JPH08250766A - 半導体冷電子放出素子及びこれを用いた装置 - Google Patents
半導体冷電子放出素子及びこれを用いた装置Info
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- JPH08250766A JPH08250766A JP5009395A JP5009395A JPH08250766A JP H08250766 A JPH08250766 A JP H08250766A JP 5009395 A JP5009395 A JP 5009395A JP 5009395 A JP5009395 A JP 5009395A JP H08250766 A JPH08250766 A JP H08250766A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 冷電子放出素子の新しい展開を可能にすると
ともに、半導体応用分野の拡大を図り得る半導体冷電子
放出素子及びこれを用いた装置を提供する。 【構成】 シリコン基板１と、このシリコン基板１の表
面を陽極酸化処理により多孔質化した多孔質シリコン層
２と、この多孔質シリコン層２上に形成されるＡｕ薄膜
電極３と、前記シリコン基板１の裏面に形成されるオー
ミック電極４と、前記Ａｕ薄膜電極３に対向して配置さ
れ、真空雰囲気で前記Ａｕ薄膜電極３からの放出電子を
捕獲するコレクタ電極５とを設ける。
ともに、半導体応用分野の拡大を図り得る半導体冷電子
放出素子及びこれを用いた装置を提供する。 【構成】 シリコン基板１と、このシリコン基板１の表
面を陽極酸化処理により多孔質化した多孔質シリコン層
２と、この多孔質シリコン層２上に形成されるＡｕ薄膜
電極３と、前記シリコン基板１の裏面に形成されるオー
ミック電極４と、前記Ａｕ薄膜電極３に対向して配置さ
れ、真空雰囲気で前記Ａｕ薄膜電極３からの放出電子を
捕獲するコレクタ電極５とを設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体による電子放出
素子に関するものである。さらに詳しくは、本発明は、
加熱を必要としない冷電子放出源として有用なだけでな
く、発光・電子放出機能集積素子としても有用な新規な
半導体素子に関するものである。具体的な利用分野は、
発光形フラットパネルディスプレイ素子（装置）、真空
マイクロエレクトロニクス素子（装置）、極高真空計測
用電子源等である。
素子に関するものである。さらに詳しくは、本発明は、
加熱を必要としない冷電子放出源として有用なだけでな
く、発光・電子放出機能集積素子としても有用な新規な
半導体素子に関するものである。具体的な利用分野は、
発光形フラットパネルディスプレイ素子（装置）、真空
マイクロエレクトロニクス素子（装置）、極高真空計測
用電子源等である。
【０００２】
【従来の技術】加熱を必要としない冷電子放出源につい
ては、従来から平面形発光ディスプレイ素子や真空マイ
クロエレクトロニクス素子などの電子放出源として、そ
の開発が望まれており、実際に種々の素子が提案・試作
されてきた。その代表的なものとして、金属又は半導体
の電界放出チップアレイ及びシリコンのｐｎ接合又はＭ
ＯＳ（Ｍｅｔａｌ−Ｏｘｉｄｅ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃ
ｔｏｒ）の構造素子の２つが挙げられる。
ては、従来から平面形発光ディスプレイ素子や真空マイ
クロエレクトロニクス素子などの電子放出源として、そ
の開発が望まれており、実際に種々の素子が提案・試作
されてきた。その代表的なものとして、金属又は半導体
の電界放出チップアレイ及びシリコンのｐｎ接合又はＭ
ＯＳ（Ｍｅｔａｌ−Ｏｘｉｄｅ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃ
ｔｏｒ）の構造素子の２つが挙げられる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前者の
電界放出チップアレイは、製作工程が複雑である。
電子放出特性が真空度に敏感である。安定な動作には
超高真空が必要である。動作電界が高いといった問題
がある。また、後者のｐｎ接合およびＭＯＳの構造素子
は、集積回路作製に準じた多くの製作工程と装置が必
要である。素子構造のパラメータ（接合深さ、酸化膜
の厚さ等）の厳密制御の必要性がある等のため、コスト
低減の点や応用範囲の面で大きな制約と限界があった。
電界放出チップアレイは、製作工程が複雑である。
電子放出特性が真空度に敏感である。安定な動作には
超高真空が必要である。動作電界が高いといった問題
がある。また、後者のｐｎ接合およびＭＯＳの構造素子
は、集積回路作製に準じた多くの製作工程と装置が必
要である。素子構造のパラメータ（接合深さ、酸化膜
の厚さ等）の厳密制御の必要性がある等のため、コスト
低減の点や応用範囲の面で大きな制約と限界があった。
【０００４】これらの問題を克服することは、冷電子放
出素子を本格的に進展させる上で不可欠である。また、
単なる電子放出機能だけではなく、付加的な機能をも兼
ね備えた冷電子放出素子を志向することも重要な技術課
題であると思われる。このような観点から、研究開発の
現状を見た場合、これまでのところ上記課題に応える提
案は、ほとんどなされていないのが現状である。
出素子を本格的に進展させる上で不可欠である。また、
単なる電子放出機能だけではなく、付加的な機能をも兼
ね備えた冷電子放出素子を志向することも重要な技術課
題であると思われる。このような観点から、研究開発の
現状を見た場合、これまでのところ上記課題に応える提
案は、ほとんどなされていないのが現状である。
【０００５】本発明は、以上の事情に鑑みてなされたも
のであり、冷電子放出素子の新しい展開を可能にすると
ともに、半導体応用分野の拡大を図り得る半導体冷電子
放出素子及びこれを用いた装置を提供することを目的と
している。
のであり、冷電子放出素子の新しい展開を可能にすると
ともに、半導体応用分野の拡大を図り得る半導体冷電子
放出素子及びこれを用いた装置を提供することを目的と
している。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 （１）半導体冷電子放出素子において、半導体基板と、
