説明する。先ず、シールドア１２を
開け、カセットチャンバ１０の開口１１から、複数枚の
半導体ウエハＳが収納されたキャリアＣがカセットチャ
ンバ１０の内の所定の位置に搬入され、固定されると前
記シールドア１２を閉める。カセットチャンバ１０のこ
の状態及びシールドア２１及びシールドア３３を閉めた
状態で、真空ポンプを作動させ、カセットチャンバ１
０、ロードロックチャンバ２０及びプロセスチャンバ３
０を同圧の低真空にする。所定の低真空になった後も真
空ポンプを作動し続ける。

【０００９】所定の低真空になった後、シールドア２１
を開け、搬送用ロボット２３を作動させてアーム２２を
上下方向に昇降させ、水平方向に回動、伸縮或いは回転
させて、このアーム２２でカセットチャンバ１０から一
枚づつ半導体ウエハＳを水平状態で取り出し、ロードロ
ックチャンバ２０内に取り込む。そしてシールドア２１
を閉め、シールドア３３を開け、搬送用ロボット２３を
作動させて、付図示のアライメントプレートで前記取り
込んだ半導体ウエハＳを持ち換えて、その開口３２の前
に位置しているサセプタ４０の２本のウエハチャックピ
ン４３上に載せ、サセプタ４０の垂直状態の載置面４２
に載置する。一つのサセプタ４０に半導体ウエハＳを載
置し終えると、ターレット３４が矢印Ｒａの方向に６０
°回動し、次のサセプタ４０が前記開口３２に対面する
位置に移動させる。そしてアーム２２は前記動作を行っ
てロードロックチャンバ２０に戻り、シールドア３３は
閉じられ、シールドア２１は開けられて、アーム２２は
前記キャリアＣから次の一枚の半導体ウエハＳを取り込
みに行く。以後、前記と同様の動作を繰り返して、全て
のサセプタ４０に半導体ウエハＳを移載する。

【００１０】次に、全てのサセプタ４０に半導体ウエハ
Ｓを移載し終えると、図示していないサセプタ加熱装置
を作動させて各半導体ウエハＳを所定の温度まで加熱
し、その後、やはり図示していない反応ガス源から供給
される反応ガスを各噴射ノズル５０の噴射口５１から前
記加熱された各半導体ウエハＳの表面に向けて噴射す
る。反応ガスとしては、半導体ウエハＳの表面にタング
ステンシリサイドの電極を成膜する場合には、ＷＦ₆、
ＳｉＨ₄、エアーの混合ガスが、半導体ウエハＳの表面
にタングステンプラグの薄膜を成膜する場合には、ＷＦ
₆、Ｈ₂の混合ガスが用いられる。

【００１１】成膜が終了すると、半導体ウエハＳのキャ
リアＣからサセプタ４０への前記移載と逆の動作で、成
膜された半導体ウエハＳが搬送用ロボット２３のアーム
２２にて、各サセプタ４０からカセットチャンバ１０内
に在る空のキャリアＣ内に、順次、収納される。以上の
手順で一組の半導体ウエハの成膜処理が完了する。

【００１２】この成膜処理を行うと、半導体ウエハの表
面に成膜されるだけでなく、プロセスチャンバ３０の内
面にも薄膜が付着し、これを放置しておくと、剥がれ落
ちてダストの原因になる。そのため、このＣＶＤ装置１
は、各サセプタ４０と噴射ノズル５０との間に高周波電
圧を印加してプラズマ放電を行い、排気するセルフクリ
ーニング機能も備えている。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】前記のように、プロセ
スチャンバ３０内で化学反応によるプロセス中、半導体
ウエハＳの表面にパーティクルが付着するのを防ぐた
め、半導体ウエハＳの表面はＣＶＤ装置１の床面とほぼ
垂直状態にする必要があった。そのため、各サセプタ４
０の半導体ウエハの載置面４２はほぼ垂直状態に形成さ
れている。

