JPH08100258A - 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成方法及び薄膜形成装置Info
- Publication number
- JPH08100258A JPH08100258A JP23666594A JP23666594A JPH08100258A JP H08100258 A JPH08100258 A JP H08100258A JP 23666594 A JP23666594 A JP 23666594A JP 23666594 A JP23666594 A JP 23666594A JP H08100258 A JPH08100258 A JP H08100258A
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- film
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 真空系におけるフィルムの走行具合を制御す
る為の技術を提供することである。 【構成】 真空中で走行する支持体面上に薄膜を設ける
薄膜形成方法であって、真空中で走行する支持体面上に
薄膜を設ける工程と、静電容量検出部を通過する支持体
の位置変動による静電容量変化を検出し、この検出値を
基にして支持体の走行を制御する工程とを具備する薄膜
形成方法。
る為の技術を提供することである。 【構成】 真空中で走行する支持体面上に薄膜を設ける
薄膜形成方法であって、真空中で走行する支持体面上に
薄膜を設ける工程と、静電容量検出部を通過する支持体
の位置変動による静電容量変化を検出し、この検出値を
基にして支持体の走行を制御する工程とを具備する薄膜
形成方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば磁気記録媒体の
製造技術に関するものである。
製造技術に関するものである。
【０００２】
【発明の背景】磁気テープ等の磁気記録媒体には、非磁
性支持体であるフィルム上に磁性粉やバインダを溶剤中
に分散させた磁性塗料を塗布してなる塗布型のものと、
バインダを用いず、金属磁性粒子をフィルム上に堆積さ
せてなる金属薄膜型のものとがある。
性支持体であるフィルム上に磁性粉やバインダを溶剤中
に分散させた磁性塗料を塗布してなる塗布型のものと、
バインダを用いず、金属磁性粒子をフィルム上に堆積さ
せてなる金属薄膜型のものとがある。
【０００３】これらの中、金属薄膜型の磁気記録媒体
は、磁性層（磁性膜）にバインダを含まないことから、
磁性材料の充填密度が高く、高密度記録に適している。
特に、ハイビジョン方式やデジタル記録方式の出現した
今日にあっては、高密度記録の観点から、金属薄膜型の
磁気記録媒体に対する要請が高まる一方である。そし
て、このような磁気記録媒体の金属磁性膜は、例えば真
空蒸着、スパッタリングあるいはイオンプレーティング
等のフィジカルベーパーデポジション（ＰＶＤ）を用い
た乾式メッキ手段により成膜されている。特に、電子ビ
ームを照射して蒸発・付着させる手段により磁性膜を構
成する蒸着手段は、成膜速度が速いことから好ましい。
は、磁性層（磁性膜）にバインダを含まないことから、
磁性材料の充填密度が高く、高密度記録に適している。
特に、ハイビジョン方式やデジタル記録方式の出現した
今日にあっては、高密度記録の観点から、金属薄膜型の
磁気記録媒体に対する要請が高まる一方である。そし
て、このような磁気記録媒体の金属磁性膜は、例えば真
空蒸着、スパッタリングあるいはイオンプレーティング
等のフィジカルベーパーデポジション（ＰＶＤ）を用い
た乾式メッキ手段により成膜されている。特に、電子ビ
ームを照射して蒸発・付着させる手段により磁性膜を構
成する蒸着手段は、成膜速度が速いことから好ましい。
【０００４】この蒸着手段による磁気記録媒体の製造装
置は、図４に示す如く構成されているものが一般的であ
る。尚、図４中、３１は冷却キャンロール、３２ａはポ
リエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム３３の供
給側ロール、３２ｂはＰＥＴフィルム３３の巻取側ロー
ル、３４は遮蔽板、３５はルツボ、３６は磁性合金、３
７は真空槽である。そして、真空槽３７内を所定の真空