この半導体基板の表面を陽極酸化処理により多孔質化し
た多孔質半導体層と、この多孔質半導体層上に形成され
る金属薄膜電極と、前記半導体基板の裏面に形成される
オーミック電極と、前記金属薄膜電極に対向して配置さ
れ、真空雰囲気で該金属薄膜電極からの放出電子を捕獲
するコレクタ電極とを具備するようにしたものである。
成するために、 （１）半導体冷電子放出素子において、半導体基板と、
この半導体基板の表面を陽極酸化処理により多孔質化し
た多孔質半導体層と、この多孔質半導体層上に形成され
る金属薄膜電極と、前記半導体基板の裏面に形成される
オーミック電極と、前記金属薄膜電極に対向して配置さ
れ、真空雰囲気で該金属薄膜電極からの放出電子を捕獲
するコレクタ電極とを具備するようにしたものである。
【０００７】（２）上記（１）記載の半導体冷電子放出
素子は、面状又は点状の冷電子放出ダイオードである。 （３）上記（２）の半導体冷電子放出素子において、可
視域の発光ダイオード又はレーザダイオードとして動作
可能である。 （４）上記（２）又は（３）の半導体冷電子放出素子
を、半導体基板面上に多数配列し、それらを電子放出源
として利用する発光形フラットパネルディスプレイ（素
子）装置を得るようにしたものである。
素子は、面状又は点状の冷電子放出ダイオードである。 （３）上記（２）の半導体冷電子放出素子において、可
視域の発光ダイオード又はレーザダイオードとして動作
可能である。 （４）上記（２）又は（３）の半導体冷電子放出素子
を、半導体基板面上に多数配列し、それらを電子放出源
として利用する発光形フラットパネルディスプレイ（素
子）装置を得るようにしたものである。
【０００８】
【作用】本発明は、半導体の陽極酸化処理によって形成
される多孔質半導体（例えば多孔質シリコン）が、量子
サイズ効果の発現により特異な電気的・光学的性質を示
すことに着目してなされたものである。本発明の半導体
冷電子放出素子は、基本的には多孔質半導体を高抵抗層
として用いた一種のＭＩＳ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａ
ｔｏｒ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）ダイオード構造
の素子であり、金属薄膜／多孔質半導体／半導体基板を
その構成要素にしている。
される多孔質半導体（例えば多孔質シリコン）が、量子
サイズ効果の発現により特異な電気的・光学的性質を示
すことに着目してなされたものである。本発明の半導体
冷電子放出素子は、基本的には多孔質半導体を高抵抗層
として用いた一種のＭＩＳ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａ
ｔｏｒ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）ダイオード構造
の素子であり、金属薄膜／多孔質半導体／半導体基板を
その構成要素にしている。
【０００９】そこで、半導体基板から注入された電子を
多孔質半導体中の電界で加速し、金属薄膜中をトンネル
効果によって通過させ真空中に放出させるようにしてい
る。本発明により、複雑な工程は不要である。素子
構成が単純である。大面積化・多画素化が容易であ
る。超高真空を必要としない。発光ダイオードとし
ても機能する等の特徴を持つ冷電子放出素子を実現する
ことができる。
多孔質半導体中の電界で加速し、金属薄膜中をトンネル
効果によって通過させ真空中に放出させるようにしてい
る。本発明により、複雑な工程は不要である。素子
構成が単純である。大面積化・多画素化が容易であ
る。超高真空を必要としない。発光ダイオードとし
ても機能する等の特徴を持つ冷電子放出素子を実現する
ことができる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照しながら
説明する。図１は本発明の実施例を示す半導体冷電子放
出素子の構成を示す図である。この図に示すように、裏
面にオーミック電極をとった面方位（１１１）のｎ形シ
リコン基板（ｎ形シリコンウエハ）（比抵抗が０．００
１８Ωｃｍ）１表面に、５０ｗｔ％ＨＦ水溶液とエタノ
ールとの混合液（混合比は１：１）中で定電流陽極酸化
処理（電流密度は１００ｍＡ／ｃｍ2 、時間は５ｍｉ
ｎ）を施し、多孔質シリコン層（以下、ＰＳ層という）
２を形成する。陽極酸化中には５００Ｗのタングステン
ランプにより試料面を光照射する。ＰＳ層２の厚さは約
４０μｍである。作製したＰＳ層２の表面にＡｕ薄膜を
真空蒸着し（厚さ１５ｎｍ、直径６ｍｍの円形）、これ
を表面側の正電位ＶPSにあるＡｕ薄膜電極３として裏面
の接地電位にあるオーミック電極４との間でダイオード
を形成する。
説明する。図１は本発明の実施例を示す半導体冷電子放
出素子の構成を示す図である。この図に示すように、裏
面にオーミック電極をとった面方位（１１１）のｎ形シ
リコン基板（ｎ形シリコンウエハ）（比抵抗が０．００
１８Ωｃｍ）１表面に、５０ｗｔ％ＨＦ水溶液とエタノ
ールとの混合液（混合比は１：１）中で定電流陽極酸化
処理（電流密度は１００ｍＡ／ｃｍ2 、時間は５ｍｉ
ｎ）を施し、多孔質シリコン層（以下、ＰＳ層という）
２を形成する。陽極酸化中には５００Ｗのタングステン
ランプにより試料面を光照射する。ＰＳ層２の厚さは約
４０μｍである。作製したＰＳ層２の表面にＡｕ薄膜を
真空蒸着し（厚さ１５ｎｍ、直径６ｍｍの円形）、これ
を表面側の正電位ＶPSにあるＡｕ薄膜電極３として裏面
の接地電位にあるオーミック電極４との間でダイオード
を形成する。
【００１１】ここで、真空チャンバー１０を用いて、１
０-7Ｔｏｒｒの雰囲気におかれる。そこで、このダイオ
ードのＡｕ薄膜電極３に正電圧ＶPSを印加し、ｎ形シリ
コン基板１からＰＳ層２に電子を注入する。その際の電
流はＩPSである。その場合、ＰＳ層２は高抵抗であるの
で、印加電界の大部分はＰＳ層２にかかっているが、Ｐ
Ｓ層２の表面には酸化層が存在するため、図２のエネル
ギーバンド図に示すように、電界強度はＰＳ層２表面ほ
ど強い。
０-7Ｔｏｒｒの雰囲気におかれる。そこで、このダイオ
ードのＡｕ薄膜電極３に正電圧ＶPSを印加し、ｎ形シリ
コン基板１からＰＳ層２に電子を注入する。その際の電
流はＩPSである。その場合、ＰＳ層２は高抵抗であるの
