JPH08102577A - パターニング方法 - Google Patents
パターニング方法Info
- Publication number
- JPH08102577A JPH08102577A JP26111394A JP26111394A JPH08102577A JP H08102577 A JPH08102577 A JP H08102577A JP 26111394 A JP26111394 A JP 26111394A JP 26111394 A JP26111394 A JP 26111394A JP H08102577 A JPH08102577 A JP H08102577A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- patterning method
- liquid resist
- circuit
- resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 液体レジストとの濡れ性の悪い基板にリフト
オフ法により所望の回路パターンを得ることのできるパ
ターニング方法を提供する。 【構成】 基板に直接液体レジストを塗布し、露光、現
像を行い、その後メタライズを施して回路形成を行うパ
ターニング方法に於いて、基板と液体レジストとの間に
両者のバインダーとなるメタルを形成することを特徴と
するパターニング方法。基板は、ＰＴＦＥ又はポリイミ
ドなどの液体レジストとの濡れ性の悪い基板の場合、有
効である。基板と液体レジストとの間に形成されるメタ
ルは、スパッタリングによるＣｒ、Ｔｉ、Ｍｏ等が好適
である。
オフ法により所望の回路パターンを得ることのできるパ
ターニング方法を提供する。 【構成】 基板に直接液体レジストを塗布し、露光、現
像を行い、その後メタライズを施して回路形成を行うパ
ターニング方法に於いて、基板と液体レジストとの間に
両者のバインダーとなるメタルを形成することを特徴と
するパターニング方法。基板は、ＰＴＦＥ又はポリイミ
ドなどの液体レジストとの濡れ性の悪い基板の場合、有
効である。基板と液体レジストとの間に形成されるメタ
ルは、スパッタリングによるＣｒ、Ｔｉ、Ｍｏ等が好適
である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、エッチングの難しいＰ
ｔ、Ｐｔ族合金等のメタルをリフトオフ法によりパター
ニングする場合、特に液体レジストの濡れ性の悪い基板
に回路形成を行うのに好適なパターニング方法に関す
る。
ｔ、Ｐｔ族合金等のメタルをリフトオフ法によりパター
ニングする場合、特に液体レジストの濡れ性の悪い基板
に回路形成を行うのに好適なパターニング方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】一般に基板の上にＰｔ又はＰｔ族合金の
薄膜を真空蒸着法若しくはスパッタリング法により形成
し、その薄膜をある形状にパターニングする場合、Ｐｔ
は酸によるエッチングが困難な為、リフトオフという方
法を採る。これは基板に直接液体レジストを全面に塗布
し、Ｐｔ薄膜を残したい部分のレジストを除去すべく露
光し、現像処理を行う。現像上りの状態ではＰｔ膜の有
るべき所は基板の素地が露出しており、Ｐｔ膜の不必要
な所はレジストがカバーされている。この基板の表面に
Ｐｔ膜を全面コーティングし、その後レジスト剥離液の
中に投入することにより基板の表面にカバーされていた
レジストが溶け出し、（当然レジストの表面に付着して
いたＰｔ膜も剥離する）、基板に直接コーティングされ
たＰｔ膜のみ残り、目的のＰｔ膜の回路が形成される。
ところで、かかる従来の方法でパターニングを行う場
合、基板の材質が液体レジストとの親和性が無く、スピ
ンコート等により均一に液体レジストを塗布しようとし
ても濡れ性が悪い為、所望のパターンが得られないもの
である。例えば基板の材質がＰＴＦＥ、ポリイミド等の
場合がそれに相当する。
薄膜を真空蒸着法若しくはスパッタリング法により形成
し、その薄膜をある形状にパターニングする場合、Ｐｔ
は酸によるエッチングが困難な為、リフトオフという方
法を採る。これは基板に直接液体レジストを全面に塗布
し、Ｐｔ薄膜を残したい部分のレジストを除去すべく露
光し、現像処理を行う。現像上りの状態ではＰｔ膜の有
るべき所は基板の素地が露出しており、Ｐｔ膜の不必要
な所はレジストがカバーされている。この基板の表面に
Ｐｔ膜を全面コーティングし、その後レジスト剥離液の
中に投入することにより基板の表面にカバーされていた
レジストが溶け出し、（当然レジストの表面に付着して
いたＰｔ膜も剥離する）、基板に直接コーティングされ
たＰｔ膜のみ残り、目的のＰｔ膜の回路が形成される。
ところで、かかる従来の方法でパターニングを行う場
合、基板の材質が液体レジストとの親和性が無く、スピ
ンコート等により均一に液体レジストを塗布しようとし
ても濡れ性が悪い為、所望のパターンが得られないもの
である。例えば基板の材質がＰＴＦＥ、ポリイミド等の
場合がそれに相当する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明は、液体
レジストとの濡れ性の悪い基板にリフトオフ法により所
望の回路パターンを得ることのできるパターニング方法
を提供しようとするものである。
レジストとの濡れ性の悪い基板にリフトオフ法により所