【００１４】従って、各半導体ウエハＳは搬送用ロボッ
ト２３のアーム２２でキャリアＣからサセプタ４０に搬
送され、また成膜後、その逆に搬送されるのであるが、
各半導体ウエハＳはキャリアＣに水平状態に収納されて
いるのでアーム２２で水平状態で取り出されるが、ロー
ドロックチャンバ２０内でアーム２２は半導体ウエハＳ
を水平状態から垂直状態に向きを換え、そして更にウエ
ハチャックピン４３の上に載せなければならず、またそ
の逆に各サセプタ４０の載置面４２に垂直状態で載置さ
れている半導体ウエハＳをアーム２２でロードロックチ
ャンバ２０内に取り込み、前記不図示のアライメントプ
レートで水平状態に向きを換えてキャリアＣ内に水平状
態で収納しなければならないため、アーム２２は昇降、
屈曲、伸縮、水平方向の回動、回転などの動作を行う機
能を備えていなければならず、そのためこの搬送用ロボ
ット２３はその構造及び動きが複雑で駆動軸が多く、多
くの機構部品を用いて構成されている。また、前記のよ
うなアライメントプレートのよな装置を必要としてい
る。

【００１５】従って、搬送時、半導体ウエハの落下、破
損、傷付きの発生がしばしば生じ、更にまた、搬送用ロ
ボットの搬送にからむパーティクルが半導体ウエハに付
着するなどの搬送トラブルが絶えない。それ故、この発
明のＣＶＤ装置では、搬送用ロボットを簡単な構造で構
成できるよう前記サセプタの構成に改良を加えて、前記
ような搬送トラブルを絶つことを課題とするものであ
る。

【００１６】

【課題を解決するための手段】従って、この発明のＣＶ
Ｄ装置は、プロセスチャンバと、カセットチャンバと、
これら両者間に存在するロードロックチャンバとから構
成し、前記プロセスチャンバとロードロックチャンバ間
に半導体ウエハを搬送できる開口を形成して、この開口
をシールドアで開閉できるように構成し、前記ロードロ
ックチャンバの前記カセットチャンバ側にも半導体ウエ
ハが搬送できる開口を形成して、この開口をシールドア
で開閉できるように構成し、そして前記カセットチャン
バの前記後者の開口と対をなす側にも半導体ウエハ収納
用キャリアを搬送できる開口を形成し、この開口をシー
ルドアで開閉できるように構成し、前記カセットチャン
バ内には半導体ウエハを水平状態で収納できる前記キャ
リアを載置でき、前記ロードロックチャンバ内には常に
半導体ウエハを水平状態で前記カセットチャンバ内の前
記キャリアから前記プロセスチャンバ内に移載する、或
いはその逆に移載する搬送用ロボットを配設し、そして
前記プロセスチャンバ内には半導体ウエハ用載置表面を
備えた複数のサセプタを同一水平面内で回動するように
配設し、そして更に各サセプタにその前記載置表面をほ
ぼ水平状態の位置とほぼ垂直状態の位置とに回動、保持
する駆動装置を設けて、前記課題を解決した。

【００１７】

【作用】従って、この発明のＣＶＤ装置によれば、プロ
セスチャンバ内において、成膜開始前の半導体ウエハの
搬入時には、各サセプタの半導体ウエハ用載置面を水平
状態にでき、ロードロックチャンバから搬送されてくる
水平状態の半導体ウエハをそのままの水平状態で授受で
き、成膜時には半導体ウエハを垂直状態で保持できる。
また、成膜終了後の搬出時にも半導体ウエハを前記垂直
状態から水平状態に向きを換え、半導体ウエハを水平状
態で搬出することができる。

【００１８】

【実施例】次に、図１乃至図３を用いて、この発明のＣ
ＶＤ装置を説明する。図１はこの発明のＣＶＤ装置を模
式的に示した側面図であり、図２は図１に示したＣＶＤ
装置の一部平面図であり、そして図３はこの発明のＣＶ
Ｄ装置に用いられているサセプタを模式的に示してい
て、同図Ａはその平面図、同図Ｂはその側面図である。
なお、従来技術のＣＶＤ装置と同一の構造、構成部分に
は同一の符号を付し、それらの構造、構成部分の説明を
省略する。