で、印加電界の大部分はＰＳ層２にかかっているが、Ｐ
Ｓ層２の表面には酸化層が存在するため、図２のエネル
ギーバンド図に示すように、電界強度はＰＳ層２表面ほ
ど強い。
【００１２】更に、ｎ形シリコン基板１から注入された
電子は、Ａｕ薄膜電極３側に向けてＰＳ層２を走行し、
Ａｕ薄膜側に向かう。ＰＳ層２表面付近に達した電子
は、そこでの強電界により一部はＡｕ薄膜をトンネル
し、真空チャンバー１０の１０-7Ｔｏｒｒの雰囲気の真
空中に放出される。放出された電子はＡｕ薄膜電極３に
対し数Ｖの正電圧Ｖｃを印加してあるコレクタ電極５に
集められる。その際の電流はＩEMである。
電子は、Ａｕ薄膜電極３側に向けてＰＳ層２を走行し、
Ａｕ薄膜側に向かう。ＰＳ層２表面付近に達した電子
は、そこでの強電界により一部はＡｕ薄膜をトンネル
し、真空チャンバー１０の１０-7Ｔｏｒｒの雰囲気の真
空中に放出される。放出された電子はＡｕ薄膜電極３に
対し数Ｖの正電圧Ｖｃを印加してあるコレクタ電極５に
集められる。その際の電流はＩEMである。
【００１３】図３に放出電子流のＶPS依存性を示す。図
３において、１０-7Ｔｏｒｒの雰囲気で、横軸はＶ
PS（Ｖ）、縦軸は放出電子流（ｎＡ／ｃｍ2 ）を示す。
電子放出はＶPSが正の領域のみで観測され、電圧の上昇
とともに放出電子流は急激に増大する。この放出電子流
−電圧曲線の理論的な解析結果により、電子放出がトン
ネル効果によるものであることが裏付けられた。
３において、１０-7Ｔｏｒｒの雰囲気で、横軸はＶ
PS（Ｖ）、縦軸は放出電子流（ｎＡ／ｃｍ2 ）を示す。
電子放出はＶPSが正の領域のみで観測され、電圧の上昇
とともに放出電子流は急激に増大する。この放出電子流
−電圧曲線の理論的な解析結果により、電子放出がトン
ネル効果によるものであることが裏付けられた。
【００１４】図１のコレクタ電極５に蛍光体を塗布し、
Ａｕ薄膜電極３とコレクタ電極５の間に約４ｋＶの電圧
を印加した状態でダイオードから電子放出をさせたとこ
ろ、Ａｕ薄膜電極３に対応する円形の均一な蛍光パター
ンが観測された。このことは、ＰＳ層２からの電子放出
が均一であることを示すとともに、平面ディスプレイ素
子の電子源としての応用可能性を実証するものである。
Ａｕ薄膜電極３とコレクタ電極５の間に約４ｋＶの電圧
を印加した状態でダイオードから電子放出をさせたとこ
ろ、Ａｕ薄膜電極３に対応する円形の均一な蛍光パター
ンが観測された。このことは、ＰＳ層２からの電子放出
が均一であることを示すとともに、平面ディスプレイ素
子の電子源としての応用可能性を実証するものである。
【００１５】本発明の平面ディスプレイへの応用例を図
４に示す。この図において、１１はオーミック電極、１
２はシリコン基板、１３は多孔質シリコン層、１４は薄
膜電極、１５は信号供給源回路、１６は蛍光体、１７は
電子ビーム加速電圧を供給する電源、１８はガラス板で
ある。この図に示すように、信号供給源回路１５，１５
から画像に応じた電気信号がＸ方向、Ｙ方向から薄膜電
極１４を通じて供給される。各交点（画素）では、供給
された電圧に対応して、図１及び図２の原理に基づいて
電子が放出される。放出された電子は加速されて蛍光体
１６を発光させ、観測者はそのパターンを画像として見
ることができる。
４に示す。この図において、１１はオーミック電極、１
２はシリコン基板、１３は多孔質シリコン層、１４は薄
膜電極、１５は信号供給源回路、１６は蛍光体、１７は
電子ビーム加速電圧を供給する電源、１８はガラス板で
ある。この図に示すように、信号供給源回路１５，１５
から画像に応じた電気信号がＸ方向、Ｙ方向から薄膜電
極１４を通じて供給される。各交点（画素）では、供給
された電圧に対応して、図１及び図２の原理に基づいて
電子が放出される。放出された電子は加速されて蛍光体
１６を発光させ、観測者はそのパターンを画像として見
ることができる。
【００１６】このディスプレイ素子はシリコン基板とガ
ラス基板を基本要素とするもので、薄形、かつ大面積に
構成できることを特徴としている。また、多画素化も容
易であり、高解像度も期待できる。なお、本発明の冷電
子源による平面ディスプレイの構成は、図４に限定され
るものではなく、種々の変形が可能である。例えば、シ
リコン基板側から一様に放出させた電子流を画像に応じ
て強度変調するメッシュ状グリッド電極をシリコン基板
とガラス基板との中間に配置する方法、図４の各画素に
スイッチング用の能動素子（トランジスタまたはダイオ
ード）を配置する方法などが考えられる。
ラス基板を基本要素とするもので、薄形、かつ大面積に
構成できることを特徴としている。また、多画素化も容
易であり、高解像度も期待できる。なお、本発明の冷電
子源による平面ディスプレイの構成は、図４に限定され
るものではなく、種々の変形が可能である。例えば、シ
リコン基板側から一様に放出させた電子流を画像に応じ
て強度変調するメッシュ状グリッド電極をシリコン基板
とガラス基板との中間に配置する方法、図４の各画素に
スイッチング用の能動素子（トランジスタまたはダイオ
ード）を配置する方法などが考えられる。
【００１７】また、本願の発明者によって、既に特開平
４−３５６９７７号公報によって提案されているよう
に、本発明のダイオードは、電子放出と同時に可視光を
放出する発光ダイオードとしても動作させることができ
る。更に、上記実施例ではシリコンを基板としたもので
あるが、本発明はシリコンに限られたものではなく、陽
極酸化を適用できる半導体は全て利用することができ
る。
４−３５６９７７号公報によって提案されているよう
に、本発明のダイオードは、電子放出と同時に可視光を
放出する発光ダイオードとしても動作させることができ
る。更に、上記実施例ではシリコンを基板としたもので
あるが、本発明はシリコンに限られたものではなく、陽
極酸化を適用できる半導体は全て利用することができ
る。
【００１８】すなわち、ゲルマニウム（Ｇｅ）、炭化シ
リコン（ＳｉＣ）、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）、リン化
インジウム（ＩｎＰ）、セレン化カドミウム（ＣｄＳ
ｅ）など、IV族、III −Ｖ族、II−VI族などの単体及び
化合物半導体の多くが、これに該当する。以上述べたよ
うに、本発明は独自の半導体構成要素によって新規の半
導体冷電子放出素子を開発したもので、その応用範囲及
