JPH0797476B2 - 電子放出装置 - Google Patents

電子放出装置

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JPH0797476B2
JPH0797476B2 JP11351586A JP11351586A JPH0797476B2 JP H0797476 B2 JPH0797476 B2 JP H0797476B2 JP 11351586 A JP11351586 A JP 11351586A JP 11351586 A JP11351586 A JP 11351586A JP H0797476 B2 JPH0797476 B2 JP H0797476B2
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JP
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electron
emitting device
electron emission
layer
trigger signal
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勇 下田
健夫 塚本
明 清水
彰 鈴木
正夫 菅田
昌彦 奥貫
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、サイリスタ構造を有する電子放出素子を用い
た電子放出装置に係り、特に安定した電子放出を行い、
電子放出量を容易に、かつ高精度に制御することを企図
した電子放出装置に関する。
[従来技術およびその問題点] 従来の電子放出装置において使用される電子放出素子と
しては、PN接合のなだれ降伏を用いたもの、PN接合に順
バイアスをかけてP層に電子を注入する方式のもの、薄
い絶縁層を金属で挟んだ構造を有するもの(MIM型)、
その他に電解放出型や表面伝導型の素子等がある。
第4図(A)は、PN接合に順方向バイアスをかけてP層
に電子を注入する方式の電子放出素子の模式的説明図で
あり、第4図(B)は、その概略的な電流−電圧特性を
示すグラフである。
同図(A)において、PN接合に順方向のバイアス電圧V
を印加すると、同図(B)に示すような順方向電流Iが
流れ、N層からP層に注入された電子がP層表面から真
空中へ放出される。このP層表面には、仕事関数を下げ
て電子放出量を増加させるためにセシウムCs等が塗布さ
れている。
しかしながら、このような電子放出素子を用いた電子放
出装置では、電子放出量を制御することが困難であり、
外部環境の変化や素子の効率の変化等に対して安定した
電子流を得ることができなかった。特に、同図(B)に
示すように、印加電圧VがVf以上になると電流Iの変化
が大きくなり、電圧によって電子放出量を制御すること
が困難となる。
このような制御の困難性は、MIM型および表面伝導型の
電子放出素子あるいはPN接合のなだれ降伏を利用した素
子や電界放出型の素子でも同様であり、印加電圧がある
程度以上になると電流の変化が大きくなり、電子放出量
の制御が困難であった。
[問題点を解決するための手段] 上記従来の問題点を解決するために、本発明による電子
放出装置は、サイリスタ構造を有する電子放出素子と、
該電子放出素子のゲート電極にトリガ信号を与えるトリ
ガ発生手段とを有し、該トリガ信号によって前記電子放
出素子の駆動電流を制御することで電子放出量を制御す
ることを特徴とする。
[作用] このようにサイリスタ構造の電子放出素子を用い、トリ
ガ信号によって駆動電流を制御することによって、効率
的で安定した電子放出量の制御を達成できる。
[実施例] 以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明す
る。
第1図は、本発明による電子放出装置の一実施例の概略
的構成図、第2図は、本実施例の動作を説明するための
波形図である。
第1図において、電子放出素子1は後述するようにサイ
リスタ構造を有し、そのアノード電極Aおよびカソード
電極Kには交流電源2が接続され、ゲート電極Gにはト
リガ発生回路3が接続されている。
このような構成において、まず交流電源により第2図に
示すような交流電圧が電子放出素子1の両端に印加され
ているものとする。この時、アノード電極Aが高い電位
であってもトリガ信号が入力しない限り電子放出素子1
は導通しないために、電流は流れず、したがって電子は
放出されない。しかし、アノード電極Aが高い電位の時
にトリガ信号がゲート電極Gに入力すると、電子放出素
子1に駆動電流が流れ、電子が放出される。
したがって、第2図のトリガ信号の波形図に示すよう
に、トリガ信号が交流電圧の所望の位相において発生す
るようにトリガ発生回路3を制御することによって、駆
動電流の時間積分値を所望値に設定することができる。
すなわち、電子放出素子1を流れた駆動電流をI、電子
放出の効率をηとすると、電子放出量i=ηIであり、
したがって、駆動電流Iの時間積分値を変化させること
で、電子放出量iの時間積分値を高精度に、しかも効率
良く制御することができる。
また、トリガ信号の位相をずらすことによって所望の電
子放出量を得ることができるために、電子線を利用した
表示装置に適用した場合、表示画像の階調を変化させる
こともできる。
第3図は、本実施例における電子放出素子1の構成を示
す概略的断面図である。
同図に示すように、N型基板11に、P層12、N層13およ
びP層14が各々形成され、更に絶縁層15が形成される。
続いて、P層12上にコンタクトホールおよびP層14上に
開口部が形成され、ゲート電極16およびアノード電極17
が各々形成される。開口部のP層14表面には、仕事関数
を下げて電子放出量を増加させるためにセシウムCs等が
塗布されている。また、N基板11の反対側にはカソード
電極18が形成される。
このようなサイリスタ構造を有する電子放出素子1が導
通して電子がP層14に流入すると、仕事関数の低いP層
14の表面から電子が放出される。
[発明の効果] 以上詳細に説明したように、本発明による電子放出装置
は、サイリスタ構造の電子放出素子を用い、トリガ信号
によって駆動電流を制御することによって、効率的で安
定した電子放出量の制御を行うことができる。
また、電子放出素子がサイリスタ構造を有しているため
に、特別なスイッチ手段を必要とせず、簡単な回路構成
で精度の良い電子放出量制御を達成できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明による電子放出装置の一実施例の概略
的構成図、 第2図は、本実施例の動作を説明するための波形図、 第3図は、本実施例における電子放出素子1の構成を示
す概略的断面図、 第4図(A)は、PN接合に順方向バイアスをかけてP層
に電子を注入する方式の電子放出素子の模式的説明図で
あり、第4図(B)は、その概略的な電流−電圧特性を
示すグラフである。 1……電子放出素子 2……交流電源 3……トリガ発生回路 16……ゲート電極 17……アノード電極 18……カソード電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 彰 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 菅田 正夫 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 奥貫 昌彦 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 (56)参考文献 特開 昭58−87733(JP,A)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】サイリスタ構造を有する電子放出素子と、
    該電子放出素子のゲート電極にトリガ信号を与えるトリ
    ガ発生手段とを有し、該トリガ信号によって前記電子放
    出素子の駆動電流を制御することで電子放出量を制御す
    ることを特徴とする電子放出装置。
JP11351586A 1986-05-20 1986-05-20 電子放出装置 Expired - Lifetime JPH0797476B2 (ja)

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JP11351586A JPH0797476B2 (ja) 1986-05-20 1986-05-20 電子放出装置

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JPS62272422A JPS62272422A (ja) 1987-11-26
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2626276B2 (ja) * 1991-02-06 1997-07-02 双葉電子工業株式会社 電子放出素子

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JPS62272422A (ja) 1987-11-26

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