【００１９】符号１Ａは全体としてこの発明のＣＶＤ装
置を指す。このＣＶＤ装置１Ａの構成は、従来技術のＣ
ＶＤ装置１と同様に、図１及び図２において、右側から
カセットチャンバ１０とロードロックチャンバ２０とプ
ロセスチャンバ３０との３チャンバから構成されてい
る。これらそれぞれのチャンバの構成も従来技術の構成
と同様であるので、それらの説明を省略する。

【００２０】前記ロードロックチャンバ２０には従来技
術の搬送用ロボット２３とは異なる構造の搬送用ロボッ
ト２３Ａが配設されている。この搬送用ロボット２３Ａ
のアーム２２Ａは上下方向に昇降できる機能と水平方向
に回動及び屈折できる機能を備えているだけでよい。即
ち、このアーム２２Ａは、常時、半導体ウエハＳを水平
状態のみで搬送し、回転、反転などは行わない。

【００２１】次に、前記プロセスチャンバ３０内には、
従来技術のものと同様に、その中心部には六角柱のター
レット３４が配設されており、その回転軸３５が図示し
ていないモータに結合されていて、矢印Ｒａの方向に６
０°づつ回動するが、このターレット３４の六側面のそ
れぞれには、図３に示したような構成のサセプタ６０が
矢印Ｒｂで示した上下方向に回動自在に軸支されてい
る。即ち、これら各サセプタ６０は軸受け７０に軸支さ
れて、その表面６１上の半導体ウエハ用載置面６２が垂
直状態の位置（図３Ａの状態）と水平状態の位置（図３
Ｂの状態）とに回動できるように構成されている。

【００２２】この回動は前記軸受け７０の２本の支持ア
ーム７１に内蔵、固定されている駆動装置であるモータ
７２により行われる。これらのモータ７２の駆動軸７３
は前記半球状のサセプタ６０の両側に突出、延在する回
動軸６３に連結されており、これらのモータ７２を図示
していない電源からの電力で賦勢することにより前記両
回動軸６３を回動させ、サセプタ６０を９０°回動する
ことができるように構成されている。サセプタ６０の本
体と前記支持アーム７１との間は磁気シール７４でシー
リングし、プロセスチャンバ３０内の真空度を保つよう
に構成されている。

【００２３】また、このサセプタ６０の本体の内部に
は、従来技術のサセプタ６０と同様に、載置面６２を加
熱する加熱装置が内蔵されている他、図示していない内
蔵のモータとカム機構などの昇降装置も内蔵されてお
り、この昇降装置により昇降板６４を昇降させる。この
昇降板６４上には４本のウエハリフトピン６５が載置面
６２の範囲内で均等な位置間隔で植設されており、昇降
板６４が最上昇位置まで上昇した時に各ウエハリフトピ
ン６５の上端がウエハチャックピン４３の上端より突出
するように、また最下降位置に在る時には各ウエハリフ
トピン６５の前記上端が載置面６２と同一面内に位置す
るように構成されている。なお、ウエハチャックピン４
３は従来技術のものと同様に載置面６２の下方外周部に
沿い、所定の間隔を開けて、前記表面４１に垂直に２本
植設されている。

【００２４】前記サセプタ６０の９０°回動は、そのサ
セプタ６０がターレット３４の６０°づつの回動し、プ
ロセスチャンバ３０の開口３２の前の位置に達した時
に、前記モータ７２を駆動させて完全に水平状態にす
る。図２に示したサセプタ６０Ａがこの水平状態にあ
る。この時、サセプタ６０の昇降板６４を上昇させてウ
エハリフトピン６５もウエハチャックピン４３より上方
の最上昇位置まで上昇させる。

【００２５】この最上昇位置にあるウエハリフトピン６
５の上端に搬入されてきた半導体ウエハＳが載置される
と、前記昇降板６４が下降し始め、最下降位置に達する
と、その半導体ウエハＳが、その一部周縁が２本のウエ
ハチャックピン４３の極近傍に位置するように前記載置
面６２に載置される。そうすると、前記モータ７２が逆
回転をし始め、半導体ウエハＳを載置したそのサセプタ
６０Ａは、開口３２位置から６０°回動し、そのサセプ
タ６０の載置面４２は図１及び図２に符号６０Ｂで示し
たようなほぼ垂直状態にまで回動し、その状態でウエハ
チャックピン４３により半導体ウエハＳをほぼ垂直状態
に保持する。この状態においては従来技術のＣＶＤ装置
１における垂直状態にあるサセプタ６０と同様である。