び適用範囲は極めて広い。
リコン（ＳｉＣ）、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）、リン化
インジウム（ＩｎＰ）、セレン化カドミウム（ＣｄＳ
ｅ）など、IV族、III −Ｖ族、II−VI族などの単体及び
化合物半導体の多くが、これに該当する。以上述べたよ
うに、本発明は独自の半導体構成要素によって新規の半
導体冷電子放出素子を開発したもので、その応用範囲及
び適用範囲は極めて広い。
【００１９】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００２０】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、以下のような効果を奏することができる。 （１）請求項１記載の発明によれば、複雑な工程は不要
であり、素子構成が単純であり、半導体冷電子放出素子
を得ることができる。
よれば、以下のような効果を奏することができる。 （１）請求項１記載の発明によれば、複雑な工程は不要
であり、素子構成が単純であり、半導体冷電子放出素子
を得ることができる。
【００２１】また、大面積化・多画素化が容易であり、
超高真空を必要としない。 （２）請求項２記載の発明によれば、上記（１）の効果
を有する面状又は点状の冷電子放出ダイオードを得るこ
とができる。 （３）請求項３記載の発明によれば、上記（２）の効果
を有し、可視域の発光ダイオード又はレーザダイオード
として動作可能である。
超高真空を必要としない。 （２）請求項２記載の発明によれば、上記（１）の効果
を有する面状又は点状の冷電子放出ダイオードを得るこ
とができる。 （３）請求項３記載の発明によれば、上記（２）の効果
を有し、可視域の発光ダイオード又はレーザダイオード
として動作可能である。
【００２２】（４）請求項４記載の発明によれば、上記
（２）又は（３）の半導体冷電子放出素子を、半導体基
板面上に多数配列し、それらを電子放出源として利用す
る発光形フラットパネルディスプレイ装置を得ることが
できる。
（２）又は（３）の半導体冷電子放出素子を、半導体基
板面上に多数配列し、それらを電子放出源として利用す
る発光形フラットパネルディスプレイ装置を得ることが
できる。
【図１】本発明の実施例を示す半導体冷電子放出素子の
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図２】本発明の実施例を示す半導体冷電子放出素子の
エネルギーバンド図である。
エネルギーバンド図である。
【図３】本発明の実施例を示す半導体冷電子放出素子の
放出電子流のＶPS依存性を示す図である。
放出電子流のＶPS依存性を示す図である。
【図４】本発明の実施例を示す平面ディスプレイ素子の
構成を示す図である。
構成を示す図である。
１ ｎ形シリコン基板（ｎ形シリコンウエハ） ２，１３ 多孔質シリコン層（ＰＳ層） ３ Ａｕ薄膜電極 ４，１１ オーミック電極 ５ コレクタ電極 １０ 真空チャンバー １２ シリコン基板 １４ 薄膜電極 １５ 信号供給源回路 １６ 蛍光体 １７ 電子ビーム加速電圧を供給する電源 １８ ガラス板
Claims (4)
- 【請求項１】（ａ）半導体基板と、（ｂ）該半導体基板
の表面を陽極酸化処理により多孔質化した多孔質半導体
層と、（ｃ）該多孔質半導体層上に形成される金属薄膜
電極と、（ｄ）前記半導体基板の裏面に形成されるオー
ミック電極と、（ｅ）前記金属薄膜電極に対向して配置
され、真空雰囲気で該金属薄膜電極からの放出電子を捕
獲するコレクタ電極とを具備することを特徴とする半導
体冷電子放出素子。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体冷電子放出素子
は、面状又は点状の冷電子放出ダイオードである半導体
冷電子放出素子。 - 【請求項３】 請求項２の半導体冷電子放出素子におい
て、可視域の発光ダイオード又はレーザダイオードとし
て動作可能である半導体冷電子放出素子。 - 【請求項４】 請求項２又は３の半導体冷電子放出素子
を、半導体基板面上に多数配列し、それらを電子放出源
として利用する発光形フラットパネルディスプレイ装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5009395A JP3226745B2 (ja) | 1995-03-09 | 1995-03-09 | 半導体冷電子放出素子及びこれを用いた装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5009395A JP3226745B2 (ja) | 1995-03-09 | 1995-03-09 | 半導体冷電子放出素子及びこれを用いた装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08250766A true JPH08250766A (ja) | 1996-09-27 |
| JP3226745B2 JP3226745B2 (ja) | 2001-11-05 |
Family
ID=12849448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5009395A Expired - Fee Related JP3226745B2 (ja) | 1995-03-09 | 1995-03-09 | 半導体冷電子放出素子及びこれを用いた装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3226745B2 (ja) |
Cited By (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0798761A1 (en) * | 1996-03-26 | 1997-10-01 | Pioneer Electronic Corporation | Cold electron emission display device |
| EP0913849A2 (en) * | 1997-10-29 | 1999-05-06 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Field emission electron source, method of producing the same, and use of the same |