度となるように排気した後、電子銃３８を作動させてル
ツボ３５内の磁性合金３６を加熱・蒸発させ、ＰＥＴフ
ィルム３３に対して磁性合金３６を堆積（蒸着）させる
ことによって金属磁性膜が成膜されている。
置は、図４に示す如く構成されているものが一般的であ
る。尚、図４中、３１は冷却キャンロール、３２ａはポ
リエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム３３の供
給側ロール、３２ｂはＰＥＴフィルム３３の巻取側ロー
ル、３４は遮蔽板、３５はルツボ、３６は磁性合金、３
７は真空槽である。そして、真空槽３７内を所定の真空
度となるように排気した後、電子銃３８を作動させてル
ツボ３５内の磁性合金３６を加熱・蒸発させ、ＰＥＴフ
ィルム３３に対して磁性合金３６を堆積（蒸着）させる
ことによって金属磁性膜が成膜されている。
【０００５】ところで、このような蒸着作業が進むにつ
れてＰＥＴフィルム３３の走行性が低下し（乱れ）、酷
い場合にはＰＥＴフィルム３３が冷却キャンロール３１
に貼り付いてしまい、冷却キャンロール３１に巻き取ら
れてしまうようにもなる。そして、このようになると、
巻取側ロール３２ｂからの力を受けてもＰＥＴフィルム
３３は冷却キャンロール３１から剥離できず、終には走
行不能になってしまうことが有る。
れてＰＥＴフィルム３３の走行性が低下し（乱れ）、酷
い場合にはＰＥＴフィルム３３が冷却キャンロール３１
に貼り付いてしまい、冷却キャンロール３１に巻き取ら
れてしまうようにもなる。そして、このようになると、
巻取側ロール３２ｂからの力を受けてもＰＥＴフィルム
３３は冷却キャンロール３１から剥離できず、終には走
行不能になってしまうことが有る。
【０００６】又、走行具合によってＰＥＴフィルム３３
に皺が生じる場合がある。そして、皺が生じた状態で金
属磁性膜が成膜されたものは、磁性膜が均一なものとな
らず、欠陥品となってしまう。又、皺が出来たまま巻取
側ロール３２ｂに巻き取られて行くと、この皺が転写さ
れてしまい、不良品の発生率が高くなる。又、幅方向に
おいて横振れが起きると、成膜が綺麗に出来ていたとし
ても、巻取りが上手く出来ず、この為に製品の歩留りが
低下する。
に皺が生じる場合がある。そして、皺が生じた状態で金
属磁性膜が成膜されたものは、磁性膜が均一なものとな
らず、欠陥品となってしまう。又、皺が出来たまま巻取
側ロール３２ｂに巻き取られて行くと、この皺が転写さ
れてしまい、不良品の発生率が高くなる。又、幅方向に
おいて横振れが起きると、成膜が綺麗に出来ていたとし
ても、巻取りが上手く出来ず、この為に製品の歩留りが
低下する。
【０００７】上記のような問題点を解決する為の手段と
して、各種の手段が提案されている。例えば、冷却キャ
ンロール３１からの剥離手段を設けたり、皺取り手段を
設けたり、あるいは巻き乱れ防止手段を設けることが提
案されている。しかしながら、これら各種の手段が設け
られていても、これらの手段を、常時、作動させておく
訳にはいかない。つまり、支障が起きた時にのみ動作さ
せるようにしておかねばならない。
して、各種の手段が提案されている。例えば、冷却キャ
ンロール３１からの剥離手段を設けたり、皺取り手段を
設けたり、あるいは巻き乱れ防止手段を設けることが提
案されている。しかしながら、これら各種の手段が設け
られていても、これらの手段を、常時、作動させておく
訳にはいかない。つまり、支障が起きた時にのみ動作さ
せるようにしておかねばならない。
【０００８】
【発明の開示】上記問題点についての検討が本発明者に
よって鋭意押し進められて行くうちに、冷却キャンロー
ルへの貼り付きや皺の発生が起きた場合には、ＰＥＴフ
ィルムに張力が作用し、変動が起きていることに気付い
た。又、巻き乱れが起きていることは、ＰＥＴフィルム
に変動が起きていることである。従って、このＰＥＴフ
ィルムの位置変動、特に幅方向における位置変動を検出
すれば良いと考えた。
よって鋭意押し進められて行くうちに、冷却キャンロー
ルへの貼り付きや皺の発生が起きた場合には、ＰＥＴフ
ィルムに張力が作用し、変動が起きていることに気付い
た。又、巻き乱れが起きていることは、ＰＥＴフィルム
に変動が起きていることである。従って、このＰＥＴフ
ィルムの位置変動、特に幅方向における位置変動を検出
すれば良いと考えた。