望の回路パターンを得ることのできるパターニング方法
を提供しようとするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明のパターニング方法は、基板に直接液体レジス
トを塗布し、露光、現像を行い、その後メタライズを施
して回路形成を行うパターニング方法に於いて、基板と
レジストとの間に両者のバインダーとなるメタルを形成
することを特徴とするものである。上記の基板は、ＰＴ
ＦＥ又はポリイミドなどの液体レジストとの濡れ性の悪
い基板の場合、有効である。上記基板と液体レジストと
の間に形成されるメタルは、スパッタリングによるＣ
ｒ、Ｔｉ、Ｍｏ等が好適である。上記回路形成は、Ｐ
ｔ、Ｐｔ族金属又はそれらの合金で行なうことが好適で
ある。さらに上記回路形成する膜の厚みは0.0001μｍ以
上10μｍ以下であることが望ましい。
の本発明のパターニング方法は、基板に直接液体レジス
トを塗布し、露光、現像を行い、その後メタライズを施
して回路形成を行うパターニング方法に於いて、基板と
レジストとの間に両者のバインダーとなるメタルを形成
することを特徴とするものである。上記の基板は、ＰＴ
ＦＥ又はポリイミドなどの液体レジストとの濡れ性の悪
い基板の場合、有効である。上記基板と液体レジストと
の間に形成されるメタルは、スパッタリングによるＣ
ｒ、Ｔｉ、Ｍｏ等が好適である。上記回路形成は、Ｐ
ｔ、Ｐｔ族金属又はそれらの合金で行なうことが好適で
ある。さらに上記回路形成する膜の厚みは0.0001μｍ以
上10μｍ以下であることが望ましい。
【０００５】
【作用】上記のように本発明のパターニング方法は、濡
れ性の悪い基板と液体レジストとの間に、両者のバイン
ダーとなる下地膜としてＣｒ、Ｔｉ、Ｍｏ等を用いるの
で、液体レジストに対して濡れ性が良く、基板に対して
密着性が良くなる。従って、液体レジストの塗布ができ
なかった基板にもリフトオフによるＰｔ、Ｐｔ族金属又
はそれらの合金の微細な回路を形成することができる。
なお、回路形成を行なう膜厚は0.0001μｍ未満では信頼
性に欠け、10μｍを越えると膜が厚すぎて除去すべき膜
が破壊できなくなり、リフトオフ法による余分な膜の除
去が不可能となり好ましくない。
れ性の悪い基板と液体レジストとの間に、両者のバイン
ダーとなる下地膜としてＣｒ、Ｔｉ、Ｍｏ等を用いるの
で、液体レジストに対して濡れ性が良く、基板に対して
密着性が良くなる。従って、液体レジストの塗布ができ
なかった基板にもリフトオフによるＰｔ、Ｐｔ族金属又
はそれらの合金の微細な回路を形成することができる。
なお、回路形成を行なう膜厚は0.0001μｍ未満では信頼
性に欠け、10μｍを越えると膜が厚すぎて除去すべき膜
が破壊できなくなり、リフトオフ法による余分な膜の除
去が不可能となり好ましくない。
【０００６】
【実施例】本発明のパターニング方法の一実施例を図に
よって説明する。図１に示すようにＰＴＦＥ（ポリテト
ラフロロエチレン）より成る厚さ 0.3mm、縦 100mm、横
100mm の基板１に、スパッタリングによりバインダーと
なるＣｒ層２を全面に1000Å形成し、次に図２に示すよ
うにその表面にスピンコート（ＯＦＰＲ− 800、30cp）
により 300ｒｐｍ（３秒）、3000ｒｐｍ（20秒）、6000
ｒｐｍ（１秒）かけて液体レジスト（ポジ型フォトレジ
スト）３を 1.5μｍ厚形成し、次いで図３に示すように
ガラスマスク４を被い、ＰＬＡ− 501Ｆ（11.0mW／m2 4
05μｍ）220ｍｓで露光し、次に現像液ＮＭＤ−３に60
秒間ディッピングして図４に示すように現像し、次いで
硝酸アンモニウムセリウム溶液に10秒間ディッピングし
て図５に示すようにレジストに被われた部分以外のＣｒ
層２をエッチングし、次に図６に示すようにＴｉ（ 500
Å）／Ｐｔ（2000Å）５をコーティングし、次いで図７
に示すように剥離液（♯−106 ） 100℃でレジスト剥離
を行ってリフトオフ法によりＴｉ／Ｐｔ回路６を残留
し、然る後残留Ｃｒ層２′をエッチングして図８に示す
ようにＴｉ／Ｐｔ回路６′を仕上げした。こうして製作
したＴｉ／Ｐｔ回路６′はライン幅20μｍ、スペース幅
20μｍで、所望の微細な回路であった。
よって説明する。図１に示すようにＰＴＦＥ（ポリテト
ラフロロエチレン）より成る厚さ 0.3mm、縦 100mm、横
100mm の基板１に、スパッタリングによりバインダーと
なるＣｒ層２を全面に1000Å形成し、次に図２に示すよ
うにその表面にスピンコート（ＯＦＰＲ− 800、30cp）
により 300ｒｐｍ（３秒）、3000ｒｐｍ（20秒）、6000
ｒｐｍ（１秒）かけて液体レジスト（ポジ型フォトレジ
スト）３を 1.5μｍ厚形成し、次いで図３に示すように
ガラスマスク４を被い、ＰＬＡ− 501Ｆ（11.0mW／m2 4
05μｍ）220ｍｓで露光し、次に現像液ＮＭＤ−３に60
秒間ディッピングして図４に示すように現像し、次いで
硝酸アンモニウムセリウム溶液に10秒間ディッピングし
て図５に示すようにレジストに被われた部分以外のＣｒ
層２をエッチングし、次に図６に示すようにＴｉ（ 500
Å）／Ｐｔ（2000Å）５をコーティングし、次いで図７
に示すように剥離液（♯−106 ） 100℃でレジスト剥離
を行ってリフトオフ法によりＴｉ／Ｐｔ回路６を残留
し、然る後残留Ｃｒ層２′をエッチングして図８に示す
ようにＴｉ／Ｐｔ回路６′を仕上げした。こうして製作
したＴｉ／Ｐｔ回路６′はライン幅20μｍ、スペース幅
