JPH08106980A - 加熱装置 - Google Patents
加熱装置Info
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- JPH08106980A JPH08106980A JP18261295A JP18261295A JPH08106980A JP H08106980 A JPH08106980 A JP H08106980A JP 18261295 A JP18261295 A JP 18261295A JP 18261295 A JP18261295 A JP 18261295A JP H08106980 A JPH08106980 A JP H08106980A
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- Japan
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- heat
- heating element
- microwaves
- heated
- heating
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は簡単に高温が得られる加熱装置を提
供することを目的とする。 【解決手段】 断熱体で囲繞した断熱空間内にマイクロ
波を照射せしめることで発熱する発熱体を配設し、発熱
体にマイクロ波を照射せしめ該発熱体を発熱させること
で前記断熱空間を高温にするものであって、マイクロ波
を照射する発熱体としてＢ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓｂ，
Ｔｅ含有物質若しくはＢ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｔ
ｅ含有セラミックを採用したものである。
供することを目的とする。 【解決手段】 断熱体で囲繞した断熱空間内にマイクロ
波を照射せしめることで発熱する発熱体を配設し、発熱
体にマイクロ波を照射せしめ該発熱体を発熱させること
で前記断熱空間を高温にするものであって、マイクロ波
を照射する発熱体としてＢ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓｂ，
Ｔｅ含有物質若しくはＢ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｔ
ｅ含有セラミックを採用したものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、種々の分野に応用
し得る加熱装置に関するものである。
し得る加熱装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来か
ら例えば実開平２−６７８９６号公報に提案されている
ように、セラミックにマイクロ波を照射することで高温
を得る技術が提案されている。
ら例えば実開平２−６７８９６号公報に提案されている
ように、セラミックにマイクロ波を照射することで高温
を得る技術が提案されている。
【０００３】しかし、これまで確認されているセラミッ
クが加熱された結果として得られる温度は１０００℃程
度までである。
クが加熱された結果として得られる温度は１０００℃程
度までである。
【０００４】本発明者は、マイクロ波の照射により発熱
するセラミックとして特定の元素を含有するセラミック
を採用し、該セラミックを断熱体で囲繞することにより
これまで以上の高温加熱が可能ではないかと着眼して種
々の実験を試みたところ、該断熱体で囲繞された空間が
３０００℃以上になることを確認し、本発明を完成し
た。
するセラミックとして特定の元素を含有するセラミック
を採用し、該セラミックを断熱体で囲繞することにより
これまで以上の高温加熱が可能ではないかと着眼して種
々の実験を試みたところ、該断熱体で囲繞された空間が
３０００℃以上になることを確認し、本発明を完成し
た。
【０００５】
【課題を解決するための手段】添付図面を参照して本発
明の要旨を説明する。
明の要旨を説明する。
【０００６】断熱体で囲繞した断熱空間内にマイクロ波
を照射せしめることで発熱する発熱体を配設し、発熱体
にマイクロ波を照射せしめ該発熱体を発熱させることで
前記断熱空間を高温にするものであって、マイクロ波を
照射する発熱体としてＢ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｔ
ｅ含有物質若しくはＢ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｔｅ
含有セラミックを採用したことを特徴とする加熱装置に
係るものである。
を照射せしめることで発熱する発熱体を配設し、発熱体
にマイクロ波を照射せしめ該発熱体を発熱させることで
前記断熱空間を高温にするものであって、マイクロ波を