【０００９】このような検出手段として、先ず、光セン
サによる手段が考えられた。しかしながら、金属磁性膜
が成膜されたＰＥＴフィルムを光センサによって検出す
るにしても、ＰＥＴフィルムの端まで金属磁性膜が成膜
されているのではない為、又、金属磁性膜の設けられて
いる端部における光透過率にも変動が有り、この為に誤
動作が頻繁に起き、実用性が乏しいものであった。
サによる手段が考えられた。しかしながら、金属磁性膜
が成膜されたＰＥＴフィルムを光センサによって検出す
るにしても、ＰＥＴフィルムの端まで金属磁性膜が成膜
されているのではない為、又、金属磁性膜の設けられて
いる端部における光透過率にも変動が有り、この為に誤
動作が頻繁に起き、実用性が乏しいものであった。
【００１０】又、エアの流れ（停止）を利用した手段が
フィルム走行系における制御に利用されているものの、
真空系における制御には利用できない。このような思考
錯誤を繰り返しているうちに、静電容量の変化を検出す
れば良いのではないかとの啓示を得るに至った。すなわ
ち、真空槽内におけるフィルム走行路に一対の金属片を
配置しておけば、フィルム端と金属片との重なり具合に
よって静電容量が変化するから、この変化量を検出すれ
ばフィルムの横振れを検出できることに気付いたのであ
る。しかも、この方式は真空系において支障がない。か
つ、フィルム端に金属磁性膜が成膜されてなくとも、
又、フィルム端に金属粒子が汚れとして付着していて
も、何ら支障がなく、誤作動が起き難い。
フィルム走行系における制御に利用されているものの、
真空系における制御には利用できない。このような思考
錯誤を繰り返しているうちに、静電容量の変化を検出す
れば良いのではないかとの啓示を得るに至った。すなわ
ち、真空槽内におけるフィルム走行路に一対の金属片を
配置しておけば、フィルム端と金属片との重なり具合に
よって静電容量が変化するから、この変化量を検出すれ
ばフィルムの横振れを検出できることに気付いたのであ
る。しかも、この方式は真空系において支障がない。か
つ、フィルム端に金属磁性膜が成膜されてなくとも、
又、フィルム端に金属粒子が汚れとして付着していて
も、何ら支障がなく、誤作動が起き難い。
【００１１】このような知見を基にして本発明が達成さ
れたものであり、本発明の目的は、真空系におけるフィ
ルムの走行具合を制御する為の技術を提供することであ
る。この本発明の目的は、真空中で走行する支持体面上
に薄膜を設ける薄膜形成方法であって、真空中で走行す
る支持体面上に薄膜を設ける工程と、静電容量検出部を
通過する支持体の位置変動による静電容量変化を検出
し、この検出値を基にして支持体の走行を制御する工程
とを具備することを特徴とする薄膜形成方法によって達
成される。
れたものであり、本発明の目的は、真空系におけるフィ
ルムの走行具合を制御する為の技術を提供することであ
る。この本発明の目的は、真空中で走行する支持体面上
に薄膜を設ける薄膜形成方法であって、真空中で走行す
る支持体面上に薄膜を設ける工程と、静電容量検出部を
通過する支持体の位置変動による静電容量変化を検出
し、この検出値を基にして支持体の走行を制御する工程
とを具備することを特徴とする薄膜形成方法によって達
成される。
【００１２】又、真空槽と、支持体の供給手段と、支持
体の巻取手段と、前記供給手段から巻取手段に支持体を
走行させる走行手段と、この走行手段によって真空槽内
を走行する支持体に対して粒子を堆積させ、支持体上に
薄膜を形成する薄膜形成手段と、真空槽内を走行する支
持体の端部を挟む如く構成した静電容量検出手段と、こ
の静電容量検出手段からの信号を受けて支持体の走行を
制御する制御手段とを具備することを特徴とする薄膜形
成装置によって達成される。
体の巻取手段と、前記供給手段から巻取手段に支持体を
走行させる走行手段と、この走行手段によって真空槽内
を走行する支持体に対して粒子を堆積させ、支持体上に
薄膜を形成する薄膜形成手段と、真空槽内を走行する支
持体の端部を挟む如く構成した静電容量検出手段と、こ
の静電容量検出手段からの信号を受けて支持体の走行を
制御する制御手段とを具備することを特徴とする薄膜形
成装置によって達成される。
【００１３】すなわち、真空系において走行する支持体
の横振れを静電容量の変化として検出すれば、これを基
にして支持体の走行を制御できるようになる。例えば、