| EP0989577A2 (en) * | 1998-09-25 | 2000-03-29 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Field emission electron source |
| EP1094485A2 (en) * | 1999-10-18 | 2001-04-25 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Field emission-type electron source and manufacturing method thereof |
| US6285118B1 (en) | 1998-11-16 | 2001-09-04 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Field emission-type electron source and manufacturing method thereof and display using the electron source |
| US6340425B2 (en) | 1999-04-08 | 2002-01-22 | Nec Corporation | Method of manufacturing cold cathode device having porous emitter |
| US6498426B1 (en) | 1999-04-23 | 2002-12-24 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Field emission-type electron source and manufacturing method thereof |
| US6707061B2 (en) | 2000-10-26 | 2004-03-16 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Field emission type electron source |
| US6844664B2 (en) | 2001-04-24 | 2005-01-18 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Field emission electron source and production method thereof |
| WO2005027172A1 (ja) * | 2003-09-16 | 2005-03-24 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | ダイヤモンド電子放出素子およびこれを用いた電子線源 |
| US6897606B2 (en) | 2002-07-01 | 2005-05-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Fluorescent-substance light emitting element and method of fabrication thereof, and image rendering device |
| US7307379B2 (en) | 2003-04-21 | 2007-12-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electron emitting element and image forming apparatus employing it |
| US7317285B2 (en) | 2003-01-14 | 2008-01-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electron emission device having cleaning function |
| WO2008133275A1 (ja) * | 2007-04-25 | 2008-11-06 | Crestec Corporation | 面放出型電子源および描画装置 |
| JP4776137B2 (ja) * | 2000-03-24 | 2011-09-21 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 弾道電子発生方法 |
| US8110971B2 (en) | 2009-05-19 | 2012-02-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting element, light emitting device, image display device, method of driving light emitting element, and method of producing light emitting element |
| US8164247B2 (en) | 2009-05-19 | 2012-04-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electron emitting element, electron emitting device, light emitting device, image display device, air blowing device, cooling device, charging device, image forming apparatus, and electron-beam curing device |
| US8249487B2 (en) | 2009-05-19 | 2012-08-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electron emitting element, electron emitting device, charging device, image forming apparatus, electron-beam curing device, light emitting device, image display device, air blowing device, and cooling device |