20μｍで、所望の微細な回路であった。
【０００７】
【発明の効果】以上の説明で判るように本発明のパター
ニング方法は、濡れ性の悪い基板と液体レジストとの間
に、両者のバインダーとなる下地の膜としてＣｒ、Ｔ
ｉ、Ｍｏ等を用いるので、液体レジストに対して濡れ性
が良く、基板に対して密着性が良くなり、液体レジスト
を塗布できなかった基板にもリフトオフ法によりＰｔ、
Ｐｔ族金属又はそれらの合金の微細な回路を形成するこ
とができる。
ニング方法は、濡れ性の悪い基板と液体レジストとの間
に、両者のバインダーとなる下地の膜としてＣｒ、Ｔ
ｉ、Ｍｏ等を用いるので、液体レジストに対して濡れ性
が良く、基板に対して密着性が良くなり、液体レジスト
を塗布できなかった基板にもリフトオフ法によりＰｔ、
Ｐｔ族金属又はそれらの合金の微細な回路を形成するこ
とができる。
【図１】本発明のパターニング方法の一実施例の工程を
示す図である。
示す図である。
【図２】本発明のパターニング方法の一実施例の工程を
示す図である。
示す図である。
【図３】本発明のパターニング方法の一実施例の工程を
示す図である。
示す図である。
【図４】本発明のパターニング方法の一実施例の工程を
示す図である。
示す図である。
【図５】本発明のパターニング方法の一実施例の工程を
示す図である。
示す図である。
【図６】本発明のパターニング方法の一実施例の工程を
示す図である。
示す図である。
【図７】本発明のパターニング方法の一実施例の工程を
示す図である。
示す図である。
【図８】本発明のパターニング方法の一実施例の工程を
示す図である。
示す図である。
１ 基板 ２ Ｃｒ層（バインダーとなるメタル） ２′ 残留Ｃｒ層 ３ 液体レジスト ４ ガラスマスク ５ Ｔｉ／Ｐｔ ６ Ｔｉ／Ｐｔ回路 ６′ 仕上げＴｉ／Ｐｔ回路
Claims (5)
- 【請求項１】 基板に直接液体レジストを塗布し、露
光、現像を行い、その後メタライズを施して回路形成を
行うパターニング方法に於いて、基板と液体レジストと
の間に両者のバインダーとなるメタルを形成することを
特徴とするパターニング方法。 - 【請求項２】 基板がＰＴＦＥ又はポリイミドであるこ
とを特徴とする請求項１記載のパターニング方法。 - 【請求項３】 基板と液体レジストとの間に形成される
メタルがスパッタリングによるＣｒ、Ｔｉ又はＭｏであ
ることを特徴とする請求項１又は２記載のパターニング
方法。 - 【請求項４】 上記回路形成をＰｔ、Ｐｔ族金属又はそ
れらの合金で行なうことを特徴とする請求項１、２又は
３記載のパターニング方法。 - 【請求項５】 上記回路形成する膜の厚みが0.0001μｍ
以上10μｍ以下であることを特徴とする請求項１、２、
３又は４記載のパターニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26111394A JPH08102577A (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | パターニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26111394A JPH08102577A (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | パターニング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08102577A true JPH08102577A (ja) | 1996-04-16 |
Family
ID=17357276
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26111394A Pending JPH08102577A (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | パターニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08102577A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005191526A (ja) * | 2003-08-26 | 2005-07-14 | Sony Internatl Europ Gmbh | 有機材料又は有機材料と無機材料を組み合わせた材料をパターニングする方法 |
-
1994
- 1994-09-30 JP JP26111394A patent/JPH08102577A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005191526A (ja) * | 2003-08-26 | 2005-07-14 | Sony Internatl Europ Gmbh | 有機材料又は有機材料と無機材料を組み合わせた材料をパターニングする方法 |
| JP4557285B2 (ja) * | 2003-08-26 | 2010-10-06 | ソニー ドイチュラント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 有機材料又は有機材料と無機材料を組み合わせた材料をパターニングする方法 |
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