静電容量の変化による信号を巻き乱れ防止手段に入力し
てやれば、巻き乱れを効果的になくすことが出来る。
又、冷却キャンロールからの剥離手段に入力してやれ
ば、冷却キャンロールへの貼り付きをなくすことが出来
る。あるいは、皺取り手段に入力してやれば、皺をなく
すことが出来る。
の横振れを静電容量の変化として検出すれば、これを基
にして支持体の走行を制御できるようになる。例えば、
静電容量の変化による信号を巻き乱れ防止手段に入力し
てやれば、巻き乱れを効果的になくすことが出来る。
又、冷却キャンロールからの剥離手段に入力してやれ
ば、冷却キャンロールへの貼り付きをなくすことが出来
る。あるいは、皺取り手段に入力してやれば、皺をなく
すことが出来る。
【００１４】本発明が磁気記録媒体に適用される場合に
あっては、支持体は絶縁性で非磁性のものであり、この
ような支持体はＰＥＴ等のポリエステル、ポリアミド、
ポリイミド、ポリスルフォン、ポリカーボネート、ポリ
プロピレン等のオレフィン系の樹脂、セルロース系の樹
脂、塩化ビニル系の樹脂などの有機材料、つまり誘電性
の高分子材料が用いられる。尚、支持体の表面には、磁
性層（磁性薄膜）の密着性を向上させる為、必要に応じ
てアンダーコート層が設けられている。すなわち、表面
の粗さを適度に粗すことにより、例えば斜め蒸着法によ
り構成される磁性薄膜の密着性を向上させ、さらに金属
磁性薄膜表面の表面粗さを適度なものとして走行性を改
善する為、例えばＳｉＯ2 等の粒子を含有させた厚さが
０．００５〜０．１μｍの塗膜を設けることによってア
ンダーコート層が構成されている。
あっては、支持体は絶縁性で非磁性のものであり、この
ような支持体はＰＥＴ等のポリエステル、ポリアミド、
ポリイミド、ポリスルフォン、ポリカーボネート、ポリ
プロピレン等のオレフィン系の樹脂、セルロース系の樹
脂、塩化ビニル系の樹脂などの有機材料、つまり誘電性
の高分子材料が用いられる。尚、支持体の表面には、磁
性層（磁性薄膜）の密着性を向上させる為、必要に応じ
てアンダーコート層が設けられている。すなわち、表面
の粗さを適度に粗すことにより、例えば斜め蒸着法によ
り構成される磁性薄膜の密着性を向上させ、さらに金属
磁性薄膜表面の表面粗さを適度なものとして走行性を改
善する為、例えばＳｉＯ2 等の粒子を含有させた厚さが
０．００５〜０．１μｍの塗膜を設けることによってア
ンダーコート層が構成されている。
【００１５】この支持体の一面側には、蒸着やスパッタ
などのＰＶＤ手段によって磁性薄膜が設けられる。金属
磁性薄膜を構成する磁性粒子の材料としては、例えばＦ
ｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の金属の他に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ
−Ｐｔ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、
Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−
Ｂ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、
あるいはこれらにＡｌ等の金属を含有させたもの等が用
いられる。尚、金属磁性薄膜の成膜時には酸化性ガスが
供されていて、金属磁性薄膜の表面層には酸化膜からな
る保護層が形成されることが好ましい。この金属磁性薄
膜をＰＶＤ手段によって構成する場合に本発明が適用で
きる。
などのＰＶＤ手段によって磁性薄膜が設けられる。金属
磁性薄膜を構成する磁性粒子の材料としては、例えばＦ
ｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の金属の他に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ
−Ｐｔ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、
Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−
Ｂ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、