照射する発熱体としてＢ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｔ
ｅ含有物質若しくはＢ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｔｅ
含有セラミックを採用したことを特徴とする加熱装置に
係るものである。
【０００７】断熱体で囲繞した断熱空間内にマイクロ波
を照射せしめることで発熱する発熱体を配設し、発熱体
にマイクロ波を照射せしめ該発熱体を発熱させることで
前記断熱空間を高温にするものであって、マイクロ波を
照射する発熱体としてＢ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｔ
ｅ含有物質若しくはＢ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｔｅ
含有セラミックを採用し、前記断熱空間内を少なくとも
１２００℃以上に加熱することを可能に構成したことを
特徴とする加熱装置に係るものである。
を照射せしめることで発熱する発熱体を配設し、発熱体
にマイクロ波を照射せしめ該発熱体を発熱させることで
前記断熱空間を高温にするものであって、マイクロ波を
照射する発熱体としてＢ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｔ
ｅ含有物質若しくはＢ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｔｅ
含有セラミックを採用し、前記断熱空間内を少なくとも
１２００℃以上に加熱することを可能に構成したことを
特徴とする加熱装置に係るものである。
【０００８】断熱体で囲繞した断熱空間内にマイクロ波
を照射せしめることで発熱する発熱体を配設し、発熱体
にマイクロ波を照射せしめ該発熱体を発熱させることで
前記断熱空間を高温にするものであって、マイクロ波を
照射する発熱体として炭化ケイ素質セラミックを採用
し、前記断熱体空間内を少なくとも１２００℃以上に加
熱することを可能に構成したことを特徴とする加熱装置
に係るものである。
を照射せしめることで発熱する発熱体を配設し、発熱体
にマイクロ波を照射せしめ該発熱体を発熱させることで
前記断熱空間を高温にするものであって、マイクロ波を
照射する発熱体として炭化ケイ素質セラミックを採用
し、前記断熱体空間内を少なくとも１２００℃以上に加
熱することを可能に構成したことを特徴とする加熱装置
に係るものである。
【０００９】断熱体で囲繞した断熱空間内に容体形状に
形成されマイクロ波を照射せしめることで発熱する発熱
体を配設し、この発熱体内部の空間に被加熱物を配設
し、発熱体にマイクロ波を照射せしめ該発熱体を発熱さ
せることで該被加熱物を溶融せしめるものであって、マ
イクロ波を照射する容体形状の発熱体を炭化ケイ素質セ
ラミックで形成し、該発熱体内部の空間を少なくとも１
２００℃以上に加熱することを可能に構成して該発熱体
内部の被加熱物を溶融せしめることを特徴とする加熱装
置に係るものである。
形成されマイクロ波を照射せしめることで発熱する発熱
体を配設し、この発熱体内部の空間に被加熱物を配設
し、発熱体にマイクロ波を照射せしめ該発熱体を発熱さ
せることで該被加熱物を溶融せしめるものであって、マ
イクロ波を照射する容体形状の発熱体を炭化ケイ素質セ
ラミックで形成し、該発熱体内部の空間を少なくとも１
２００℃以上に加熱することを可能に構成して該発熱体
内部の被加熱物を溶融せしめることを特徴とする加熱装
置に係るものである。
【００１０】断熱体で囲繞した断熱空間内にマイクロ波
を照射せしめることで発熱する発熱体を配設し、発熱体
にマイクロ波を照射せしめ該発熱体を発熱させることで
前記断熱空間を高温にするものであって、マイクロ波を
照射する発熱体として炭化ホウ素質セラミックを採用
し、前記断熱体空間内を少なくとも１２００℃以上に加
熱することを可能に構成したことを特徴とする加熱装置
に係るものである。
を照射せしめることで発熱する発熱体を配設し、発熱体
にマイクロ波を照射せしめ該発熱体を発熱させることで
前記断熱空間を高温にするものであって、マイクロ波を
照射する発熱体として炭化ホウ素質セラミックを採用
し、前記断熱体空間内を少なくとも１２００℃以上に加
熱することを可能に構成したことを特徴とする加熱装置
に係るものである。
【００１１】断熱体で囲繞した断熱空間内に容体形状に
形成されマイクロ波を照射せしめることで発熱する発熱
体を配設し、この発熱体内部の空間に被加熱物を配設
し、発熱体にマイクロ波を照射せしめ該発熱体を発熱さ
せることで該被加熱物を溶融せしめるものであって、マ
イクロ波を照射する容体形状の発熱体を炭化ホウ素質セ
ラミックで形成し、該発熱体内部の空間を少なくとも１
２００℃以上に加熱することを可能に構成して該発熱体
内部の被加熱物を溶融せしめることを特徴とする加熱装
置に係るものである。