| US8299700B2 (en) | 2009-02-05 | 2012-10-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electron emitting element having an electron acceleration layer, electron emitting device, light emitting device, image display device, cooling device, and charging device |
| US8378565B2 (en) | 2009-06-25 | 2013-02-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electron emitting element having an electron acceleration layer using fine particle layer |
| US8401430B2 (en) | 2007-11-20 | 2013-03-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electron emitting element for accelerating and emitting electrons, and use of electron emitting element |
| US8476818B2 (en) | 2009-05-19 | 2013-07-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electron emitting element including a fine particle layer containing insulating particles, and devices and methods related thereto |
| US8487521B2 (en) | 2009-12-01 | 2013-07-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electron emitting element, method for producing electron emitting element, electron emitting device, charging device, image forming apparatus, electron-beam curing device, light emitting device, image display device, air blowing device, and cooling device |
| US8547007B2 (en) | 2009-02-24 | 2013-10-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electron emitting element, electron emitting device, light emitting device, image display device, air blowing device, cooling device, charging device, image forming apparatus, electron-beam curing device, and method for producing electron emitting element |
-
1995
- 1995-03-09 JP JP5009395A patent/JP3226745B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0798761A1 (en) * | 1996-03-26 | 1997-10-01 | Pioneer Electronic Corporation | Cold electron emission display device |
| EP0913849A2 (en) * | 1997-10-29 | 1999-05-06 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Field emission electron source, method of producing the same, and use of the same |
| EP0913849A3 (en) * | 1997-10-29 | 1999-05-19 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Field emission electron source, method of producing the same, and use of the same |
| US6249080B1 (en) | 1997-10-29 | 2001-06-19 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Field emission electron source, method of producing the same, and use of the same |
| US6791248B2 (en) | 1998-09-25 | 2004-09-14 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Field emission electron source |
| EP0989577A2 (en) * | 1998-09-25 | 2000-03-29 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Field emission electron source |
| EP0989577A3 (en) * | 1998-09-25 | 2000-04-05 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Field emission electron source |