あるいはこれらにＡｌ等の金属を含有させたもの等が用
いられる。尚、金属磁性薄膜の成膜時には酸化性ガスが
供されていて、金属磁性薄膜の表面層には酸化膜からな
る保護層が形成されることが好ましい。この金属磁性薄
膜をＰＶＤ手段によって構成する場合に本発明が適用で
きる。
【００１６】金属磁性薄膜の表面にはケミカルベーパー
デポジション（ＣＶＤ）によってダイヤモンドライクカ
ーボン膜と言った保護膜が必要に応じて設けられる。こ
の保護膜をＣＶＤ手段によって構成する場合にも、本発
明が適用できる。支持体の他面側には、いわゆるバック
コート膜が設けられる。このバックコート膜を蒸着やス
パッタなどのＰＶＤ手段によって金属薄膜として構成す
る場合にも、本発明が適用できる。尚、金属薄膜系のバ
ックコート膜を構成する金属粒子の材料としては、例え
ばＡｌ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｆｅ，Ｔｉなどの金
属が用いられる。又、Ｃｕ−Ａｌ−Ｘ（但し、ＸはＭ
ｎ，Ｆｅ，Ｎｉの群の中から選ばれる一つ、若しくは二
つ以上）系合金、Ａｌ−Ｓｉ系合金、Ｔｉ合金等が用い
られる。
デポジション（ＣＶＤ）によってダイヤモンドライクカ
ーボン膜と言った保護膜が必要に応じて設けられる。こ
の保護膜をＣＶＤ手段によって構成する場合にも、本発
明が適用できる。支持体の他面側には、いわゆるバック
コート膜が設けられる。このバックコート膜を蒸着やス
パッタなどのＰＶＤ手段によって金属薄膜として構成す
る場合にも、本発明が適用できる。尚、金属薄膜系のバ
ックコート膜を構成する金属粒子の材料としては、例え
ばＡｌ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｆｅ，Ｔｉなどの金
属が用いられる。又、Ｃｕ−Ａｌ−Ｘ（但し、ＸはＭ
ｎ，Ｆｅ，Ｎｉの群の中から選ばれる一つ、若しくは二
つ以上）系合金、Ａｌ−Ｓｉ系合金、Ｔｉ合金等が用い
られる。
【００１７】以下、具体的な実施例を挙げて本発明を説
明する。
明する。
【００１８】
【実施例】図１〜図３は本発明の一実施例を示すもの
で、図１は薄膜形成装置（磁気記録媒体製造装置）の概
略図、図２及び図３は要部の概略図である。各図中、１
はＰＥＴフィルム等の支持体、２ａは支持体１の供給側
ロール、２ｂは支持体１の巻取側ロール、３は冷却キャ
ンロール、４は遮蔽板、５はルツボ、６は磁性金属、７
は電子銃、８は真空槽、９は酸素ガス供給ノズルであ
る。尚、これらの部分の構成は、従来からも斜め蒸着装
置として良く知られているから、詳細な説明は省略す
る。
で、図１は薄膜形成装置（磁気記録媒体製造装置）の概
略図、図２及び図３は要部の概略図である。各図中、１
はＰＥＴフィルム等の支持体、２ａは支持体１の供給側
ロール、２ｂは支持体１の巻取側ロール、３は冷却キャ
ンロール、４は遮蔽板、５はルツボ、６は磁性金属、７
は電子銃、８は真空槽、９は酸素ガス供給ノズルであ
る。尚、これらの部分の構成は、従来からも斜め蒸着装
置として良く知られているから、詳細な説明は省略す
る。
【００１９】上記のように構成させた装置において、真
空槽８内を１０-4〜１０-6Ｔｏｒｒ程度、例えば２×１
０-5Ｔｏｒｒの真空度に排気した後、電子銃（１６ｋ
Ｗ）７による電子ビーム加熱によりルツボ５内の磁性金
属６を蒸発させ、例えば１００ｍ／ｍｉｎで走行する支
持体１に対して０．０４〜２μｍ、例えば２０００Å厚
さ磁性金属６を蒸着させることによって金属磁性膜６ａ
が成膜され、この後巻取側ロール２ｂに巻き取られて行
く。尚、この磁性膜６ａの成膜に際しては、ノズル９の
ノズル口からＯ2 ガスが１８０ｓｃｃｍの割合で供給さ
れ、支持体１上に蒸着形成される磁性膜６ａの表層部分
が強制酸化させられる。
空槽８内を１０-4〜１０-6Ｔｏｒｒ程度、例えば２×１
０-5Ｔｏｒｒの真空度に排気した後、電子銃（１６ｋ
Ｗ）７による電子ビーム加熱によりルツボ５内の磁性金
属６を蒸発させ、例えば１００ｍ／ｍｉｎで走行する支
持体１に対して０．０４〜２μｍ、例えば２０００Å厚
さ磁性金属６を蒸着させることによって金属磁性膜６ａ
が成膜され、この後巻取側ロール２ｂに巻き取られて行
く。尚、この磁性膜６ａの成膜に際しては、ノズル９の
ノズル口からＯ2 ガスが１８０ｓｃｃｍの割合で供給さ
れ、支持体１上に蒸着形成される磁性膜６ａの表層部分