【００２６】次に、この発明のＣＶＤ装置１Ａの全体の
動作、機能を説明する。先ず、シールドア１２を開け、
カセットチャンバ１０の開口１１から、複数枚の半導体
ウエハＳが収納されたキャリアＣをカセットチャンバ１
０の内の所定の位置に搬入、固定し、前記シールドア１
２を閉め、カセットチャンバ１０のこの状態及びシール
ドア２１及びシールドア３３を閉めた状態で、真空ポン
プを作動させ、カセットチャンバ１０、ロードロックチ
ャンバ２０及びプロセスチャンバ３０を同圧の低真空に
することは従来技術の場合と同様である。

【００２７】所定の低真空になった後、シールドア２１
を開け、搬送用ロボット２３Ａを作動させてアーム２２
Ａを上下方向の所定位置に昇降させ、水平方向に回動及
び伸ばして、このアーム２２Ａでカセットチャンバ１０
から一枚づつ半導体ウエハＳを水平状態で取り出し、そ
の水平状態を保ったまま半導体ウエハＳをロードロック
チャンバ２０内に取り込む。そしてロードロックチャン
バシールドア２１を閉め、プロセスチャンバシールドア
３３を開け、搬送用ロボット２３Ａを作動させて、前記
取り込んだ半導体ウエハＳを、その開口３２の前に位置
している、前記サセプタ６０Ａの水平状態の載置面６２
上に突出している４本のウエハリフトピン６５の上に前
記の要領で載せる。

【００２８】半導体ウエハＳをウエハリフトピン６５上
に載せ終えると、前記アーム２２Ａはロードロックチャ
ンバ２０内に後退し、一方、ターレット３４も矢印Ｒａ
の方向に６０°回動し、そしてモータ７２が前記と逆方
向に作動、回動して、そのサセプタ６０の載置面４２が
符号６０Ｂで示したように９０°回動し、従って半導体
ウエハＳがその載置面４２に心持ちもたれ掛かる状態で
ウエハチャックピン４３によりほぼ垂直状態に保持され
る。

【００２９】前記サセプタ６０が前記のように開口３２
から６０°回動すると、次のサセプタ６０がその開口３
２に対面する位置に移動してきているので、搬送用ロボ
ット２３Ａのアーム２２Ａが前記と同様の動作で次の一
枚の半導体ウエハＳを搬送するため、シールドア３３は
閉じられ、シールドア２１は開けられて、アーム２２Ａ
は前記キャリアＣから次の一枚の半導体ウエハＳを取り
込みに行く。以後、前記と同様の動作を繰り返して、全
てのサセプタ６０に半導体ウエハＳを移載し、垂直状態
で保持する。

【００３０】次に、全てのサセプタ６０に半導体ウエハ
Ｓを移載し終えると、これらの半導体ウエハＳの表面に
所望の薄膜を成膜する技法は従来技術と同様であるの
で、その説明は省略する。

【００３１】成膜が終了すると、プロセスチャンバ３０
の前記開口３２の前に在るサセプタ６０から、順次、モ
ータ７２をさどうさせて、その載置面４２を垂直状態か
ら水平状態に回動させ、そしてウエハチャックピン４３
を最上昇位置まで上昇させ、その半導体ウエハＳを載置
面４２から浮かせた状態にし、その下にアーム２２Ａを
挿入して半導体ウエハＳの裏面を水平状態で保持しなが
ら、そのサセプタ６０からロードロックチャンバ２０内
に取り込み、シールドア３３を作動させて前記開口３２
を閉じ、シールドア２１を開けて水平状態で保持してい
るその半導体ウエハＳをカセットチャンバ１０内の空の
キャリアＣに収納する。以降、前記半導体ウエハＳを前
記と同様の動作をさせて、そのアーム２２Ａにより、成
膜された半導体ウエハＳを各サセプタ４０からカセット
チャンバ１０内の前記空のキャリアＣ内に、順次、収納
する。以上の手順で一組の半導体ウエハの成膜処理が完
了する。