形成されマイクロ波を照射せしめることで発熱する発熱
体を配設し、この発熱体内部の空間に被加熱物を配設
し、発熱体にマイクロ波を照射せしめ該発熱体を発熱さ
せることで該被加熱物を溶融せしめるものであって、マ
イクロ波を照射する容体形状の発熱体を炭化ホウ素質セ
ラミックで形成し、該発熱体内部の空間を少なくとも１
２００℃以上に加熱することを可能に構成して該発熱体
内部の被加熱物を溶融せしめることを特徴とする加熱装
置に係るものである。
【００１２】断熱体で囲繞した断熱空間内にマイクロ波
を照射せしめることで発熱する発熱体を配設し、発熱体
にマイクロ波を照射せしめ該発熱体を発熱させることで
前記断熱空間を高温にするものであって、マイクロ波を
照射する発熱体として窒化ホウ素質セラミックを採用
し、前記断熱体空間内を少なくとも１２００℃以上に加
熱することを可能に構成したことを特徴とする加熱装置
に係るものである。
を照射せしめることで発熱する発熱体を配設し、発熱体
にマイクロ波を照射せしめ該発熱体を発熱させることで
前記断熱空間を高温にするものであって、マイクロ波を
照射する発熱体として窒化ホウ素質セラミックを採用
し、前記断熱体空間内を少なくとも１２００℃以上に加
熱することを可能に構成したことを特徴とする加熱装置
に係るものである。
【００１３】断熱体で囲繞した断熱空間内に容体形状に
形成されマイクロ波を照射せしめることで発熱する発熱
体を配設し、この発熱体内部の空間に被加熱物を配設
し、発熱体にマイクロ波を照射せしめ該発熱体を発熱さ
せることで該被加熱物を溶融せしめるものであって、マ
イクロ波を照射する容体形状の発熱体を窒化ホウ素質セ
ラミックで形成し、該発熱体内部の空間を少なくとも１
２００℃以上に加熱することを可能に構成して該発熱体
内部の被加熱物を溶融せしめることを特徴とする加熱装
置に係るものである。
形成されマイクロ波を照射せしめることで発熱する発熱
体を配設し、この発熱体内部の空間に被加熱物を配設
し、発熱体にマイクロ波を照射せしめ該発熱体を発熱さ
せることで該被加熱物を溶融せしめるものであって、マ
イクロ波を照射する容体形状の発熱体を窒化ホウ素質セ
ラミックで形成し、該発熱体内部の空間を少なくとも１
２００℃以上に加熱することを可能に構成して該発熱体
内部の被加熱物を溶融せしめることを特徴とする加熱装
置に係るものである。
【００１４】断熱体で囲繞した断熱空間内にマイクロ波
を照射せしめることで発熱する発熱体を配設し、発熱体
にマイクロ波を照射せしめ該発熱体を発熱させることで
前記断熱空間を高温にするものであって、マイクロ波を
照射する発熱体としてＢ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓｅ，Ｓ
ｂ，Ｔｅ含有物質若しくはＢ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓ
ｅ，Ｓｂ，Ｔｅ含有セラミックを採用し、前記断熱空間
内を少なくともＢ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓｅ，Ｓｂ，Ｔ
ｅの融点温度まで加熱することを可能に構成したことを
特徴とする加熱装置に係るものである。
を照射せしめることで発熱する発熱体を配設し、発熱体
にマイクロ波を照射せしめ該発熱体を発熱させることで
前記断熱空間を高温にするものであって、マイクロ波を
照射する発熱体としてＢ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓｅ，Ｓ
ｂ，Ｔｅ含有物質若しくはＢ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓ
ｅ，Ｓｂ，Ｔｅ含有セラミックを採用し、前記断熱空間
内を少なくともＢ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓｅ，Ｓｂ，Ｔ
ｅの融点温度まで加熱することを可能に構成したことを
特徴とする加熱装置に係るものである。
【００１５】
【発明の作用並びに効果】断熱体で囲繞した断熱空間内
にＢ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｔｅ含有物質若しくは
Ｂ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｔｅ含有セラミックを配
設し、該含有物質若しくは含有セラミックにマイクロ波
を照射すると、該断熱空間が少なくとも１２００℃以上
に加熱される。
にＢ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｔｅ含有物質若しくは
Ｂ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｔｅ含有セラミックを配
設し、該含有物質若しくは含有セラミックにマイクロ波
を照射すると、該断熱空間が少なくとも１２００℃以上