が強制酸化させられる。
【００２０】このようにして磁性膜が形成され、巻取側
ロール２ｂに巻き取られた後、巻取側ロール２ｂを取り
出し、そして平均粒径２０ｎｍのカーボンブラック及び
塩化ビニル系樹脂とウレタンプレポリマーとからなるバ
インダ樹脂を分散させてなるバックコート用の塗料をダ
イレクトグラビア法により磁性膜６ａとは反対側の支持
体１面に塗布し、乾燥厚さが０．５μｍのバックコート
層を設ける。あるいは、磁性膜６ａを形成した場合と同
様にして金属薄膜型のバックコート層（バックコート
膜）が設けられる。
ロール２ｂに巻き取られた後、巻取側ロール２ｂを取り
出し、そして平均粒径２０ｎｍのカーボンブラック及び
塩化ビニル系樹脂とウレタンプレポリマーとからなるバ
インダ樹脂を分散させてなるバックコート用の塗料をダ
イレクトグラビア法により磁性膜６ａとは反対側の支持
体１面に塗布し、乾燥厚さが０．５μｍのバックコート
層を設ける。あるいは、磁性膜６ａを形成した場合と同
様にして金属薄膜型のバックコート層（バックコート
膜）が設けられる。
【００２１】又、磁性膜６ａが設けられた後、ＣＶＤ装
置の供給側に巻取側ロール２ｂを装填し、磁性膜６ａ上
にダイヤモンドライクカーボン等の保護膜が設けられ
る。いずれにしても、巻取側ロール２ｂに巻き取られて
行く段階において、支持体１が巻取側ロール２ｂに綺麗
に巻き取られていることが後作業を容易なものとする。
この為、例えば冷却キャンロール３と巻取側ロール２ｂ
との間に、支持体１の巻取側ロール２ｂへの巻き取りを
コントロールする為の手段が設けられている。例えば、
冷却キャンロール３と巻取側ロール２ｂとの間に設けら
れているガイドローラー１０を軸芯方向に沿ってスライ
ドさせ、すなわち支持体１の幅方向の振れに対応してガ
イドローラー１０を軸芯方向に沿ってスライドさせ、巻
取側ロール２ｂに巻き取られる巻き姿を綺麗なものとし
ようとしている。
置の供給側に巻取側ロール２ｂを装填し、磁性膜６ａ上
にダイヤモンドライクカーボン等の保護膜が設けられ
る。いずれにしても、巻取側ロール２ｂに巻き取られて
行く段階において、支持体１が巻取側ロール２ｂに綺麗
に巻き取られていることが後作業を容易なものとする。
この為、例えば冷却キャンロール３と巻取側ロール２ｂ
との間に、支持体１の巻取側ロール２ｂへの巻き取りを
コントロールする為の手段が設けられている。例えば、
冷却キャンロール３と巻取側ロール２ｂとの間に設けら
れているガイドローラー１０を軸芯方向に沿ってスライ
ドさせ、すなわち支持体１の幅方向の振れに対応してガ
イドローラー１０を軸芯方向に沿ってスライドさせ、巻
取側ロール２ｂに巻き取られる巻き姿を綺麗なものとし
ようとしている。
【００２２】このガイドローラー１０の動作を制御する
為に設けられたのが静電容量検出手段１１である。すな
わち、静電容量検出手段１１からの信号を制御手段１２
が受け、これによってガイドローラー１０を作動させる
ようにしているのである。静電容量検出手段１１は、図
２や図３に示されるように構成されたものである。すな
わち、静電容量検出手段１１は一対の金属片１１ａ，１
１ｂが絶縁体１１ｃを介してコ字形状に構成されたもの
である。そして、金属片１１ａと１１ｂとが、支持体１
の端部に対応して、これを挟む如く配置されている。従
って、支持体１と金属片１１ａ，１１ｂとの積重長（支
持体１がコ字形状部に入り込んだ長さ）ｍによって静電
容量が変動するから、これをインピーダンスアナライザ
ー１３によって検出することが出来る。この静電容量検
出手段１１を走行する支持体の両側に配設し、差動アン
プ１４を介して制御手段１２に入力するようにしておけ
ば、支持体１がどちらに横振れを起こしても、これを効
果的に検出でき、正確にガイドローラー１０を制御でき
る。
為に設けられたのが静電容量検出手段１１である。すな
わち、静電容量検出手段１１からの信号を制御手段１２
が受け、これによってガイドローラー１０を作動させる
ようにしているのである。静電容量検出手段１１は、図
２や図３に示されるように構成されたものである。すな
わち、静電容量検出手段１１は一対の金属片１１ａ，１
１ｂが絶縁体１１ｃを介してコ字形状に構成されたもの
である。そして、金属片１１ａと１１ｂとが、支持体１
の端部に対応して、これを挟む如く配置されている。従