| US6590321B1 (en) | 1998-09-25 | 2003-07-08 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Field emission electron source |
| EP1793404A2 (en) | 1998-11-16 | 2007-06-06 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Field emission-type electron source and manufacturing method thereof and display using the electron source |
| US6285118B1 (en) | 1998-11-16 | 2001-09-04 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Field emission-type electron source and manufacturing method thereof and display using the electron source |
| US6340425B2 (en) | 1999-04-08 | 2002-01-22 | Nec Corporation | Method of manufacturing cold cathode device having porous emitter |
| US6498426B1 (en) | 1999-04-23 | 2002-12-24 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Field emission-type electron source and manufacturing method thereof |
| EP1094485A2 (en) * | 1999-10-18 | 2001-04-25 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Field emission-type electron source and manufacturing method thereof |
| US6765342B1 (en) | 1999-10-18 | 2004-07-20 | Matsushita Electric Work, Ltd. | Field emission-type electron source and manufacturing method thereof |
| EP1094485A3 (en) * | 1999-10-18 | 2004-01-07 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Field emission-type electron source and manufacturing method thereof |
| JP4776137B2 (ja) * | 2000-03-24 | 2011-09-21 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 弾道電子発生方法 |
| US6707061B2 (en) | 2000-10-26 | 2004-03-16 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Field emission type electron source |
| US6844664B2 (en) | 2001-04-24 | 2005-01-18 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Field emission electron source and production method thereof |
| US6897606B2 (en) | 2002-07-01 | 2005-05-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Fluorescent-substance light emitting element and method of fabrication thereof, and image rendering device |
| US7317285B2 (en) | 2003-01-14 | 2008-01-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electron emission device having cleaning function |
| US7307379B2 (en) | 2003-04-21 | 2007-12-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electron emitting element and image forming apparatus employing it |
| WO2005027172A1 (ja) * | 2003-09-16 | 2005-03-24 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | ダイヤモンド電子放出素子およびこれを用いた電子線源 |
| WO2008133275A1 (ja) * | 2007-04-25 | 2008-11-06 | Crestec Corporation | 面放出型電子源および描画装置 |
| US8232711B2 (en) | 2007-04-25 | 2012-07-31 | Crestec Corporation | Surface emission type electron source and drawing device |
| US8401430B2 (en) | 2007-11-20 | 2013-03-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electron emitting element for accelerating and emitting electrons, and use of electron emitting element |