に加熱される。
【００１６】マイクロ波の照射により該含有物質若しく
は含有セラミックが加熱され、該含有物質若しくは含有
セラミックの配設される空間が断熱体で囲繞されている
ため該断熱空間の温度が予想以上に上昇することが確認
された。この温度上昇は種々の実験結果を総合すると、
おそらく、Ｂ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｔｅの融点近
くまでは上昇するものと推測される。
は含有セラミックが加熱され、該含有物質若しくは含有
セラミックの配設される空間が断熱体で囲繞されている
ため該断熱空間の温度が予想以上に上昇することが確認
された。この温度上昇は種々の実験結果を総合すると、
おそらく、Ｂ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｔｅの融点近
くまでは上昇するものと推測される。
【００１７】本発明は上述のように構成したから少なく
とも１２００℃以上の高温を簡単に得ることができ、Ｉ
Ｃのリードフレームへの金の真空蒸着，本発熱体で形成
した容体中に適宜な金属を配設することで該金属を加熱
若しくは溶融若しくは焼成せしめる装置等、種々の技術
への応用が可能となる。
とも１２００℃以上の高温を簡単に得ることができ、Ｉ
Ｃのリードフレームへの金の真空蒸着，本発熱体で形成
した容体中に適宜な金属を配設することで該金属を加熱
若しくは溶融若しくは焼成せしめる装置等、種々の技術
への応用が可能となる。
【００１８】
【実施例】図面は本発明の一実施例を図示したもので、
以下に説明する。
以下に説明する。
【００１９】本発明のクレームは、以下の種々の実験の
結果をまとめたものである。
結果をまとめたものである。
【００２０】１．まず、容体形状のセラミック２（発熱
体）内に試験片３を配設し、該セラミック２にマイクロ
波を照射することで該試験片３の溶融状態を観察する実
験を行った。
体）内に試験片３を配設し、該セラミック２にマイクロ
波を照射することで該試験片３の溶融状態を観察する実
験を行った。
【００２１】具体的には次の通りである。
【００２２】図１に図示したように、断熱体１により囲
繞された空間内に容体形状のＳｉ含有セラミック２を配
設し、このセラミック２内に試験片３を配設する。
繞された空間内に容体形状のＳｉ含有セラミック２を配
設し、このセラミック２内に試験片３を配設する。
【００２３】断熱体１は、粘土とガラス繊維との混合物
である（この混合物と耐火レンガとの積層物でも良
い。）。単なる耐火レンガでは、１６００℃程度になる
と亀裂が生じ、断熱性能が劣化してしまう。従って、温
度上昇によっても断熱性能が劣化しないよう粘土とガラ
ス繊維との混合物を使用する。
である（この混合物と耐火レンガとの積層物でも良
い。）。単なる耐火レンガでは、１６００℃程度になる
と亀裂が生じ、断熱性能が劣化してしまう。従って、温
度上昇によっても断熱性能が劣化しないよう粘土とガラ
ス繊維との混合物を使用する。
【００２４】また、本実験の場合、Ｓｉ含有セラミック
２は炭化ケイ素と適宜な粘土（ケイ酸塩鉱物）とを混合
したものである。詳細には炭化ケイ素に多孔質性の粘土
（テラコッタ：蛙目原土，木節原土，黄土又は赤土，木
の瀬土）を混合し（混合比は重量比で１対１）、高温で
焼成したもの、また、炭化ケイ素と粘土（硬質で且つ磁
土及びそれに近いもの）とを混合し（混合比は重量比で
１対１）、高温で焼成したものを使用している。その他
粘土としては、信楽粘土（蛙目原土と木節原土などを適
当割合で混合したもの。）などどのような粘土を使用し
ても良く、要はケイ酸塩鉱物であれば良い。粘土は入手
が容易であり安価な為、助剤としては最適である。
２は炭化ケイ素と適宜な粘土（ケイ酸塩鉱物）とを混合
したものである。詳細には炭化ケイ素に多孔質性の粘土
（テラコッタ：蛙目原土，木節原土，黄土又は赤土，木
の瀬土）を混合し（混合比は重量比で１対１）、高温で
焼成したもの、また、炭化ケイ素と粘土（硬質で且つ磁
土及びそれに近いもの）とを混合し（混合比は重量比で
１対１）、高温で焼成したものを使用している。その他
粘土としては、信楽粘土（蛙目原土と木節原土などを適
当割合で混合したもの。）などどのような粘土を使用し
ても良く、要はケイ酸塩鉱物であれば良い。粘土は入手
が容易であり安価な為、助剤としては最適である。
【００２５】尚、Ｓｉ（ケイ素）含有のセラミックであ
れば、窒化ケイ素質セラミック等でも同様である（実験
により確認済）。
れば、窒化ケイ素質セラミック等でも同様である（実験
により確認済）。
【００２６】マイクロ波の照射は常法通り、マグネトロ
ンにより行う（マイクロ波の周波数は２４５０ＭＨ
ｚ）。
ンにより行う（マイクロ波の周波数は２４５０ＭＨ
ｚ）。
【００２７】以下は図１に図示したような装置で行った
実験データである。尚、発熱体の詳細は図２及び表１に
示す通りである。
実験データである。尚、発熱体の詳細は図２及び表１に