って、支持体１と金属片１１ａ，１１ｂとの積重長（支
持体１がコ字形状部に入り込んだ長さ）ｍによって静電
容量が変動するから、これをインピーダンスアナライザ
ー１３によって検出することが出来る。この静電容量検
出手段１１を走行する支持体の両側に配設し、差動アン
プ１４を介して制御手段１２に入力するようにしておけ
ば、支持体１がどちらに横振れを起こしても、これを効
果的に検出でき、正確にガイドローラー１０を制御でき
る。
【００２３】しかも、このコンデンサー型の検出手段、
すなわち静電容量検出手段１１は、真空槽８内において
正確に動作し、誤動作が起きることはなかった。尚、上
記実施例では金属磁性膜を設ける場合で説明したが、い
わゆるバックコート膜や保護膜の場合にも適用される技
術であり、さらには真空中で膜を設ける一般的な場合に
適用でき、同じような効果が奏される。
すなわち静電容量検出手段１１は、真空槽８内において
正確に動作し、誤動作が起きることはなかった。尚、上
記実施例では金属磁性膜を設ける場合で説明したが、い
わゆるバックコート膜や保護膜の場合にも適用される技
術であり、さらには真空中で膜を設ける一般的な場合に
適用でき、同じような効果が奏される。
【００２４】又、巻取側ロール２ｂへの巻取り姿を綺麗
に制御する為に用いられた場合で説明したが、冷却キャ
ンロール３への貼り付き現象や皺発生の検出にも静電容
量検出手段１１を利用でき、従ってこれらの問題点を解
決する制御手段への入力信号として利用できる。
に制御する為に用いられた場合で説明したが、冷却キャ
ンロール３への貼り付き現象や皺発生の検出にも静電容
量検出手段１１を利用でき、従ってこれらの問題点を解
決する制御手段への入力信号として利用できる。
【００２５】
【効果】本発明によれば、支持体の走行制御が正確、か
つ、効率的に行われる。
つ、効率的に行われる。
【図１】薄膜形成装置（磁気記録媒体製造装置）の概略
図
図
【図２】静電容量検出手段の概略図
【図３】静電容量検出手段の概略図
【図４】従来の磁気記録媒体製造装置の概略図
１ 支持体 ２ａ 供給側ロール ２ｂ 巻取側ロール ３ 冷却キャンロール ５ ルツボ ６ 磁性金属 ７ 電子銃 ８ 真空槽 １０ ガイドローラー １１ 静電容量検出手段 １１ａ，１１ｂ 金属片 １２ 制御手段 １３ インピーダンスアナライザー １４ 差動アンプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 水野谷 博英 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内 (72)発明者 志賀 章 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】 真空中で走行する支持体面上に薄膜を設
ける薄膜形成方法であって、真空中で走行する支持体面
上に薄膜を設ける工程と、静電容量検出部を通過する支
持体の位置変動による静電容量変化を検出し、この検出
値を基にして支持体の走行を制御する工程とを具備する
ことを特徴とする薄膜形成方法。 - 【請求項２】 真空槽と、支持体の供給手段と、支持体
の巻取手段と、前記供給手段から巻取手段に支持体を走
行させる走行手段と、この走行手段によって真空槽内を
走行する支持体に対して粒子を堆積させ、支持体上に薄
膜を形成する薄膜形成手段と、真空槽内を走行する支持
体の端部を挟む如く構成した静電容量検出手段と、この
静電容量検出手段からの信号を受けて支持体の走行を制
御する制御手段とを具備することを特徴とする薄膜形成
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23666594A JPH08100258A (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23666594A JPH08100258A (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08100258A true JPH08100258A (ja) | 1996-04-16 |
Family