| US8299700B2 (en) | 2009-02-05 | 2012-10-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electron emitting element having an electron acceleration layer, electron emitting device, light emitting device, image display device, cooling device, and charging device |
| US8547007B2 (en) | 2009-02-24 | 2013-10-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electron emitting element, electron emitting device, light emitting device, image display device, air blowing device, cooling device, charging device, image forming apparatus, electron-beam curing device, and method for producing electron emitting element |
| US8616931B2 (en) | 2009-02-24 | 2013-12-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electron emitting element, electron emitting device, light emitting device, image display device, air blowing device, cooling device, charging device, image forming apparatus, electron-beam curing device, and method for producing electron emitting element |
| US8110971B2 (en) | 2009-05-19 | 2012-02-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting element, light emitting device, image display device, method of driving light emitting element, and method of producing light emitting element |
| US8164247B2 (en) | 2009-05-19 | 2012-04-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electron emitting element, electron emitting device, light emitting device, image display device, air blowing device, cooling device, charging device, image forming apparatus, and electron-beam curing device |
| US8249487B2 (en) | 2009-05-19 | 2012-08-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electron emitting element, electron emitting device, charging device, image forming apparatus, electron-beam curing device, light emitting device, image display device, air blowing device, and cooling device |
| US8476818B2 (en) | 2009-05-19 | 2013-07-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electron emitting element including a fine particle layer containing insulating particles, and devices and methods related thereto |
| US8378565B2 (en) | 2009-06-25 | 2013-02-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electron emitting element having an electron acceleration layer using fine particle layer |
| US8487521B2 (en) | 2009-12-01 | 2013-07-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electron emitting element, method for producing electron emitting element, electron emitting device, charging device, image forming apparatus, electron-beam curing device, light emitting device, image display device, air blowing device, and cooling device |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3226745B2 (ja) | 2001-11-05 |
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