示す通りである。
【００２８】実験１ 実験概要 発熱体：表１中の番号１のもの 試験片材質：銅板１ｃｍ2×厚さ０.５ｍｍ×６個（総重
量４ｇ） 試験片材質の融点：１０８３℃ マイクロ波の照射時間：連続１０分 実験結果 試験片…融けて丸い固まりになった（１０分照射後）。
７分照射時は変化なし。
量４ｇ） 試験片材質の融点：１０８３℃ マイクロ波の照射時間：連続１０分 実験結果 試験片…融けて丸い固まりになった（１０分照射後）。
７分照射時は変化なし。
【００２９】実験２ 実験概要 発熱体：表１中の番号１のもの 試験片材質：注射針 外径０.６ｍｍ×長さ２０ｍｍ 試験片材質の融点：不明 マイクロ波の照射時間：連続３２分 実験結果 試験片…黒く焼け焦げて、指で触ると粉々になった。２
２分照射時は変化なし。
２分照射時は変化なし。
【００３０】実験３ 実験概要 発熱体：表１中の番号１のもの 試験片材質：ステンレス製のＭ６ナットを２個(総重量
４ｇ) 試験片材質の融点：１８７５℃ マイクロ波の照射時間：連続３０分 実験結果 試験片…発熱体に接しているナットの下側半分が融けた
(３０分照射後)。２０分照射時は変化なし。
４ｇ) 試験片材質の融点：１８７５℃ マイクロ波の照射時間：連続３０分 実験結果 試験片…発熱体に接しているナットの下側半分が融けた
(３０分照射後)。２０分照射時は変化なし。
【００３１】実験４ 実験概要 発熱体：表１中の番号１のもの 試験片材質：タングステン（破損した電球２個分） 試験材質の融点：３４００℃ マイクロ波の照射時間：連続３０分 実験結果 試験片…なくなった（気化し見えなくなったか、また
は、発熱体の底が溶けて試験片が包み込まれたのではな
いかと推測される）。
は、発熱体の底が溶けて試験片が包み込まれたのではな
いかと推測される）。
【００３２】実験５ 実験概要 発熱体：表１中の番号３のもの 試験片材質：スチール缶 ２０ｃｍ2×厚さ０.２ｍｍ 試験片材質の融点：１５１０℃ マイクロ波の照射時間：連続１５分 実験結果 試験片…赤くなったが、融けていない。スチール缶は３
０分以上のマイクロ波の照射で融けるものと思われる。 発熱体…赤くなった。
０分以上のマイクロ波の照射で融けるものと思われる。 発熱体…赤くなった。
【００３３】実験６ 実験概要 発熱体：表１中の番号４のもの 試験片材質：アルミ缶 ５０ｃｍ2×厚さ０.２ｍｍ 試験片材質の融点：６６０℃ マイクロ波の照射時間：連続７分後に継続２０分 実験結果 試験片…アルミの液状化を確認した（２７分照射後）。 発熱体…オレンジ色になった。
【００３４】実験７ 実験概要 発熱体：表１中の番号２のもの 試験片材質：ガラスコップ破片（１５ｍｍ×１５ｍｍ） 試験片材質の融点：不明 マイクロ波の照射時間：連続２０分 実験結果 試験片…あめのようにやわらかくなった（２０分照射
後）。１０分照射後は変化なし。
後）。１０分照射後は変化なし。
【００３５】実験８ 実験概要 発熱体：表１中の番号５のもの 試験片材質：石英ガラス管 試験片材質の融点：１５５０℃ マイクロ波の照射時間：連続１２０分 実験結果 試験片…石英ガラス管は、融けなかったが、白色に変化
した（指で指圧するとこわれる。もろくなった）。 発熱体…ふたがくっついてとれなくなった。
した（指で指圧するとこわれる。もろくなった）。 発熱体…ふたがくっついてとれなくなった。
【００３６】実験９ 実験概要 発熱体：表１中の番号６のもの 試験片材質：磁土（茶碗） 試験片材質の融点：不明 マイクロ波の照射時間：連続５時間 実験結果 試験片…一昼夜自然冷却。茶碗の底が白色となる。上部
はピンク色となる。ほぼ焼き上がったものと思われる。
陶磁器の焼成には断続照射で十分と思われる。
はピンク色となる。ほぼ焼き上がったものと思われる。
陶磁器の焼成には断続照射で十分と思われる。
【００３７】
【表１】
【００３８】２．次に断熱体１で囲繞される空間内にセ
ラミック２（発熱体）を配設し、該セラミック２にマイ
クロ波を照射することでセラミック２の発熱温度を測定
する実験を行った。
ラミック２（発熱体）を配設し、該セラミック２にマイ
クロ波を照射することでセラミック２の発熱温度を測定
する実験を行った。
【００３９】具体的には次の通りである。
【００４０】図３に図示したように、市販の電子レンジ
４（フナイ製５００Ｗ）内に前記で使用した粘土とガラ
ス繊維により形成された断熱体１を配設し、この断熱体
１内にセラミック２（発熱体）を配設し、電子レンジ４
を作動させ周波数２４５０ＭＨｚのマイクロ波をセラミ
ック２に照射して該セラミック２を加熱し、断熱体１に
形成した開口部５からの放射熱を放射温度計６（山武ハ
ネウェル製 ＤＩＧＩＳＣＯＰＥ：ＤＧＳ５００）によ
り測定した。
４（フナイ製５００Ｗ）内に前記で使用した粘土とガラ
ス繊維により形成された断熱体１を配設し、この断熱体
１内にセラミック２（発熱体）を配設し、電子レンジ４
を作動させ周波数２４５０ＭＨｚのマイクロ波をセラミ