ID=17003980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23666594A Pending JPH08100258A (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08100258A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006104568A (ja) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Dainippon Printing Co Ltd | 圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置 |
| JP2006124731A (ja) * | 2004-10-26 | 2006-05-18 | Dainippon Printing Co Ltd | 圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置および成膜方法 |
| JP2006124781A (ja) * | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Dainippon Printing Co Ltd | 圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置および成膜方法 |
| JP2006124738A (ja) * | 2004-10-27 | 2006-05-18 | Dainippon Printing Co Ltd | 圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置 |
| JP2006131929A (ja) * | 2004-11-04 | 2006-05-25 | Dainippon Printing Co Ltd | 圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置および成膜方法 |
-
1994
- 1994-09-30 JP JP23666594A patent/JPH08100258A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006104568A (ja) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Dainippon Printing Co Ltd | 圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置 |
| JP4601379B2 (ja) * | 2004-10-08 | 2010-12-22 | 大日本印刷株式会社 | 圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置 |
| JP2006124731A (ja) * | 2004-10-26 | 2006-05-18 | Dainippon Printing Co Ltd | 圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置および成膜方法 |
| JP2006124738A (ja) * | 2004-10-27 | 2006-05-18 | Dainippon Printing Co Ltd | 圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置 |
| JP2006124781A (ja) * | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Dainippon Printing Co Ltd | 圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置および成膜方法 |
| JP2006131929A (ja) * | 2004-11-04 | 2006-05-25 | Dainippon Printing Co Ltd | 圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置および成膜方法 |
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