【００３２】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、この発
明のＣＶＤ装置によれば、プロセスチャンバ内におい
て、成膜開始前の半導体ウエハの搬入時には、各サセプ
タの半導体ウエハ用載置面を水平状態にでき、ロードロ
ックチャンバから搬送されてくる水平状態で搬送されて
くる半導体ウエハをそのままの水平状態で授受でき、成
膜時には半導体ウエハを垂直状態で保持できる。また、
成膜終了後の搬出時にも半導体ウエハを前記垂直状態か
ら水平状態に向きを換え、半導体ウエハを水平状態で搬
出することができる。そのため、従来技術のＣＶＤ装置
と同様にダストが半導体ウエハの表面に付着することを
防止できる他、搬送用ロボットを簡単な構造で構成する
ことができるので、前記搬送トラブルの低減化を計るこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明のバッチ式減圧ＣＶＤ装置を模式的
に示した側面図である。

【図２】図１に示したバッチ式減圧ＣＶＤ装置の一部
平面図である。

【図３】この発明のバッチ式減圧ＣＶＤ装置に用いら
れているサセプタを模式的に示していて、同図Ａはその
平面図、同図Ｂはその側面図である。

【図４】従来技術のバッチ式減圧ＣＶＤ装置を模式的
に示した側面図である。

【図５】図４に示したバッチ式減圧ＣＶＤ装置の一部
平面図である。

【図６】従来技術のバッチ式減圧ＣＶＤ装置に用いら
れているサセプタを模式的に示していて、同図Ａはその
平面図、同図Ｂはその側面図である。

【符号の説明】

ＣキャリアＳ半導体ウエハ１Ａ本発明のバッチ式減圧ＣＶＤ装置１０カセットチャンバ１１開口１２カセットチャンバシールドア１３逆止弁１４真空排気管１５共通の真空排気管２０ロードロックチャンバ２１ロードロックチャンバシールドア２２Ａワンハンドアーム２３Ａ搬送用ロボット２４逆止弁２５真空排気管３０プロセスチャンバ３１ウォール３２開口３３プロセスチャンバシールドア３４ターレット３５回転軸３６逆止弁３７真空排気管４３ウエハチャックピン５０噴射ノズル５１噴射口６０サセプタ６０Ａ半導体ウエハの載置面６２が水平状態のサセ
プタ６０Ｂ半導体ウエハの載置面６２が垂直状態のサセ
プタ６１サセプタ６０の表面６２サセプタ６０の半導体ウエハの載置面６３サセプタ６０の回動軸６４昇降板６５ウエハリフトピン７０軸受け７１支持アーム７２モータ７３駆動軸

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】プロセスチャンバと、カセットチャンバ
と、これら両者間に存在するロードロックチャンバとか
ら構成され、前記プロセスチャンバとロードロックチャ
ンバ間には半導体ウエハが搬送できる開口が形成されて
いて、この開口はプロセスチャンバシールドアで開閉で
きるように構成されており、前記ロードロックチャンバ
の前記カセットチャンバ側も半導体ウエハが搬送できる
開口が形成されていて、この開口はロードロックチャン
バシールドアで開閉できるように構成されており、そし
て前記カセットチャンバの前記後者の開口と対をなす側
にも半導体ウエハ収納用キャリアを搬送できる開口が形
成されていて、この開口はカセットチャンバシールドア
で開閉できるように構成されており、前記カセットチャ
ンバ内には前記キャリア内に水平に収納された状態の半
導体ウエハが収容され、前記ロードロックチャンバ内に
は常に半導体ウエハを水平状態で前記カセットチャンバ
内の前記キャリアから前記プロセスチャンバ内に移載す
る、或いはその逆に移載する搬送用ロボットが配設され
ており、そして前記プロセスチャンバ内には半導体ウエ
ハ用載置表面を備えた複数のサセプタが同一面内で回動
するように配設され、そして更に各サセプタの前記載置
表面をほぼ水平状態の位置とほぼ垂直状態の位置とに回
動、保持する駆動装置を備えていることを特徴とするバ
ッチ式減圧ＣＶＤ装置。