ック２に照射して該セラミック２を加熱し、断熱体１に
形成した開口部５からの放射熱を放射温度計６（山武ハ
ネウェル製 ＤＩＧＩＳＣＯＰＥ：ＤＧＳ５００）によ
り測定した。
【００４１】実験１０ 実験概要 発熱体：微粉のケイ素（Ｓｉ）＋テラコッ
タ（重量混合比２：１） 発熱体の重量：実験前後共に３００ｇ 電子レンジの作動時間：１時間 実験結果 約１２分後に温度は徐々に上昇し、約１０
５０℃まで上がり、その後は横ばい状態。
タ（重量混合比２：１） 発熱体の重量：実験前後共に３００ｇ 電子レンジの作動時間：１時間 実験結果 約１２分後に温度は徐々に上昇し、約１０
５０℃まで上がり、その後は横ばい状態。
【００４２】実験１１ 実験概要 発熱体：炭化ホウ素（Ｂ4Ｃ）＋信楽粘土
（重量混合比２：１） 発熱体の重量：実験前後共に４８ｇ 電子レンジの作動時間：１時間 実験結果 約８分後に温度は徐々に上昇し、約１１２
０℃まで上がり、その後はやや降下気味の横ばい状態。
発熱体の回りに断熱体の溶融物が付着。
（重量混合比２：１） 発熱体の重量：実験前後共に４８ｇ 電子レンジの作動時間：１時間 実験結果 約８分後に温度は徐々に上昇し、約１１２
０℃まで上がり、その後はやや降下気味の横ばい状態。
発熱体の回りに断熱体の溶融物が付着。
【００４３】実験１２ 実験概要 発熱体：ボラゾン（立方晶窒化ホウ素ＣＢ
Ｎ）＋信楽粘土（重量混合比２：１） 発熱体の重量：実験前後共に４３ｇ 電子レンジの作動時間：１５分 実験結果 約３.５分後に温度は急に上昇し、約１４
００℃となったため中止。１０００℃位から開口部５よ
り煙りのようなものが噴出。発熱体の回りに断熱体の溶
融物が付着。
Ｎ）＋信楽粘土（重量混合比２：１） 発熱体の重量：実験前後共に４３ｇ 電子レンジの作動時間：１５分 実験結果 約３.５分後に温度は急に上昇し、約１４
００℃となったため中止。１０００℃位から開口部５よ
り煙りのようなものが噴出。発熱体の回りに断熱体の溶
融物が付着。
【００４４】実験１３ 実験概要 発熱体：炭化ホウ素（Ｂ4Ｃ）＋信楽粘土
（重量混合比２：１） 発熱体の重量：実験前後共に３５５ｇ 電子レンジの作動時間：１時間 実験結果 約２３分後に温度は徐々に上昇し、約１１
６０℃まで上がり、その後は横ばい状態。発熱体の回り
に断熱体の溶融物が付着。
（重量混合比２：１） 発熱体の重量：実験前後共に３５５ｇ 電子レンジの作動時間：１時間 実験結果 約２３分後に温度は徐々に上昇し、約１１
６０℃まで上がり、その後は横ばい状態。発熱体の回り
に断熱体の溶融物が付着。
【００４５】実験１４ 実験概要 発熱体：ゲルマニウム（Ｇｅ）＋信楽粘土
（重量混合比２：１） 発熱体の重量：実験前後共に４５ｇ 電子レンジの作動時間：１時間 実験結果 約８分後に温度は徐々に上昇し、１２００
℃まで上がり、１２００℃を越えると波を打つように温
度は上昇し、１２７０℃で横ばい状態。１１００℃付近
で開口部５より煙りのようなものが噴出。発熱体の回り
に断熱体の溶融物が付着。
（重量混合比２：１） 発熱体の重量：実験前後共に４５ｇ 電子レンジの作動時間：１時間 実験結果 約８分後に温度は徐々に上昇し、１２００
℃まで上がり、１２００℃を越えると波を打つように温
度は上昇し、１２７０℃で横ばい状態。１１００℃付近
で開口部５より煙りのようなものが噴出。発熱体の回り
に断熱体の溶融物が付着。
【００４６】実験１５ 実験概要 発熱体：微粉のケイ素（Ｓｉ）＋信楽粘土
（重量混合比２：１） 発熱体の重量：実験前後共に４０ｇ 電子レンジの作動時間：２３分 実験結果 約２.５分後に温度は急上昇し、約２３分
間で１４００℃を越えたため、中止。発熱体の回りに断
熱体の溶融物が付着。
（重量混合比２：１） 発熱体の重量：実験前後共に４０ｇ 電子レンジの作動時間：２３分 実験結果 約２.５分後に温度は急上昇し、約２３分
間で１４００℃を越えたため、中止。発熱体の回りに断
熱体の溶融物が付着。
【００４７】実験１６ 実験概要 発熱体：黒色炭化ケイ素（ＳｉＣ）＋テラ
コッタ（重量混合比２：１） 発熱体の重量：実験前後共に３７５ｇ 電子レンジの作動時間：１時間 実験結果 約１３分後に温度は徐々に上昇し、９８８
℃で横ばい状態。
コッタ（重量混合比２：１） 発熱体の重量：実験前後共に３７５ｇ 電子レンジの作動時間：１時間 実験結果 約１３分後に温度は徐々に上昇し、９８８
℃で横ばい状態。
【００４８】実験１７ 実験概要 発熱体：炭化ホウ素（Ｂ4Ｃ）＋テラコッ
タ（重量混合比２：１） 発熱体の重量：実験前後共に３６０ｇ 電子レンジの作動時間：１時間 実験結果 約３０分後に温度が上昇し、その後徐々に
上昇し、９５０℃で横ばい状態。
タ（重量混合比２：１） 発熱体の重量：実験前後共に３６０ｇ 電子レンジの作動時間：１時間 実験結果 約３０分後に温度が上昇し、その後徐々に
上昇し、９５０℃で横ばい状態。
【００４９】実験１８ 実験概要 発熱体：電極棒（市販の炭化ケイ素発熱体
ＪＩＳ−Ｒ７５０１） 発熱体の重量：実験前後共に３５ｇ 電子レンジの作動時間：１時間 実験結果 約１２分後に温度が上昇し、約７３０℃ま
で徐々に上昇。
ＪＩＳ−Ｒ７５０１） 発熱体の重量：実験前後共に３５ｇ 電子レンジの作動時間：１時間 実験結果 約１２分後に温度が上昇し、約７３０℃ま
で徐々に上昇。
【００５０】比較例 実験概要 市販の伝熱器（東芝製ＨＰ−６３４ １０
０Ｖ，６００Ｗ）を３０分間作動させ温度上昇を放射温
度計６により測定した。 実験結果 約８００℃まではすぐに上昇したが、そこ
からは徐々に上昇し、９８０℃で横ばい状態。
０Ｖ，６００Ｗ）を３０分間作動させ温度上昇を放射温
度計６により測定した。 実験結果 約８００℃まではすぐに上昇したが、そこ
からは徐々に上昇し、９８０℃で横ばい状態。
【００５１】本発明者は以上の種々の実験及び推論か
ら、半金属元素Ｂ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓｅ，Ｓｂ，Ｔ
ｅを含有するセラミックであればマイクロ波の照射によ
り上述したような高温が得られるものではないかと考え
る。
ら、半金属元素Ｂ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓｅ，Ｓｂ，Ｔ
ｅを含有するセラミックであればマイクロ波の照射によ
り上述したような高温が得られるものではないかと考え
る。
【００５２】尚、種々の実験の結果、ＳｉＣは加熱の
際、中心部から外側へ向かって徐々に赤色を呈してくる
が（焼けてくるが）、Ｂ4Ｃの場合はこの逆で外側から
中心部に向かって赤色を呈してくる（焼けてくる）こと
を確認している。
際、中心部から外側へ向かって徐々に赤色を呈してくる
が（焼けてくるが）、Ｂ4Ｃの場合はこの逆で外側から
中心部に向かって赤色を呈してくる（焼けてくる）こと
を確認している。
【図１】本実施例の実験説明図である。
【図２】同上の実験に使用する発熱体の説明図である。
【図３】本実施例の別の実験説明図である。
１ 断熱体 ２ セラミック ３ 試験片 ４ 電子レンジ ５ 開口部 ６ 放射温度計
Claims (9)
- 【請求項１】 断熱体で囲繞した断熱空間内にマイクロ
波を照射せしめることで発熱する発熱体を配設し、発熱
体にマイクロ波を照射せしめ該発熱体を発熱させること
で前記断熱空間を高温にするものであって、マイクロ波
を照射する発熱体としてＢ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓｂ，
Ｔｅ含有物質若しくはＢ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｔ
ｅ含有セラミックを採用したことを特徴とする加熱装
置。 - 【請求項２】 断熱体で囲繞した断熱空間内にマイクロ
波を照射せしめることで発熱する発熱体を配設し、発熱
体にマイクロ波を照射せしめ該発熱体を発熱させること
で前記断熱空間を高温にするものであって、マイクロ波
を照射する発熱体としてＢ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓｂ，
Ｔｅ含有物質若しくはＢ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｔ
ｅ含有セラミックを採用し、前記断熱空間内を少なくと
も１２００℃以上に加熱することを可能に構成したこと
を特徴とする加熱装置。 - 【請求項３】 断熱体で囲繞した断熱空間内にマイクロ
波を照射せしめることで発熱する発熱体を配設し、発熱
体にマイクロ波を照射せしめ該発熱体を発熱させること
で前記断熱空間を高温にするものであって、マイクロ波
を照射する発熱体として炭化ケイ素質セラミックを採用
し、前記断熱体空間内を少なくとも１２００℃以上に加
熱することを可能に構成したことを特徴とする加熱装
置。 - 【請求項４】 断熱体で囲繞した断熱空間内に容体形状
に形成されマイクロ波を照射せしめることで発熱する発
熱体を配設し、この発熱体内部の空間に被加熱物を配設
し、発熱体にマイクロ波を照射せしめ該発熱体を発熱さ
せることで該被加熱物を溶融せしめるものであって、マ
イクロ波を照射する容体形状の発熱体を炭化ケイ素質セ
ラミックで形成し、該発熱体内部の空間を少なくとも１
２００℃以上に加熱することを可能に構成して該発熱体
内部の被加熱物を溶融せしめることを特徴とする加熱装
置。 - 【請求項５】 断熱体で囲繞した断熱空間内にマイクロ
波を照射せしめることで発熱する発熱体を配設し、発熱
体にマイクロ波を照射せしめ該発熱体を発熱させること
で前記断熱空間を高温にするものであって、マイクロ波
を照射する発熱体として炭化ホウ素質セラミックを採用
し、前記断熱体空間内を少なくとも１２００℃以上に加
熱することを可能に構成したことを特徴とする加熱装
置。 - 【請求項６】 断熱体で囲繞した断熱空間内に容体形状
に形成されマイクロ波を照射せしめることで発熱する発
熱体を配設し、この発熱体内部の空間に被加熱物を配設
し、発熱体にマイクロ波を照射せしめ該発熱体を発熱さ
せることで該被加熱物を溶融せしめるものであって、マ
イクロ波を照射する容体形状の発熱体を炭化ホウ素質セ
ラミックで形成し、該発熱体内部の空間を少なくとも１
２００℃以上に加熱することを可能に構成して該発熱体
内部の被加熱物を溶融せしめることを特徴とする加熱装
置。 - 【請求項７】 断熱体で囲繞した断熱空間内にマイクロ
波を照射せしめることで発熱する発熱体を配設し、発熱
体にマイクロ波を照射せしめ該発熱体を発熱させること
で前記断熱空間を高温にするものであって、マイクロ波
を照射する発熱体として窒化ホウ素質セラミックを採用
し、前記断熱体空間内を少なくとも１２００℃以上に加
熱することを可能に構成したことを特徴とする加熱装
置。 - 【請求項８】 断熱体で囲繞した断熱空間内に容体形状
に形成されマイクロ波を照射せしめることで発熱する発
熱体を配設し、この発熱体内部の空間に被加熱物を配設
し、発熱体にマイクロ波を照射せしめ該発熱体を発熱さ
せることで該被加熱物を溶融せしめるものであって、マ
イクロ波を照射する容体形状の発熱体を窒化ホウ素質セ
ラミックで形成し、該発熱体内部の空間を少なくとも１
２００℃以上に加熱することを可能に構成して該発熱体
内部の被加熱物を溶融せしめることを特徴とする加熱装
置。 - 【請求項９】 断熱体で囲繞した断熱空間内にマイクロ
波を照射せしめることで発熱する発熱体を配設し、発熱
体にマイクロ波を照射せしめ該発熱体を発熱させること
で前記断熱空間を高温にするものであって、マイクロ波
を照射する発熱体としてＢ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓｅ，
Ｓｂ，Ｔｅ含有物質若しくはＢ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓ
ｅ，Ｓｂ，Ｔｅ含有セラミックを採用し、前記断熱空間
内を少なくともＢ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓｅ，Ｓｂ，Ｔ
ｅの融点温度まで加熱することを可能に構成したことを
特徴とする加熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18261295A JPH08106980A (ja) | 1994-08-08 | 1995-07-19 | 加熱装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18609394 | 1994-08-08 | ||
| JP6-186093 | 1994-08-08 | ||
| JP18261295A JPH08106980A (ja) | 1994-08-08 | 1995-07-19 | 加熱装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08106980A true JPH08106980A (ja) | 1996-04-23 |
Family
ID=26501350
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18261295A Pending JPH08106980A (ja) | 1994-08-08 | 1995-07-19 | 加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08106980A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005509832A (ja) * | 2001-11-12 | 2005-04-14 | ビーダブリューエックスティー・ワイ−１２・エルエルシー | 金属を溶融させる方法及び装置 |
| WO2005104644A1 (ja) * | 2004-04-22 | 2005-11-03 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | 電磁波吸収体 |
-
1995
- 1995-07-19 JP JP18261295A patent/JPH08106980A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005509832A (ja) * | 2001-11-12 | 2005-04-14 | ビーダブリューエックスティー・ワイ−１２・エルエルシー | 金属を溶融させる方法及び装置 |
| WO2005104644A1 (ja) * | 2004-04-22 | 2005-11-03 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | 電磁波吸収体 |
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